Продукція > C3M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
C3MSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE XLR 3P SOLDER CUP
Packaging: Bulk
Features: Ground
Connector Type: Receptacle, Male Pins
Color: Silver
Voltage Rating: 125VAC
Current Rating (Amps): 15A
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 3
Orientation: Keyed
Shell Size - Insert: XLR
Fastening Type: Latch Lock
Termination: Solder Cup
Mounting Feature: Flange
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Active
Shell Material: Zinc
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+729.64 грн
25+ 598.78 грн
100+ 542.91 грн
C3MSWITCHCRAFT/CONXALLDescription: SWITCHCRAFT/CONXALL - C3M - CONNECTOR, XLR, PLUG, 3 POSITION
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
Kontaktüberzug: Nickel Plated Contacts
rohsCompliant: YES
Ausführung: Plug
Anzahl der Kontakte: 3Contacts
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Metal Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: C Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.99 грн
10+ 806.46 грн
25+ 720.98 грн
C3MSwitchcraftXLR Connectors 3 PIN MALE RECEPT
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
C3M-000000000000-NAAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+89944.37 грн
5+ 85066.38 грн
C3M-000000000000-NBAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+89944.37 грн
5+ 85066.38 грн
C3M0010090DWolfspeedC3M0010090D
товар відсутній
C3M0010090KWolfspeedC3M0010090K
товар відсутній
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2739.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3369.37 грн
30+ 2718.95 грн
120+ 2537.7 грн
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2214.68 грн
60+ 1926.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2949.7 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3611.75 грн
10+ 3195.51 грн
25+ 3038.07 грн
50+ 2833.21 грн
100+ 2392.91 грн
500+ 2273.78 грн
C3M0015065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3463.09 грн
10+ 3030.35 грн
30+ 2571.48 грн
60+ 2336.92 грн
120+ 2334.93 грн
270+ 2327.65 грн
510+ 2326.32 грн
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+3889.58 грн
10+ 3441.32 грн
25+ 3271.77 грн
50+ 3051.15 грн
100+ 2576.98 грн
500+ 2448.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2167.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3455.36 грн
10+ 3054.73 грн
30+ 2572.14 грн
60+ 2389.93 грн
120+ 2348.19 грн
270+ 2305.78 грн
510+ 2256.09 грн
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 57220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2543.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2543.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2501.05 грн
10+ 2349.37 грн
25+ 2345.77 грн
50+ 2227.33 грн
100+ 1934.61 грн
500+ 1846.14 грн
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2719.76 грн
10+ 2554.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 418A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0015065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3369.37 грн
30+ 2718.95 грн
120+ 2537.7 грн
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2693.44 грн
10+ 2530.09 грн
25+ 2526.21 грн
50+ 2398.67 грн
100+ 2083.43 грн
500+ 1988.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 418A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0015065KWolfspeedC3M0015065K
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1975.04 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2525.5 грн
10+ 2371.65 грн
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4575.5 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065K-MWolfspeed, Inc.Description: MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+4983.41 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+3497.1 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4370.91 грн
10+ 4324.9 грн
25+ 4270.98 грн
50+ 4090.72 грн
100+ 3764.6 грн
C3M0016120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5442 грн
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4707.14 грн
10+ 4657.59 грн
25+ 4599.52 грн
50+ 4405.39 грн
100+ 4054.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
C3M0016120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4817.17 грн
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5366.75 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 556W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 28.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 211nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeedMOSFET SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6552.04 грн
10+ 5896.11 грн
30+ 4891.17 грн
60+ 4783.17 грн
120+ 4664.57 грн
C3M0016120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6300.04 грн
5+ 5893.46 грн
10+ 5486.89 грн
50+ 4858.92 грн
C3M0016120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 556W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 28.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 211nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6033.47 грн
30+ 5060.11 грн
120+ 4797.73 грн
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5010.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0021120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2752.97 грн
30+ 2221.42 грн
120+ 2073.32 грн
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2191.76 грн
10+ 2061.69 грн
25+ 2025.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2035.21 грн
10+ 1914.43 грн
25+ 1880.64 грн
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2129.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2948.26 грн
