Продукція > IKZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.89 грн
10+ 404.6 грн
25+ 306.11 грн
100+ 276.3 грн
240+ 255.76 грн
480+ 215.34 грн
1200+ 208.71 грн
IKZ50N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ50N65EH5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+531.44 грн
5+ 500.23 грн
10+ 469.01 грн
50+ 398.24 грн
100+ 332.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.01 грн
30+ 323.01 грн
120+ 289 грн
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+218.77 грн
Мінімальне замовлення: 93
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.66 грн
10+ 358.89 грн
25+ 294.85 грн
100+ 252.44 грн
240+ 210.04 грн
480+ 203.41 грн
1200+ 180.22 грн
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 274
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
товар відсутній
IKZ50N65NH5Infineon technologies
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKZ50N65NH5XKSAInfineon TechnologiesDescription: IKZ50N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
товар відсутній
IKZ50N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKZ50N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
товар відсутній
IKZ50N65NH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKZ50N65NH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKZ75N65EH5Infineon technologies
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKZ75N65EH5Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товар відсутній
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+570.48 грн
10+ 561.57 грн
25+ 390.92 грн
100+ 349.18 грн
240+ 331.29 грн
480+ 263.04 грн
1200+ 251.78 грн
IKZ75N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 395
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
DC-Kollektorstrom: 90
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKZ75N65EL5Infineon technologies
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 536
Anzahl der Pins: 4
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
товар відсутній
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+634.64 грн
25+ 499.85 грн
100+ 388.27 грн
240+ 380.32 грн
480+ 302.14 грн
1200+ 287.56 грн
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/405ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товар відсутній
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.65 грн
10+ 492.23 грн
25+ 365.74 грн
100+ 331.95 грн
240+ 317.38 грн
480+ 263.04 грн
1200+ 251.78 грн
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.42
Verlustleistung Pd: 395
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
DC-Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKZ75N65NH5Infineon TechnologiesDescription: IKZ75N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товар відсутній
IKZ75N65NH5Infineon technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKZ75N65NH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65NH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 395
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
DC-Kollektorstrom: 90
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товар відсутній
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 429 W
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+729.64 грн
10+ 601.98 грн
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 140A 429W
товар відсутній
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+793.11 грн
10+ 669.77 грн
25+ 528.08 грн
100+ 485.67 грн
240+ 455.86 грн
480+ 427.36 грн
1200+ 384.96 грн
IKZA100N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1016.81 грн
5+ 801.26 грн
10+ 647.4 грн
50+ 556.98 грн
100+ 460.62 грн
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesSP005578267
товар відсутній
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.49 грн
10+ 496.8 грн
25+ 391.59 грн
100+ 359.78 грн
240+ 338.58 грн
480+ 316.71 грн
1200+ 285.57 грн
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 95A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/360ns
Switching Energy: 970µJ (on), 1.01mJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.3 грн
30+ 421.45 грн
120+ 377.09 грн
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.74 грн
30+ 455.29 грн
120+ 407.35 грн
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+634.64 грн
10+ 536.43 грн
25+ 422.73 грн
100+ 388.93 грн
240+ 365.08 грн
480+ 342.55 грн
1200+ 308.1 грн
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 49.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/134ns
Switching Energy: 370µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 210 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.32 грн
10+ 347.03 грн
240+ 265.14 грн
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.9 грн
10+ 386.32 грн
25+ 316.71 грн
100+ 271.66 грн
240+ 255.76 грн
480+ 241.18 грн
1200+ 206.73 грн
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.72 грн
10+ 495.28 грн
25+ 390.92 грн
100+ 358.46 грн
240+ 337.92 грн
480+ 316.71 грн
1200+ 284.91 грн
IKZA40N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+642.94 грн
5+ 562.66 грн
10+ 466.04 грн
50+ 387.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.29 грн
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038198
товар відсутній
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/333ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.42mJ (off)
Gate Charge: 372 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.34 грн
30+ 462.7 грн
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 398W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+653.97 грн
10+ 552.43 грн
25+ 435.98 грн
100+ 400.86 грн
240+ 376.35 грн
480+ 353.16 грн
1200+ 317.38 грн
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.63 грн
10+ 400.8 грн
25+ 316.05 грн
100+ 290.87 грн
240+ 272.98 грн
480+ 255.76 грн
1200+ 230.58 грн
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.94 грн
10+ 365.45 грн
IKZA50N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+531.44 грн
5+ 461.58 грн
10+ 401.37 грн
50+ 349.24 грн
100+ 291.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 200µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.28 грн
30+ 384.55 грн
120+ 344.08 грн
IKZA50N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+563.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038204
товар відсутній
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.32 грн
10+ 457.94 грн
25+ 353.16 грн
100+ 307.44 грн
240+ 306.77 грн
480+ 259.73 грн
1200+ 247.81 грн
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/140ns
Switching Energy: 230µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+723.18 грн
30+ 564.07 грн
120+ 530.88 грн
IKZA50N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.88 грн
5+ 590.91 грн
10+ 532.19 грн
50+ 488.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesHybrid Cool SiC IGBT
товар відсутній
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+767.6 грн
10+ 649.2 грн
25+ 511.51 грн
100+ 441.28 грн
240+ 400.86 грн
480+ 390.26 грн
1200+ 389.6 грн
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+817.68 грн
10+ 753.34 грн
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+834.08 грн
10+ 704.06 грн
25+ 555.91 грн
100+ 510.85 грн
240+ 479.71 грн
480+ 449.89 грн
1200+ 404.84 грн
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns
Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 550 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 109 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+790.56 грн
30+ 608.24 грн
120+ 544.21 грн
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 109A 549W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns
Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 338 W
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.32 грн
10+ 456.63 грн
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+600.63 грн
10+ 508.23 грн
25+ 400.86 грн
100+ 367.73 грн
240+ 345.87 грн
480+ 324 грн
1200+ 292.2 грн
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038216
товар відсутній
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIKZA75N65RH5XKSA1
товар відсутній
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.62 грн
10+ 600.43 грн
25+ 473.08 грн
100+ 384.3 грн
240+ 369.72 грн
480+ 344.54 грн
2640+ 329.3 грн
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIKZA75N65RH5XKSA1
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1058.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIKZA75N65RH5XKSA1
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+982.52 грн
10+ 895.61 грн
25+ 851.03 грн
50+ 765.25 грн
100+ 625.38 грн
IKZA75N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+773.01 грн
5+ 698.68 грн
10+ 624.35 грн
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+662.26 грн
30+ 509.27 грн
IKZA75N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1438.25 грн
10+ 1322.29 грн
25+ 1117.15 грн
240+ 1008.36 грн
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.3 грн
30+ 688.14 грн
120+ 647.66 грн
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038220
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.29 грн
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+944.62 грн
10+ 822.16 грн
25+ 655.95 грн
100+ 617.53 грн
240+ 597.65 грн
480+ 536.03 грн
1200+ 513.5 грн