Продукція > ISC

Insulated Stud Cover - Negative - Black, Bulk

товар відсутній

ISC-10BK-S

INSULATED STUD COVER 8MM SLEEVE BLK

товар відсутній

ISC-10R

INSULATED STUD COVER POS RED

товар відсутній

ISC-1112

Media Converters Industrial 1 xRS-232 to 1 xRS-422/485 Serial Convertor

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ISC-1112-I

Media Converters 1-port RS-232 to 1-port RS-422/485, 3KV isolation

товар відсутній

ISC-1112-I

ORing Networking

Description: INDUSTRIAL 1X RS232 TO 1XRS422/4

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC-1210

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1210 100uH 5%

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1210-68UH-5R98

2001 SMD

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1210U-I

Media Converters 1-port USB to 1-port RS-422/485, 2KV isolation

товар відсутній

ISC-1212-I

IEI

Media Converters Industrial RS422/485 repeater with 2k

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	9647.17 грн

ISC-1310FB-MM-SC

Media Converters 1-port RS-232/422/485 to Fiber, MM 2km

товар відсутній

ISC-1310FB-SS-SC

Media Converters 1-port RS-232/422/485 to Fiber, SM 30km

товар відсутній

ISC-1310FR-MM-SC

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Multimode SC type) Convertor

товар відсутній

ISC-1310FR-MM-ST

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Multimode ST type) Convertor

товар відсутній

ISC-1310FR-SS-SC

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Single Mode SC type) Convertor

товар відсутній

ISC-1310FR-SS-ST

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Single Mode ST type) Convertor

товар відсутній

ISC-1310FW-SS-SC-L

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to WDM Fiber (Multimode SC type) Convertor

товар відсутній

ISC-1310FW-SS-SC-R

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to WDM Fiber (Single Mode SC type) Convertor

товар відсутній

ISC-1310U-I

Media Converters 1-port USB to 1-port RS-232/422/485, 2KV isolation

товар відсутній

ISC-1812

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812 100 10% ESE3

Vishay

Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 0.147A 3.25Ohm DCR 1812 T/R

товар відсутній

ISC-1812 100 10% ESE3

Vishay

Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 0.147A 3.25Ohm DCR 1812 T/R

товар відсутній

ISC-1812 82 5% TR-2000

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-07

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-07 1.5 5% R73

на замовлення 326000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-07 R73

на замовлення 121500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-071R5J

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-071R5J

4532(1812)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-0747R0J

4532(1812)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-0747R0J

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-151J

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-1R2

на замовлення 33195 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-1R5J

2005+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-1R8

на замовлення 8280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-1UH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-2R7K

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-3R9

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-4.7UH

на замовлення 17600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-47UH

02+

на замовлення 1888 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-5R6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-82-J

4532(1812)

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-82-J

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-R33

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-R82

на замовлення 9690 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-181210UH 10%R13

на замовлення 2612 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-181210UH10%R13

на замовлення 1306 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-18121UH10%

00+

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812825%TR-2000

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-2425-25+

Mini-Circuits

Function Generators & Synthesisers Signal Generator and Controller for 2.4-2.5 GHz ISM RF Energy

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	141525.9 грн

ISC-256

Mounting Fixings ISC-256 DBL ENDED NUT

товар відсутній

ISC-4110U

Media Converters Slim size 1 ports USB2.0 to 4 port RS-232 Serial Convertor

товар відсутній

ISC-440

Mounting Fixings ISC-440 DBL ENDED NUT

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.03 грн
10+	34.67 грн
25+	24.12 грн
100+	23.12 грн
250+	21.07 грн
500+	20.08 грн
1000+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 9

ISC-6-2

INSULATED STUD COVER DUAL NEG BLK

товар відсутній

ISC-632

Mounting Fixings ISC-632 DBL ENDED NUT

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.51 грн
10+	40.08 грн
100+	27.96 грн
500+	26.3 грн
1000+	22.33 грн
10000+	21.4 грн
25000+	20.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISC-8110U

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

Media Converters Silm size 1 ports USB2.0 to 8 ports RS-232 Serial Convertor

товар відсутній

ISC-832

Mounting Fixings ISC-832 DBL ENDED NUT

товар відсутній

ISC-IC400-000E

Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: RS-232
Mounting Type: Chassis Mount
Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis
Supplier Device Package: 3-DOF

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	46587.7 грн

ISC-IC400-000K

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

товар відсутній

ISC-IC400-000U

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	43019.09 грн

ISC-IC400-0USB

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: USB
Mounting Type: Chassis Mount
Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis
Supplier Device Package: 3-DOF

товар відсутній

ISC-IDC-6

Description: OMEGA - ISC-IDC-6 - Signalwandler, Strom, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Strom
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