10+ 2589.17 грн
30+ 2117.61 грн
60+ 2046.71 грн
120+ 1976.48 грн
270+ 1905.58 грн
510+ 1817.46 грн
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2779.87 грн
5+ 2689.93 грн
10+ 2599.99 грн
50+ 2330.77 грн
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1639.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120KWolfspeedMOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2948.26 грн
10+ 2589.17 грн
30+ 2117.61 грн
60+ 2046.71 грн
120+ 1976.48 грн
270+ 1905.58 грн
510+ 1817.46 грн
C3M0021120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2752.97 грн
30+ 2221.42 грн
120+ 2073.32 грн
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065DWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2269.56 грн
10+ 1988.74 грн
60+ 1512.01 грн
2520+ 1341.06 грн
C3M0025065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1244.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0025065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
товар відсутній
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1979.85 грн
10+ 1811.63 грн
25+ 1714.58 грн
50+ 1636.01 грн
100+ 1326.11 грн
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1999.98 грн
10+ 1781.43 грн
25+ 1763.46 грн
50+ 1463.4 грн
100+ 1302.36 грн
500+ 1144.9 грн
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товар відсутній
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1367.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
C3M0025065J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 25 mO, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2223.95 грн
10+ 1949.11 грн
25+ 1580.25 грн
50+ 1531.22 грн
100+ 1482.19 грн
250+ 1383.47 грн
500+ 1272.15 грн
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1915.15 грн
10+ 1721.05 грн
25+ 1703.79 грн
50+ 1429.43 грн
100+ 1274.76 грн
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2062.47 грн
10+ 1853.43 грн
25+ 1834.85 грн
50+ 1539.39 грн
100+ 1372.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0025065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2099.31 грн
10+ 1796.9 грн
100+ 1571.63 грн
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A T/R
товар відсутній
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1641.3 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1335.72 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2223.95 грн
10+ 1949.11 грн
30+ 1580.25 грн
60+ 1531.22 грн
120+ 1482.19 грн
270+ 1383.47 грн
510+ 1272.15 грн
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1439.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
товар відсутній
C3M0025065KWolfspeedC3M0025065K
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1150.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1336.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1438.46 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2118.67 грн
10+ 1881.38 грн
25+ 1796.81 грн
100+ 1507.69 грн
250+ 1438.26 грн
C3M0025065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2300.48 грн
10+ 2014.64 грн
25+ 1634.59 грн
50+ 1583.57 грн
100+ 1532.55 грн
250+ 1430.51 грн
500+ 1315.22 грн
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 62ns
товар відсутній
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1912.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3216 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0030090K
Код товару: 143865		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0030090KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3158.65 грн
30+ 2549.03 грн
120+ 2379.09 грн
C3M0030090KWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3430.62 грн
10+ 3012.82 грн
30+ 2464.14 грн
60+ 2381.31 грн
120+ 2299.82 грн
270+ 2217.66 грн
510+ 2114.96 грн
C3M0030090KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3300.16 грн
5+ 3120.29 грн
10+ 2939.67 грн
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3374.52 грн
10+ 2986.31 грн
25+ 2839.66 грн
50+ 2648.81 грн
100+ 2316.53 грн
500+ 2201.68 грн
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3634.09 грн
10+ 3216.03 грн
25+ 3058.09 грн
50+ 2852.57 грн
100+ 2494.72 грн
500+ 2371.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
C3M0032120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2171.39 грн
10+ 2040.55 грн
30+ 1588.87 грн
60+ 1542.49 грн
120+ 1491.47 грн
270+ 1487.49 грн
C3M0032120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2001.65 грн
5+ 1830.7 грн
10+ 1659 грн
50+ 1492.88 грн
100+ 1333.44 грн
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1741.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2234.34 грн
10+ 2033.82 грн
25+ 1980.4 грн
50+ 1872.35 грн
100+ 1578.12 грн
500+ 1501.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1741.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0032120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2396.04 грн
30+ 1912.53 грн
120+ 1793.01 грн
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2074.75 грн
10+ 1888.55 грн
25+ 1838.95 грн
50+ 1738.61 грн
100+ 1465.4 грн
500+ 1394.46 грн
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2216.53 грн
10+ 2010.6 грн
25+ 1966.47 грн
50+ 1858.16 грн
100+ 1547.02 грн
500+ 1442 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2058.21 грн
10+ 1866.98 грн
25+ 1826.01 грн
50+ 1725.44 грн
100+ 1436.52 грн
500+ 1339 грн
C3M0032120J1WolfspeedC3M0032120J1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2396.04 грн
50+ 1912.54 грн
100+ 1793.01 грн
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2061.69 грн
10+ 1900.66 грн
25+ 1865.82 грн
