Продукція > IHW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IHW15N120E1Infineon / IRIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.46 грн
7+ 123.54 грн
18+ 116.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+166.16 грн
10+ 145.05 грн
25+ 138.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.48 грн
30+ 139.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+193.1 грн
10+ 162.69 грн
25+ 153.7 грн
100+ 127.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.34 грн
10+ 174.49 грн
25+ 133.84 грн
100+ 113.96 грн
240+ 111.98 грн
480+ 101.37 грн
1200+ 86.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1
Код товару: 185295		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW15N120E1XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 156 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.29 грн
10+ 152.37 грн
100+ 115.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+207.95 грн
67+ 175.2 грн
71+ 165.52 грн
100+ 137.07 грн
Мінімальне замовлення: 56
IHW15N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+214.96 грн
3+ 187.5 грн
7+ 148.25 грн
18+ 139.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A
товар відсутній
IHW15N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW15N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A
товар відсутній
IHW15N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/282ns
Switching Energy: 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.8Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 357 W
товар відсутній
IHW15N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
товар відсутній
IHW15N120R3Infineon30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
IHW15N120R3
Код товару: 140007		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW15N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.36 грн
10+ 190.49 грн
25+ 156.37 грн
100+ 133.84 грн
240+ 119.93 грн
480+ 118.6 грн
1200+ 101.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW15N120R3FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+249 грн
10+ 175.41 грн
100+ 133.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.74 грн
30+ 164.17 грн
120+ 140.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+364.24 грн
36+ 322.78 грн
50+ 285.28 грн
100+ 248.43 грн
200+ 228.26 грн
Мінімальне замовлення: 32
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.34 грн
10+ 188.21 грн
25+ 145.11 грн
100+ 132.52 грн
240+ 101.37 грн
1200+ 96.07 грн
2640+ 95.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.28 грн
3+ 204.3 грн
6+ 156.67 грн
14+ 147.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15N120R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+294.34 грн
3+ 254.58 грн
6+ 188.01 грн
14+ 177.24 грн
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+227.68 грн
10+ 192.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15T120INF07+;
на замовлення 13680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 113000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 113W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 113 W
товар відсутній
IHW20N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
товар відсутній
IHW20N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2INFINEON07+ SOP20
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 330W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/359ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 330 W
товар відсутній
IHW20N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
товар відсутній
IHW20N120R2INFINEON
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2 (маркування H20R1202)
Код товару: 105788		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
товар відсутній
IHW20N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
товар відсутній
IHW20N120R3 (маркування H20R1203)
Код товару: 83109		InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 1200 V
Vce: 1,48 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 310 W
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1
Код товару: 118248		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/387ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 211 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N120R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.48 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.48
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW20N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235 грн
10+ 215.64 грн
25+ 161.01 грн
100+ 138.48 грн
240+ 135.17 грн
480+ 106.01 грн
1200+ 100.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+331.63 грн
37+ 317.38 грн
50+ 305.28 грн
100+ 284.39 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW20N120R5Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R5Infineon TechnologiesDescription: IHW20N120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: -, 750µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
товар відсутній
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+155.05 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW20N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.32 грн
3+ 224.31 грн
5+ 171.86 грн
13+ 162.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+200.93 грн
10+ 198.92 грн
25+ 169.3 грн
50+ 161.59 грн
100+ 134.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+321.99 грн
3+ 279.53 грн
5+ 206.23 грн
13+ 194.63 грн
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.62 грн
30+ 170.5 грн
120+ 146.14 грн
510+ 121.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N120R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.55 V, 288 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товар відсутній
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+208.76 грн
10+ 208.03 грн
25+ 173.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+204.2 грн
66+ 177.1 грн
100+ 169.36 грн
200+ 162.37 грн
Мінімальне замовлення: 57
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+216.39 грн
55+ 214.22 грн
64+ 182.32 грн
65+ 174.02 грн
100+ 144.47 грн
Мінімальне замовлення: 54
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.68 грн
10+ 297.17 грн
25+ 243.17 грн
100+ 191.49 грн
240+ 182.21 грн
480+ 170.95 грн
1200+ 164.32 грн
IHW20N135R3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+156.95 грн
78+ 149.05 грн
100+ 147.08 грн
Мінімальне замовлення: 74
IHW20N135R3
Код товару: 133097		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N135R3Infineon40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode   IHW20N135R3 TIHW20n135r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+152.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW20N135R3Infineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+353.71 грн
10+ 300.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N135R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 310 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.35