ISC-M3

Mounting Fixings ISC-M3 DBL ENDED NUT

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.99 грн
10+	31.93 грн
100+	22.26 грн
500+	20.94 грн
1000+	17.76 грн
10000+	17.03 грн
25000+	16.63 грн

Мінімальне замовлення: 7

ISC-M4

Mounting Fixings ISC-M4 DBL ENDED NUT

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.37 грн
10+	44.12 грн
100+	30.28 грн
1000+	25.64 грн
10000+	24.78 грн
25000+	24.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISC-M5

Mounting Fixings ISC-M5 DBL ENDED NUT

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.4 грн
10+	48.08 грн
100+	33 грн
1000+	27.96 грн
10000+	26.97 грн
25000+	26.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC-M6

Mounting Fixings ISC-M6 DBL ENDED NUT

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.35 грн
10+	64.31 грн
100+	46.05 грн
500+	39.09 грн
2500+	38.76 грн
5000+	37.44 грн
10000+	36.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC-P-6

Description: OMEGA - ISC-P-6 - Signalwandler, Strom, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.2 %, ± 0.2%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Strom, Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.2
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.2%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

ISC-TJ-6

Description: OMEGA - ISC-TJ-6 - Signalwandler, Thermoelement, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Thermoelement
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

ISC-VAC-6

Description: OMEGA - ISC-VAC-6 - Signalwandler, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

ISC-VDC-6

Description: OMEGA - ISC-VDC-6 - Signalwandler, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

ISC007N04NM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 3167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.36 грн
10+	190.49 грн
25+	163.66 грн
100+	134.5 грн
250+	133.84 грн
500+	119.26 грн
1000+	96.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC007N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 600µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	149.08 грн
500+	117.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC007N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V

товар відсутній

ISC007N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC007N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.98 грн
10+	196.23 грн
25+	178.39 грн
100+	149.08 грн
500+	117.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC007N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V

на замовлення 4488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.29 грн
10+	169.44 грн
100+	137.09 грн
500+	114.36 грн
1000+	97.92 грн
2000+	92.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC009N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC009N06LM5ATMA1

SP005400730

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	133.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC009N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC009N06LM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 12729 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.9 грн
10+	317.74 грн
25+	242.5 грн
100+	225.94 грн
250+	209.38 грн
500+	192.81 грн
1000+	159.68 грн

ISC010N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC010N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC010N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 0.00082 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	111.81 грн
500+	84.1 грн
1000+	64.98 грн
5000+	63.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC010N04NM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 1329 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.65 грн
10+	134.87 грн
100+	93.42 грн
500+	79.51 грн
1000+	66.19 грн
2500+	62.61 грн
5000+	60.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC010N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V

на замовлення 2863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	153.38 грн
10+	122.99 грн
100+	97.9 грн
500+	77.75 грн
1000+	65.97 грн
2000+	62.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC010N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC010N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 0.00082 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	165.01 грн
10+	148.66 грн
25+	134.53 грн
100+	111.81 грн
500+	84.1 грн
1000+	64.98 грн
5000+	63.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC010N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V

товар відсутній

ISC010N06NM5

Description: INFINEON - ISC010N06NM5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 0.00087 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 870µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	209.82 грн
500+	170.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC010N06NM5

ISC010N06NM5

товар відсутній

ISC010N06NM5

на замовлення 4818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	355.29 грн
10+	295.08 грн
25+	255.69 грн
100+	209.82 грн
500+	170.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC010N06NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 39A T/R

товар відсутній

ISC010N06NM5ATMA1

Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.16 грн
10+	206.78 грн
100+	167.27 грн
500+	139.54 грн
1000+	119.48 грн
2000+	112.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC010N06NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 39A T/R

товар відсутній

ISC010N06NM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	278.28 грн
10+	230.11 грн
25+	189.5 грн
100+	162.33 грн
250+	153.06 грн
500+	144.44 грн
1000+	123.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC010N06NM5ATMA1

Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC011N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 14922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.74 грн
10+	72.47 грн
100+	56.35 грн
500+	44.83 грн
1000+	36.51 грн
2000+	34.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.84 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC011N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.95 грн
10+	76.96 грн
100+	53.67 грн
500+	46.58 грн
1000+	35.05 грн
2500+	34.39 грн
5000+	33.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	107.6 грн
110+	105.62 грн
135+	86.47 грн
200+	77.95 грн
500+	65.75 грн
1000+	46.79 грн
2000+	45.52 грн

Мінімальне замовлення: 108

ISC011N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.04 грн
500+	34.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 9500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	85.08 грн
140+	83.01 грн
171+	67.93 грн
250+	64.33 грн
500+	51.68 грн
1000+	37.25 грн
3000+	36.47 грн
6000+	34.77 грн