50+ 1768.58 грн
100+ 1495.86 грн
500+ 1400.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2601.95 грн
10+ 2279.05 грн
25+ 1848.6 грн
50+ 1791.62 грн
100+ 1733.31 грн
250+ 1617.36 грн
500+ 1487.49 грн
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3134.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1914.43 грн
10+ 1764.9 грн
25+ 1732.55 грн
50+ 1642.25 грн
100+ 1389.02 грн
500+ 1300.18 грн
C3M0032120J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
C3M0032120J1-TRWolfspeedC3M0032120J1-TR
товар відсутній
C3M0032120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
товар відсутній
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2016.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0032120KWolfspeedMOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2601.95 грн
10+ 2279.05 грн
30+ 1848.6 грн
60+ 1791.62 грн
120+ 1733.31 грн
270+ 1617.36 грн
510+ 1487.49 грн
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1872.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1345.04 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 71230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1741.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
C3M0032120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120K - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2501.88 грн
5+ 2287.81 грн
10+ 2073.75 грн
50+ 1866.27 грн
100+ 1666.65 грн
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0040120DWolfspeedC3M0040120D
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+903.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1854.48 грн
C3M0040120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2067.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120DWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1788.25 грн
30+ 1427.45 грн
120+ 1338.24 грн
C3M0040120D
Код товару: 198825		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0040120DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1941.8 грн
10+ 1700.71 грн
30+ 1379.49 грн
60+ 1336.43 грн
120+ 1293.36 грн
270+ 1207.22 грн
510+ 1110.49 грн
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120D-MVFWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
товар відсутній
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+889.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0040120J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1941.8 грн
10+ 1700.71 грн
25+ 1379.49 грн
50+ 1336.43 грн
100+ 1293.36 грн
250+ 1207.22 грн
500+ 1110.49 грн
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0040120J1WolfspeedC3M0040120J1
товар відсутній
C3M0040120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1788.25 грн
50+ 1427.46 грн
100+ 1338.24 грн
500+ 1071.69 грн
C3M0040120J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1941.8 грн
10+ 1700.71 грн
25+ 1379.49 грн
50+ 1336.43 грн
100+ 1293.36 грн
250+ 1207.22 грн
500+ 1110.49 грн
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1832.69 грн
10+ 1568.38 грн
100+ 1371.71 грн
C3M0040120J1-TRWolfspeedC3M0040120J1-TR
товар відсутній
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1215.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0040120J1-TRWolfspeedSiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1787.57 грн
10+ 1621.81 грн
25+ 1535.25 грн
50+ 1338.12 грн
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120KWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2089.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1941.8 грн
10+ 1700.71 грн
30+ 1379.49 грн
60+ 1336.43 грн
120+ 1293.36 грн
270+ 1207.22 грн
510+ 1110.49 грн
C3M0040120KWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1788.25 грн
30+ 1427.45 грн
120+ 1338.24 грн
510+ 1071.69 грн
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+989.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+896.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+707.25 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0045065DWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.84 грн
10+ 1228.29 грн
30+ 1038.93 грн
60+ 981.28 грн
120+ 923.64 грн
270+ 894.48 грн
510+ 836.84 грн
C3M0045065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1289.4 грн
30+ 1005.14 грн
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товар відсутній
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0045065J1MACOMMOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.84 грн
10+ 1228.29 грн
25+ 1038.93 грн
50+ 981.28 грн
100+ 923.64 грн
250+ 894.48 грн
500+ 836.84 грн
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+779.14 грн
100+ 752.83 грн
C3M0045065J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 45mO, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.84 грн
10+ 1228.29 грн
25+ 1038.93 грн
50+ 981.28 грн
100+ 923.64 грн
250+ 894.48 грн
500+ 836.84 грн
C3M0045065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1289.4 грн
50+ 1005.15 грн
100+ 946.03 грн
500+ 804.58 грн
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0045065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
C3M0045065J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.84 грн
10+ 1228.29 грн
25+ 1038.93 грн
50+ 981.28 грн
100+ 923.64 грн
250+ 894.48 грн
500+ 836.84 грн
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+870.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
C3M0045065KMACOMMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1369.78 грн
10+ 1191.72 грн
30+ 1017.06 грн
60+ 904.42 грн
120+ 870.63 грн
270+ 854.73 грн
1020+ 757.33 грн
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+801.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1296.78 грн