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
на замовлення 13692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+153.01 грн
Мінімальне замовлення: 132
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW20N135R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.05 грн
10+ 217.16 грн
25+ 178.23 грн
100+ 153.06 грн
240+ 143.78 грн
480+ 135.17 грн
1200+ 115.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5Infineon technologies
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N135R5 транзистор IGBT 40A ( IHW20N135R5XKSA1)
Код товару: 162475		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N135R5XKSAInfineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
товар відсутній
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252 грн
10+ 235.45 грн
25+ 172.93 грн
100+ 153.06 грн
240+ 143.78 грн
480+ 138.48 грн
1200+ 109.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+294.34 грн
3+ 254.58 грн
6+ 188.01 грн
14+ 177.24 грн
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.41 грн
30+ 186.44 грн
120+ 159.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+176.23 грн
10+ 171.79 грн
25+ 157.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+185.48 грн
10+ 180.44 грн
25+ 164.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW20N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N135R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 288 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.62 грн
10+ 205.15 грн
100+ 156.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.28 грн
3+ 204.3 грн
6+ 156.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+108.39 грн
112+ 104.52 грн
Мінімальне замовлення: 108
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+212.52 грн
65+ 179.54 грн
69+ 169.7 грн
70+ 161.33 грн
100+ 129.96 грн
120+ 121.97 грн
240+ 116.86 грн
Мінімальне замовлення: 55
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.21 грн
10+ 166.11 грн
25+ 136.49 грн
100+ 116.61 грн
240+ 109.99 грн
480+ 102.7 грн
1200+ 88.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+197.34 грн
10+ 166.71 грн
25+ 157.58 грн
30+ 149.81 грн
100+ 120.67 грн
120+ 113.26 грн
240+ 108.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/150ns
Switching Energy: -, 70µJ (off)
Test Condition: 25V, 20A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 211 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.8 грн
30+ 146.73 грн
120+ 125.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.98 грн
10+ 160.01 грн
100+ 114.63 грн
240+ 109.33 грн
480+ 82.16 грн
1200+ 77.52 грн
2640+ 75.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5Infineon TechnologiesDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 82 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 540µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.78 грн
30+ 145.58 грн
120+ 119.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.47 грн
10+ 165.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW20N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 257ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 257ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1
Код товару: 182097		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+130.65 грн
92+ 126.78 грн
Мінімальне замовлення: 89
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20T120INF07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 20A
товар відсутній
IHW20T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 178W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 28Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 178 W
товар відсутній
IHW25N120MODULE
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120E1Infineon / IRIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+146.37 грн
10+ 136.59 грн
25+ 135.66 грн
100+ 120.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.75 грн
30+ 168.57 грн
120+ 144.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW25N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+140.98 грн
10+ 131.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.54 грн
10+ 202.68 грн
25+ 150.41 грн
100+ 133.18 грн
240+ 132.52 грн
480+ 104.69 грн
1200+ 98.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+157.63 грн
79+ 147.1 грн
80+ 146.09 грн
100+ 129.75 грн
Мінімальне замовлення: 74
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.82 грн
10+ 181.36 грн
100+ 121.9 грн
500+ 110.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120R2Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW25N120R2FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 365 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 50A 365W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: -/324ns
Switching Energy: 1.59mJ
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 60.7 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 365 W
товар відсутній
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.4 грн
10+ 185.16 грн
25+ 151.73 грн
100+ 129.87 грн
240+ 122.58 грн
480+ 115.29 грн
1200+ 98.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1400V 68A TO247-44
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/195ns
Switching Energy: -, 110µJ (off)
Test Condition: 25V, 25A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.12 грн
30+ 154.21 грн
120+ 132.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N100RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/846ns
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 209 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
товар відсутній
IHW30N100TINFINEONMODULE
на замовлення 100059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N100TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N100TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/546ns
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
товар відсутній
IHW30N110R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.81 грн
10+ 299.45 грн
25+ 246.48 грн
100+ 213.35 грн
240+ 202.09 грн
480+ 181.55 грн
1200+ 166.31 грн
IHW30N110R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+377.59 грн
10+ 288.39 грн
100+ 212.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 180nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.1kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 470ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 166W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+376.4 грн
3+ 319.95 грн
4+ 267.52 грн
10+ 253.44 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+289.56 грн
10+ 234.18 грн
100+ 189.47 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.15 грн
10+ 252.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 180nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.1kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 470ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 166W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.66 грн