Мінімальне замовлення: 137

ISC011N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.23 грн
10000+	33.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 9500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	97.36 грн
10+	79.01 грн
25+	77.08 грн
100+	60.82 грн
250+	55.31 грн
500+	46.07 грн
1000+	34.59 грн
3000+	33.87 грн
6000+	32.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISC011N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66 грн
13+	57.53 грн
100+	45.04 грн
500+	34.92 грн

Мінімальне замовлення: 12

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 355000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC011N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 0.00085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	213.32 грн
50+	177.64 грн
250+	161.29 грн
1000+	120.78 грн
3000+	108.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC011N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	114.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC011N06LM5ATMA1

на замовлення 4826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	177.64 грн
250+	161.29 грн
1000+	120.78 грн
3000+	108.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	107.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC011N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 5063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	246.56 грн
10+	198.91 грн
100+	160.91 грн
500+	134.23 грн
1000+	114.94 грн
2000+	108.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC011N06LM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1089 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.46 грн
10+	221.73 грн
25+	189.5 грн
100+	155.71 грн
250+	151.07 грн
500+	141.13 грн
1000+	118.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC012N04LM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 11309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.72 грн
10+	134.17 грн
100+	106.79 грн
500+	84.8 грн
1000+	71.95 грн
2000+	68.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC012N04LM6ATMA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

ISC012N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC012N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 238 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	205.89 грн
10+	162.78 грн
25+	147.91 грн
100+	122.16 грн
500+	92.38 грн
1000+	71.35 грн
5000+	68.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC012N04LM6ATMA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

ISC012N04LM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	72.8 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC012N04LM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.66 грн
10+	149.35 грн
100+	103.36 грн
250+	101.37 грн
500+	87.46 грн
1000+	70.9 грн
5000+	68.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC012N04LM6ATMA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

ISC012N04LM6ATMA1

на замовлення 6603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	122.16 грн
500+	92.38 грн
1000+	71.35 грн
5000+	68.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC012N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.11 грн
500+	80.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC012N04NM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 330-339 дні (днів)

2+	160.79 грн
10+	131.82 грн
100+	91.44 грн
250+	87.46 грн
500+	76.86 грн
1000+	64.07 грн
2500+	62.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC012N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 13888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	147.65 грн
10+	118.3 грн
100+	94.14 грн
500+	74.76 грн
1000+	63.43 грн
2000+	60.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 95000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	93.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC012N04NM6ATMA1

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.67 грн
10+	128.59 грн
100+	98.11 грн
500+	80.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC012N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.17 грн
10000+	59.75 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	168.8 грн
77+	151.02 грн
100+	138.19 грн
200+	132.31 грн
500+	108.4 грн
1000+	95.6 грн
2000+	87.15 грн

Мінімальне замовлення: 69

ISC012N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC015N04NM5ATMA1

ISC015N04NM5ATMA1

товар відсутній

ISC015N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 5519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.39 грн
10+	92.07 грн
100+	73.3 грн
500+	58.21 грн
1000+	49.39 грн
2000+	46.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC015N04NM5ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC015N04NM5ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC015N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 9261 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.68 грн
10+	101.34 грн
100+	70.23 грн
250+	68.25 грн
500+	58.57 грн
1000+	47.71 грн
5000+	46.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC015N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	49.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC015N06NM5LF2ATMA1

MOSFET

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	252 грн
10+	208.02 грн
25+	171.61 грн
100+	146.43 грн
250+	138.48 грн
500+	130.53 грн
1000+	111.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC015N06NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC015N06NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC017N04NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.54 грн
10+	94.07 грн
100+	74.89 грн
500+	59.46 грн
1000+	50.45 грн
2000+	47.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC017N04NM5ATMA1

40V MOSFET Power-Transistor

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC017N04NM5ATMA1

40V MOSFET Power-Transistor

товар відсутній

ISC017N04NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	51.05 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC017N04NM5ATMA1

40V MOSFET Power-Transistor

товар відсутній

ISC017N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4865 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.45 грн
10+	101.34 грн
100+	70.9 грн
250+	65.33 грн
500+	59.1 грн
1000+	48.1 грн
2500+	48.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 26049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.92 грн
10+	48.31 грн
100+	37.56 грн
500+	29.88 грн
1000+	24.34 грн
2000+	22.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.68 грн
500+	35.82 грн
1000+	24.4 грн
2500+	23.76 грн
5000+	23.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC019N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC019N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.5 грн
10+	62.25 грн
100+	42.21 грн
500+	34.85 грн
1000+	25.71 грн
5000+	24.38 грн
10000+	23.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.15 грн
10000+	22.18 грн
25000+	22.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC019N03L5SATMA1

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.56 грн
12+	64.67 грн
100+	46.68 грн
500+	35.82 грн
1000+	24.4 грн
2500+	23.76 грн
5000+	23.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