11+ 1157.74 грн
25+ 1146.2 грн
50+ 1091.16 грн
100+ 898.69 грн
500+ 792.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
C3M0045065KWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1382.14 грн
10+ 1202.39 грн
30+ 1019.71 грн
60+ 923.64 грн
120+ 892.5 грн
270+ 858.7 грн
510+ 814.31 грн
C3M0045065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1302.31 грн
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1204.16 грн
10+ 1075.04 грн
25+ 1064.33 грн
50+ 1013.22 грн
100+ 834.5 грн
500+ 735.93 грн
C3M0045065LWolfspeedMOSFET
товар відсутній
C3M0045065LWolfspeedC3M0045065L
товар відсутній
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0045065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1228.31 грн
10+ 1066.75 грн
25+ 902.43 грн
50+ 852.08 грн
100+ 802.39 грн
250+ 777.21 грн
500+ 726.85 грн
C3M0045065L-TRWolfspeedC3M0045065L-TR
товар відсутній
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1120.26 грн
10+ 950.04 грн
100+ 821.66 грн
500+ 698.8 грн
C3M0060065DWolfspeedC3M0060065D
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+543.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+710.95 грн
18+ 680.13 грн
25+ 673.32 грн
50+ 642.78 грн
100+ 572.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+742.05 грн
900+ 681.52 грн
4500+ 681.37 грн
9000+ 656.9 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+639.46 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1086.57 грн
30+ 846.65 грн
120+ 796.87 грн
510+ 677.72 грн
C3M0060065DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+602.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+704.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+688.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.17 грн
10+ 631.55 грн
25+ 625.23 грн
50+ 596.87 грн
100+ 531.67 грн
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+789.63 грн
2700+ 735.76 грн
5400+ 694.94 грн
8100+ 639.57 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+559.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1190.44 грн
10+ 1033.99 грн
30+ 874.61 грн
60+ 825.58 грн
120+ 777.21 грн
270+ 752.69 грн
510+ 704.32 грн
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+850.3 грн
100+ 807.8 грн
250+ 793.48 грн
500+ 704.97 грн
1000+ 601.8 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товар відсутній
C3M0060065JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+858.29 грн
100+ 807.25 грн
250+ 790.14 грн
500+ 692.12 грн
1000+ 583.46 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+924.32 грн
100+ 869.35 грн
250+ 850.92 грн
500+ 745.36 грн
1000+ 628.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-263-7, Industrial, Gen 3
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1190.44 грн
10+ 1034.75 грн
25+ 875.27 грн
50+ 729.5 грн
100+ 672.52 грн
250+ 667.88 грн
500+ 625.48 грн
C3M0060065JWolfspeedC3M0060065J
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+602.18 грн
100+ 546.24 грн
200+ 518.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+789.57 грн
100+ 750.1 грн
250+ 736.8 грн
500+ 654.61 грн
1000+ 558.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+704.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1096.6 грн
50+ 854.63 грн
100+ 804.36 грн
500+ 684.09 грн
C3M0060065JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0060065J-TRWolfspeedC3M0060065J-TR
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1021.17 грн
13+ 922.85 грн
25+ 920.14 грн
50+ 832.25 грн
100+ 673.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+948.23 грн
10+ 856.93 грн
25+ 854.41 грн
50+ 772.81 грн
100+ 625.57 грн
C3M0060065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1086.57 грн
30+ 846.65 грн
C3M0060065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0060065KMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1191.21 грн
10+ 1034.75 грн
30+ 844.79 грн
60+ 752.69 грн
120+ 712.27 грн
C3M0060065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A Automotive Tube
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+704.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065LWolfspeedMOSFET
товар відсутній
C3M0060065LWolfspeedC3M0060065L
товар відсутній
C3M0060065L-TRWolfspeedC3M0060065L-TR
товар відсутній
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+938.2 грн
10+ 795.86 грн
100+ 688.3 грн
500+ 585.39 грн
1000+ 536.94 грн
C3M0060065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+993.32 грн
10+ 863.31 грн
25+ 730.16 грн
50+ 689.75 грн
100+ 648.67 грн
250+ 628.79 грн
500+ 587.71 грн
C3M0065065DWolfspeedC3M0065065D
товар відсутній
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1265.66 грн
3+ 1154.23 грн
30+ 1065.1 грн
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+698.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0065090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1299.44 грн
30+ 1012.92 грн
120+ 953.33 грн
510+ 810.79 грн
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1054.71 грн
3+ 926.23 грн
30+ 887.58 грн
C3M0065090D
Код товару: 182273		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0065090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1347.36 грн
10+ 1232.86 грн
30+ 970.02 грн
60+ 924.96 грн
120+ 876.59 грн
270+ 863.34 грн
510+ 818.95 грн
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+898.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
C3M0065090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1230.87 грн
5+ 1128.3 грн
10+ 1025.73 грн
50+ 885.51 грн
100+ 790 грн
250+ 786.81 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1243.24 грн
