НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSV-BATBelimoDescription: 12V 1.2AH BATT 1=1, 2 REQUIRED
Packaging: Box
Voltage: 12
Type: Battery
Part Status: Active
товар відсутній
NSV12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.76 грн
10+ 45.14 грн
100+ 31.25 грн
500+ 24.5 грн
1000+ 20.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV12100UW3TCGonsemiBipolar Transistors - BJT WDFN3 2*2 LOW VCE
товар відсутній
NSV12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.55 грн
6000+ 18.75 грн
9000+ 17.36 грн
30000+ 16.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV12100UW3TCGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT WDFN3 2*2 LOW VCE
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSV12100XV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.94 грн
11+ 30.4 грн
100+ 19.81 грн
500+ 15.5 грн
1000+ 11 грн
4000+ 10.93 грн
8000+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.97 грн
11+ 27.06 грн
100+ 18.79 грн
500+ 13.76 грн
1000+ 11.19 грн
2000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSV12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSV12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV12200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XT
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.2 грн
10+ 33.68 грн
100+ 21.87 грн
500+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1930+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 1930
NSV1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV1C200LT1GON Semiconductor
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV1C200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 3.0 A
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.94 грн
11+ 30.4 грн
100+ 19.48 грн
500+ 15.5 грн
1000+ 12.46 грн
3000+ 10.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV1C200LT1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
товар відсутній
NSV1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.85 грн
2000+ 13.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NSV1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV1C200MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.29 грн
10+ 34.65 грн
100+ 24.05 грн
500+ 17.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSV1C200MZ4T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV1C201LT1GON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.49 грн
6000+ 11.42 грн
9000+ 10.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV1C201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
на замовлення 24521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.58 грн
10+ 33.53 грн
100+ 20.54 грн
500+ 16.03 грн
1000+ 12.99 грн
3000+ 10.87 грн
9000+ 10.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 17817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.27 грн
10+ 30.51 грн
100+ 21.2 грн
500+ 15.54 грн
1000+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV1C201MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2.0 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor
на замовлення 54675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.58 грн
10+ 32.92 грн
100+ 21.07 грн
500+ 17.16 грн
1000+ 13.19 грн
2000+ 11.46 грн
10000+ 11.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 14683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.85 грн
10+ 33.75 грн
100+ 23.47 грн
500+ 17.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.46 грн
2000+ 13.31 грн
5000+ 12.63 грн
10000+ 11.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.88 грн
18+ 42.22 грн
100+ 29.29 грн
500+ 22.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NSV1C300ET4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
товар відсутній
NSV1C300ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSV1C300ET4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
товар відсутній
NSV1C300ET4GON-SemicoductorPNP 3A 100V 33W 100MHz 120 < beta < 360 NSV1C300ET4G TNSV1C300et4g
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
NSV1C300ET4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
товар відсутній
NSV1C301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V LFPAK4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.59 грн
10+ 59.36 грн
100+ 40.15 грн
500+ 33.99 грн
1000+ 27.76 грн
3000+ 26.11 грн
6000+ 24.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSV1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.04 грн
10+ 44.31 грн
100+ 30.69 грн
500+ 24.07 грн
1000+ 20.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV1C301ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.82 грн
10+ 48.61 грн
100+ 29.29 грн
500+ 24.45 грн
1000+ 20.81 грн
2500+ 18.49 грн
5000+ 17.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSV1C301ET4GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
товар відсутній
NSV1C301ET4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV1C301ET4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV1C301ET4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.29 грн
10+ 52.42 грн
100+ 34.92 грн
500+ 27.63 грн
1000+ 22.13 грн
2500+ 20.01 грн
5000+ 18.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
на замовлення 3171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.06 грн
9000+ 3.52 грн
24000+ 3.45 грн
45000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV1SS400T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 45435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.92 грн
36+ 20.74 грн
100+ 7.95 грн
500+ 5.38 грн
3000+ 3.82 грн
9000+ 3.44 грн
24000+ 3.19 грн
45000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
на замовлення 3171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.85 грн
9000+ 4.41 грн
24000+ 4.1 грн
45000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV1SS400T1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 4ns Automotive 2-Pin SOD-523 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV1SS400T1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
16+ 17.46 грн
100+ 8.81 грн
500+ 6.74 грн
1000+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSV1SS400T1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWDI 100V TR
на замовлення 77868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
19+ 16.84 грн
100+ 6.36 грн
1000+ 5.1 грн
3000+ 4.11 грн
9000+ 3.58 грн
24000+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
на замовлення 12495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.51 грн
35+ 16.53 грн
36+ 16.37 грн
100+ 6.73 грн
250+ 6.16 грн
500+ 5.85 грн
1000+ 4.42 грн
3000+ 3.65 грн
6000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
на замовлення 12495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1533+7.58 грн
1634+ 7.11 грн
1651+ 7.04 грн
2090+ 5.36 грн
3000+ 3.78 грн
6000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 1533
NSV1SS400T1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.66 грн
6000+ 4.29 грн
9000+ 3.71 грн
30000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV1SS400T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 45435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.38 грн
3000+ 3.82 грн
9000+ 3.44 грн
24000+ 3.19 грн
45000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
NSV1SS400T5GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
товар відсутній
NSV1SS400T5GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.41 грн
16000+ 3.67 грн
24000+ 3.6 грн
56000+ 2.8 грн
200000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSV1SS400T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode, 100 V
товар відсутній
NSV1SS400T5GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
товар відсутній
NSV1SS400T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NSV1SS400T5GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
16+ 17.25 грн
100+ 8.72 грн
500+ 6.67 грн
1000+ 4.95 грн
2000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSV20101JT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 1A 89SC3
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW Automotive 3-Pin SC-89 T/R
товар відсутній
NSV20101JT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
товар відсутній
NSV20200DMTWTBGON Semiconductor20 V,2 A PNP GP BJT Transistor
товар відсутній
NSV20200DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
товар відсутній
NSV20200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товар відсутній
NSV20200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товар відсутній
NSV20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.95 грн
6000+ 10.01 грн
9000+ 9.3 грн
30000+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 623740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.25 грн
11+ 26.78 грн
100+ 18.59 грн
500+ 13.62 грн
1000+ 11.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV20200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.48 грн
11+ 29.34 грн
100+ 18.02 грн
500+ 14.05 грн
1000+ 11.46 грн
3000+ 9.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV20201DMTWTBGON SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT-23
товар відсутній
NSV20201DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
товар відсутній
NSV20201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.25 грн
11+ 29.79 грн
100+ 18.02 грн
500+ 14.05 грн
1000+ 11.46 грн
3000+ 9.67 грн
9000+ 8.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.25 грн
11+ 26.78 грн
100+ 18.59 грн
500+ 13.62 грн
1000+ 11.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV2029M3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT723
товар відсутній
NSV2029M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 265mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSV2029M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS XTR PNP SOT723MTK
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.45 грн
14+ 22.1 грн
100+ 10.93 грн
1000+ 5.5 грн
2500+ 4.84 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSV204NL-CC-B100K-9.5G; моно; с LED-подсветкой; линейная характеристика; 0,1Вт; 40,7x6мм; TOMY
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+221.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
NSV2SA2029M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 265mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSV2SA2029M3T5GON Semiconductor
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV2SA2029M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.65 грн
18+ 15.94 грн
100+ 7.79 грн
500+ 6.1 грн
1000+ 4.24 грн
2000+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSV2SA2029M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS TRANSISTOR PNP SOT723
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.6 грн
14+ 22.4 грн
100+ 10.4 грн
500+ 6.82 грн
1000+ 4.24 грн
2500+ 3.64 грн
8000+ 2.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSV2SA2029M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
товар відсутній
NSV2SC5658M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.15A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 54156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.65 грн
18+ 15.87 грн
100+ 8.04 грн
500+ 6.15 грн
1000+ 4.57 грн
2000+ 3.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSV2SC5658M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSV2SC5658M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.15A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.06 грн
16000+ 3.38 грн
24000+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSV2SC5658M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE
на замовлення 20678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.2 грн
18+ 17.45 грн
100+ 6.29 грн
1000+ 3.98 грн
2500+ 3.91 грн
8000+ 3.18 грн
24000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSV30100LT1GonsemiDescription: NSV30100 - LOW VCE(SAT) TRANSIST
Packaging: Bulk
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1781+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 1781
NSV40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.42 грн
34+ 22.3 грн
100+ 13.97 грн
500+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 21
NSV40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.82 грн
12+ 23.19 грн
100+ 13.91 грн
500+ 12.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV40200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
на замовлення 9851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.08 грн
16+ 20.27 грн
100+ 12.46 грн
1000+ 8.48 грн
3000+ 6.89 грн
9000+ 6.63 грн
45000+ 6.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
товар відсутній
NSV40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.97 грн
500+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSV40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.06 грн
24000+ 6.92 грн
30000+ 6.87 грн
Мінімальне замовлення: 9000
NSV40200UW6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -40 V, 4.0 A
товар відсутній
NSV40200UW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40200UW6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.91 грн
10+ 47.21 грн
100+ 32.69 грн
500+ 25.63 грн
1000+ 21.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV40200UW6T1GON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.5 грн
6000+ 19.61 грн
9000+ 18.16 грн
30000+ 16.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.03 грн
500+ 9.94 грн
3000+ 8.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSV40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.54 грн
12+ 23.54 грн
100+ 14.1 грн
500+ 12.25 грн
1000+ 8.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV40201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 7564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.08 грн
14+ 22.55 грн
100+ 12.46 грн
1000+ 8.48 грн
3000+ 7.09 грн
9000+ 6.69 грн
24000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.25 грн
24+ 31.22 грн
100+ 19.03 грн
500+ 9.94 грн
3000+ 8.98 грн
Мінімальне замовлення: 19
NSV40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.49 грн
6000+ 7.83 грн
9000+ 7.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV40300CTWGonsemiDescription: PNP LFPAK4 BIP POWER TRAN
товар відсутній
NSV40300MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED 40V PNP LOW
товар відсутній
NSV40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.91 грн
10+ 44.45 грн
100+ 34.55 грн
500+ 27.48 грн
1000+ 22.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NSV40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NSV40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSV40300MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) PNP Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101 Qualified
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.29 грн
10+ 39.7 грн
100+ 27.3 грн
500+ 21.4 грн
1000+ 14.31 грн
2000+ 12.19 грн
10000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSV40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.78 грн
2000+ 14.73 грн
5000+ 13.78 грн
10000+ 12.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NSV40301CTWGonsemiDescription: NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
товар відсутній
NSV40301MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT SOIC8 MATCHED LO VCE(SAT)
товар відсутній
NSV40301MDR2GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
товар відсутній
NSV40301MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.9 грн
10+ 37.26 грн
100+ 24.85 грн
500+ 17.89 грн
1000+ 14.64 грн
10000+ 14.05 грн
25000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV40301MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV40301MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
на замовлення 12448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV40301MZ4T3GonsemiDescription: NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43 грн
10+ 35.96 грн
100+ 24.88 грн
500+ 19.51 грн
1000+ 16.6 грн
2000+ 14.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSV40301MZ4T3GonsemiDescription: NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSV40302PDR2GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV40302PDR2GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
товар відсутній
NSV40302PDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT COMP 40V NPN/PNP LO
на замовлення 27706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.31 грн
10+ 41.91 грн
100+ 30.48 грн
500+ 26.44 грн
1000+ 22.53 грн
2500+ 18.95 грн
10000+ 17.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSV40501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.13 грн
10+ 36.42 грн
100+ 23.65 грн
500+ 18.62 грн
1000+ 14.44 грн
3000+ 11.86 грн