3+ 256.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.81 грн
10+ 299.45 грн
25+ 246.48 грн
100+ 237.87 грн
240+ 202.09 грн
480+ 181.55 грн
1200+ 166.31 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+325.4 грн
43+ 271.74 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW30N110R3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TO-247-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+239.03 грн
10+ 213.3 грн
25+ 213.15 грн
50+ 199.72 грн
100+ 164.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.05 грн
10+ 217.16 грн
25+ 178.23 грн
100+ 153.06 грн
240+ 143.78 грн
480+ 135.17 грн
1200+ 115.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Gate Charge: 240 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.99 грн
30+ 189.55 грн
120+ 162.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+182.72 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW30N110R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N110R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.18 грн
10+ 297.31 грн
25+ 255.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+257.42 грн
51+ 229.55 грн
53+ 215.08 грн
100+ 177.03 грн
Мінімальне замовлення: 46
IHW30N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
товар відсутній
IHW30N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 60A 390W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/792ns
Switching Energy: 3.1mJ
Test Condition: 600V, 30A, 28Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 390 W
товар відсутній
IHW30N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
товар відсутній
IHW30N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW30N120R3Infineon technologies
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N120R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 349
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.71 грн
10+ 296.22 грн
25+ 287.87 грн
50+ 269.78 грн
100+ 244.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 60A 349W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: -/326ns
Switching Energy: 1.47mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+331.38 грн
37+ 319.01 грн
38+ 310.01 грн
50+ 290.53 грн
100+ 263.12 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW30N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 363ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+218.71 грн
59+ 199.82 грн
62+ 187.82 грн
100+ 168.79 грн
Мінімальне замовлення: 54
IHW30N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 363ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/330ns
Switching Energy: 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.69 грн
30+ 186.1 грн
120+ 159.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+396.82 грн
46+ 252.7 грн
57+ 204.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+203.09 грн
10+ 185.55 грн
25+ 174.41 грн
100+ 156.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.55 грн
25+ 211.07 грн
100+ 157.69 грн
480+ 135.83 грн
1200+ 109.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+379.82 грн
10+ 306.23 грн
25+ 194 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.18 грн
10+ 304.03 грн
25+ 249.79 грн
100+ 214.01 грн
240+ 202.09 грн
480+ 190.16 грн
1200+ 168.96 грн
IHW30N135R3
Код товару: 187683		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N135R3Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N135R3Infineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/337ns
Switching Energy: 1.93mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/337ns
Switching Energy: 1.93mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N135R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 349
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.35
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 263nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 510ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+93.46 грн
9+ 68.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.3 грн
10+ 279.64 грн
25+ 231.9 грн
100+ 204.07 грн
240+ 194.8 грн
480+ 185.52 грн
1200+ 168.96 грн
IHW30N135R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/310ns
Switching Energy: 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.34 грн
50+ 204.03 грн
100+ 174.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.14 грн
10+ 176.35 грн
25+ 172.1 грн
50+ 164.29 грн
100+ 139.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 330W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.22 грн
10+ 246.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1
Код товару: 183681		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.42 грн
10+ 258.31 грн
25+ 189.5 грн
100+ 164.32 грн
240+ 159.68 грн
480+ 127.88 грн
1200+ 120.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.23 грн
10+ 223.33 грн
25+ 213.23 грн
50+ 204.97 грн
100+ 160.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+203.69 грн
62+ 189.91 грн
63+ 185.34 грн
64+ 176.93 грн
100+ 150.07 грн
Мінімальне замовлення: 58
IHW30N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 165W
Gate charge: 235nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 680ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+357.67 грн
3+ 310.49 грн
5+ 228.59 грн
12+ 216.17 грн
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10996.29 грн
IHW30N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 165W
Gate charge: 235nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 680ns
Type of transistor: IGBT
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.06 грн
3+ 249.16 грн
5+ 190.49 грн
12+ 180.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+150.71 грн
Мінімальне замовлення: 78
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+352.4 грн
38+ 309.95 грн
50+ 246.78 грн
100+ 237.01 грн
200+ 208.88 грн
Мінімальне замовлення: 33
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+11842.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+172.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+185.47 грн
Мінімальне замовлення: 63
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1400V 80A TO247-44
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: -, 140µJ (off)
Test Condition: 25V, 30A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.76 грн
30+ 201.21 грн
120+ 172.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N140R5LXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N140R5LXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 306 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.15 грн
10+ 330.02 грн
100+ 277.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N140R5LXKSA1
Код товару: 196050		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.79 грн
10+ 237.73 грн
25+ 194.8 грн
100+ 166.97 грн
240+ 157.03 грн
480+ 147.76 грн
1200+ 126.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N160R2
Код товару: 53306		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товар відсутній