100+ 1230.68 грн
250+ 1218.11 грн
500+ 1162.49 грн
1000+ 1065.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0065090J
Код товару: 148769		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
C3M0065090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1168.02 грн
10+ 1116.28 грн
25+ 968.69 грн
50+ 860.69 грн
100+ 789.13 грн
500+ 750.04 грн
2500+ 749.38 грн
C3M0065090JCREEN-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+849.92 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1169.65 грн
10+ 1076.55 грн
25+ 1065.77 грн
50+ 1007.33 грн
100+ 814.15 грн
C3M0065090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1180.33 грн
5+ 1144.65 грн
10+ 1108.97 грн
50+ 926.23 грн
100+ 791.27 грн
250+ 790.64 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1259.62 грн
11+ 1159.36 грн
25+ 1147.75 грн
50+ 1084.81 грн
100+ 876.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1128.3 грн
3+ 1028.66 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
C3M0065090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 4266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1323.81 грн
50+ 1031.89 грн
100+ 971.2 грн
500+ 825.98 грн
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+940.25 грн
3+ 825.47 грн
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1323.81 грн
10+ 1122.94 грн
100+ 971.2 грн
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+702.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+914 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1417.7 грн
10+ 1230.58 грн
25+ 1041.58 грн
50+ 983.27 грн
100+ 925.63 грн
250+ 896.47 грн
500+ 838.83 грн
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0065100JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+928.36 грн
5+ 915.72 грн
10+ 902.34 грн
50+ 740.57 грн
100+ 674.05 грн
C3M0065100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
Power dissipation: 113.5W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 14ns
товар відсутній
C3M0065100JWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1197.39 грн
10+ 1178.76 грн
50+ 921.65 грн
100+ 890.51 грн
250+ 889.85 грн
500+ 875.93 грн
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1282.45 грн
10+ 1154.7 грн
25+ 1128.17 грн
50+ 1061.47 грн
100+ 874.43 грн
500+ 775.73 грн
C3M0065100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
Power dissipation: 113.5W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 14ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0065100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1447.09 грн
10+ 1237.92 грн
100+ 1082.73 грн
500+ 867.07 грн
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1381.1 грн
10+ 1243.52 грн
25+ 1214.95 грн
50+ 1143.12 грн
100+ 941.69 грн
500+ 835.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
C3M0065100J-TRCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
товар відсутній
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065100J-TRWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET
товар відсутній
C3M0065100KMACOMMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1532.88 грн
10+ 1341.83 грн
30+ 1088.62 грн
60+ 1054.83 грн
120+ 1021.04 грн
270+ 952.79 грн
510+ 875.93 грн
C3M0065100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns
Reverse recovery time: 14ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 35nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.58 грн
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1091.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
C3M0065100KWolfspeedMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
товар відсутній
C3M0065100K
Код товару: 126113		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0065100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1178.84 грн
5+ 1077.76 грн
10+ 976.67 грн
50+ 879.3 грн
100+ 785.54 грн
250+ 732.66 грн
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns
Reverse recovery time: 14ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 35nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-4
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1411.97 грн
30+ 1126.71 грн
120+ 1056.3 грн
510+ 845.91 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+968.21 грн
900+ 958.87 грн
4500+ 949.09 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0075120DMACOMMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.84 грн
10+ 1228.29 грн
30+ 1038.93 грн
60+ 981.28 грн
120+ 923.64 грн
270+ 894.48 грн
510+ 836.84 грн
C3M0075120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1359.46 грн
5+ 1262.83 грн
10+ 1165.46 грн
50+ 1022.17 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+977.83 грн
1350+ 911.13 грн
2700+ 860.58 грн
4050+ 792.01 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1232.36 грн
2+ 770.25 грн
3+ 728.15 грн
C3M0075120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1302.31 грн
30+ 1015.47 грн
120+ 955.76 грн
510+ 812.85 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+968.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.84 грн
10+ 1228.29 грн
30+ 1038.93 грн
60+ 981.28 грн
120+ 923.64 грн
270+ 894.48 грн
510+ 836.84 грн
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1478.83 грн
2+ 959.85 грн
3+ 873.78 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+915.1 грн
14+ 862.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+672.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1042.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+849.74 грн
10+ 800.5 грн
C3M0075120D-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1302.31 грн
