Продукція > IKQ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKQ100N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ100N120CH7XKSA1 - IGBT, 166 A, 1.7 V, 721 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 721W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 166A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1453.11 грн
10+ 1213.78 грн
25+ 1039.1 грн
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 166A 721W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+907.61 грн
10+ 815.66 грн
100+ 720.05 грн
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 148 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/547ns
Switching Energy: 6.7mJ (on), 2.52mJ (off)
Gate Charge: 696 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 721 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+925.3 грн
10+ 784.81 грн
100+ 678.77 грн
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+980.18 грн
10+ 851.12 грн
25+ 719.56 грн
50+ 679.81 грн
100+ 639.39 грн
240+ 620.18 грн
480+ 579.76 грн
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 166A 721W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+977.43 грн
14+ 878.41 грн
100+ 775.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 166A 721W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ100N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 203 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-55
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/200ns
Switching Energy: 6.87mJ (on), 4.71mJ (off)
Gate Charge: 610 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 188 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 824 W
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1282.24 грн
10+ 1135.01 грн
100+ 958.61 грн
IKQ100N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1048.2 грн
10+ 910.55 грн
25+ 770.58 грн
50+ 727.51 грн
100+ 684.45 грн
240+ 663.24 грн
480+ 620.18 грн
IKQ100N60TInfineon technologies
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKQ100N60TAInfineon TechnologiesInfineon DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKQ100N60TAXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ100N60TAXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKQ100N60TAXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 225 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKQ100N60TAXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.98 грн
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+853.4 грн
10+ 721.58 грн
25+ 568.49 грн
100+ 522.78 грн
240+ 491.63 грн
480+ 461.16 грн
1200+ 414.78 грн
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 230 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+762.18 грн
10+ 652.55 грн
25+ 615.02 грн
50+ 587.09 грн
100+ 492.96 грн
IKQ100N60TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ100N60TXKSA1 - IGBT, 160 A, 1.5 V, 714 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 714W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+881.53 грн
5+ 766.32 грн
10+ 650.37 грн
50+ 563.19 грн
100+ 482.28 грн
IKQ120N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ120N120CH7XKSA1 - IGBT, 170 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 170A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1222.69 грн
5+ 1150.6 грн
10+ 1092.62 грн
50+ 984.9 грн
100+ 690.61 грн
IKQ120N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesSP005578286
товар відсутній
IKQ120N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1026.56 грн
10+ 891.5 грн
25+ 754.02 грн
50+ 712.27 грн
100+ 670.53 грн
240+ 648.67 грн
480+ 606.92 грн
IKQ120N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+974.04 грн
30+ 759.3 грн
IKQ120N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 216A 1004W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ120N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1239.91 грн
10+ 1077.42 грн
25+ 911.05 грн
50+ 860.69 грн
100+ 810.34 грн
240+ 784.5 грн
480+ 734.14 грн
IKQ120N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 216A TO247
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 205 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 710 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 216 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 1004 W
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/205ns
Switching Energy: 10.3mJ (on), 5.72mJ (off)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1177.59 грн
30+ 917.7 грн
120+ 863.72 грн
IKQ120N60TInfineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ120N60TInfineon technologies
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKQ120N60TAInfineon TechnologiesInfineon DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1144.06 грн
10+ 1036.28 грн
25+ 864.01 грн
100+ 761.31 грн
240+ 723.54 грн
480+ 710.95 грн
1200+ 669.87 грн
IKQ120N60TAXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+934.93 грн
10+ 858.58 грн
25+ 818.47 грн
IKQ120N60TAXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ120N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 703nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+952.61 грн
10+ 834.36 грн
100+ 627.89 грн
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.18 грн
IKQ120N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 703nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 241 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/565ns
Switching Energy: 6.2mJ (on), 5.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 703 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+795.57 грн
30+ 620.23 грн
120+ 583.74 грн
510+ 496.46 грн
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+852.63 грн
10+ 799.3 грн
25+ 579.1 грн
50+ 578.43 грн
100+ 547.95 грн
240+ 541.33 грн
480+ 462.48 грн
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ120N60TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ120N60TXKSA1 - IGBT, 160 A, 1.5 V, 833 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.57 грн
5+ 821.32 грн
10+ 738.08 грн
50+ 647.4 грн