9000+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
на замовлення 84865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1466+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1466
NSV40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
товар відсутній
NSV45015WT1GCypress Semiconductor CorpDescription: NSI450LDRIVECONSTACURREREGULATOM
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NSV45015WT1GON SemiconductorLED Driver 19.4uA Supply Current Automotive 2-Pin SOD-123 T/R
товар відсутній
NSV45015WT1GON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV45015WT1GON SemiconductorLED Driver 19.4uA Supply Current Automotive 2-Pin SOD-123 T/R
товар відсутній
NSV45015WT1GON SemiconductorLED Driver 19.4uA Supply Current Automotive 2-Pin SOD-123 T/R
товар відсутній
NSV45015WT1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 15MA +/- 20% CCR
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.62 грн
12+ 25.83 грн
100+ 15.57 грн
500+ 12.85 грн
1000+ 9.54 грн
3000+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV45020AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV45020AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.67 грн
12+ 23.74 грн
25+ 22.11 грн
100+ 15.42 грн
250+ 13.04 грн
500+ 12.45 грн
1000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV45020AT1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 20MA 10% CCR
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.73 грн
16+ 19.51 грн
100+ 10.6 грн
500+ 10.27 грн
1000+ 8.55 грн
3000+ 7.88 грн
9000+ 7.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSV45020AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.51 грн
6000+ 8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV45020AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
товар відсутній
NSV45020AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
товар відсутній
NSV45020AT1GON Semiconductor
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV45020JZT1GON SemiconductorLED Driver 23000uA Supply Current Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV45020JZT1GonsemiLED Lighting Drivers LED Driver, Adjustable Constant Current Regulator, 45 V, 20 mA
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.44 грн
10+ 34.9 грн
100+ 19.61 грн
500+ 18.62 грн
1000+ 14.11 грн
2000+ 12.72 грн
10000+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV45020JZT1GON SemiconductorLED Driver 23000uA Supply Current Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV45020JZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 40mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.96 грн
10+ 60.18 грн
25+ 56.57 грн
100+ 43.32 грн
250+ 40.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSV45020JZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 40mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
товар відсутній
NSV45020T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
товар відсутній
NSV45020T1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
товар відсутній
NSV45020T1GON Semiconductor
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV45020T1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
товар відсутній
NSV45020T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.25 грн
11+ 26.37 грн
25+ 24.63 грн
100+ 18.49 грн
250+ 17.17 грн
500+ 14.53 грн
1000+ 11.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV45020T1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 20MA 15% CCR
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
13+ 24.08 грн
100+ 13.19 грн
500+ 12.59 грн
1000+ 9.28 грн
3000+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV45025AT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45025AT1G - CURRENT REGULATORS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV45025AT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 25MA SOD123
товар відсутній
NSV45025AT1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 25MA 10% CCR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
12+ 25.91 грн
100+ 15.64 грн
500+ 12.66 грн
1000+ 9.28 грн
3000+ 8.68 грн
9000+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSV45025AT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 25MA SOD123
на замовлення 34013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV45025AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
товар відсутній
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товар відсутній
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товар відсутній
NSV45025AZT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 25MA SOT223
товар відсутній
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товар відсутній
NSV45025AZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45025AZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-223-4
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товар відсутній
NSV45025AZT1GonsemiLED Lighting Drivers LED Driver, Constant Current Regulator, 25 mA, 45 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.83 грн
10+ 35.05 грн
100+ 20.01 грн
500+ 19.02 грн
1000+ 14.51 грн
2000+ 13.78 грн
10000+ 12.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товар відсутній
NSV45025AZT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 25MA SOT223
товар відсутній
NSV45025T1GON SemiconductorLED Controller IC
товар відсутній
NSV45025T1GonsemiDescription: NSV45025 - LED DRIVER, CONSTANT
на замовлення 35826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV45025T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45025T1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV45025T1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 25MA 15% CCR
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
13+ 24.08 грн
100+ 13.19 грн
500+ 12.59 грн
1000+ 9.28 грн
3000+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV45025T1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 25MA SOD123
товар відсутній
NSV45030AT1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 30MA 10% CCR
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.62 грн
12+ 25.98 грн
100+ 15.7 грн
500+ 12.92 грн
1000+ 9.61 грн
3000+ 8.68 грн
9000+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV45030AT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 30MA SOD123
товар відсутній
NSV45030AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator And LED Driver
товар відсутній
NSV45030AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator And LED Driver
товар відсутній
NSV45030AT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 30MA SOD123
товар відсутній
NSV45030AT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45030AT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV45030AT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 30MA SOD123
товар відсутній
NSV45030T1GonsemiDescription: NSV45030 - LED DRIVER, CONSTANT
товар відсутній
NSV45030T1GON SemiconductorAC-DC LED Drivers
товар відсутній
NSV45030T1GON SemiconductorAC-DC LED Drivers
товар відсутній
NSV45030T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45030T1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV45030T1GonsemiDescription: IC REG CCR LED DVR 30MA SOD123
товар відсутній
NSV45030T1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 30MA 15% CCR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
12+ 25.75 грн
100+ 15.57 грн
500+ 12.19 грн
1000+ 9.94 грн
3000+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV45035JZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45035JZT1G - LED-Treiber, einstellbarer Konstantstrom, AEC-Q101, 1 Ausgang, 45Vin, 35mA bis 70mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -Hz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -V
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: -V
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.07 грн
22+ 34.04 грн
100+ 21.41 грн
500+ 18.64 грн
1000+ 12.49 грн
3000+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
NSV45035JZT1GonsemiLED Lighting Drivers LED Dvr Adj Constant Crnt Reg 45V 35mA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
10+30.92 грн
13+ 25.07 грн
100+ 16.9 грн
1000+ 14.11 грн
2000+ 12.72 грн
10000+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV45035JZT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 35MA SOT223
товар відсутній
NSV45035JZT1GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+41.33 грн
17+ 34.94 грн
25+ 34.44 грн
100+ 22.56 грн
250+ 20.39 грн
500+ 18.31 грн
1000+ 14.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSV45035JZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45035JZT1G - LED-Treiber, einstellbarer Konstantstrom, AEC-Q101, 1 Ausgang, 45Vin, 35mA bis 70mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -888
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.55 грн
500+ 15.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSV45035JZT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 35MA SOT223
товар відсутній
NSV45035JZT1GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NSV45035JZT1GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NSV45035JZT3GON SemiconductorAdjustable Constant Current Regulator LED Driver 45 V, 35-70 mA 15%, 1.5 W
товар відсутній
NSV45035JZT3GonsemiLED Lighting Drivers LED Driver, Adjustable Constant Current Regulator, 45 V, 35 mA
товар відсутній
NSV45060JDT4GON Semiconductor
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV45060JDT4GONSEMICategory: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; DPAK; 45V; 2.7W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: DPAK
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...175°C
Operating voltage: 45V
Power dissipation: 2.7W
Operating current: 60...100mA
товар відсутній
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
товар відсутній
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+62.87 грн
197+ 59.14 грн
241+ 48.31 грн
260+ 43.17 грн
500+ 35.04 грн
1000+ 25.63 грн
Мінімальне замовлення: 185
NSV45060JDT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45060JDT4G - LED-Treiber, 1 Ausgang, linear, einstellbarer Konstantstrom, 45V/60mA bis 100mA, 2.7W, TO-252-3
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -888
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.1 грн
500+ 24.64 грн
1000+ 17.71 грн
2500+ 16.37 грн
5000+ 16.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NSV45060JDT4GonsemiLED Lighting Drivers DPAK 60MA
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
5+63.23 грн
10+ 50.44 грн
100+ 31.27 грн
500+ 29.48 грн
1000+ 22.99 грн
2500+ 21.8 грн
5000+ 21.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSV45060JDT4GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 60MA DPAK
товар відсутній
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+65.46 грн
10+ 58.37 грн
25+ 54.92 грн
100+ 43.26 грн
250+ 37.11 грн
500+ 31.24 грн
1000+ 23.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV45060JDT4GONSEMICategory: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; DPAK; 45V; 2.7W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: DPAK
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...175°C
Operating voltage: 45V
Power dissipation: 2.7W
Operating current: 60...100mA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NSV45060JDT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45060JDT4G - LED-Treiber, 1 Ausgang, linear, einstellbarer Konstantstrom, 45V/60mA bis 100mA, 2.7W, TO-252-3
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -888
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.61 грн
18+ 41.33 грн
100+ 28.1 грн
500+ 24.64 грн
1000+ 17.71 грн
2500+ 16.37 грн
5000+ 16.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
NSV45060JDT4GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 60MA DPAK
товар відсутній
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
товар відсутній
NSV45090JDT4GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 90MA DPAK
товар відсутній
NSV45090JDT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45090JDT4G - LED-Treiber, 1 Ausgang, linear, einstellbarer Konstantstrom, 45V/90 mA bis 100mA, 2.7W, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 160mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: TO-252 (DPAK)
Bausteintopologie: Linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.9 грн
15+ 51.88 грн
100+ 40.51 грн
500+ 31.06 грн
1000+ 22.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSV45090JDT4GON SemiconductorLED DRVR Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NSV45090JDT4GON SemiconductorLED DRVR Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NSV45090JDT4GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 90MA DPAK
товар відсутній
NSV45090JDT4GON SemiconductorLED DRVR Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NSV45090JDT4GonsemiLED Lighting Drivers LED Driver, Adjustable Constant Current Regulator, 45 V, 90 - 160 mA
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.54 грн
10+ 55.62 грн
100+ 35.32 грн
500+ 29.48 грн
1000+ 22.99 грн
2500+ 21.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSV50010YT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV50010YT1G - LED-Treiber, AC/DC, 10mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 50
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV50010YT1GON SemiconductorIC REG CCR 50V 10MA SOD123
товар відсутній
NSV50010YT1GON Semiconductor
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV50010YT1GON SemiconductorIC REG CCR 50V 10MA SOD123
товар відсутній
NSV50010YT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.19 грн
6000+ 12.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV50010YT1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 10MA
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.59 грн
15+ 20.73 грн
100+ 11.99 грн
500+ 11.53 грн
1000+ 8.68 грн
3000+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSV50010YT1GON SemiconductorIC REG CCR 50V 10MA SOD123
товар відсутній
NSV50010YT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
на замовлення 8524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.14 грн
10+ 33.06 грн
25+ 30.87 грн
100+ 23.16 грн
250+ 21.51 грн
500+ 18.2 грн
1000+ 13.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV50150ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 150mA ~ 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
товар відсутній
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NSV50150ADT4GonsemiLED Lighting Drivers DPAK 150MA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.36 грн
10+ 58.9 грн
100+ 39.89 грн
500+ 33.86 грн
1000+ 26.97 грн
2500+ 24.52 грн
5000+ 24.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NSV50150ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 150mA ~ 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
товар відсутній
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV50150ADT4GON Semiconductor
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NSV50350ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.26 грн
10+ 64.67 грн
25+ 61.4 грн
100+ 44.23 грн
250+ 39.09 грн
500+ 37.03 грн
1000+ 28.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
NSV50350ADT4GON SemiconductorIC REG CCR 50V 350mA DPAK
товар відсутній
NSV50350ADT4GON Semiconductor
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV50350ADT4GON SemiconductorIC REG CCR 50V 350MA DPAK
товар відсутній
NSV50350ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
товар відсутній
NSV50350ADT4GON SemiconductorIC REG CCR 50V 350mA DPAK
товар відсутній
NSV50350ADT4GonsemiLED Lighting Drivers DPAK 350MA
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.21 грн
10+ 51.51 грн
100+ 35.85 грн
500+ 34.59 грн
1000+ 27.43 грн
2500+ 25.97 грн
5000+ 25.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV50350AST3GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
товар відсутній
NSV50350AST3GonsemiLED Lighting Drivers SMC 350MA
на замовлення 17019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.56 грн
10+ 55.09 грн
100+ 30.88 грн
500+ 29.35 грн
1000+ 22.4 грн
2500+ 20.08 грн
10000+ 19.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSV50350AST3G
Код товару: 131283
Мікросхеми > Драйвери світлодіодів
товар відсутній
NSV50350AST3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.36 грн
10+ 52.8 грн
25+ 49.56 грн
100+ 35.26 грн
250+ 30.01 грн
500+ 28.51 грн
1000+ 21.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSV50350AST3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV50350AST3G - LED-Treiber, AC/DC, 350mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, DO-214AB-2
