Продукція > GNP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+418.8 грн
Мінімальне замовлення: 3500
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1126.07 грн
25+ 1074.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+840.65 грн
50+ 737.12 грн
100+ 640.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
GNP1070TC-ZE2ROHM SemiconductorMOSFET NCH 650V 20A ESD
на замовлення 7860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1019.6 грн
10+ 886.17 грн
25+ 749.38 грн
50+ 707.64 грн
100+ 665.89 грн
250+ 645.35 грн
500+ 623.49 грн
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1391.82 грн
12+ 1036.46 грн
50+ 915.05 грн
100+ 808.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711 грн
10+ 602.81 грн
100+ 521.37 грн
500+ 443.41 грн
1000+ 406.72 грн
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1013.83 грн
5+ 927.61 грн
10+ 840.65 грн
50+ 737.12 грн
100+ 640.28 грн
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+593.88 грн
5+ 509.89 грн
10+ 425.16 грн
50+ 378.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
GNP1150TCA-ZE2ROHM SemiconductorMOSFET NCH 650V 11A ESD
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.94 грн
10+ 480.8 грн
25+ 409.47 грн
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080AK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
товар відсутній
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+425.16 грн
50+ 378.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080AK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.22 грн
10+ 431.92 грн
100+ 359.91 грн
500+ 298.02 грн
1000+ 268.22 грн
GNPA-80350U-CG-NOR Electronics Co., LTDAC-DC перетворювач струму (світлодіодний драйвер); Кіл. вих. кан. = 1; Uвих1, В = 40 80; Рвих, Вт = 28; Uвх (AC), В = 170...250; Iвих1, А = 0,35; Габ. розм, мм = 247 х 36,5 х 27; ККД, % = 85; Тексп, °С = -25...+50; 247х37х27mm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1014.51 грн
10+ 946.87 грн