100+ 544.72 грн
250+ 509.68 грн
IKQ120N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ120N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 82 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 120A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/287ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 3.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 251 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 498 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+770.49 грн
10+ 636.08 грн
IKQ120N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+837.17 грн
10+ 707.11 грн
25+ 558.56 грн
100+ 512.84 грн
240+ 481.7 грн
480+ 451.88 грн
1200+ 406.82 грн
IKQ140N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ140N120CH7XKSA1 - IGBT, 175 A, 1.7 V, 962 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 962W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 175A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1805.43 грн
10+ 1508.86 грн
25+ 1291.08 грн
IKQ140N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 175A 962W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ140N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 175A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 144 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 68ns/541ns
Switching Energy: 8.84mJ (on), 3.38mJ (off)
Gate Charge: 970 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 962 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1055.75 грн
30+ 822.66 грн
120+ 774.27 грн
IKQ140N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 760 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+1130.91 грн
10+ 982.18 грн
25+ 830.88 грн
50+ 784.5 грн
100+ 738.11 грн
240+ 714.92 грн
480+ 668.54 грн
IKQ150N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ150N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 150A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/341ns
Switching Energy: 5.8mJ (on), 5.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 150A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 301 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 621 W
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+861.51 грн
10+ 731.12 грн
IKQ150N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.97 грн
10+ 802.35 грн
25+ 678.48 грн
50+ 640.72 грн
100+ 602.95 грн
240+ 583.73 грн
480+ 545.97 грн
IKQ40N120CH3Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/300ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.83 грн
30+ 508.28 грн
120+ 454.77 грн
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ40N120CH3XKSA1 - IGBT, 80 A, 2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+708.08 грн
10+ 667.48 грн
25+ 481.03 грн
100+ 433.99 грн
240+ 415.44 грн
480+ 343.88 грн
2640+ 341.89 грн
IKQ40N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ40N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+724.31 грн
10+ 693.39 грн
25+ 493.62 грн
100+ 443.27 грн
240+ 442.6 грн
480+ 351.17 грн
IKQ40N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ40N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ40N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/328ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+675.88 грн
30+ 519.25 грн
120+ 464.59 грн
IKQ40N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ40N120CT2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ40N120CT2XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.07 грн
5+ 834.7 грн
10+ 792.34 грн
IKQ50N120CH3Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/297ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+733.94 грн
30+ 572.3 грн
120+ 538.64 грн
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 235nC
Power dissipation: 173W
Mounting: THT
Case: TO247-3
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+825.04 грн
5+ 747 грн
10+ 668.21 грн
50+ 585.97 грн
100+ 493.75 грн
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+786.15 грн
10+ 683.49 грн
25+ 545.97 грн
50+ 545.3 грн
100+ 513.5 грн
240+ 426.7 грн
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 235nC
Power dissipation: 173W
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.83 грн
10+ 556.24 грн
25+ 438.63 грн
100+ 402.85 грн
240+ 378.33 грн
480+ 355.14 грн
1200+ 319.36 грн
IKQ50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 71A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/323ns
Switching Energy: 2.61mJ (on), 1.1mJ (off)
Gate Charge: 366 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.07 грн
30+ 466.89 грн
120+ 417.74 грн
IKQ50N120CT2Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+673.23 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+756.78 грн
10+ 697.96 грн
25+ 547.29 грн
100+ 504.89 грн
240+ 504.22 грн
480+ 427.36 грн
2640+ 426.7 грн
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/312ns
Switching Energy: 3.8mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.37 грн
30+ 573.36 грн
120+ 539.64 грн
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+891.05 грн
10+ 830.54 грн
25+ 824.18 грн
50+ 788.6 грн
100+ 660.28 грн
IKQ50N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 235nC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 151W
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1024.16 грн
10+ 933.97 грн
25+ 924.71 грн
50+ 882.75 грн
100+ 719.04 грн
500+ 678.87 грн
IKQ50N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 235nC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 151W
Mounting: THT
Case: TO247-3
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ50N120CT2XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 652
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKQ75N120CH3Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/282ns
Switching Energy: 6.4mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 938 W
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1054.32 грн
30+ 821.62 грн
120+ 773.31 грн
IKQ75N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+960.85 грн
