Продукція > IMZ

08+ S0T-363

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1 A T108

SOT26/SOT363

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1 T108

SOT26/SOT363

на замовлення 7640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ120R030M1H

Infineon

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ120R030M1H

Infineon SIC DISCRETE

товар відсутній

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1000.28 грн

IMZ120R030M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V

товар відсутній

IMZ120R030M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 45A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 57mΩ
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2116.56 грн
2+	1930.02 грн

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2477.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

IMZ120R030M1HXKSA1

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1763.8 грн
2+	1548.78 грн

IMZ120R030M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 2148 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1559.94 грн
10+	1476.69 грн
25+	1089.28 грн
50+	1081.99 грн
100+	1031.64 грн
240+	981.28 грн
480+	928.28 грн

IMZ120R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1603.25 грн
5+	1480.61 грн
10+	1357.97 грн
50+	1241.65 грн
100+	1008.52 грн
250+	988.14 грн

IMZ120R045M1XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IMZ120R045M1XKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1405.33 грн
10+	1231.34 грн
25+	997.18 грн
50+	936.89 грн
100+	906.41 грн
240+	883.88 грн
480+	803.71 грн

IMZ120R045M1XKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm

на замовлення 131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1351.28 грн
5+	1228.64 грн
10+	1105.26 грн
50+	972.48 грн
100+	772.8 грн

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1732.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube

товар відсутній

IMZ120R045M1XKSA1

Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1277.22 грн
10+	1093.19 грн
30+	1019.89 грн

IMZ120R045M1XKSA1

товар відсутній

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1727.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 3470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	566.62 грн

IMZ120R060M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	776.94 грн
30+	605.66 грн
120+	570.03 грн

IMZ120R060M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 76A
Gate-source voltage: -7...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZ120R060M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R060M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 720 шт:

термін постачання 379-388 дні (днів)

1+	1209.76 грн
10+	1096.47 грн
100+	805.04 грн
480+	716.25 грн

IMZ120R060M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm

на замовлення 371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	978.16 грн
5+	870.38 грн
10+	762.6 грн
50+	681.22 грн
100+	603.97 грн
250+	568.93 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Power dissipation: 58W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 18A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: 50A

товар відсутній

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R090M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	899.01 грн
10+	786.35 грн
25+	679.15 грн
50+	669.21 грн
100+	599.64 грн
240+	577.77 грн
480+	497.6 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	906.06 грн
5+	833.96 грн
10+	761.86 грн
50+	697.09 грн
100+	555.55 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	507.87 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R090M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	732.5 грн
10+	621.65 грн
100+	537.64 грн
500+	457.25 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R140M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm

на замовлення 412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	620.64 грн
5+	529.96 грн
10+	438.53 грн
50+	380.29 грн
100+	325.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ120R140M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R140M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R140M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	705.27 грн
10+	597.84 грн
100+	517.05 грн

IMZ120R140M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZ120R140M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R140M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	647.01 грн
10+	625.58 грн
25+	428.03 грн
100+	409.47 грн
240+	375.68 грн
480+	369.06 грн
1200+	363.76 грн

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	590.29 грн

IMZ120R220M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 416mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZ120R220M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	705.27 грн
10+	582.45 грн
100+	485.4 грн

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IMZ120R220M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R220M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	721.99 грн
10+	631.67 грн
25+	521.45 грн
100+	457.18 грн
240+	444.59 грн
480+	363.76 грн

IMZ120R220M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	699.43 грн
5+	613.95 грн
10+	528.47 грн
50+	452.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZ120R350M1H

Infineon SIC DISCRETE

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	564.08 грн
22+	529.48 грн
100+	478.92 грн

Мінімальне замовлення: 21

IMZ120R350M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	555.97 грн
5+	498.74 грн
10+	441.51 грн
50+	391.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 15360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	495.41 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	301.06 грн
42+	282.31 грн
50+	274.42 грн

Мінімальне замовлення: 39

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-4
On-state resistance: 662mΩ
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	611.37 грн
10+	504.94 грн
100+	420.84 грн

IMZ120R350M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	656.29 грн
10+	585.95 грн
100+	429.35 грн
480+	335.93 грн

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	523.79 грн
10+	491.66 грн
100+	444.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ120R350M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ1A T108

SOT26/SOT363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108

SO163-Z1

на замовлення 2629 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108

SOT26

на замовлення 5486 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108

SOT23-

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108 SO163-Z1

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108 SO163-Z1

на замовлення 5258 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A/Z1

09+

на замовлення 22818 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A108-T

0430+

на замовлення 7835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A108-T

Panjit International Inc.

0430+

на замовлення 7835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO

товар відсутній

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Panjit International Inc.

Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified

товар відсутній

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO

на замовлення 2966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.69 грн
12+	23.74 грн
100+	13.44 грн
500+	8.36 грн
1000+	6.41 грн

Мінімальне замовлення: 9

IMZ1AS_S1_00001

Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L

товар відсутній

IMZ1AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 20288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	23.65 грн
16+	17.46 грн
100+	10.5 грн
500+	9.13 грн
1000+	6.21 грн

Мінімальне замовлення: 13

IMZ1AT108

Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 300mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA

на замовлення 1832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.03 грн
500+	7.25 грн
1000+	4.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

IMZ1AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.32 грн
6000+	5.83 грн
9000+	5.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IMZ1AT108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457

на замовлення 7793 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	25.9 грн
17+	18.52 грн
100+	9.14 грн
1000+	6.82 грн
3000+	5.37 грн
9000+	4.9 грн

Мінімальне замовлення: 12

IMZ1AT108

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Frequency: 180MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 50V

на замовлення 2937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.99 грн
8+	43.67 грн
24+	34.17 грн
65+	32.31 грн
500+	31.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

IMZ1AT108

ROHM SEMICONDUCTOR

на замовлення 2937 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	54.42 грн
24+	41.01 грн
65+	38.77 грн
500+	38.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

IMZ1AT108

на замовлення 1832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	28.54 грн
41+	18.36 грн
100+	10.03 грн
500+	7.25 грн
1000+	4.71 грн

Мінімальне замовлення: 27

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 41926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	29.36 грн
28+	20.55 грн
31+	18.56 грн
50+	16.45 грн
100+	8.41 грн
250+	7.99 грн
500+	7.02 грн
1000+	5.8 грн
3000+	5.32 грн

Мінімальне замовлення: 20

IMZ1AT108SOT163-Z1PB-FREE

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1T108

03+ SOT23-6

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2

SOT26/

на замовлення 831 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2

SOT-23-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2A

SOT-163

на замовлення 778000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2A

07+ SOT-163

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2AT108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IMZ2AT108

на замовлення 5884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	26.52 грн
15+	19.6 грн
100+	11.76 грн
500+	10.22 грн
1000+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 11

IMZ2AT108

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IMZ2A_R1_00001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50/50V IC-150/150mA SOT23-6L

товар відсутній

IMZ2A_R1_10001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товар відсутній

IMZ2A_R2_00001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товар відсутній

IMZ2A_R2_10001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товар відсутній

IMZ2T108

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ4

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

IMZ4 FRAT108

SOT26/SOT363

на замовлення 1624 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ4 T108

0805+ SOT23-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ4T108

Description: TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6

товар відсутній

IMZ4T108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 32V 500MA

на замовлення 1091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.19 грн
1000+	16.63 грн
3000+	6.16 грн
9000+	5.57 грн
24000+	5.43 грн
45000+	5.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

IMZ4T108

Rochester Electronics, LLC

Description: TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6

товар відсутній

IMZ9972BA

Description: IMZ9972BA

на замовлення 7178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IMZA120R007M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5882.31 грн

IMZA120R007M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4716.14 грн
10+	4231.21 грн
50+	3565.35 грн
100+	3532.22 грн
1200+	3252.61 грн

IMZA120R007M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA120R007M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V

на замовлення 274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4402.9 грн
30+	3709.83 грн
120+	3444.84 грн

IMZA120R014M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 nF @ 25 V

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2750.11 грн
30+	2218.84 грн
120+	2070.92 грн

IMZA120R014M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3268.94 грн
5+	3005.08 грн
10+	2740.47 грн
50+	2459.14 грн
100+	2191.61 грн

IMZA120R014M1HXKSA1

MOSFET

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3399.7 грн
10+	2986.15 грн
25+	2442.93 грн
50+	2360.77 грн
100+	2279.28 грн
240+	2197.12 грн
480+	2095.74 грн

IMZA120R020M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IMZA120R020M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2159.97 грн
5+	1975.64 грн
10+	1791.3 грн
50+	1610.9 грн
100+	1439.2 грн

IMZA120R020M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1909.34 грн
10+	1673.28 грн
25+	1356.97 грн
50+	1315.22 грн
100+	1272.15 грн
240+	1186.68 грн
480+	1091.27 грн

IMZA120R020M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA120R020M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 nF @ 25 V

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2046.99 грн
30+	1634.41 грн
120+	1532.25 грн

IMZA120R020M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1528.24 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA120R030M1HXKSA1

MOSFET

товар відсутній

IMZA120R030M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1371.83 грн
10+	1163.73 грн

IMZA120R040M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 nF @ 25 V

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1199.81 грн
30+	935.2 грн

IMZA120R040M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1119.32 грн
10+	972.27 грн
25+	822.93 грн
50+	776.54 грн
100+	730.83 грн
240+	707.64 грн
480+	661.92 грн

IMZA120R040M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1267.29 грн
5+	1176.61 грн
10+	1085.19 грн
50+	951.77 грн
100+	800.19 грн

IMZA65R015M2HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1662.75 грн
10+	1456.88 грн
25+	1182.04 грн
50+	1144.94 грн
100+	1107.83 грн
240+	1033.63 грн
480+	950.8 грн

IMZA65R015M2HXKSA1

IMZA65R015M2HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R020M2HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1478 грн
10+	1283.92 грн
25+	1086.63 грн
50+	1025.67 грн
100+	965.38 грн
240+	934.9 грн
480+	874.61 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IMZA65R027M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R027M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 184A
Gate-source voltage: -5...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1547.79 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R027M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1443.45 грн
5+	1320.81 грн
10+	1197.42 грн
50+	1077.38 грн
100+	948 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 211 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1257.69 грн
10+	1179.53 грн
25+	895.15 грн
50+	891.17 грн
100+	848.77 грн
240+	833.53 грн
480+	769.26 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1813.07 грн
10+	1636.22 грн
100+	1413.36 грн
240+	1256.12 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	1952.53 грн
10+	1762.08 грн
100+	1522.08 грн
240+	1352.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

IMZA65R027M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1212.71 грн
30+	945.56 грн
120+	889.93 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

товар відсутній

IMZA65R030M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1425.43 грн
10+	1299.92 грн
100+	972.67 грн
480+	896.47 грн
1200+	875.27 грн

IMZA65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1293.36 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R030M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1168.28 грн
30+	910.73 грн
120+	857.14 грн

IMZA65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1238.66 грн
10+	1171.81 грн
100+	1054.63 грн

IMZA65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1333.95 грн
10+	1261.95 грн
100+	1135.75 грн

Мінімальне замовлення: 9

IMZA65R030M1HXKSA1

SP005423795

товар відсутній

IMZA65R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1338.65 грн
5+	1243.51 грн
10+	1147.62 грн
50+	1006.29 грн
100+	846.7 грн