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -Hz
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
Eingangsspannung, max.: 50V
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 2Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, min.: -V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.86 грн
7500+ 30.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NSV50350AST3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSV50350AST3GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NSV60100DMTWTBGonsemiDescription: DUAL TRANSISTOR PNP
товар відсутній
NSV60100DMTWTBGonsemiDescription: DUAL TRANSISTOR PNP
товар відсутній
NSV60100DMTWTBGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSV60101DMR6T1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV60101DMR6T1GonsemiDescription: 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 530mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV60101DMR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 530mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товар відсутній
NSV60101DMR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.78 грн
12+ 25.83 грн
100+ 12.46 грн
1000+ 8.48 грн
3000+ 7.49 грн
9000+ 6.69 грн
24000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV60101DMR6T1GonsemiDescription: 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 530mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.82 грн
12+ 23.19 грн
100+ 13.91 грн
500+ 12.08 грн
1000+ 8.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV60101DMR6T2GonsemiDescription: 60V 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.25 грн
12+ 24.36 грн
100+ 14.61 грн
500+ 12.7 грн
1000+ 8.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV60101DMR6T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN SC-74
товар відсутній
NSV60101DMR6T2GonsemiDescription: 60V 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.8 грн
6000+ 8.12 грн
9000+ 7.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV60101DMTWTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+13.92 грн
76+ 7.6 грн
77+ 7.48 грн
79+ 7.1 грн
100+ 6.46 грн
250+ 6.1 грн
500+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 42
NSV60101DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.14 грн
10+ 33.47 грн
100+ 23.17 грн
500+ 18.17 грн
1000+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV60101DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV60101DMTWTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV60101DMTWTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV60101DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.83 грн
10+ 37.18 грн
100+ 22.46 грн
500+ 18.75 грн
1000+ 15.97 грн
3000+ 14.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV60200DMTWTBGON SemiconductorPNP Transistors
товар відсутній
NSV60200DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
товар відсутній
NSV60200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
товар відсутній
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+24.27 грн
791+ 14.69 грн
799+ 14.55 грн
854+ 13.12 грн
1300+ 7.98 грн
3000+ 6.96 грн
6000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 479
NSV60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
товар відсутній
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+28.77 грн
26+ 22.54 грн
100+ 13.16 грн
250+ 12.06 грн
500+ 10.83 грн
1000+ 7.11 грн
3000+ 6.46 грн
6000+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV60200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.08 грн
13+ 25.22 грн
100+ 12.13 грн
1000+ 8.28 грн
3000+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.54 грн
12+ 23.81 грн
100+ 14.25 грн
500+ 12.38 грн
1000+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV60200SMTWTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.85 грн
10+ 33.34 грн
100+ 23.16 грн
500+ 16.97 грн
1000+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV60200SMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.44 грн
10+ 36.12 грн
100+ 23.46 грн
500+ 18.42 грн
1000+ 14.25 грн
3000+ 12.99 грн
9000+ 11.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV60200SMTWTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV60201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 9055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.73 грн
18+ 17.75 грн
100+ 9.47 грн
1000+ 7.35 грн
3000+ 6.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSV60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.69 грн
11+ 26.23 грн
100+ 17.85 грн
500+ 12.56 грн
1000+ 9.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV60201SMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.42 грн
10+ 32.16 грн
100+ 22.36 грн
500+ 16.39 грн
1000+ 13.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV60201SMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
товар відсутній
NSV60201SMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV60600MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
товар відсутній
NSV60600MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LOW VCE(SAT)
на замовлення 51068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.08 грн
12+ 26.67 грн
100+ 18.75 грн
500+ 17.03 грн
1000+ 14.97 грн
2000+ 12.99 грн
5000+ 12.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
товар відсутній
NSV60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV60600MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
товар відсутній
NSV60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV60600MZ4T3GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
на замовлення 15980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.15 грн
10+ 38.24 грн
100+ 29.28 грн
500+ 21.73 грн
1000+ 17.38 грн
2000+ 15.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSV60600MZ4T3GON Semiconductor
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV60600MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LOW VCE(SAT)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 657-666 дні (днів)
9+36.64 грн
10+ 34.21 грн
100+ 21.87 грн
500+ 18.09 грн
1000+ 15.31 грн
2000+ 14.44 грн
4000+ 13.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV60600MZ4T3GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.43 грн
8000+ 15.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV60601MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV60601MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 382053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.13 грн
13+ 24.69 грн
100+ 17.43 грн
500+ 15.77 грн
1000+ 13.65 грн
2000+ 13.45 грн
5000+ 13.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.42 грн
10+ 32.71 грн
100+ 22.67 грн
500+ 17.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV60601MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 15296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.1 грн
17+ 18.29 грн
500+ 15.17 грн
1000+ 14.11 грн
2000+ 13.38 грн
4000+ 12.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
NSV60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.96 грн
8000+ 13.65 грн
12000+ 12.64 грн
28000+ 11.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSV60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.42 грн
10+ 32.85 грн
100+ 22.75 грн
500+ 17.84 грн
1000+ 15.18 грн
2000+ 13.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSV9435T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV9435T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.09 грн
11+ 30.25 грн
100+ 22.2 грн
500+ 19.41 грн
1000+ 17.03 грн
2000+ 14.38 грн
10000+ 13.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV9435T1GON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA235(MPS-F-7217
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA278JRCSMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA278-903MHZ
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA278903MHZ
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA279JRCSMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA279927MHZ
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA391
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA531
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA531.
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA531/886.0/931.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA541
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA541.
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA543(1765MHZ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVA543-1765MHZJRC3X3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVB114YPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS BRT 50V 100MA SOT563
товар відсутній
NSVB114YPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR
товар відсутній
NSVB123JPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товар відсутній
NSVB123JPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SRF MT RST XSTR
товар відсутній
NSVB124XPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товар відсутній
NSVB124XPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 COMPLEMENTARY
товар відсутній
NSVB143TPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS RSTR XSTR TR
товар відсутній
NSVB143TPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
товар відсутній
NSVB143ZPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
товар відсутній
NSVB143ZPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 COMPLEMENTARY 4.7/47 K OH
товар відсутній
NSVB143ZPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSVB144EPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товар відсутній
NSVB144EPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
товар відсутній
NSVB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.1 грн
12+ 24.43 грн
100+ 16.95 грн
500+ 12.42 грн
1000+ 10.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.99 грн
6000+ 9.13 грн
9000+ 8.48 грн
30000+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVB1706DMW5T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.39 грн
12+ 27.13 грн
100+ 16.37 грн
500+ 12.79 грн
1000+ 10.4 грн
3000+ 9.14 грн
9000+ 8.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4873+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 4873
NSVBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.78 грн
13+ 24.46 грн
100+ 9.94 грн
1000+ 6.1 грн
4000+ 5.1 грн
8000+ 4.17 грн
24000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSVBA114YDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
товар відсутній
NSVBA114YDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.45 грн
8000+ 5.02 грн
12000+ 4.34 грн
28000+ 4 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
10+33.08 грн
13+ 24.38 грн
100+ 11.93 грн
1000+ 6.03 грн
4000+ 5.3 грн
8000+ 4.17 грн
24000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.1 грн
14+ 20.43 грн
100+ 10.31 грн
500+ 7.9 грн
1000+ 5.86 грн
2000+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBAS116LT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 75V SWITCH DIODE SS SOT23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 180-189 дні (днів)
10+30.92 грн
14+ 21.94 грн
100+ 8.41 грн
1000+ 5.83 грн
2500+ 5.57 грн
10000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBAS116LT3GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NSVBAS116LT3GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.03 грн
42+ 6.63 грн
100+ 3.6 грн
500+ 2.65 грн
1000+ 1.84 грн
2000+ 1.52 грн
5000+ 1.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
NSVBAS16TT1GON SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
товар відсутній
NSVBAS16TT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE 75 V
товар відсутній
NSVBAS16TT1GON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
товар відсутній
NSVBAS16TT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE 75 V
товар відсутній
NSVBAS16W1T1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAS16W1T1GON SemiconductorUltra High Speed Switching Diodes
товар відсутній
NSVBAS16W1T1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC88
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
15+ 18.7 грн
100+ 10.62 грн
500+ 6.6 грн
1000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBAS16W1T1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC88 SWITCHING DIODE
на замовлення 33123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.59 грн
17+ 18.29 грн
100+ 6.63 грн
1000+ 4.84 грн
3000+ 3.91 грн
9000+ 3.45 грн
24000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBAS16WT1G
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBAS16WT3GonsemiDescription: DIODE GP 100V 200MA SC70-3
товар відсутній
NSVBAS16WT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 75V TR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 458-467 дні (днів)
10+33.24 грн
13+ 24.92 грн
100+ 12.26 грн
500+ 8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBAS16WT3GonsemiDescription: DIODE GP 100V 200MA SC70-3
товар відсутній
NSVBAS19LT1GonsemiDescription: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 70308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.5 грн
19+ 14.56 грн
100+ 7.08 грн
500+ 5.54 грн
1000+ 3.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVBAS19LT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode, High Voltage 120 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.24 грн
27+ 11.66 грн
100+ 4.17 грн
1000+ 3.31 грн
3000+ 2.78 грн
9000+ 2.25 грн
24000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 18
NSVBAS19LT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 120V 0.2A 50ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVBAS19LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+28.84 грн
33+ 23.12 грн
100+ 11.15 грн
500+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 26
NSVBAS19LT1GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBAS19LT1GonsemiDescription: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.69 грн
6000+ 3.3 грн
9000+ 2.74 грн
30000+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAS20LT3GonsemiDescription: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+12.18 грн
34+ 8.35 грн
100+ 4.49 грн
500+ 3.31 грн
1000+ 2.3 грн
2000+ 1.9 грн
5000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 24
NSVBAS20LT3GonsemiDescription: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBAS20LT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 200V
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+12.91 грн
34+ 9.14 грн
100+ 3.38 грн
1000+ 1.99 грн
2500+ 1.86 грн
10000+ 1.52 грн
20000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 24
NSVBAS20LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS20LT3G - 200 V SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NSVBAS20LT3GON Semiconductor
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
товар відсутній
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
товар відсутній
NSVBAS21AHT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SOD323 SWCH DIO 250V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.08 грн
13+ 23.7 грн
100+ 9.14 грн
1000+ 7.02 грн
3000+ 5.9 грн
9000+ 5.37 грн
24000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBAS21AHT1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.48 грн
25+ 11.18 грн
100+ 5.45 грн
500+ 4.27 грн
1000+ 2.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
товар відсутній
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
товар відсутній
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
товар відсутній
NSVBAS21AHT1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBAS21HT1onsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 7212
NSVBAS21HT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21HT1 - DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVBAS21HT1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBAS21HT1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.5A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NSVBAS21HT1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.62 грн
31+ 8.97 грн
100+ 4.4 грн
500+ 3.44 грн
1000+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
NSVBAS21HT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
товар відсутній
NSVBAS21HT1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.5A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товар відсутній
NSVBAS21HT1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
6000+ 2.05 грн
9000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAS21HT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 250V
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+13.68 грн
