Продукція > GHX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GHXS010A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS010A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS010A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1401.47 грн
10+ 1227.53 грн
20+ 1060.13 грн
50+ 1027 грн
100+ 932.91 грн
200+ 919 грн
500+ 796.42 грн
GHXS010A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1276.5 грн
10+ 1092.71 грн
GHXS010A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS015A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS015A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS015A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GHXS015A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2859.05 грн
GHXS015A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS020A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS020A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS020A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
GHXS020A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1808.07 грн
10+ 1776.15 грн
20+ 1498.09 грн
50+ 1478.22 грн
100+ 1349.01 грн
200+ 1307.93 грн
500+ 1260.23 грн
GHXS020A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A060S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2446.93 грн
10+ 2099.55 грн
GHXS030A060S-D1ESemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4600.19 грн
10+ 4122.25 грн
20+ 3464.63 грн
50+ 3345.37 грн
100+ 3226.11 грн
200+ 3106.18 грн
500+ 2987.58 грн
GHXS030A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товар відсутній
GHXS030A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1937.16 грн
10+ 1696.14 грн
20+ 1376.84 грн
50+ 1333.77 грн
100+ 1290.04 грн
200+ 1204.57 грн
500+ 1107.83 грн
GHXS030A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A120S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3408.07 грн
10+ 2924.26 грн
GHXS030A120S-D1ESemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7759.48 грн
10+ 7253.17 грн
30+ 6212.36 грн
100+ 5959.91 грн
250+ 5847.27 грн
GHXS030A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4863.76 грн
10+ 4399.81 грн
GHXS030A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4931.04 грн
10+ 4565.71 грн
30+ 3898.62 грн
100+ 3557.4 грн
250+ 3490.47 грн
GHXS030A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS045A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS045A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS045A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6464.94 грн
10+ 5904.21 грн
GHXS045A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6971.78 грн
10+ 6517.87 грн
30+ 5512.67 грн
100+ 5273.48 грн
GHXS045A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS050A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4066.04 грн
10+ 3840.32 грн
30+ 3215.5 грн
100+ 2933.24 грн
250+ 2878.91 грн
GHXS050A060S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3752.1 грн
GHXS050A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS050A170S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11357.37 грн
10+ 10243.22 грн
GHXS050A170S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 125-134 дні (днів)
1+3850.37 грн
10+ 3381.61 грн
20+ 2765.61 грн
50+ 2672.85 грн
100+ 2581.41 грн
200+ 2488.65 грн
500+ 2374.03 грн
GHXS050B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 650V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2030.51 грн
10+ 1737.48 грн
GHXS050B065S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2139.69 грн
10+ 1873.68 грн
20+ 1573.63 грн
50+ 1539.17 грн
100+ 1424.55 грн
200+ 1376.84 грн
500+ 1301.97 грн
GHXS050B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3204.9 грн
10+ 2685.17 грн
20+ 2256.09 грн
50+ 2180.55 грн
100+ 2105.68 грн
200+ 2030.15 грн
500+ 1936.06 грн
GHXS050B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2892.02 грн
GHXS060A120S-D3Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227
товар відсутній
GHXS060A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS060B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5967.64 грн
10+ 5527.31 грн
GHXS060B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6216.23 грн
10+ 5464.98 грн
GHXS100B065S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2671.53 грн
10+ 2346.1 грн
20+ 1973.17 грн
50+ 1937.39 грн
100+ 1790.96 грн
200+ 1755.18 грн
500+ 1694.88 грн
GHXS100B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2494.23 грн
10+ 2140.34 грн
GHXS100B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5133.56 грн
10+ 4585.52 грн
20+ 3917.18 грн
50+ 3846.28 грн
100+ 3575.29 грн
200+ 3518.3 грн
500+ 3487.82 грн
GHXS100B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5262.26 грн
10+ 4592.86 грн
100+ 4117.72 грн