ISC019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC019N04NM5ATMA1

SP005352244

товар відсутній

ISC019N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.41 грн
10+	100.58 грн
100+	70.23 грн
500+	57.91 грн
1000+	47.97 грн
2500+	44.66 грн
5000+	42.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC019N04NM5ATMA1

SP005352244

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC019N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 12428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.93 грн
10+	83.31 грн
100+	66.27 грн
500+	52.63 грн
1000+	44.65 грн
2000+	42.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC019N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.76 грн
500+	50.38 грн
1000+	37.84 грн
2500+	37.78 грн
5000+	36.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC019N04NM5ATMA1

SP005352244

товар відсутній

ISC019N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC019N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	97.37 грн
10+	81.76 грн
100+	59.76 грн
500+	50.38 грн
1000+	37.84 грн
2500+	37.78 грн
5000+	36.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISC01P

NKK Switches

OLED Displays & Accessories OLED SmartDisplay 52 X 36 full color

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5865.61 грн
10+	4966.51 грн
100+	4153.72 грн

ISC01P

NKK Switches

Description: DISPLAY OLED 52RGB X 36
Packaging: Box
Display Type: OLED - Passive Matrix
Backlight: Without Backlight
Interface: SPI
Viewing Area: 12.90mm W x 9.90mm H
Dot Pixels: 52 x 36
Graphics Color: Red, Green, Blue (RGB)
Part Status: Active

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3487.63 грн
100+	2619.89 грн

ISC01P-104G

NKK Switches

SWITCH

товар відсутній

ISC022N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 254W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	208.86 грн
500+	179.45 грн
1000+	133.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC022N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V

на замовлення 4221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	311.06 грн
10+	251.3 грн
100+	203.29 грн
500+	169.58 грн
1000+	145.21 грн
2000+	136.73 грн

ISC022N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.25 грн
10+	253.74 грн
100+	190.82 грн
500+	172.27 грн
1000+	139.14 грн
5000+	138.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC022N10NM6ATMA1

SP005339558

на замовлення 5010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	148.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC022N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC022N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	303.26 грн
10+	234.88 грн
100+	208.86 грн
500+	179.45 грн
1000+	133.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC025N08NM5LF2ATMA1

ISC025N08NM5LF2ATMA1

товар відсутній

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

товар відсутній

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

товар відсутній

ISC025N08NM5LF2ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.1 грн
10+	225.54 грн
25+	184.86 грн
100+	158.36 грн
250+	149.74 грн
500+	141.13 грн
1000+	120.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC025N08NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

товар відсутній

ISC025N08NM5LFATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

ISC025N08NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

товар відсутній

ISC026N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.83 грн
10000+	20.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC026N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.76 грн
12+	66.37 грн
100+	48.02 грн
500+	35.2 грн
1000+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

ISC026N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC026N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.87 грн
10+	53.79 грн
100+	34.59 грн
500+	28.89 грн
1000+	21.93 грн
2500+	21.87 грн
5000+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC026N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 23898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.07 грн
10+	52.94 грн
100+	36.64 грн
500+	28.73 грн
1000+	24.45 грн
2000+	21.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC026N03L5SATMA1

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.02 грн
500+	35.2 грн
1000+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC026N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC027N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 7665 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.15 грн
10+	233.16 грн
25+	199.44 грн
100+	163.66 грн
250+	161.67 грн
500+	145.77 грн
1000+	117.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC027N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	122.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC027N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 4977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	308.46 грн
10+	218.52 грн
100+	176.9 грн
500+	153.91 грн
1000+	122.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC027N10NM6ATMA1

SP005339566

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	115.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC027N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

на замовлення 5278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	263.04 грн
10+	212.72 грн
100+	172.08 грн
500+	143.55 грн
1000+	122.91 грн
2000+	115.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC027N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 217W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 4977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	176.9 грн
500+	153.91 грн
1000+	122.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC028N04NM5ATMA1

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 4285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.48 грн
10+	76.75 грн
100+	59.7 грн
500+	47.49 грн
1000+	38.69 грн
2000+	36.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC028N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC028N04NM5ATMA1

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

товар відсутній

ISC028N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4149 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.5 грн
10+	101.34 грн
100+	68.91 грн
500+	57.84 грн
1000+	44.79 грн
2500+	42.67 грн
5000+	40.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC030N10NM6ATMA1

SP005427072

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	99.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC030N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 0.0026 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	171.86 грн
500+	135.06 грн
1000+	110.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC030N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

на замовлення 6801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.89 грн
10+	176.14 грн
100+	142.51 грн
500+	118.88 грн
1000+	101.79 грн
2000+	95.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC030N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 8018 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.54 грн
10+	195.83 грн
25+	167.63 грн
100+	137.82 грн
250+	135.83 грн
500+	122.58 грн
1000+	99.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC030N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 0.0026 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	280.96 грн
10+	226.7 грн
25+	205.89 грн
100+	171.86 грн
500+	135.06 грн
1000+	110.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC030N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC030N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V