32+ 9.83 грн
100+ 4.17 грн
1000+ 2.39 грн
2500+ 2.12 грн
10000+ 1.59 грн
30000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBAS21HT3GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.48 грн
25+ 11.18 грн
100+ 5.45 грн
500+ 4.27 грн
1000+ 2.97 грн
2000+ 2.57 грн
5000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
NSVBAS21HT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 250V
на замовлення 6330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.24 грн
25+ 12.19 грн
100+ 5.17 грн
1000+ 2.98 грн
2500+ 2.58 грн
10000+ 1.99 грн
50000+ 1.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
NSVBAS21HT3GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBAS21HT3GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
товар відсутній
NSVBAS21HT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21HT3G - 250 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NSVBAS21M3T5GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVBAS21M3T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWITCHING DIODE
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.06 грн
15+ 21.03 грн
100+ 9.74 грн
500+ 6.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBAS21M3T5GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 50ns Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVBAS21M3T5GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.5 грн
20+ 14.22 грн
100+ 6.95 грн
500+ 5.44 грн
1000+ 3.78 грн
2000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVBAS21SLT1GonsemiDescription: DIODE GP 250V 225MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAS21SLT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT23 SWCH DIO 250V TR
на замовлення 7252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.45 грн
17+ 18.67 грн
100+ 7.16 грн
1000+ 5.5 грн
3000+ 4.24 грн
9000+ 3.71 грн
24000+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBAS21SLT1GonsemiDescription: DIODE GP 250V 225MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.24 грн
15+ 18.7 грн
100+ 9.42 грн
500+ 7.22 грн
1000+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBAS21TMR6T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 50779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
16+ 17.32 грн
100+ 8.73 грн
500+ 6.68 грн
1000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBAS21TMR6T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 9000
NSVBAS21TMR6T1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching TRIPLE HIGH VTG SWITCH
на замовлення 221686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
17+ 18.97 грн
100+ 6.63 грн
1000+ 5.04 грн
3000+ 3.98 грн
9000+ 3.45 грн
24000+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBAS21TMR6T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
6000+ 4.25 грн
9000+ 3.68 грн
30000+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAS21TMR6T1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 50ns Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товар відсутній
NSVBAS21TMR6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21TMR6T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-74
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.37 грн
45+ 16.65 грн
100+ 9.44 грн
500+ 5.8 грн
1000+ 4.14 грн
3000+ 3.19 грн
6000+ 2.99 грн
12000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 34
NSVBAS21TMR6T1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 50ns Automotive 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+12.01 грн
74+ 7.78 грн
Мінімальне замовлення: 48
NSVBAS21TMR6T2GonsemiDescription: DIODE SWITCHING 250V SC-74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.24 грн
15+ 19.6 грн
100+ 11.12 грн
500+ 6.91 грн
1000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBAS21TMR6T2GonsemiDescription: DIODE SWITCHING 250V SC-74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.1 грн
6000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAS21TMR6T2GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R
товар відсутній
NSVBAS21TMR6T2GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching TRIPLE HIGH VOLTAGE
товар відсутній
NSVBAS21XV2T5GON Semiconductor250V SW DIODE IN SOD523
товар відсутній
NSVBAS21XV2T5GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 15275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.35 грн
22+ 12.7 грн
100+ 6.22 грн
500+ 4.86 грн
1000+ 3.38 грн
2000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
NSVBAS21XV2T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 250V SW DIODE IN SOD523
на замовлення 17415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.87 грн
22+ 14.17 грн
100+ 5.04 грн
1000+ 3.11 грн
2500+ 2.85 грн
8000+ 2.25 грн
24000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
NSVBAS21XV2T5GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVBAS70LT1onsemiDescription: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.07A
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3249+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3249
NSVBAS70LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS70LT1 - NSVBAS70LT1, STAND RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 6000
NSVBAS70LT1
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBAS70LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SCHTKY DIODE
на замовлення 6303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.07 грн
14+ 21.94 грн
100+ 13.45 грн
500+ 10.47 грн
1000+ 7.82 грн
3000+ 6.49 грн
9000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBAS70LT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3
на замовлення 6659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVBAS70LT1GON Semiconductor
на замовлення 54970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBAS70LT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVBASH16MX2WT5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V SW DIODE IN X2DFNW2
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.45 грн
15+ 20.73 грн
100+ 9.08 грн
1000+ 5.5 грн
2500+ 4.64 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBASH19LT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 250V
товар відсутній
NSVBASH19LT1GonsemiDescription: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.5 грн
19+ 14.56 грн
100+ 7.34 грн
500+ 5.62 грн
1000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVBASH19LT1GonsemiDescription: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
6000+ 3.57 грн
9000+ 3.09 грн
30000+ 2.85 грн
75000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBASH20MX2WT5GonsemiDescription: 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.1 грн
14+ 21.19 грн
25+ 18.55 грн
100+ 9.96 грн
250+ 9.33 грн
500+ 7.47 грн
1000+ 5.63 грн
2500+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBASH20MX2WT5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.62 грн
14+ 22.17 грн
100+ 9.74 грн
1000+ 5.83 грн
2500+ 4.9 грн
8000+ 4.04 грн
24000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBASH20MX2WT5GonsemiDescription: 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.96 грн
16000+ 4.24 грн
24000+ 3.98 грн
56000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVBASH21LT1GON SemiconductorDescription: HIGH VOLT DIODE
товар відсутній
NSVBASH21LT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT23 SWCH DIO 250V TR-175DEGC
товар відсутній
NSVBASH21LT1GON SemiconductorSwitching Diode, High Voltage, High Temperature
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAT54HT1ONSOD323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBAT54HT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SCHOTTKY DIODE
на замовлення 109156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+16.54 грн
26+ 11.89 грн
100+ 3.98 грн
1000+ 3.11 грн
3000+ 2.52 грн
9000+ 1.92 грн
24000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 19
NSVBAT54HT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.48 грн
26+ 10.84 грн
100+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
NSVBAT54HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAT54HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.32 грн
500+ 10.97 грн
1000+ 7.77 грн
2500+ 6.63 грн
6000+ 6.04 грн
12000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVBAT54HT1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBAT54HT1GON SemiconductorRectifier Diode Schottky 0.2A 5ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAT54HT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBAT54HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAT54HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42 грн
25+ 30.92 грн
100+ 17.32 грн
500+ 10.97 грн
1000+ 7.77 грн
2500+ 6.63 грн
6000+ 6.04 грн
12000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
NSVBAT54LT1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBAT54LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
на замовлення 26154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
14+ 20.36 грн
100+ 10.81 грн
500+ 6.67 грн
1000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBAT54LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
на замовлення 26771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.26 грн
19+ 16.61 грн
100+ 6.1 грн
1000+ 4.31 грн
3000+ 3.18 грн
9000+ 2.92 грн
24000+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVBAT54LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
6000+ 3.79 грн
15000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAT54M3T5GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVBAT54M3T5GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SWITCHING DIODE
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16 грн
21+ 14.93 грн
100+ 7.02 грн
500+ 4.37 грн
1000+ 2.98 грн
2500+ 2.32 грн
8000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
NSVBAT54M3T5GON SemiconductorRectifier Diode Schottky Si 0.2A 5ns Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 23880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.41 грн
26+ 22.81 грн
100+ 10.32 грн
1000+ 7.45 грн
3000+ 6.1 грн
9000+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.01 грн
9000+ 6.33 грн
24000+ 6.25 грн
45000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAT54SWT1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 38147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.82 грн
14+ 21.19 грн
100+ 10.68 грн
500+ 8.88 грн
1000+ 6.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 28805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+23.33 грн
997+ 11.65 грн
1008+ 11.53 грн
1091+ 10.27 грн
1504+ 6.9 грн
3000+ 5.86 грн
6000+ 5.06 грн
15000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 498
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 23880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1046+11.11 грн
1397+ 8.31 грн
3000+ 7.36 грн
9000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 1046
NSVBAT54SWT1GON Semiconductor
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBAT54SWT1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.84 грн
6000+ 6.44 грн
9000+ 5.71 грн
30000+ 5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NSVBAT54SWT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
на замовлення 16972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.08 грн
14+ 23.16 грн
100+ 10.14 грн
1000+ 6.96 грн
2500+ 6.23 грн
10000+ 5.43 грн
30000+ 5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 28805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.09 грн
27+ 21.66 грн
100+ 10.43 грн
250+ 9.56 грн
500+ 8.48 грн
1000+ 6.15 грн
3000+ 5.44 грн
6000+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 19
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorRectifier Diode Schottky 0.2A 5ns Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.55 грн
9000+ 6.81 грн
24000+ 6.74 грн
45000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAT54WT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
на замовлення 11802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.26 грн
21+ 14.71 грн
100+ 5.23 грн
1000+ 3.71 грн
3000+ 2.85 грн
9000+ 2.58 грн
24000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVBAT54WT1GON SemiconductorRectifier Diode Schottky 0.2A 5ns Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NSVBAT54WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.79 грн
21+ 13.32 грн
100+ 6.52 грн
500+ 5.1 грн
1000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVBAT54WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.4 грн
6000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAV23CLT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 400MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAV23CLT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 400MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.54 грн
13+ 21.26 грн
100+ 10.77 грн
500+ 8.24 грн
1000+ 6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBAV23CLT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching DUAL CPR CMDTY PBF
на замовлення 81088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.76 грн
17+ 18.9 грн
100+ 6.69 грн
1000+ 5.23 грн
3000+ 4.77 грн
9000+ 4.31 грн
24000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBAV23CLT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.4A 150ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVBAV70DXV6T5GonsemiDescription: NSVBAV70D - SWITCHING DIODE, QUA
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVBAV70DXV6T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT563 SWITCH DIO
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.6 грн
14+ 23.16 грн
100+ 13.72 грн
500+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBAV70TT1
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBAV70TT1onsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 5323
NSVBAV70TT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV70TT1 - BAV70T - DIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVBAV70TT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC75 DUAL DIO 70V
на замовлення 82650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.45 грн
16+ 20.27 грн
100+ 7.29 грн
1000+ 5.37 грн
3000+ 4.31 грн
9000+ 3.71 грн
24000+ 3.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBAV70TT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
6000+ 2.05 грн
9000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBAV70TT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 6ns Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NSVBAV70TT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
16+ 17.39 грн
100+ 8.77 грн
500+ 6.71 грн
1000+ 4.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBAV70TT3GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 6ns Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NSVBAV70TT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
17+ 16.91 грн
100+ 8.25 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.48 грн
2000+ 3.88 грн
5000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBAV70TT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NSVBAV70TT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching DUAL SWITCHING DIODE
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.06 грн
15+ 20.65 грн
100+ 6.89 грн
1000+ 4.24 грн
2500+ 3.71 грн
10000+ 3.11 грн
20000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBAV99WT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV99WT3G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.73 грн
10000+ 3.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
NSVBAV99WT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 DUAL DIODE T
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.43 грн
16+ 19.2 грн
100+ 5.76 грн
1000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBAV99WT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.39 грн
15+ 19.46 грн
100+ 9.81 грн
500+ 7.51 грн
1000+ 5.57 грн
2000+ 4.69 грн
5000+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBAV99WT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV99WT3G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.16 грн
36+ 20.81 грн
108+ 6.94 грн
500+ 3.73 грн
10000+ 3.37 грн
Мінімальне замовлення: 29
NSVBAV99WT3GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.215A 6ns Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NSVBAV99WT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBAWH56WT1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 70V 200MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.09 грн
17+ 16.98 грн
100+ 8.56 грн
500+ 6.55 грн
1000+ 4.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBAWH56WT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 70V TR-175DEGC