10+ 909.03 грн
25+ 730.83 грн
240+ 655.95 грн
1200+ 602.95 грн
2640+ 583.07 грн
IKQ75N120CH3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ75N120CH3XKSA1 - IGBT, 150 A, 2 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 938
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1313.38 грн
5+ 1235.33 грн
10+ 1157.29 грн
50+ 1053.23 грн
IKQ75N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1271.37 грн
10+ 1157.29 грн
100+ 978.28 грн
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1369.17 грн
10+ 1246.31 грн
100+ 1053.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
IKQ75N120CH3XKSA1
Код товару: 162552		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IKQ75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+827.12 грн
10+ 718.54 грн
25+ 607.59 грн
50+ 574.46 грн
100+ 540.67 грн
240+ 522.78 грн
480+ 488.98 грн
IKQ75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIKQ75N120CH7XKSA1
товар відсутній
IKQ75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 149 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 56ns/470ns
Switching Energy: 5.28mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 518 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+784.82 грн
30+ 611.81 грн
120+ 575.81 грн
510+ 489.72 грн
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.62 грн
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CS6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ75N120CS6XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.85 V, 880 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.22 грн
10+ 761.86 грн
25+ 631.04 грн
240+ 574.24 грн
480+ 519.23 грн
IKQ75N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 440W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 530nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+698.68 грн
2+ 447.24 грн
5+ 423.09 грн
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 440 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/300ns
Switching Energy: 5.15mJ (on), 2.95mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 530 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+680.18 грн
30+ 523.02 грн
120+ 467.97 грн
510+ 387.5 грн
1020+ 348.75 грн
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+739 грн
10+ 677.39 грн
25+ 444.59 грн
100+ 425.38 грн
240+ 424.71 грн
480+ 359.12 грн
IKQ75N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 440W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 530nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+838.42 грн
2+ 557.33 грн
5+ 507.7 грн
IKQ75N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+912.93 грн
10+ 793.21 грн
25+ 670.53 грн
50+ 633.43 грн
100+ 595.66 грн
240+ 577.11 грн
480+ 540.67 грн
IKQ75N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 154A 630W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIKQ75N120CS7XKSA1
товар відсутній
IKQ75N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 154A TO247-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/190ns
Switching Energy: 5.13mJ (on), 3.48mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 2.1Ohm, 15V
Gate Charge: 450 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 154 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 630 W
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+841.45 грн
30+ 655.49 грн
IKQ75N120CT2Infineon TechnologiesDescription: IKQ75N120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
товар відсутній
IKQ75N120CT2Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1070.87 грн
13+ 965.81 грн
25+ 936.7 грн
50+ 893.08 грн
100+ 761.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 237W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1191.98 грн
10+ 1096.47 грн
25+ 828.89 грн
100+ 781.85 грн
240+ 710.29 грн
480+ 708.3 грн
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1608.98 грн
9+ 1302.98 грн
10+ 1214.14 грн
50+ 1037.52 грн
100+ 898.97 грн
200+ 841.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1083.55 грн
10+ 977.25 грн
25+ 947.79 грн
50+ 903.66 грн
100+ 770.64 грн
IKQ75N120CT2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ75N120CT2XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 938W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1346.82 грн
10+ 1236.82 грн
25+ 1045.05 грн
240+ 923.47 грн
IKQ75N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 237W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/328ns
Switching Energy: 6.7mJ (on), 4.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 938 W
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1101.62 грн
30+ 858.99 грн
120+ 808.46 грн
IKQB120N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+972.45 грн
10+ 845.02 грн
25+ 714.92 грн
50+ 675.17 грн
100+ 635.41 грн
240+ 614.87 грн
480+ 575.78 грн
IKQB160N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 750V 200A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-51
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/324ns
Switching Energy: 9.7mJ (on), 5.2mJ (off)
Test Condition: 450V, 160A, 4.8Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1018.48 грн
30+ 793.85 грн
120+ 747.16 грн
IKQB160N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1106.18 грн
10+ 960.84 грн
25+ 812.99 грн
50+ 767.93 грн
100+ 722.88 грн
240+ 699.69 грн
480+ 654.63 грн
IKQB160N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 750V 200A 750W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQB200N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1273.64 грн
10+ 1080.42 грн
100+ 934.41 грн
IKQB200N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1287.06 грн
10+ 1117.81 грн
25+ 946.17 грн
50+ 893.16 грн
100+ 840.81 грн
240+ 814.31 грн
480+ 761.31 грн
IKQB200N75CP2AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQB200N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 937 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 937W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1580.21 грн
5+ 1371.35 грн
10+ 1193.71 грн
50+ 1038.73 грн
100+ 865.18 грн