товар відсутній

ISC030N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 21A 8-Pin TSON EP T/R

товар відсутній

ISC030N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V

товар відсутній

ISC030N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4147 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	383.41 грн
10+	317.74 грн
25+	260.39 грн
100+	223.29 грн
250+	210.7 грн
500+	198.11 грн
1000+	170.28 грн

ISC031N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

ISC0324D05

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 77%
Current - Output (Max): 300mA, 300mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1705.11 грн
5+	1592.82 грн
10+	1543.54 грн
25+	1386.91 грн
100+	1294.45 грн

ISC0324D05

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 5VDC; Uout2: -5VDC; Iout: 45mA
Power: 3W
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Output current: 45mA
Operating temperature: -40...100°C
Efficiency: 77%
Input voltage: 9...36V
Output current 2: 45mA
Number of outputs: 2
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Output voltage: 5V DC
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
Output voltage 2: -5V DC
Switching frequency: 350kHz
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ISC0324D05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1838.99 грн
5+	1757.86 грн
10+	1481.53 грн
30+	1418.59 грн
100+	1323.84 грн

ISC0324D05

товар відсутній

ISC0324D12

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 12VDC; Uout2: -12VDC; SMD16
Power: 3W
Case: SMD16
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Output current: 0.125A
Operating temperature: -40...100°C
Efficiency: 80%
Input voltage: 9...36V
Output current 2: 125mA
Number of outputs: 2
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Output voltage: 12V DC
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
Output voltage 2: -12V DC
Switching frequency: 350kHz
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ISC0324D12

товар відсутній

ISC0324D12

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 3W

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1821.22 грн

ISC0324D15

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 15VDC; Uout2: -15VDC; SMD16
Power: 3W
Case: SMD16
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Output current: 0.1A
Operating temperature: -40...100°C
Efficiency: 80%
Input voltage: 9...36V
Output current 2: 0.1A
Number of outputs: 2
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Output voltage: 15V DC
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
Output voltage 2: -15V DC
Switching frequency: 350kHz

товар відсутній

ISC0324D15

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товар відсутній

ISC0324D15

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 3W

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1768.9 грн
5+	1652.17 грн

ISC0324D15

товар відсутній

ISC0324S05

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 5VDC; Iout: 90mA; SMD; 350kHz
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 5V DC
Output current: 90mA
Case: SMD
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 78%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1704.49 грн
3+	1555.89 грн

ISC0324S05

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1420.41 грн
3+	1248.55 грн

ISC0324S05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1723.81 грн
5+	1648.14 грн
10+	1388.77 грн
30+	1329.8 грн
100+	1241.01 грн

ISC0324S05

Description: DC-DC 3W SDM 4:1 INPUT REG

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0324S05-TR

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 5VDC; Iout: 600mA; SMD16; SMD
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.6A
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 78%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1

товар відсутній

ISC0324S05-TR

товар відсутній

ISC0324S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0324S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

товар відсутній

ISC0324S12

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 12VDC; Iout: 250mA; SMD16
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 12V DC
Output current: 0.25A
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ISC0324S12

товар відсутній

ISC0324S12-TR

товар відсутній

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1601.9 грн
5+	1495.5 грн
10+	1449.74 грн
25+	1302.27 грн
100+	1215.64 грн

ISC0324S12-TR

товар відсутній

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0324S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

на замовлення 341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0324S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0324S15

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 15VDC; Iout: 200mA; SMD16
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 15V DC
Output current: 0.2A
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ISC0324S15

товар відсутній

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

товар відсутній

ISC0324S15-TR

товар відсутній

ISC0324S15-TR

товар відсутній

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

товар відсутній

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

товар відсутній

ISC0324S24

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 24VDC; Iout: 19mA; SMD; 350kHz
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 24V DC
Output current: 19mA
Case: SMD
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1

товар відсутній

ISC0324S24

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1723.81 грн
5+	1648.14 грн
10+	1388.77 грн
30+	1329.8 грн
100+	1241.01 грн

ISC0324S24

Description: DC DC CONVERTER 24V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 24V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1599.03 грн
5+	1493.57 грн
10+	1447.81 грн
25+	1300.61 грн
100+	1214.06 грн

ISC0324S24

товар відсутній

ISC0324S3V3

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 3.3VDC; Iout: 600mA; SMD; SMT
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 0.6A
Case: SMD
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 75%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ISC0324S3V3

товар відсутній

ISC0324S3V3

Description: XP POWER - ISC0324S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Oberflächenmontage, ITE, 4:1, 3 W, 1 Ausgang, 3.3 V, 600 mA
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 9V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 18.1mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 24mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 8.25mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1.5kV
DC-Eingangsspannung, max.: 36V
DC/DC-Wandlermontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: DIP
Ausgangsregelung: Geregelt
Produktpalette: ISC03 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 600mA
Eingangsverhältnis: 4:1
Anwendungen für das Netzteil: ITE
Ausgangsleistung, max.: 3W
SVHC: No SVHC

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1792.05 грн
5+	1738.53 грн
10+	1685.01 грн
20+	1396.94 грн

ISC0324S3V3

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1723.81 грн
5+	1648.14 грн
10+	1388.77 грн
30+	1329.8 грн
100+	1241.01 грн

ISC0324S3V3

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 75%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 2073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1599.03 грн
5+	1493.57 грн
10+	1447.81 грн
25+	1300.61 грн
100+	1214.06 грн
500+	1084.1 грн

ISC032N12LM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V

товар відсутній

ISC032N12LM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.15 грн
10+	233.92 грн
25+	191.49 грн
100+	164.32 грн
250+	155.04 грн
500+	145.77 грн
1000+	125.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC032N12LM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V

товар відсутній

ISC032N12LM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

ISC0348D05

ISC0348D05 DC/DC Converters

товар відсутній

ISC0348D05

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 77%
Current - Output (Max): 300mA, 300mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

товар відсутній

ISC0348D12

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 18÷75V; Uout: 12VDC; Uout2: -12VDC; SMD16
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 18...75V
Output voltage: 12V DC
Output voltage 2: -12V DC
Output current: 125mA
Output current 2: 125mA
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 2

товар відсутній

ISC0348D12

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA, 125mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1973.17 грн
5+	1843.63 грн
10+	1786.55 грн
25+	1605.27 грн

ISC0348D12

товар відсутній

ISC0348D15

ISC0348D15 DC/DC Converters

товар відсутній

ISC0348D15

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 100mA, 100mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1692.21 грн
5+	1578.74 грн
10+	1527.87 грн
25+	1370.15 грн

ISC0348S05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1723.81 грн
5+	1648.14 грн
10+	1388.77 грн
30+	1329.8 грн
100+	1241.01 грн

ISC0348S05

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0348S05

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W

товар відсутній

ISC0348S05

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 18÷75V; Uout: 5VDC; Iout: 600mA; SMD16
Mounting: SMD
Case: SMD16
Power: 3W
Manufacturer series: ISC03
Operating temperature: -40...100°C
Output voltage: 5V DC
Number of outputs: 1
Input voltage: 18...75V
Switching frequency: 350kHz
Output current: 0.6A
Type of converter: DC/DC
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 78%
Insulation voltage: 1.5kV DC
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ISC0348S05

товар відсутній

ISC0348S05-TR

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0348S05-TR

товар відсутній

ISC0348S05-TR

товар відсутній

ISC0348S05-TR

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0348S12

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 18÷75V; Uout: 12VDC; Iout: 250mA; SMD16
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 18...75V
Output voltage: 12V DC
Output current: 250mA
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1

товар відсутній

ISC0348S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0348S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

товар відсутній

ISC0348S12

товар відсутній

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1835.56 грн

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1642.04 грн

ISC0348S12-TR

товар відсутній

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0348S12-TR

товар відсутній

ISC0348S15

ISC0348S15 DC/DC Converters

товар відсутній

ISC0348S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0348S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

товар відсутній

ISC0348S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0348S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0348S15-TR

ISC0348S15-TR DC/DC Converters

товар відсутній

ISC0348S24

Description: DC DC CONVERTER 24V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 24V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

товар відсутній

ISC0348S24

ISC0348S24 DC/DC Converters

товар відсутній

ISC0348S3V3

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 18÷75V; Uout: 3.3VDC; Iout: 600mA; SMD16
Case: SMD16
Mounting: SMD
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 3W
Output voltage: 3.3V DC
Number of outputs: 1
Input voltage: 18...75V
Manufacturer series: ISC03
Switching frequency: 350kHz
Output current: 0.6A
Type of converter: DC/DC
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Operating temperature: -40...100°C
Efficiency: 75%

товар відсутній

ISC0348S3V3

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 75%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1835.56 грн
5+	1714.98 грн
10+	1661.9 грн

ISC0348S3V3

товар відсутній

ISC035N10NM5LF2ATMA1

Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC035N10NM5LF2ATMA1

Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC035N10NM5LF2ATMA1

ISC035N10NM5LF2ATMA1

товар відсутній

ISC035N10NM5LF2ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.88 грн
10+	240.02 грн
25+	197.45 грн
100+	168.96 грн
250+	159.68 грн
500+	149.74 грн
1000+	127.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC035N10NM5LFATMA1

MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 217-226 дні (днів)