на замовлення 8137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
17+ 18.82 грн
100+ 6.76 грн
1000+ 4.24 грн
3000+ 3.98 грн
9000+ 3.45 грн
24000+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBAWH56WT1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 70V 200MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
6000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSVBC114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.08 грн
14+ 22.94 грн
100+ 8.28 грн
1000+ 5.17 грн
4000+ 5.1 грн
8000+ 4.17 грн
24000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
13+ 21.6 грн
100+ 14.72 грн
500+ 10.36 грн
1000+ 7.77 грн
2000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBC114EPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
товар відсутній
NSVBC114EPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP BIAS SOT563
товар відсутній
NSVBC114EPDXV6T1GON SemiconductorDual Bias Resistor Digital Transistor
товар відсутній
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
13+ 21.6 грн
100+ 14.72 грн
500+ 10.36 грн
1000+ 7.77 грн
2000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS RSTR XSTR TR
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.08 грн
14+ 22.94 грн
100+ 8.28 грн
1000+ 6.1 грн
4000+ 5.1 грн
8000+ 4.17 грн
24000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSVBC114YPDXV65GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товар відсутній
NSVBC114YPDXV65GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC114YPDXV65G - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 16000
NSVBC114YPDXV65G
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDigital Transistors Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.76 грн
16+ 20.04 грн
100+ 7.22 грн
1000+ 4.51 грн
4000+ 4.44 грн
8000+ 3.71 грн
24000+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
16+ 18.29 грн
100+ 9.23 грн
500+ 7.06 грн
1000+ 5.24 грн
2000+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSVBC123JDXV6T5GonsemiDescription: SS SOT563 SRF MT RST XSTR
товар відсутній
NSVBC123JPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
товар відсутній
NSVBC123JPDXV6T1GON SemiconductorComplementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
товар відсутній
NSVBC123JPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 SRF MT RST XSTR
товар відсутній
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
товар відсутній
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3146+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3146
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSVBC124EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.1 грн
14+ 20.64 грн
100+ 10.42 грн
500+ 7.98 грн
1000+ 5.92 грн
2000+ 4.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
10+33.08 грн
14+ 22.94 грн
100+ 8.28 грн
1000+ 5.17 грн
4000+ 5.1 грн
8000+ 4.17 грн
24000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.51 грн
8000+ 5.07 грн
12000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSVBC124XDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT563 DUALL 22/ 47
товар відсутній
NSVBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.51 грн
8000+ 5.07 грн
12000+ 4.39 грн
28000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSVBC124XPDXV6T1GON SemiconductorComplementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
товар відсутній
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.1 грн
14+ 20.64 грн
100+ 10.42 грн
500+ 7.98 грн
1000+ 5.92 грн
2000+ 4.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDigital Transistors Complemetary Bipolar Digital Transistor (BRT)
товар відсутній
NSVBC143TPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSVBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBC143TPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
товар відсутній
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
15+ 19.6 грн
100+ 11.76 грн
500+ 10.22 грн
1000+ 6.95 грн
2000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
товар відсутній
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2996+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 2996
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 221-230 дні (днів)
10+33.78 грн
13+ 24.46 грн
100+ 11.99 грн
1000+ 6.1 грн
4000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBC143ZPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSVBC143ZPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 COMPLEMENTARY 4.7/47 K OH
товар відсутній
NSVBC143ZPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSVBC143ZPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
товар відсутній
NSVBC144EDXV6T1GON SemiconductorNPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSVBC144EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
товар відсутній
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.1 грн
14+ 20.43 грн
100+ 10.31 грн
500+ 7.9 грн
1000+ 5.86 грн
2000+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBC817-16LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVBC817-16LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.5 грн
19+ 14.63 грн
100+ 7.41 грн
500+ 5.67 грн
1000+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVBC817-16LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товар відсутній
NSVBC817-16LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.73 грн
38+ 15.14 грн
100+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 27
NSVBC817-16LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.68 грн
73+ 10.18 грн
193+ 3.87 грн
500+ 3.17 грн
1000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 55
NSVBC817-16LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 5682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.73 грн
18+ 17.37 грн
100+ 5.7 грн
1000+ 4.37 грн
3000+ 3.38 грн
9000+ 2.98 грн
24000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVBC817-16LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NSVBC817-16LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.92 грн
6000+ 3.61 грн
9000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBC817-16LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVBC817-16LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.17 грн
1000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
NSVBC817-40WT1GON Semiconductor
на замовлення 8584 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 17989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+18.75 грн
49+ 11.78 грн
50+ 11.16 грн
100+ 5.26 грн
250+ 4.83 грн
500+ 4.7 грн
1000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 31
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NSVBC817-40WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
16+ 17.53 грн
100+ 8.83 грн
500+ 6.76 грн
1000+ 5.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3158+3.68 грн
3192+ 3.64 грн
3219+ 3.61 грн
3240+ 3.46 грн
3254+ 3.19 грн
6000+ 3.05 грн
15000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3158
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NSVBC817-40WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.67 грн
6000+ 4.3 грн
9000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+11.26 грн
81+ 7.15 грн
82+ 7.02 грн
169+ 3.29 грн
250+ 3.02 грн
500+ 2.87 грн
1000+ 2.85 грн
3000+ 2.84 грн
6000+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 52
NSVBC817-40WT1GonsemiDigital Transistors 45 V, 0.5 A, General Purpose NPN Transistor
на замовлення 23159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.57 грн
21+ 15.16 грн
100+ 6.63 грн
1000+ 4.31 грн
3000+ 3.58 грн
9000+ 3.51 грн
24000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
NSVBC818-40LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVBC818-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній
NSVBC818-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
товар відсутній
NSVBC818-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній
NSVBC846BM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVBC846BM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
на замовлення 22314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.9 грн
21+ 14.78 грн
100+ 6.03 грн
1000+ 3.78 грн
2500+ 3.18 грн
8000+ 2.65 грн
24000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC846BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.26 грн
43+ 17.47 грн
100+ 9.37 грн
500+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 35
NSVBC846BM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 17860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.37 грн
18+ 16.15 грн
100+ 7.9 грн
500+ 6.18 грн
1000+ 4.3 грн
2000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC846BM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSVBC847BDW1T2GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBC847BDW1T2GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBC847BDW1T2GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor
на замовлення 13833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
15+ 20.73 грн
100+ 7.22 грн
1000+ 5.57 грн
3000+ 4.17 грн
9000+ 3.84 грн
24000+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBC847BDW1T2GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
15+ 18.91 грн
100+ 9.55 грн
500+ 7.31 грн
1000+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+15.52 грн
51+ 11.43 грн
100+ 6.23 грн
500+ 4 грн
1000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 38
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1731+6.71 грн
2600+ 4.47 грн
3572+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 1731
NSVBC847BLT3GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 18421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
16+ 17.25 грн
100+ 8.7 грн
500+ 6.66 грн
1000+ 4.95 грн
2000+ 4.16 грн
5000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC847BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.89 грн
48+ 15.68 грн
139+ 5.35 грн
500+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 33
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.38 грн
30+ 19.42 грн
100+ 10.6 грн
500+ 6.8 грн
1000+ 4.38 грн
2500+ 3.78 грн
10000+ 3.33 грн
20000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
NSVBC847BLT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 29330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.43 грн
22+ 14.25 грн
100+ 4.9 грн
1000+ 3.71 грн
2500+ 3.38 грн
10000+ 3.18 грн
20000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+17.13 грн
46+ 12.62 грн
47+ 12.49 грн
100+ 6.63 грн
250+ 6.08 грн
500+ 3.85 грн
1000+ 3.14 грн
3000+ 2.96 грн
6000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 34
NSVBC847BLT3GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1570+7.4 грн
1584+ 7.33 грн
2404+ 4.83 грн
2947+ 3.8 грн
3125+ 3.32 грн
6000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 1570
NSVBC847BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVBC847BTT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.37 грн
18+ 16.22 грн
100+ 8.19 грн
500+ 6.27 грн
1000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC847BTT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NSVBC847BTT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
NSVBC847BTT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.9 грн
18+ 17.75 грн
100+ 6.29 грн
1000+ 4.77 грн
3000+ 3.71 грн
9000+ 3.25 грн
24000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC848BWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.77 грн
28+ 10.21 грн
100+ 5 грн
500+ 3.91 грн
1000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
NSVBC848BWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 8162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+16.54 грн
28+ 11.2 грн
100+ 3.98 грн
1000+ 2.78 грн
3000+ 2.19 грн
9000+ 1.79 грн
24000+ 1.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
NSVBC848BWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
6000+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBC848CDW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 30V 0.1A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
NSVBC848CDW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor
товар відсутній
NSVBC848CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.9 грн
32+ 8.63 грн
100+ 4.64 грн
500+ 3.42 грн
1000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC848CLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+11.45 грн
99+ 7.58 грн
209+ 3.57 грн
500+ 1.79 грн
3000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 65
NSVBC848CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
6000+ 1.98 грн
9000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBC848CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
на замовлення 23310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+12.91 грн
36+ 8.53 грн
100+ 3.58 грн
1000+ 2.12 грн
3000+ 1.79 грн
9000+ 1.33 грн
45000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 24
NSVBC848CLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.79 грн
3000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 500
NSVBC849BLT1GonsemiDescription: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBC850BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 185900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.94 грн
19+ 14.84 грн
100+ 7.26 грн
500+ 5.69 грн
1000+ 3.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBC850BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN
на замовлення 8426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.43 грн
19+ 16.31 грн
100+ 5.76 грн
1000+ 4.04 грн
3000+ 3.11 грн
9000+ 2.52 грн
24000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBC850BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.79 грн
6000+ 3.39 грн
9000+ 2.81 грн
30000+ 2.59 грн
75000+ 2.32 грн
150000+ 2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBC850BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVBC850CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.94 грн
19+ 14.98 грн
100+ 7.32 грн
500+ 5.73 грн
1000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBC850CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.82 грн
6000+ 3.41 грн
9000+ 2.83 грн
30000+ 2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBC850CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.43 грн
19+ 16.46 грн
100+ 9.08 грн
1000+ 4.04 грн
3000+ 3.18 грн
9000+ 2.65 грн
24000+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBC856BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVBC856BM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.37 грн
18+ 16.15 грн
100+ 7.9 грн
500+ 6.18 грн
1000+ 4.3 грн
2000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC856BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVBC856BM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Bipolar Transistor
на замовлення 25611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.9 грн
18+ 17.75 грн
100+ 6.29 грн
1000+ 3.84 грн
2500+ 3.45 грн
8000+ 2.92 грн
24000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC856BM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSVBC856BM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVBC857BLT3GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній
NSVBC857BLT3GonsemiDigital Transistors SS SOT23 GP XSTR PNP 45V
на замовлення 10609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
17+ 18.44 грн
100+ 6.56 грн
1000+ 3.98 грн
2500+ 3.51 грн
10000+ 3.05 грн
20000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC857BLT3GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 8135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.09 грн
17+ 16.56 грн
100+ 8.1 грн
500+ 6.34 грн
1000+ 4.41 грн
2000+ 3.82 грн
5000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC857BTT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBC857BTT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
NSVBC857BTT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR PNP
на замовлення 14186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.9 грн
16+ 20.04 грн
100+ 9.87 грн
500+ 6.56 грн
1000+ 5.04 грн
3000+ 3.84 грн
9000+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC857BTT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.65 грн
18+ 16.01 грн
100+ 8.08 грн
500+ 6.18 грн
1000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBC857CWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
NSVBC857CWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+13.68 грн
34+ 9.22 грн
100+ 3.64 грн
1000+ 2.19 грн
3000+ 1.79 грн
24000+ 1.33 грн