30+ 1015.47 грн
120+ 955.76 грн
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+848.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
C3M0075120D-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.84 грн
10+ 1228.29 грн
30+ 1038.93 грн
60+ 981.28 грн
120+ 923.64 грн
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.71 грн
C3M0075120D-AWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.84 грн
10+ 1310.58 грн
30+ 968.03 грн
120+ 923.64 грн
270+ 894.48 грн
510+ 836.84 грн
1020+ 767.93 грн
C3M0075120JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1043.56 грн
10+ 1027.89 грн
50+ 790.46 грн
100+ 764.62 грн
500+ 743.42 грн
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+977.83 грн
2000+ 911.13 грн
4000+ 860.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1065.34 грн
100+ 963.83 грн
250+ 958.01 грн
500+ 850.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0075120JWolfspeedC3M0075120J
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+677.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1147.29 грн
100+ 1037.97 грн
250+ 1031.7 грн
500+ 915.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1222.13 грн
10+ 1084.28 грн
25+ 937.55 грн
50+ 922.31 грн
100+ 832.86 грн
250+ 828.23 грн
500+ 761.31 грн
C3M0075120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 5562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1302.31 грн
50+ 1015.49 грн
100+ 955.76 грн
500+ 812.85 грн
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0075120JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1256.89 грн
5+ 1208.57 грн
10+ 1160.26 грн
50+ 987.66 грн
100+ 835.87 грн
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+841.9 грн
2000+ 841.76 грн
5000+ 841.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0075120J1WolfspeedC3M0075120J1
товар відсутній
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.31 грн
10+ 1231.69 грн
25+ 1205.24 грн
50+ 1020.84 грн
100+ 851.64 грн
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1386.69 грн
10+ 1224.93 грн
25+ 1198.77 грн
50+ 1015.99 грн
100+ 848.05 грн
500+ 763.84 грн
C3M0075120KMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1443.21 грн
10+ 1253.44 грн
60+ 942.85 грн
270+ 837.5 грн
510+ 808.35 грн
1020+ 784.5 грн
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1493.35 грн
10+ 1319.16 грн
25+ 1290.98 грн
50+ 1094.14 грн
100+ 913.28 грн
500+ 822.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0075120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 3408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1434.53 грн
5+ 1315.6 грн
10+ 1195.94 грн
50+ 1044.94 грн
100+ 926.98 грн
250+ 869 грн
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
товар відсутній
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1502.64 грн
10+ 1326.44 грн
25+ 1297.95 грн
50+ 1099.37 грн
100+ 917.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0075120KWolfspeed1200V, 75 mOhm, G3 SiC MOSFET
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+670.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120KWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.84 грн
10+ 1228.29 грн
30+ 1038.93 грн
60+ 981.28 грн
120+ 923.64 грн
270+ 894.48 грн
510+ 836.84 грн
C3M0075120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1387.6 грн
30+ 1108.1 грн
120+ 1038.82 грн
510+ 831.91 грн
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+870.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0075120K-AWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.84 грн
10+ 1228.29 грн
30+ 1038.93 грн
60+ 981.28 грн
120+ 923.64 грн
270+ 894.48 грн
510+ 836.84 грн
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1392.44 грн
10+ 1218.46 грн
25+ 1174.4 грн
50+ 1060.5 грн
100+ 887.52 грн
500+ 789.6 грн
C3M0075120K-AWolfspeedC3M0075120K-A
товар відсутній
C3M0075120K-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1335.28 грн
10+ 1132.74 грн
C3M0075120K-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.84 грн
10+ 1228.29 грн
30+ 1038.93 грн
60+ 981.28 грн
120+ 923.64 грн
270+ 894.48 грн
510+ 836.84 грн
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1499.55 грн
10+ 1312.19 грн
25+ 1264.73 грн
50+ 1142.07 грн
100+ 955.79 грн
500+ 850.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+415.16 грн
10+ 393.17 грн
25+ 381.74 грн
50+ 366.16 грн
100+ 306.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120065DWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.16 грн
10+ 550.08 грн
30+ 524.5 грн
120+ 427.39 грн
270+ 408.18 грн
C3M0120065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mO, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.9 грн
10+ 444.99 грн
30+ 374.36 грн
120+ 345.2 грн
270+ 334.6 грн
510+ 314.73 грн
C3M0120065D
Код товару: 178862		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+389.79 грн
10+ 370.38 грн
25+ 360.24 грн
50+ 345.64 грн
100+ 291.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120065DWolfspeedC3M0120065D
товар відсутній
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+404.17 грн
10+ 382.1 грн
25+ 380.01 грн
50+ 362.14 грн
100+ 302.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120065JWolfspeedC3M0120065J
товар відсутній
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120065JWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.16 грн
10+ 550.08 грн
50+ 524.5 грн
100+ 427.39 грн
250+ 408.18 грн
500+ 372.17 грн
1000+ 318.83 грн
C3M0120065JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mO, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.43 грн
10+ 505.95 грн
50+ 428.03 грн