IHW30N160R2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 30A; 312W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 675ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.18 грн
10+ 394.68 грн
50+ 370.54 грн
100+ 336.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/525ns
Switching Energy: 4.37mJ
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N160R2FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
Verlustleistung Pd: 312
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.6
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товар відсутній
IHW30N160R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N160R5Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+454.04 грн
27+ 434.53 грн
50+ 417.98 грн
100+ 389.37 грн
Мінімальне замовлення: 26
IHW30N160R5FKSA1Infineon TechnologiesIHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5FKSA1Infineon TechnologiesIHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.95 грн
10+ 326.88 грн
25+ 238.53 грн
100+ 204.74 грн
240+ 204.07 грн
480+ 155.04 грн
1200+ 146.43 грн
IHW30N160R5XKSA1InfineonReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+311.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.79 грн
3+ 280.22 грн
8+ 264.34 грн
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+392.91 грн
35+ 331.94 грн
50+ 252.58 грн
100+ 242.63 грн
200+ 211.7 грн
960+ 179.17 грн
1920+ 167.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.25 грн
30+ 246.63 грн
120+ 211.39 грн
510+ 176.34 грн
1020+ 150.99 грн
2010+ 142.18 грн
IHW30N160R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Resonant Switching Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+419.21 грн
10+ 301.03 грн
100+ 228.19 грн
500+ 204.3 грн
1000+ 180.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+525.35 грн
3+ 349.19 грн
8+ 317.21 грн
IHW30N160R5XKSA1
Код товару: 180199		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 39A; 1600V; 131,5W; Корпус: TO-247; Infineon
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+325.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N60TInfineon TechnologiesDescription: IHW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IHW30N60TMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IHW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IHW30N65R5Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N65R5Rochester Electronics, LLCDescription: IHW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns
Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.78 грн
30+ 143.21 грн
120+ 122.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 228ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N65R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 176 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35
Verlustleistung Pd: 176
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 228ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.98 грн
10+ 166.87 грн
25+ 136.49 грн
100+ 117.28 грн
240+ 102.04 грн
480+ 88.79 грн
1200+ 83.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 65A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns
Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 163 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+99.94 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesReverse-Conducting IGBT with Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns
Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 163 W
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399486
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 65A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.29 грн
10+ 135.28 грн
25+ 109.26 грн
240+ 90.41 грн
720+ 81.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW30N90RInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 900V 60A 454W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/511ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 454 W
товар відсутній
IHW30N90RXKInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
товар відсутній
IHW30N90TINF07+;
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N90TInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 60A, 900V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/556ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+180.45 грн
Мінімальне замовлення: 113
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 900V 60A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/556ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 30A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
товар відсутній
IHW40N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 429000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N120R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 429 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 80A 429W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/336ns
Switching Energy: 2.02mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 429 W
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW40N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.93 грн
10+ 276.59 грн
25+ 204.07 грн
100+ 174.92 грн
240+ 168.96 грн
480+ 132.52 грн
1200+ 125.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N120R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 394 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+377.59 грн
10+ 305.49 грн
25+ 250.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+460.98 грн
32+ 371.15 грн
50+ 350.43 грн
100+ 289.36 грн
Мінімальне замовлення: 26
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/420ns
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.53 грн
30+ 213.73 грн
120+ 183.19 грн
510+ 152.82 грн
1020+ 130.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1
Код товару: 175988		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N135R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 429 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 80A 429W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/343ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 365 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 429 W
товар відсутній
IHW40N135R5Infineon TechnologiesInfineon HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 17590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+227.45 грн
10+ 215.63 грн
25+ 205.49 грн
100+ 180.86 грн
240+ 154.96 грн
480+ 139.14 грн
1200+ 133.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Gate charge: 305nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.61 грн
3+ 313.35 грн
4+ 240.19 грн
10+ 227.07 грн
IHW40N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N135R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.57 грн
10+ 263.12 грн
100+ 181.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+321.57 грн
10+ 300.98 грн
25+ 227.93 грн
100+ 195.46 грн
240+ 188.84 грн
480+ 177.57 грн
1200+ 139.8 грн