45000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC857CWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
NSVBC857CWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.27 грн
78+ 9.59 грн
127+ 5.89 грн
500+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 53
NSVBC857CWT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NSVBC857CWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.9 грн
32+ 8.77 грн
100+ 4.74 грн
500+ 3.5 грн
1000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC857CWT1G-M01onsemiDescription: NSVBC857CWT1G-M01
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
NSVBC857CWT1G-M02onsemiDescription: NSVBC857CWT1G-M02
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
NSVBC858AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.37 грн
6000+ 2.12 грн
9000+ 1.75 грн
30000+ 1.62 грн
75000+ 1.45 грн
150000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBC858AWT1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 30V Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NSVBC858AWT1GonsemiDescription: NSVBC858A - PNP BIPOLAR TRANSIST
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
NSVBC858AWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 30V
на замовлення 11364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+15.85 грн
29+ 10.52 грн
100+ 5.76 грн
1000+ 2.58 грн
3000+ 2.19 грн
9000+ 1.66 грн
24000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
NSVBC858AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.62 грн
30+ 9.32 грн
100+ 4.54 грн
500+ 3.55 грн
1000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
NSVBC858BLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.9 грн
33+ 8.49 грн
100+ 4.57 грн
500+ 3.37 грн
1000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC858BLT1GON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBC858BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 30V
на замовлення 7584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+13.68 грн
34+ 9.14 грн
100+ 3.51 грн
1000+ 2.12 грн
3000+ 1.72 грн
9000+ 1.33 грн
24000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC858BLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній
NSVBC858CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Bipolar Transistor
на замовлення 4676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.07 грн
31+ 10.06 грн
100+ 4.84 грн
1000+ 2.45 грн
3000+ 2.12 грн
9000+ 1.59 грн
24000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 21
NSVBC858CLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.9 грн
32+ 8.83 грн
100+ 4.78 грн
500+ 3.52 грн
1000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC858CLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBCH807-25LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT +175C TJ(MAX) PNP Bipolar Transistor AEC-Q101.revD Qualified, +175C TJ(MAX)
товар відсутній
NSVBCH807-25LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
NSVBCH807-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR SPCL TR _175DEGC
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.73 грн
18+ 17.22 грн
100+ 8.48 грн
1000+ 4.31 грн
3000+ 3.71 грн
9000+ 2.98 грн
24000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVBCH807-40LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
товар відсутній
NSVBCH817-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
6000+ 3.62 грн
9000+ 3.13 грн
30000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBCH817-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 56500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.22 грн
19+ 14.7 грн
100+ 7.44 грн
500+ 5.7 грн
1000+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBCH817-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT +175C TJ(MAX) NPN Bipolar Transistor AEC-Q101.revD Qualified, +175C TJ(MAX)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.73 грн
18+ 17.22 грн
100+ 8.48 грн
1000+ 4.31 грн
3000+ 3.71 грн
9000+ 2.98 грн
24000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVBCP53-16T3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
NSVBCP53-16T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT223 GP XSTR PNP 80V
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.76 грн
13+ 24.31 грн
100+ 15.64 грн
500+ 12.59 грн
1000+ 9.14 грн
4000+ 9.08 грн
8000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBCP53-16T3GON Semiconductor
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBCP53-16T3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.39 грн
12+ 24.23 грн
100+ 16.83 грн
500+ 12.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBCP53-16T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSVBCP56-10T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT223 GP XSTR NPN 80V
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
12+ 26.59 грн
100+ 17.23 грн
500+ 13.58 грн
1000+ 10.47 грн
4000+ 9.54 грн
8000+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBCP56-10T3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.39 грн
12+ 23.88 грн
100+ 16.6 грн
500+ 12.16 грн
1000+ 9.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBCP56-10T3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
NSVBCP56-10T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.3 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSVBCP68T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NSVBCP68T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.99 грн
10+ 31.33 грн
100+ 21.73 грн
500+ 17.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVBCP68T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE-HIGH CURRENT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
8+40.97 грн
10+ 34.9 грн
100+ 21 грн
500+ 17.56 грн
1000+ 14.91 грн
2000+ 12.99 грн
5000+ 12.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVBCP68T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVBCP69T1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Bipolar Transistor
на замовлення 6577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
15+ 21.26 грн
100+ 10.27 грн
1000+ 6.43 грн
2000+ 6.03 грн
10000+ 5.57 грн
25000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBCP69T1GON Semiconductor
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVBCP69T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 30513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
15+ 19.39 грн
100+ 11.63 грн
500+ 10.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBCP69T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSVBCP69T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.6 грн
2000+ 6.74 грн
5000+ 6.46 грн
10000+ 5.46 грн
25000+ 5.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NSVBCW32LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній
NSVBCW32LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVBCW32LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 32V
товар відсутній
NSVBCW68GLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній
NSVBCW68GLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PNP
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.78 грн
13+ 24.92 грн
100+ 12.26 грн
1000+ 6.23 грн
2500+ 5.43 грн
10000+ 4.31 грн
30000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBCW68GLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній
NSVBCW68GLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4753+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 4753
NSVBCW68GLT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVBCX17LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.1 грн
14+ 20.29 грн
100+ 10.22 грн
500+ 7.83 грн
1000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBCX17LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.41 грн
6000+ 4.98 грн
9000+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBCX17LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 GP XSTR PNP 45V
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.39 грн
14+ 22.55 грн
100+ 7.95 грн
1000+ 6.23 грн
3000+ 4.97 грн
9000+ 4.11 грн
24000+ 3.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBSP19AT1GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
NSVBSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.41 грн
6000+ 4.98 грн
9000+ 4.3 грн
30000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBSS63LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 100V
на замовлення 6837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.39 грн
14+ 22.55 грн
100+ 7.95 грн
1000+ 6.03 грн
3000+ 4.97 грн
9000+ 3.98 грн
24000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 35308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.1 грн
14+ 20.29 грн
100+ 10.22 грн
500+ 7.83 грн
1000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBT2222ADW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
15+ 20.73 грн
100+ 7.49 грн
1000+ 5.5 грн
3000+ 4.37 грн
9000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBT2222ADW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.6A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBT2222ADW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVBT2222ADW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.6A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
15+ 18.7 грн
100+ 9.42 грн
500+ 7.21 грн
1000+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVC2020JBT3GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
товар відсутній
NSVC2020JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.27 грн
10+ 31.68 грн
25+ 29.79 грн
100+ 21.19 грн
250+ 18.04 грн
500+ 17.14 грн
1000+ 12.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVC2020JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.47 грн
5000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NSVC2020JBT3GonsemiLED Lighting Drivers SMB 20 MA 15% CCR
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.6 грн
10+ 35.51 грн
100+ 23.39 грн
500+ 19.94 грн
1000+ 15.97 грн
2500+ 13.38 грн
10000+ 12.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVC2030JBT3GON SemiconductorLED Lighting Drivers SMB 30 MA 15% CCR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSVC2030JBT3GON SemiconductorIC REG CCR 20V 30MA SMB
товар відсутній
NSVC2030JBT3GON SemiconductorDescription: IC REG CCR 20V 30MA SMB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVC2030JBT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVC2030JBT3G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 120V, AEC-Q101, DO-214AA (SMB)-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 120
Bauform - Treiber: DO-214AA (SMB)
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSVC2030JBT3GonsemiLED Lighting Drivers SMB 30 MA 15% CCR
на замовлення 50469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.08 грн
11+ 28.12 грн
100+ 17.82 грн
500+ 17.16 грн
1000+ 13.58 грн
2500+ 12.13 грн
10000+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVC2050JBT3GON SemiconductorIC REG CCR 20V 50MA SMB
товар відсутній
NSVC2050JBT3GON SemiconductorIC REG CCR 20V 50MA SMB
товар відсутній
NSVC2050JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 50mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.79 грн
5000+ 12.79 грн
12500+ 12.3 грн
25000+ 11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NSVC2050JBT3GonsemiLED Lighting Drivers SMB 50 MA 15% CCR
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.97 грн
10+ 33.45 грн
100+ 18.82 грн
500+ 17.82 грн
1000+ 13.58 грн
2500+ 12.13 грн
10000+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVC2050JBT3GON SemiconductorIC REG CCR 20V 50MA SMB
товар відсутній
NSVC2050JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 50mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.99 грн
10+ 32.44 грн
25+ 30.51 грн
100+ 21.69 грн
250+ 18.46 грн
500+ 17.54 грн
1000+ 13.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVD2004ML2T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVD2004ML2T1/
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVD350HT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOD323 SWCH DIO 3
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSVD350HT1GON SemiconductorDescription: DIODE SWITCHING 350V SOD323
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVD350HT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 55ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
товар відсутній
NSVD4001DR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVD4001DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, AEC-Q101, konstanter LED-Strom, bis zu 30Vin, 30V/500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.39 грн
500+ 26.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVD4001DR2GonsemiDescription: IC LED DRVR LIN PWM 500MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 3.6V
Voltage - Supply (Max): 30V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.77 грн
5000+ 24.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NSVD4001DR2GON Semiconductor
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVD4001DR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVD4001DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, AEC-Q101, konstanter LED-Strom, bis zu 30Vin, 30V/500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.13 грн
14+ 56.56 грн
100+ 39.39 грн
500+ 26.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVD4001DR2GON SemiconductorLED Driver 3 Segment Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NSVD4001DR2GonsemiDescription: IC LED DRVR LIN PWM 500MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 3.6V
Voltage - Supply (Max): 30V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.66 грн
10+ 57.22 грн
25+ 54.28 грн
100+ 39.11 грн
250+ 34.56 грн
500+ 32.74 грн
1000+ 25.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSVD4001DR2GonsemiLED Lighting Drivers MI SO8 60V LED DRVR TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.7 грн
10+ 52.65 грн
100+ 35.12 грн
500+ 32.8 грн
1000+ 25.84 грн
2500+ 24.52 грн
5000+ 23.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSVDAN222T1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 80V 0.1A 4ns Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NSVDAN222T1GonsemiDescription: DIODE SW 80V DUAL SC75-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVDAN222T1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC75 SWCH DIO 80V TR
на замовлення 15041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSVDAN222T1GonsemiDescription: DIODE SW 80V DUAL SC75-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 8883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
15+ 19.12 грн
100+ 10.84 грн
500+ 6.73 грн
1000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVDAN222T1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 80 V Dual Common Cathode Switching Diode
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.74 грн
17+ 18.97 грн
100+ 9.34 грн
500+ 6.23 грн
1000+ 4.77 грн
3000+ 3.71 грн
9000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVDAP222T1GonsemiDescription: DIODE SW 80V DUAL SC75-3
товар відсутній
NSVDAP222T1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE (DUA
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSVDAP222T1GON SemiconductorDiode Switching Diode 80V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R
товар відсутній
NSVDTA113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
товар відсутній
NSVDTA113EM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSIST
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.6 грн
14+ 22.1 грн
100+ 10.2 грн
500+ 6.76 грн
1000+ 4.64 грн
2500+ 3.71 грн
8000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTA113EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVDTA113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.09 грн
15+ 19.46 грн
100+ 10.33 грн
500+ 6.38 грн
1000+ 4.34 грн
2000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTA114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
6000+ 3.92 грн
9000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVDTA114EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVDTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114EE
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSVDTA114EET1GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 60619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
17+ 18.52 грн
100+ 6.49 грн
1000+ 4.7 грн
3000+ 2.98 грн
9000+ 2.72 грн
24000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTA114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NSVDTA114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
17+ 17.19 грн
100+ 8.41 грн
500+ 6.58 грн