100+ 398.87 грн
250+ 389.6 грн
500+ 365.08 грн
1000+ 329.3 грн
C3M0120065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0120065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120065KWolfspeedC3M0120065K
товар відсутній
C3M0120065KWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.16 грн
10+ 550.08 грн
30+ 524.5 грн
120+ 427.39 грн
270+ 408.18 грн
510+ 372.17 грн
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.37 грн
10+ 541.33 грн
25+ 511.5 грн
50+ 488.31 грн
100+ 372.87 грн
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+392.45 грн
900+ 337.02 грн
1800+ 330.19 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0120065KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mO, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.59 грн
10+ 443.47 грн
30+ 373.03 грн
120+ 343.88 грн
270+ 333.94 грн
510+ 318.04 грн
1020+ 314.73 грн
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120065LWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A
товар відсутній
C3M0120065L-TRWolfspeedC3M0120065L-TR
товар відсутній
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0120090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
товар відсутній
C3M0120090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.37 грн
5+ 770.04 грн
10+ 694.97 грн
50+ 588.04 грн
100+ 526.24 грн
250+ 495.02 грн
C3M0120090DCREEN-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+457.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+775.24 грн
2+ 553.53 грн
4+ 523.16 грн
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+464.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+930.29 грн
2+ 689.78 грн
4+ 627.8 грн
C3M0120090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+810.89 грн
10+ 707.87 грн
30+ 546.63 грн
120+ 528.74 грн
270+ 482.36 грн
510+ 463.14 грн
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+672.53 грн
10+ 623.21 грн
25+ 612.79 грн
50+ 586.05 грн
100+ 473.64 грн
500+ 376.25 грн
C3M0120090D
Код товару: 165992		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+472.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0120090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+875.05 грн
10+ 757.4 грн
50+ 638.07 грн
100+ 553.92 грн
250+ 545.97 грн
500+ 487.66 грн
1000+ 476.4 грн
C3M0120090JCREEN-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+465.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120090J
Код товару: 126112		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 6362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.89 грн
50+ 480.63 грн
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+977.56 грн
2+ 718.17 грн
4+ 654.3 грн
10+ 653.47 грн
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+814.63 грн
2+ 576.31 грн
4+ 545.25 грн
10+ 544.56 грн
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120090J-TRWolfspeedG3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm,
товар відсутній
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+499.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0120090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0120090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.73 грн
10+ 553.95 грн
50+ 481.03 грн
100+ 476.4 грн
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.89 грн
10+ 505.01 грн
100+ 480.63 грн
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+782.67 грн
2+ 590.11 грн
4+ 557.67 грн
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120100JWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1199.71 грн
10+ 1104.85 грн
25+ 946.83 грн
50+ 832.2 грн
100+ 783.17 грн
250+ 769.92 грн
500+ 709.62 грн
C3M0120100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1120.26 грн
50+ 873.23 грн
100+ 821.86 грн
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+939.21 грн
2+ 735.37 грн
4+ 669.21 грн
C3M0120100JMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1089.17 грн
10+ 946.36 грн
25+ 816.3 грн
50+ 803.05 грн
100+ 710.29 грн
250+ 704.32 грн
500+ 644.03 грн
C3M0120100J-TRWolfspeedC3M0120100J-TR
товар відсутній
C3M0120100KMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1042.02 грн
10+ 912.08 грн
30+ 773.89 грн
60+ 689.08 грн
120+ 663.24 грн
270+ 630.78 грн
C3M0120100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 0.17Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+843.35 грн
30+ 725.39 грн
C3M0120100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1169.18 грн
5+ 1051.74 грн
10+ 933.56 грн
50+ 815.8 грн
100+ 718.01 грн
250+ 682.33 грн
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 0.17Ω
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+786.97 грн
30+ 635.71 грн
C3M0120100K
Код товару: 178240		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+456.78 грн
Мінімальне замовлення: 26
C3M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.95 грн
5+ 559.69 грн
10+ 509.15 грн
50+ 452.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+440.25 грн
900+ 409.05 грн
4500+ 407.54 грн
9000+ 388.97 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+317.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+477.84 грн
8550+ 438.74 грн
17100+ 410.37 грн
25650+ 375.22 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.37 грн
30+ 565.03 грн
120+ 505.55 грн
510+ 418.63 грн
1020+ 376.77 грн
C3M0160120D
Код товару: 167206		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+409.13 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0160120DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+614.54 грн
10+ 530.33 грн
30+ 414.11 грн
120+ 408.81 грн
270+ 382.31 грн
510+ 370.38 грн