2+	289.88 грн
10+	240.02 грн
25+	197.45 грн
100+	168.96 грн
250+	159.68 грн
500+	149.74 грн
1000+	127.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC035N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC035N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC036N04NM5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC036N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	95.88 грн
10+	80.27 грн
100+	58.72 грн
500+	45.07 грн
1000+	30.64 грн
2500+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISC036N04NM5ATMA1

Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 4523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.27 грн
10+	62.88 грн
100+	48.89 грн
500+	38.88 грн
1000+	31.68 грн
2000+	29.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC036N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.03 грн
10+	68.2 грн
100+	46.18 грн
500+	39.16 грн
1000+	30.01 грн
5000+	29.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC036N04NM5ATMA1

Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

товар відсутній

ISC036N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.72 грн
500+	45.07 грн
1000+	30.64 грн
2500+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC037N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.44 грн
10000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC037N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.68 грн
500+	19.6 грн
1000+	13.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC037N03L5ISATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 13167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.94 грн
10+	31.62 грн
100+	21.73 грн
500+	18.35 грн
1000+	14.97 грн
2500+	14.64 грн
5000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

ISC037N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.69 грн
22+	34.86 грн
100+	26.68 грн
500+	19.6 грн
1000+	13.12 грн

Мінімальне замовлення: 19

ISC037N03L5ISATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC037N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 18934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.74 грн
10+	41.07 грн
100+	31.48 грн
500+	23.35 грн
1000+	18.68 грн
2000+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISC037N03L5ISATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC037N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4907 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	323.89 грн
10+	268.21 грн
25+	220.64 грн
100+	189.5 грн
250+	178.9 грн
500+	168.3 грн
1000+	144.44 грн

ISC037N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	141.3 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC037N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 19.2A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC037N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V

на замовлення 14843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	302.46 грн
10+	244.6 грн
100+	197.88 грн
500+	165.08 грн
1000+	141.35 грн
2000+	133.09 грн

ISC037N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISC037N13NM6ATMA1

MOSFET

товар відсутній

ISC037N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

ISC037N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

товар відсутній

ISC045N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC045N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

на замовлення 11108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.7 грн
10+	31.61 грн
100+	21.98 грн
500+	16.1 грн
1000+	13.09 грн
2000+	11.7 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISC045N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.67 грн
10+	32.92 грн
100+	21.2 грн
500+	16.63 грн
1000+	12.06 грн
5000+	11.4 грн
10000+	10.6 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISC045N03L5SATMA1

RZ03-1C4-D024

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	8.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC045N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC046N04NM5

Infineon

товар відсутній

ISC046N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC046N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC046N04NM5ATMA1

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V

на замовлення 14945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.42 грн
10+	65.15 грн
100+	50.66 грн
500+	40.3 грн
1000+	32.83 грн
2000+	30.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC046N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 17101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.12 грн
10+	71.55 грн
100+	48.24 грн
500+	40.95 грн
1000+	31.41 грн
2500+	31.34 грн
5000+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC046N04NM5ATMA1

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.57 грн
10000+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC046N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

товар відсутній

ISC046N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

ISC046N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISC046N13NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.02 грн
10+	249.93 грн
25+	206.06 грн
100+	176.25 грн
250+	166.31 грн
500+	156.37 грн
1000+	133.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC056N08NM6ATMA1

N-channel MOSFET

товар відсутній

ISC058N04NM5ATMA1

Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.4 грн
10000+	27.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC058N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 0.0045 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.5 грн
500+	53.35 грн
1000+	38.86 грн
2500+	37.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC058N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 8126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.99 грн
10+	81.53 грн
100+	55.13 грн
500+	45.59 грн
1000+	33.59 грн
5000+	31.87 грн
10000+	31.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC058N04NM5ATMA1

Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 27802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.41 грн
10+	60.81 грн
100+	47.28 грн
500+	37.61 грн
1000+	30.64 грн
2000+	28.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC058N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 0.0045 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm

на замовлення 4864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.54 грн
14+	56.49 грн
100+	40.95 грн
500+	32.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

ISC058N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC058N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC0602NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 9212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.22 грн
10+	88.39 грн
100+	61.29 грн
250+	56.58 грн
500+	51.35 грн
1000+	44 грн
2500+	41.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0602NLSATMA1

Power-Transistor 80V

товар відсутній

ISC0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.02 грн
500+	62.05 грн
1000+	44.21 грн
2500+	43.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

на замовлення 11577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	99.63 грн
10+	79.65 грн
100+	63.43 грн
500+	50.37 грн
1000+	42.73 грн
2000+	40.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.59 грн
10+	104.8 грн
100+	81.02 грн
500+	62.05 грн
1000+	44.21 грн
2500+	43.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISC0603NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 6987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.11 грн
10+	99.94 грн
100+	77.92 грн
500+	60.41 грн
1000+	47.69 грн
2000+	44.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0603NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0603NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.23 грн
10+	126.49 грн
100+	86.14 грн
500+	70.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0604NLSATMA1