1000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTA114EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.65 грн
18+ 15.74 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6.01 грн
1000+ 4.17 грн
2000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVDTA114EM3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 5571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.9 грн
18+ 17.53 грн
100+ 6.23 грн
1000+ 3.78 грн
2500+ 3.51 грн
8000+ 2.65 грн
24000+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTA114EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSVDTA114EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.71 грн
16000+ 2.97 грн
24000+ 2.91 грн
56000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVDTA114YM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSVDTA114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.65 грн
18+ 15.74 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6.01 грн
1000+ 4.17 грн
2000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVDTA114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVDTA114YM3T5GonsemiDigital Transistors SS SOT-723 BIAS RESISTO
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.9 грн
18+ 17.53 грн
100+ 6.23 грн
1000+ 3.78 грн
2500+ 3.38 грн
8000+ 2.65 грн
24000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTA115EET1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SC75 BR XSTR PNP
товар відсутній
NSVDTA115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVDTA115EET1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3
товар відсутній
NSVDTA123EM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT723 BR XSTR PN
товар відсутній
NSVDTA123EM3T5GON SemiconductorDigital BJT Transistor
товар відсутній
NSVDTA123EM3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
товар відсутній
NSVDTA123JM3T5GonsemiDescription: TRANS SS SOT723 BR XSTR PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7672+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 7672
NSVDTA123JM3T5GonsemiDescription: TRANS SS SOT723 BR XSTR PNP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
NSVDTA123JM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT723BR XSTR PNP
товар відсутній
NSVDTA143EM3T5GonsemiDigital Transistors BIAS RESISTOR TRANSISTO
на замовлення 10223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.78 грн
13+ 23.77 грн
100+ 9.94 грн
1000+ 6.1 грн
2500+ 4.24 грн
8000+ 3.78 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVDTA143EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSVDTA143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
6000+ 3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVDTA143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NSVDTA143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVDTA143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
14+ 21.05 грн
100+ 11.17 грн
500+ 6.9 грн
1000+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVDTA143ZET1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC75 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 15198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.06 грн
15+ 20.8 грн
100+ 6.96 грн
1000+ 4.77 грн
3000+ 3.71 грн
9000+ 2.98 грн
24000+ 2.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTA144EET1GON SemiconductorDigital BJT Transistor
товар відсутній
NSVDTA144EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVDTA144EET1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SC75 BR XSTR PNP
товар відсутній
NSVDTA144WET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
6000+ 3.92 грн
9000+ 3.25 грн
30000+ 3 грн
75000+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVDTA144WET1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC75 BR XSTR PNP
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.06 грн
16+ 19.13 грн
100+ 10.54 грн
1000+ 4.77 грн
3000+ 3.71 грн
9000+ 3.11 грн
24000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTA144WET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NSVDTA144WET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
17+ 17.19 грн
100+ 8.41 грн
500+ 6.58 грн
1000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTC113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
товар відсутній
NSVDTC113EM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSIST
товар відсутній
NSVDTC113EM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN DIGITAL TRANSIST
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSVDTC113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.65 грн
18+ 15.74 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6.01 грн
1000+ 4.17 грн
2000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVDTC114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVDTC114YM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT723 BIAS RES XSTR
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.9 грн
17+ 17.98 грн
100+ 6.36 грн
1000+ 3.91 грн
2500+ 3.38 грн
8000+ 2.65 грн
24000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTC114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.65 грн
18+ 15.74 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6.01 грн
1000+ 4.17 грн
2000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVDTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSVDTC123EM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT723 BIAS RESISTOR
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.9 грн
18+ 17.53 грн
100+ 9.61 грн
1000+ 4.31 грн
2500+ 3.78 грн
8000+ 2.72 грн
24000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTC123EM3T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
товар відсутній
NSVDTC123JET1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SMALL SIGNAL BIAS RE
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.06 грн
15+ 20.8 грн
100+ 6.96 грн
1000+ 4.77 грн
3000+ 3.71 грн
9000+ 3.11 грн
24000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.35 грн
6000+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVDTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
17+ 17.05 грн
100+ 8.34 грн
500+ 6.52 грн
1000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTC123JET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NSVDTC123JM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-723BIAS RESISTOR
товар відсутній
NSVDTC123JM3T5GonsemiDescription: SOT-723 BIAS RESISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.7 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVDTC123JM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSVDTC123JM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-723BIAS RESISTOR
товар відсутній
NSVDTC123JM3T5GonsemiDescription: SOT-723 BIAS RESISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.65 грн
18+ 15.67 грн
100+ 7.65 грн
500+ 5.99 грн
1000+ 4.16 грн
2000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVDTC143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
16+ 17.46 грн
100+ 8.53 грн
500+ 6.68 грн
1000+ 4.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVDTC143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVDTC143ZET1GonsemiDigital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 17710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.06 грн
16+ 19.13 грн
100+ 6.76 грн
1000+ 4.77 грн
3000+ 3.31 грн
9000+ 2.78 грн
24000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NSVDTC143ZM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.65 грн
18+ 15.6 грн
100+ 7.59 грн
500+ 5.95 грн
1000+ 4.13 грн
2000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVDTC143ZM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 8235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.9 грн
18+ 17.53 грн
100+ 6.23 грн
1000+ 3.78 грн
2500+ 3.38 грн
8000+ 2.72 грн
24000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTC143ZM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSVDTC143ZM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
NSVDTC144EM3T5GON SemiconductorDigital BJT Transistor
товар відсутній
NSVDTC144EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.65 грн
18+ 15.6 грн
100+ 7.59 грн
500+ 5.95 грн
1000+ 4.13 грн
2000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVDTC144EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVDTC144EM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT723 BR XSTR NP
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.2 грн
18+ 17.45 грн
100+ 9.54 грн
1000+ 4.24 грн
2500+ 3.71 грн
8000+ 2.85 грн
24000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVDTC144TM3T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V BIPOLAR SOT723
товар відсутній
NSVDTC144TM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT723 BIASED RESISTOR TR
товар відсутній
NSVDTC144TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
NSVDTC144WET1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Transistor
на замовлення 11887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSVDTC144WET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVDTC144WET1G - RF TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.1A, SC-75
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 95900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8020+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 8020
NSVDTC144WET1GonsemiDescription: NSVDTC144 - BIAS RESISTOR TRANSI
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 7212
NSVEMC2DXV5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSVEMC2DXV5T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SSP COMMON BASE BRT
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.53 грн
13+ 24.76 грн
100+ 14.64 грн
500+ 11 грн
1000+ 8.28 грн
4000+ 7.02 грн
8000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVEMC2DXV5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Part Status: Active
на замовлення 5109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.39 грн
13+ 22.71 грн
100+ 15.46 грн
500+ 10.88 грн
1000+ 8.16 грн
2000+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVEMD4DXV6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.67 грн
13+ 21.88 грн
100+ 14.91 грн
500+ 10.49 грн
1000+ 7.87 грн
2000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVEMD4DXV6T5GON SemiconductorDual Bias Resistor Digital Transistor
товар відсутній
NSVEMD4DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SOT563 DUL BRT TR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSVEMD4DXV6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.5 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVEMT1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVEMT1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVEMT1DXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS DUAL PURPOSE TRAN
товар відсутній
NSVEMT1DXV6T5GRochester Electronics, LLCDescription: DUAL PNP BIPOLAR TRANSISTOR
товар відсутній
NSVEMT1DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS DUAL PURPOSE TRAN
товар відсутній
NSVEMT1DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVEMX1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.27 грн
8000+ 7.48 грн
12000+ 7 грн
28000+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSVEMX1DXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor
на замовлення 7412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.76 грн
13+ 23.54 грн
100+ 13.98 грн
500+ 10.47 грн
1000+ 7.82 грн
4000+ 6.56 грн
8000+ 6.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVF2250WT1onsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.2 грн
Мінімальне замовлення: 1268
NSVF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF2250WT1G - TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE AMPL
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
882+22.5 грн
Мінімальне замовлення: 882
NSVF3007SG3T1GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 691-700 дні (днів)
6+58.75 грн
10+ 51.59 грн
100+ 35.45 грн
250+ 35.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSVF3007SG3T1GON Semiconductor
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVF3007SG3T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.03A 350mW Automotive 3-Pin MCPH T/R
товар відсутній
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
товар відсутній
NSVF4009SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
товар відсутній
NSVF4009SG4T1GON Semiconductor
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVF4009SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4009SG4T1G - RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE AMPLIFIER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.4 грн
10+ 28.44 грн
25+ 26.56 грн
100+ 19.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Bauform - HF-Transistor: SC-82FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22 грн
41+ 18.28 грн
100+ 13.9 грн
500+ 10.63 грн
Мінімальне замовлення: 34
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
товар відсутній
NSVF4015SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
товар відсутній
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.9 грн
500+ 10.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.57 грн
10+ 33.96 грн
25+ 31.72 грн
100+ 23.81 грн
250+ 22.11 грн
500+ 18.71 грн
1000+ 14.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSVF4015SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.07 грн
10+ 38.94 грн
100+ 25.97 грн
500+ 20.54 грн
1000+ 16.43 грн
3000+ 13.91 грн
9000+ 13.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSVF4015SG4T1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVF4017SG4onsemionsemi BIP NPN 100MA 12V FT=10G
товар відсутній
NSVF4017SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
на замовлення 23995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.43 грн
10+ 35.13 грн
100+ 24.38 грн
250+ 23.72 грн
500+ 19.74 грн
1000+ 15.77 грн
3000+ 14.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin MCPH T/R
товар відсутній
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
товар відсутній
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 77
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.32 грн
38+ 15.46 грн
100+ 13.77 грн
250+ 12.63 грн
500+ 11.42 грн
1000+ 10.38 грн
Мінімальне замовлення: 36
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.27 грн
10+ 31.54 грн
25+ 29.62 грн
100+ 22.69 грн
250+ 21.08 грн
500+ 17.94 грн
1000+ 14.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVF4020SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4020SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.26 грн
29+ 26.31 грн
100+ 20.14 грн
500+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 24
NSVF4020SG4T1GON Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.39 грн
6000+ 12.9 грн
15000+ 12.42 грн
30000+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVF4020SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 150MA 8V FT=16G
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.23 грн
10+ 54.56 грн
100+ 36.38 грн
500+ 28.76 грн
1000+ 23.06 грн
3000+ 19.48 грн
9000+ 18.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSVF5488SKT3GON Semiconductor
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVF5488SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 70MA 10V F
на замовлення 9548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.65 грн
16+ 19.28 грн
100+ 13.78 грн
500+ 12.32 грн
1000+ 10.47 грн
2500+ 9.94 грн
8000+ 9.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
товар відсутній
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
на замовлення 7887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.12 грн
10+ 28.99 грн
25+ 27.03 грн
100+ 20.3 грн
250+ 18.85 грн
500+ 15.95 грн
1000+ 12.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.39 грн
27+ 22.11 грн
100+ 11.38 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVF5490SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 30MA FT
на замовлення 13603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.79 грн
11+ 29.26 грн
100+ 19.88 грн
500+ 16.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
товар відсутній
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
товар відсутній
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
товар відсутній
NSVF5501SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 70MA FT=5 .5GHZ
на замовлення 15037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.39 грн
12+ 26.36 грн
100+ 17.03 грн
500+ 14.38 грн
1000+ 11.13 грн
2500+ 10.14 грн
5000+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 250
Übergangsfrequenz ft: 5.5
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.91 грн