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+440.6 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+317.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0160120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.37 грн
50+ 565.03 грн
100+ 505.56 грн
500+ 418.63 грн
1000+ 376.77 грн
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-263-7, Industrial, Gen 3
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+797.75 грн
10+ 673.58 грн
50+ 532.05 грн
100+ 488.32 грн
250+ 459.83 грн
500+ 430.68 грн
1000+ 387.61 грн
C3M0160120JWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+658.53 грн
100+ 552.31 грн
250+ 550.46 грн
500+ 470.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0160120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+611.5 грн
100+ 512.86 грн
250+ 511.14 грн
500+ 437.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0160120J-TRWolfspeedC3M0160120J-TR
товар відсутній
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
товар відсутній
C3M0160120J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+322.79 грн
10+ 303.3 грн
25+ 297.34 грн
50+ 284.85 грн
100+ 234.61 грн
500+ 187.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090D
Код товару: 123313		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+241.05 грн
3000+ 240.98 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 3561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+238.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0280090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+418.32 грн
3+ 356.93 грн
4+ 317.21 грн
9+ 299.82 грн
30+ 289.05 грн
C3M0280090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.88 грн
10+ 419.91 грн
100+ 349.95 грн
500+ 289.78 грн
1000+ 260.8 грн
2000+ 244.38 грн
C3M0280090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.12 грн
10+ 400.03 грн
30+ 331.95 грн
120+ 287.56 грн
270+ 274.97 грн
510+ 250.46 грн
1020+ 217.99 грн
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0280090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 20ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+348.6 грн
3+ 286.43 грн
4+ 264.34 грн
9+ 249.85 грн
30+ 240.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+393.19 грн
5+ 376.1 грн
10+ 359 грн
50+ 316.8 грн
100+ 277.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+412.43 грн
100+ 343.2 грн
250+ 336.09 грн
500+ 283.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0280090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.16 грн
10+ 480.04 грн
50+ 378.33 грн
100+ 347.85 грн
250+ 327.31 грн
500+ 306.77 грн
1000+ 276.3 грн
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.76 грн
3+ 291.95 грн
8+ 276.08 грн
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0280090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+593.14 грн
5+ 530.7 грн
10+ 468.27 грн
50+ 412.04 грн
100+ 334.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090JCREEN-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+265.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090JMACOMMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.16 грн
10+ 480.04 грн
50+ 378.33 грн
100+ 347.85 грн
250+ 327.31 грн
500+ 306.77 грн
1000+ 276.3 грн
C3M0280090J
Код товару: 118894		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+462.91 грн
3+ 363.81 грн
8+ 331.29 грн
50+ 318.87 грн
C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.83 грн
10+ 442.82 грн
100+ 369.02 грн
500+ 305.57 грн
1000+ 275.01 грн
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.83 грн
10+ 442.82 грн
100+ 369.02 грн
C3M0280090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.86 грн
10+ 400.03 грн
25+ 315.39 грн
100+ 290.21 грн
250+ 272.98 грн
500+ 263.71 грн
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+338.13 грн
1600+ 293.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+214.9 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0350120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5.5A; Idm: 20A; 50W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+280.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0350120DMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.83 грн
10+ 449.56 грн
30+ 325.33 грн
270+ 286.9 грн
510+ 258.41 грн
1020+ 246.48 грн
C3M0350120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.53 грн
30+ 376.7 грн
120+ 337.04 грн
510+ 279.08 грн
1020+ 251.18 грн
2010+ 235.36 грн
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.83 грн
10+ 449.56 грн
30+ 325.33 грн
120+ 324.66 грн
270+ 286.9 грн
510+ 258.41 грн
1020+ 246.48 грн
C3M0350120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5.5A; Idm: 20A; 50W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+302.25 грн
Мінімальне замовлення: 39
C3M0350120JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.63 грн
10+ 453.37 грн
50+ 335.27 грн
100+ 286.23 грн
500+ 262.38 грн
1000+ 246.48 грн
C3M0350120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.7 грн
50+ 381.95 грн
100+ 341.75 грн
500+ 282.98 грн
C3M0350120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 13nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
товар відсутній
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0350120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 13nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0350120J-TRWolfspeedGen 3 1200V 350 m¿ SiC MOSFET, Tape and Reel
товар відсутній
C3M0350120J-TRWolfspeedC3M0350120J-TR
товар відсутній
C3M0350120J-TRWolfspeedMOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel
товар відсутній
C3M580000L002ABRACONAbracon
товар відсутній