MOSFET

товар відсутній

ISC0604NLSATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISC0605NLSATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

ISC060N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0051 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	202.17 грн
10+	157.58 грн
25+	142.71 грн
100+	118.02 грн
500+	91.1 грн
1000+	70.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC060N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	70.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC060N10NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	66.4 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC060N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0051 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	118.02 грн
500+	91.1 грн
1000+	70.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC060N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 19818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.98 грн
10+	129.41 грн
100+	103.05 грн
500+	81.82 грн
1000+	69.42 грн
2000+	65.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC060N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 20550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.25 грн
10+	144.77 грн
100+	100.05 грн
250+	98.72 грн
500+	84.15 грн
1000+	68.25 грн
5000+	65.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 9345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.49 грн
10+	81.86 грн
100+	65.15 грн
500+	51.74 грн
1000+	43.9 грн
2000+	41.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0702NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0702NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.77 грн
10+	89.91 грн
100+	62.22 грн
500+	52.08 грн
1000+	42.41 грн
5000+	41.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0703NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.05 грн
10+	57.76 грн
100+	39.75 грн
500+	34.52 грн
1000+	26.77 грн
2500+	25.44 грн
5000+	24.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.97 грн
10000+	23.86 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 16822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.94 грн
10+	51.97 грн
100+	40.4 грн
500+	32.14 грн
1000+	26.18 грн
2000+	24.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A T/R

товар відсутній

ISC073N12LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC073N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V

на замовлення 9066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.47 грн
10+	144.73 грн
100+	117.1 грн
500+	97.68 грн
1000+	83.64 грн
2000+	78.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC073N12LM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5891 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.8 грн
10+	161.54 грн
25+	132.52 грн
100+	113.3 грн
250+	107.34 грн
500+	101.37 грн
1000+	86.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC073N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	83.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC078N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.65 грн
10+	134.87 грн
100+	92.76 грн
250+	86.14 грн
500+	78.18 грн
1000+	66.26 грн
2500+	63.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0802NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC0802NLSATMA1

ISC0802NLSATMA1

товар відсутній

ISC0802NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.95 грн
10+	155.98 грн
100+	124.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0802NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1034 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.49 грн
10+	171.44 грн
100+	118.6 грн
250+	115.95 грн
500+	100.71 грн
1000+	81.5 грн
5000+	78.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0802NLSATMA1

SP005430372

товар відсутній

ISC0803NLSATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8

товар відсутній

ISC0803NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.86 грн
10+	100.58 грн
100+	68.25 грн
500+	56.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0803NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC0803NLSATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8

товар відсутній

ISC0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 8951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.49 грн
10+	81.93 грн
100+	65.19 грн
500+	51.77 грн
1000+	43.92 грн
2000+	41.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0804NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.37 грн
10+	122.68 грн
100+	85.47 грн
500+	70.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.18 грн
10+	90.68 грн
100+	67.94 грн
500+	54.25 грн
1000+	40.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

ISC0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.94 грн
500+	54.25 грн
1000+	40.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC0805NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 74W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm

на замовлення 3535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.45 грн
500+	69.71 грн
1000+	51.8 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC0805NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	49.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0805NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

на замовлення 7569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.71 грн
10+	99.59 грн
100+	79.26 грн
500+	62.94 грн
1000+	53.41 грн
2000+	50.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0805NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm

на замовлення 3535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	152.37 грн
10+	113.72 грн
100+	88.45 грн
500+	69.71 грн
1000+	51.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC0805NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	54.03 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0805NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.82 грн
10+	112.01 грн
100+	77.52 грн
500+	65.93 грн
1000+	55.66 грн
2500+	52.81 грн
5000+	51.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0806NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.39 грн
10+	179.06 грн
100+	125.23 грн
500+	105.35 грн
1000+	85.47 грн
2500+	82.82 грн
5000+	81.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0806NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V

на замовлення 4880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.28 грн
10+	133.41 грн
100+	106.19 грн
500+	84.32 грн
1000+	71.54 грн
2000+	67.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0806NLSATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	66.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0806NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.45 грн
500+	67.85 грн
1000+	48.1 грн
2500+	47.65 грн
5000+	47.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC080N10NM6ATMA1

SP005409473

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

на замовлення 5995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.24 грн
10+	90.48 грн
100+	72.01 грн
500+	57.18 грн
1000+	48.52 грн
2000+	46.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.99 грн
10+	112.24 грн
100+	88.45 грн
500+	67.85 грн
1000+	48.1 грн
2500+	47.65 грн
5000+	47.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISC080N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 10353 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.54 грн
10+	99.82 грн
100+	69.57 грн
500+	58.37 грн
1000+	47.51 грн
5000+	45.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC080N10NM6ATMA1