500+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVF5501SKT3GON Semiconductor
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.69 грн
10+ 27.61 грн
25+ 25.73 грн
100+ 19.31 грн
250+ 17.94 грн
500+ 15.18 грн
1000+ 11.53 грн
2500+ 10.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Übergangsfrequenz ft: 5.5
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.17 грн
31+ 24.08 грн
100+ 17.91 грн
500+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 27
NSVF6001SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
товар відсутній
NSVF6003SB6T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 0.15A 12V FT=7G
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
14+ 23.16 грн
100+ 16.3 грн
500+ 14.51 грн
1000+ 13.72 грн
3000+ 13.65 грн
24000+ 13.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVF6003SB6T1GonsemiDescription: RF TRANSISTOR, NPN SINGLE, 12 V,
товар відсутній
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.03 грн
43+ 17.54 грн
100+ 14.72 грн
Мінімальне замовлення: 40
NSVF6003SB6T1GON Semiconductor
на замовлення 20950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVF6003SB6T1GON SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVF6003SB6T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.15A 800mW Automotive 6-Pin CPH T/R
товар відсутній
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVF6003SB6T1GON SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Circuit: SPDT
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Test Frequency: 8.5GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Part Status: Active
товар відсутній
NSVG1001MXTAGON SemiconductorRF Switch SPDT 100MHz to 8.5GHz 17dB Automotive AEC-Q100 6-Pin XDFNW EP T/R
товар відсутній
NSVG1001MXTAGonsemiRF Switch ICs Middle power SPDT RF switch, 8.5GHz, 1.6V Automotive Grade
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 676-685 дні (днів)
8+41.05 грн
10+ 35.28 грн
100+ 22.59 грн
500+ 18.09 грн
1000+ 14.11 грн
3000+ 12.46 грн
9000+ 11.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Circuit: SPDT
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Test Frequency: 8.5GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Part Status: Active
товар відсутній
NSVG3109SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC, AMPLIFIER, 3 V, 6 MA, 0.1 TO 2.8 GHZ
товар відсутній
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Gain: 27dB
Current - Supply: 16mA
Noise Figure: 4.3dB
P1dB: 6.4dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.14 грн
10+ 33.54 грн
25+ 31.5 грн
100+ 22.43 грн
250+ 19.09 грн
500+ 18.13 грн
1000+ 13.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Gain: 27dB
Current - Supply: 16mA
Noise Figure: 4.3dB
P1dB: 6.4dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVG3109SG6T1GON SemiconductorMMIC Amplifier, 3 V, 16mA
товар відсутній
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.64 грн
6000+ 13.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVG3117SG6T1GON SemiconductorMMIC Wideband Amplifier, 5 V, 22.7 mA, 0.1 to 3 GHz, MCPH6 Automotive Grade part
товар відсутній
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
на замовлення 8450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.85 грн
10+ 34.44 грн
25+ 32.36 грн
100+ 23.03 грн
250+ 19.6 грн
500+ 18.62 грн
1000+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVG3117SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC Wideband Amplifier, 5 V, 22.7 mA, 0.1 to 3 GHz, MCPH6 Automotive Grade part
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.83 грн
10+ 35.51 грн
100+ 19.94 грн
500+ 18.95 грн
1000+ 14.51 грн
3000+ 12.92 грн
9000+ 12.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVIMD10AMT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW Automotive 6-Pin SC-74R T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: SURF MT BIASED RES XSTR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVIMD10AMT1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SURF MT BIASED RES XSTR
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: SURF MT BIASED RES XSTR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.82 грн
14+ 20.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorJFET N-Channel JFET, 15 V, 10 to 32 mA, 38 mS
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.12 грн
20+ 37.76 грн
100+ 23.56 грн
500+ 15.6 грн
Мінімальне замовлення: 17
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorDescription: IC JFET N-CH LNA SC59-3
товар відсутній
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
NSVJ2394SA3T1GON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.56 грн
500+ 15.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13 грн
6000+ 11.88 грн
9000+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVJ3557SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.64 грн
500+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
NSVJ3557SA3T1GON Semiconductor
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVJ3557SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.25 грн
21+ 36.05 грн
100+ 23.64 грн
500+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 19
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.7 грн
10+ 31.75 грн
100+ 22.07 грн
500+ 16.16 грн
1000+ 13.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVJ3557SA3T1GonsemiJFET NCH J-FET
на замовлення 31093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.25 грн
10+ 33.68 грн
100+ 21.07 грн
500+ 16.43 грн
1000+ 13.38 грн
3000+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSVJ3910SB3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.47 грн
6000+ 14.12 грн
9000+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVJ3910SB3T1GonsemiJFET NCH J-FET
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.27 грн
10+ 32.76 грн
100+ 20.54 грн
500+ 17.49 грн
1000+ 14.91 грн
3000+ 13.25 грн
6000+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVJ3910SB3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
euEccn: NLR
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.74 грн
500+ 14.01 грн
3000+ 10.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive 3-Pin CPH T/R
товар відсутній
NSVJ3910SB3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.58 грн
24+ 30.99 грн
100+ 20.74 грн
500+ 14.01 грн
3000+ 10.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive 3-Pin CPH T/R
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.71 грн
16+ 37.11 грн
25+ 36.74 грн
100+ 26.95 грн
250+ 24.69 грн
500+ 19.5 грн
1000+ 15.3 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVJ3910SB3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.85 грн
10+ 33.96 грн
100+ 23.53 грн
500+ 18.45 грн
1000+ 15.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive 3-Pin CPH T/R
товар відсутній
NSVJ5908DSG5T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 15V 50MA SC88AFL/MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-88AFL/MCPH5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.34 грн
10+ 48.87 грн
25+ 45.88 грн
100+ 35.15 грн
250+ 32.65 грн
500+ 27.79 грн
1000+ 21.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSVJ5908DSG5T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 15V 50MA SC88AFL/MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-88AFL/MCPH5
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVJ5908DSG5T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 5-Pin MCPH T/R
товар відсутній
NSVJ5908DSG5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: -15V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.15 грн
500+ 21.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVJ5908DSG5T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 5-Pin MCPH T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.37 грн
25+ 59.78 грн
100+ 57.08 грн
250+ 52.33 грн
500+ 49.72 грн
1000+ 49.22 грн
3000+ 48.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVJ5908DSG5T1GonsemiJFET NCH+NCH J-FET
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.54 грн
10+ 50.29 грн
100+ 33.2 грн
500+ 28.09 грн
1000+ 22.73 грн
3000+ 20.67 грн
6000+ 19.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSVJ5908DSG5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.92 грн
16+ 48.24 грн
100+ 33.15 грн
500+ 21.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVJ5908DSG5T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 5-Pin MCPH T/R
товар відсутній
NSVJ6904DSB6onsemionsemi JFET -25V 20 TO 40MA DUA
товар відсутній
NSVJ6904DSB6T1GonsemiJFET JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.68 грн
10+ 48.31 грн
100+ 32.73 грн
500+ 27.76 грн
1000+ 22.59 грн
3000+ 20.21 грн
9000+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive 6-Pin CPH T/R
товар відсутній
NSVJ6904DSB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
productTraceability: No
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.5 грн
16+ 47.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 6-Pin CPH T/R
товар відсутній
NSVJ6904DSB6T1GonsemiDescription: JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.31 грн
10+ 114.5 грн
100+ 89.3 грн
500+ 69.23 грн
1000+ 54.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 6-Pin CPH T/R
товар відсутній
NSVJ6904DSB6T1GonsemiDescription: JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
товар відсутній
NSVJ6904DSB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
productTraceability: No
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 6-Pin CPH T/R
товар відсутній
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 6-Pin CPH T/R
товар відсутній
NSVM1MA141WAT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 40V TR
товар відсутній
NSVM1MA141WAT1GON SemiconductorDescription: DIODE SW 40V DUAL CA SC70-3
товар відсутній
NSVM1MA152WAT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC59 SWCH DIO 80V TR
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.1 грн
22+ 13.87 грн
100+ 5.9 грн
1000+ 3.45 грн
3000+ 2.92 грн
9000+ 2.19 грн
45000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
NSVM1MA152WAT1GON SemiconductorDescription: DIODE SW 80V DUAL CA SC59-3
товар відсутній
NSVM1MA152WAT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC59 SWCH DIO 80V TR
товар відсутній
NSVM1MA152WKT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching Si 80V 0.15A 3ns Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
NSVM1MA152WKT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.37 грн
17+ 16.98 грн
100+ 8.54 грн
500+ 7.11 грн
1000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVM1MA152WKT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC59 SWCH DIO 80V TR
на замовлення 7874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.59 грн
17+ 18.82 грн
100+ 7.35 грн
1000+ 5.7 грн
3000+ 4.84 грн
9000+ 4.37 грн
24000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVM1MA152WKT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVMBD54DWT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363
товар відсутній
NSVMBD54DWT1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SMALL SIGNAL SCHOTTK
товар відсутній
NSVMBD770DW1T1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 100MA SC88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVMBD770DW1T1GON SemiconductorDiode RF Schottky 70V 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NSVMBD770DW1T1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SS SC88 SHKY DIO 70V TR
товар відсутній
NSVMBT3904DW1T3GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
NSVMBT3904DW1T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NSVMBT3904DW1T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NSVMBT3904DW1T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC88 GP XSTR NPN 40V
товар відсутній
NSVMBT3904DW1T3GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
NSVMMBD352WT1GON SemiconductorRF Diode Schottky 7V 300mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NSVMMBD352WT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 7V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Power Dissipation (Max): 200 mW
Grade: Automotive
на замовлення 44955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.1 грн
13+ 22.09 грн
25+ 19.96 грн
100+ 12.95 грн
250+ 10.9 грн
500+ 8.86 грн
1000+ 6.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVMMBD352WT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 7V TR
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.08 грн
14+ 22.25 грн
100+ 9.21 грн
1000+ 7.02 грн
3000+ 5.9 грн
9000+ 5.43 грн
24000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVMMBD352WT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 7V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Power Dissipation (Max): 200 mW
Grade: Automotive
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
6000+ 6.17 грн
15000+ 5.63 грн
30000+ 4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVMMBD353LT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVMMBD353LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.29 грн
10+ 34.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSVMMBD353LT1GON SemiconductorRF Diode 7V 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVMMBD353LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVMMBD353LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 7V TR
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.6 грн
10+ 34.9 грн
100+ 22.53 грн
500+ 19.08 грн
1000+ 14.71 грн
3000+ 12.59 грн
9000+ 11.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSVMMBD354LT1GON SemiconductorDiode RF 7V 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVMMBD354LT1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 7V TR
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSVMMBD354LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.29 грн
10+ 34.58 грн
25+ 32.3 грн
100+ 24.24 грн
250+ 22.5 грн
500+ 19.04 грн
1000+ 14.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSVMMBD354LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.85 грн
6000+ 13.37 грн
15000+ 12.45 грн
30000+ 11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVMMBD354LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 7V TR
на замовлення 5137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.6 грн
10+ 34.9 грн
100+ 22.53 грн
500+ 18.68 грн
1000+ 13.78 грн
3000+ 12.19 грн
9000+ 11.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSVMMBD717LT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 20V SC70-3
товар відсутній
NSVMMBD717LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SC70 SHKY DIO 20V TR
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.78 грн
13+ 23.47 грн
100+ 10.27 грн
1000+ 7.16 грн
3000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVMMBD717LT1GON SemiconductorSchottky Diodes Rectifiers
товар відсутній
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR
на замовлення 20230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.73 грн
19+ 16.31 грн
100+ 6.1 грн
1000+ 3.84 грн
2500+ 3.71 грн
8000+ 2.85 грн
24000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 640 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
17+ 17.12 грн
100+ 8.36 грн
500+ 6.54 грн
1000+ 4.55 грн
2000+ 3.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVMMBT2222AM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 640 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVMMBT2222ATT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVMMBT2222ATT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 9507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.37 грн
18+ 16.22 грн
100+ 8.19 грн
500+ 6.27 грн
1000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVMMBT2222ATT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVMMBT2222ATT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Junction Transistor
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.26 грн
19+ 16.53 грн
100+ 6.1 грн
1000+ 4.7 грн
3000+ 3.18 грн
9000+ 2.98 грн
24000+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMMBT2222ATT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.33 грн
6000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
на замовлення 13057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.06 грн
22+ 14.25 грн
100+ 6.1 грн
1000+ 4.64 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.38 грн
48000+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVMMBT2907AM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
16+ 17.88 грн
100+ 9.06 грн
500+ 6.93 грн
1000+ 5.14 грн
2000+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVMMBT2907AWT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000