IRLHS2242TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 6.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLHS2242TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRLHS2242TRPBF за ціною від 7.68 грн до 53.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2988000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2988000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1704000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 20V 1 P-CH HEXFET 31mOhms 12nC |
на замовлення 37132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V |
на замовлення 11119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 7.2 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.1 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 Verlustleistung: 2.1 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 15950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES | IRLHS2242TRPBF SMD P channel transistors |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF | IRLHS2242TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF Код товару: 113594 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |