Продукція > IQD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IQD-DB1M-01AIQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; DALI; -101dBm; 10dBm; 8.3/11.8mA
Type of communications module: DALI Bridge
Kind of modulation: GFSK
Frequency: 868MHz
Interface: DALI
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Dimensions: 88x38x22mm
TX/RX supply current: 8.3/11.8mA
Operating temperature: -10...60°C
Range: 130m
Communictions protocol: DALI
Kind of connector: screw
Components: DCTR-76D
Kit contents: base board
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2480.32 грн
5+ 2229.31 грн
IQD-DB1M-01AIQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; DALI; -101dBm; 10dBm; 8.3/11.8mA
Type of communications module: DALI Bridge
Kind of modulation: GFSK
Frequency: 868MHz
Interface: DALI
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Dimensions: 88x38x22mm
TX/RX supply current: 8.3/11.8mA
Operating temperature: -10...60°C
Range: 130m
Communictions protocol: DALI
Kind of connector: screw
Components: DCTR-76D
Kit contents: base board
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2976.39 грн
5+ 2778.06 грн
IQD-GW-02IQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: gateway; GFSK; 868MHz; Ethernet,USB; -101dBm; 10dBm
Type of communications module: gateway
Kind of modulation: GFSK
Frequency: 868MHz
Interface: Ethernet; USB
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Dimensions: 50x54x36mm
Operating temperature: -10...40°C
Range: 400m
Kind of connector: RJ45; USB A; USB B micro
Components: DCTR-76D
Kit contents: base board
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11353.6 грн
3+ 10352.82 грн
IQD-GW-02IQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: gateway; GFSK; 868MHz; Ethernet,USB; -101dBm; 10dBm
Type of communications module: gateway
Kind of modulation: GFSK
Frequency: 868MHz
Interface: Ethernet; USB
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Dimensions: 50x54x36mm
Operating temperature: -10...40°C
Range: 400m
Kind of connector: RJ45; USB A; USB B micro
Components: DCTR-76D
Kit contents: base board
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+13624.31 грн
3+ 12901.21 грн
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 5016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.38 грн
10+ 224.17 грн
100+ 181.37 грн
500+ 151.3 грн
1000+ 129.55 грн
2000+ 121.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.31 грн
10+ 247.23 грн
25+ 230.77 грн
100+ 150.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH <= 40V
товар відсутній
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+315.87 грн
44+ 266.25 грн
47+ 248.52 грн
100+ 162.6 грн
Мінімальне замовлення: 37
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.61 грн
10+ 246.12 грн
25+ 202.09 грн
100+ 172.93 грн
250+ 163.66 грн
500+ 154.38 грн
1000+ 131.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD005N04NM6ATMA1
Код товару: 198771		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 58A T/R
товар відсутній
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.61 грн
10+ 246.12 грн
25+ 202.09 грн
100+ 172.93 грн
250+ 163.66 грн
500+ 154.38 грн
1000+ 131.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQD005N04NM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.31 грн
500+ 164.26 грн
1000+ 129.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.38 грн
10+ 239.84 грн
25+ 226.71 грн
100+ 184.4 грн
250+ 174.95 грн
500+ 156.98 грн
1000+ 130.22 грн
2500+ 123.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD005N04NM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.3 грн
10+ 231.16 грн
100+ 187.31 грн
500+ 164.26 грн
1000+ 129.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+280.96 грн
48+ 246.97 грн
50+ 234.2 грн
100+ 199.63 грн
250+ 156.57 грн
Мінімальне замовлення: 42
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+260.89 грн
10+ 229.33 грн
25+ 217.47 грн
100+ 185.37 грн
250+ 145.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+288.84 грн
10+ 233.15 грн
100+ 188.64 грн
500+ 157.36 грн
1000+ 134.74 грн
2000+ 126.87 грн
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+309.2 грн
10+ 256.02 грн
25+ 210.04 грн
100+ 180.22 грн
250+ 170.28 грн
500+ 160.34 грн
1000+ 137.15 грн
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товар відсутній
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A T/R
товар відсутній
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+309.2 грн
10+ 256.02 грн
25+ 210.04 грн
100+ 180.22 грн
250+ 170.28 грн
500+ 160.34 грн
1000+ 137.15 грн
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товар відсутній
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+291.56 грн
46+ 256.72 грн
48+ 243.64 грн
100+ 207.24 грн
250+ 162.86 грн
Мінімальне замовлення: 40
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.74 грн
10+ 238.39 грн
25+ 226.24 грн
100+ 192.44 грн
250+ 151.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товар відсутній
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+320.8 грн
10+ 265.93 грн
25+ 217.99 грн
100+ 186.85 грн
250+ 176.25 грн
500+ 165.65 грн
1000+ 142.45 грн
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товар відсутній
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+321.57 грн
10+ 266.69 грн
25+ 218.65 грн
100+ 187.51 грн
250+ 176.91 грн
500+ 166.31 грн
1000+ 143.12 грн
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товар відсутній
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.78 грн
10+ 252.19 грн
100+ 204.05 грн
500+ 170.21 грн
1000+ 145.74 грн
2000+ 137.23 грн
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.94 грн
10+ 277.36 грн
25+ 227.27 грн
100+ 194.8 грн
250+ 184.2 грн
500+ 172.93 грн
1000+ 148.42 грн
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+303.8 грн
44+ 267.18 грн
46+ 253.71 грн
100+ 215.98 грн
250+ 169.36 грн
Мінімальне замовлення: 39
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.1 грн
10+ 248.09 грн
25+ 235.58 грн
100+ 200.55 грн
250+ 157.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+145.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.78 грн
10+ 269.73 грн
25+ 255.04 грн
100+ 207.42 грн
250+ 196.79 грн
500+ 176.57 грн
1000+ 146.48 грн
2500+ 139.15 грн
IQD020N10NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+211.09 грн
500+ 183.59 грн
1000+ 145.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 26A T/R
товар відсутній
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товар відсутній
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.94 грн
10+ 277.36 грн
25+ 227.27 грн
100+ 194.8 грн
250+ 184.2 грн
500+ 172.93 грн
1000+ 148.42 грн
IQD020N10NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.21 грн
10+ 260.15 грн
100+ 211.09 грн
500+ 183.59 грн
1000+ 145.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+315.72 грн
43+ 275.85 грн
45+ 262.3 грн
100+ 224.49 грн
250+ 176.13 грн
Мінімальне замовлення: 37
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.85 грн
10+ 288.02 грн
25+ 236.54 грн
100+ 202.75 грн
250+ 191.49 грн
500+ 180.22 грн
1000+ 154.38 грн
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.17 грн
10+ 256.14 грн
25+ 243.56 грн
100+ 208.45 грн
250+ 163.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.96 грн
10+ 262.27 грн
100+ 212.2 грн
500+ 177.01 грн
1000+ 151.57 грн
2000+ 142.72 грн
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+151.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товар відсутній
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP
товар відсутній
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товар відсутній
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.85 грн
10+ 288.02 грн
25+ 236.54 грн
100+ 202.75 грн
250+ 191.49 грн
500+ 180.22 грн
1000+ 154.38 грн
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP
товар відсутній
IQDH29NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товар відсутній
IQDH29NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.65 грн
10+ 227.07 грн
25+ 186.19 грн
100+ 159.68 грн
250+ 151.07 грн
500+ 141.79 грн
1000+ 121.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH29NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.59 грн
10+ 207.33 грн
100+ 167.7 грн
500+ 139.89 грн
1000+ 119.78 грн
2000+ 112.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH29NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товар відсутній
IQDH29NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.42 грн
10+ 227.83 грн
25+ 186.85 грн
100+ 160.34 грн
250+ 151.73 грн
500+ 142.45 грн
1000+ 121.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH29NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товар відсутній
IQDH35N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.62 грн
10+ 215.55 грн
100+ 174.4 грн
500+ 145.49 грн
1000+ 124.57 грн
2000+ 117.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH35N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+124.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IQDH35N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.24 грн
10+ 236.21 грн
25+ 193.47 грн
100+ 165.65 грн
250+ 156.37 грн
500+ 147.09 грн
1000+ 126.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH35N03LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.92 грн
10+ 221.5 грн
100+ 179.13 грн
500+ 155.98 грн
1000+ 124.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQDH35N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.24 грн
10+ 236.21 грн
25+ 193.47 грн
100+ 165.65 грн
250+ 156.37 грн
500+ 147.09 грн
1000+ 126.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH35N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 66A T/R
товар відсутній
IQDH35N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товар відсутній
IQDH35N03LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+179.13 грн
500+ 155.98 грн
1000+ 124.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
IQDH35N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товар відсутній
IQDH45N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній
IQDH45N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.64 грн
10+ 219.69 грн
100+ 177.76 грн
500+ 148.29 грн
1000+ 126.97 грн
2000+ 119.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH45N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.65 грн
10+ 240.78 грн
25+ 197.45 грн
100+ 169.62 грн
250+ 159.68 грн
500+ 150.41 грн
1000+ 128.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH45N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH <= 40V
товар відсутній
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesIQDH45N04LM6CGATMA1
товар відсутній
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+131.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IQDH45N04LM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.87 грн
10+ 226.7 грн
100+ 183.59 грн
500+ 160.81 грн
1000+ 126.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.43 грн
10+ 241.54 грн
25+ 198.11 грн
100+ 170.28 грн
250+ 160.34 грн
500+ 151.07 грн
1000+ 129.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 7886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.64 грн
10+ 235.01 грн
25+ 222.19 грн
100+ 180.73 грн
250+ 171.46 грн
500+ 153.85 грн
1000+ 127.63 грн
2500+ 121.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH45N04LM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+183.59 грн
500+ 160.81 грн
1000+ 126.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
IQDH88N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.02 грн
10+ 250.69 грн
25+ 206.06 грн
100+ 176.91 грн
250+ 166.97 грн
500+ 157.03 грн
1000+ 134.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH88N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V
товар відсутній
IQDH88N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.39 грн
10+ 228.52 грн
100+ 184.87 грн
500+ 154.22 грн
1000+ 132.05 грн
2000+ 124.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH88N06LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.02 грн
10+ 250.69 грн
25+ 206.06 грн
100+ 176.91 грн
250+ 166.97 грн
500+ 157.03 грн
1000+ 134.5 грн
Мінімальне замовлення: 2