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1103.54 грн
12+	1042.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZA65R039M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1085.93 грн
5+	1006.4 грн
10+	926.87 грн
50+	842.72 грн
100+	681.69 грн

IMZA65R039M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1031.97 грн
10+	896.07 грн
25+	758.65 грн
50+	716.25 грн
100+	673.84 грн
240+	652.64 грн
480+	610.24 грн

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1024.72 грн
10+	967.93 грн

IMZA65R039M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	949.67 грн
30+	740.53 грн

IMZA65R048M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm

на замовлення 361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	916.46 грн
5+	813.15 грн
10+	709.83 грн
50+	658.44 грн
100+	554.27 грн
250+	553 грн

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	949.83 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R048M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 1259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1122.41 грн
10+	1023.32 грн
100+	778.53 грн
480+	691.73 грн
1200+	683.12 грн

IMZA65R048M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 100A
Gate-source voltage: -5...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V

на замовлення 567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	829.98 грн
30+	647.28 грн
120+	609.2 грн
510+	518.11 грн

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1045.17 грн

Мінімальне замовлення: 12

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R050M2HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	838.72 грн
10+	708.63 грн
25+	559.22 грн
100+	514.16 грн
240+	483.02 грн
480+	453.21 грн
1200+	407.49 грн

IMZA65R057M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V

товар відсутній

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	845.81 грн
100+	777.06 грн

Мінімальне замовлення: 14

IMZA65R057M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1082.22 грн
10+	979.89 грн
100+	719.56 грн
480+	575.12 грн
1200+	561.21 грн
2640+	555.91 грн

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	825.01 грн
10+	785.4 грн
100+	721.56 грн

IMZA65R057M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	828.76 грн
5+	749.97 грн
10+	671.18 грн
50+	588.73 грн

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	822.1 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R072M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	698.84 грн
10+	663.26 грн
100+	608.69 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	752.6 грн
17+	714.28 грн
100+	655.52 грн

Мінімальне замовлення: 16

IMZA65R072M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	835.45 грн
5+	724.7 грн
10+	613.95 грн
50+	531.44 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 69A
Gate-source voltage: -5...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZA65R072M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	749.7 грн
30+	576.17 грн
120+	515.54 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	786 грн
17+	723.13 грн
100+	635.7 грн
480+	533.64 грн

Мінімальне замовлення: 15

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	801.6 грн
10+	737.48 грн
100+	648.31 грн
480+	544.23 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R072M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	821.71 грн
10+	693.39 грн
25+	547.29 грн
100+	502.9 грн
240+	473.08 грн
480+	443.93 грн
1200+	399.54 грн

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	672.87 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R083M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	852.91 грн
10+	755.07 грн

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	727.13 грн
17+	688.34 грн
100+	620.44 грн

Мінімальне замовлення: 16

IMZA65R083M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	783.06 грн
10+	669.77 грн
25+	554.58 грн
100+	512.84 грн
480+	453.21 грн
1200+	398.87 грн
2640+	393.57 грн

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	675.19 грн
10+	639.17 грн
100+	576.13 грн

IMZA65R083M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	799.03 грн
5+	710.58 грн
10+	622.12 грн
50+	556.29 грн
100+	493.11 грн

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	601.4 грн
10+	546.33 грн
25+	406.16 грн
100+	375.68 грн
240+	356.47 грн
480+	292.2 грн
1200+	278.95 грн

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	595.82 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R107M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm

на замовлення 389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	552.26 грн
5+	476.44 грн
10+	399.88 грн
50+	363.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZA65R107M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	615.67 грн
30+	473.28 грн
120+	423.47 грн

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1132.27 грн

Мінімальне замовлення: 11

IMZA65R107M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA75R140M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V

товар відсутній

IMZA75R140M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

1+	497.82 грн
10+	419.84 грн
25+	331.29 грн
100+	304.12 грн
240+	286.23 грн

IMZA75R140M1HXKSA1