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+245.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/410ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+308.2 грн
30+ 235.4 грн
120+ 201.78 грн
IHW40N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Gate charge: 305nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+449.54 грн
3+ 390.48 грн
4+ 288.22 грн
10+ 272.49 грн
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 17589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+201.9 грн
61+ 193.22 грн
63+ 185.86 грн
100+ 173.14 грн
250+ 155.45 грн
500+ 145.18 грн
1000+ 141.63 грн
2500+ 138.5 грн
5000+ 135.74 грн
Мінімальне замовлення: 58
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 11025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1 (H40PR5) ; Reverse conducting IGBT+диод; 40(80)A; 1350V; 394W; Корпус: TO-247; Infineon
Код товару: 182017		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
IHW40N135R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 40(80)A; 1350V; 394W; Корпус: TO-247; Infineon
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+331.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.35 грн
10+ 280.4 грн
25+ 230.58 грн
100+ 198.11 грн
240+ 186.85 грн
480+ 175.58 грн
1200+ 150.41 грн
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14
Packaging: Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.43 грн
10+ 271.11 грн
100+ 219.33 грн
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.41 грн
10+ 324.6 грн
25+ 267.02 грн
100+ 242.5 грн
240+ 206.06 грн
480+ 196.79 грн
1200+ 180.22 грн
IHW40N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 15396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+163.36 грн
Мінімальне замовлення: 121
IHW40N60RINFINEONDescription: INFINEON - IHW40N60R - IGBT, 40 A, 2.4 V, 305 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 305
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N60RFInfineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.68 грн
10+ 317.74 грн
25+ 261.06 грн
100+ 216 грн
240+ 182.87 грн
480+ 173.6 грн
1200+ 162.33 грн
IHW40N60RF
Код товару: 101823		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+328.49 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW40N60RFFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N60RFFKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 305 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+163.74 грн
Мінімальне замовлення: 123
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+167.77 грн
Мінімальне замовлення: 121
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.41 грн
10+ 324.6 грн
25+ 267.02 грн
100+ 231.24 грн
240+ 223.95 грн
480+ 200.1 грн
1200+ 191.49 грн
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW40N60RFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N60T
на замовлення 6645 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.49 грн
10+ 187.44 грн
25+ 154.38 грн
100+ 131.85 грн
240+ 105.35 грн
480+ 100.05 грн
1200+ 94.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R5Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.92 грн
10+ 231.9 грн
25+ 189.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/258ns
Switching Energy: 630µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.44 грн
30+ 161.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+217.16 грн
62+ 188.53 грн
100+ 179.65 грн
Мінімальне замовлення: 54
IHW40N65R6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+254.2 грн
3+ 220.18 грн
6+ 167.3 грн
16+ 158.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.83 грн
3+ 176.69 грн
6+ 139.42 грн
16+ 131.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.76 грн
10+ 184.4 грн
25+ 149.08 грн
100+ 127.88 грн
240+ 118.6 грн
480+ 98.06 грн
1200+ 92.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 83A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 159 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 83 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 210 W
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.4 грн
30+ 153.45 грн
120+ 131.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Monolithic Integrated Diode
товар відсутній
IHW40N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.74 грн
10+ 245.28 грн
25+ 200.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399488
товар відсутній
IHW40T120INFINEONMODULE
на замовлення 100100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T120Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T120INF07+;
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
товар відсутній
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+362.02 грн
Мінімальне замовлення: 55
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
товар відсутній
IHW40T60Infineon TechnologiesDescription: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+162.71 грн
Мінімальне замовлення: 134
IHW40T60Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast Recovery
товар відсутній
IHW40T60Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T60INF
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 303W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
на замовлення 13929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+205.83 грн
Мінімальне замовлення: 97
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 303W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
товар відсутній
IHW50N65R5Infineon technologies
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW50N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.5 грн
10+ 215.64 грн
25+ 176.91 грн
100+ 151.73 грн
240+ 143.12 грн
480+ 134.5 грн
1200+ 119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+378.18 грн
3+ 321.67 грн
4+ 268.35 грн
10+ 254.27 грн
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+344.91 грн
38+ 313.63 грн
41+ 288 грн
50+ 273.01 грн
100+ 226.18 грн
Мінімальне замовлення: 34
IHW50N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW50N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 282W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.95 грн
10+ 295.83 грн
25+ 243.05 грн
240+ 191.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+320.27 грн
10+ 291.23 грн
25+ 267.43 грн
50+ 253.51 грн
100+ 210.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.73 грн
10+ 215.64 грн
25+ 176.25 грн
100+ 151.07 грн
240+ 143.12 грн
480+ 134.5 грн
1200+ 115.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.15 грн
3+ 258.13 грн
4+ 223.62 грн
10+ 211.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.59 грн
10+ 207.26 грн
25+ 167.63 грн
100+ 143.78 грн
240+ 133.18 грн
480+ 109.99 грн
1200+ 104.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.49 грн
30+ 172.8 грн
120+ 148.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399490
товар відсутній
IHW50N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 251
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.92 грн
10+ 266.09 грн
100+ 260.89 грн
Мінімальне замовлення: 3