Продукція > NVT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVT0402S160J270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0402S300M420TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S110S180TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S130S220TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S160J270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S160L270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S160Q270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S260Q270TRF
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S260Q330TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S300N420TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S6R7S120TRF
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S6R7T120TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT12000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 12kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 12kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+16768.39 грн
3+ 15796.24 грн
NVT12000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 12kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 12kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13973.66 грн
NVT16000MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 16kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 16kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 5g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT16000MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 16kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 16kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 5g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT1601MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 1.6kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 1.6kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.5g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT1601MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 1.6kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 1.6kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.5g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT2001GM
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 9918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.27 грн
23+ 25.88 грн
25+ 25.5 грн
50+ 24.21 грн
100+ 22.07 грн
250+ 20.86 грн
500+ 20.53 грн
1000+ 20.19 грн
3000+ 19.85 грн
Мінімальне замовлення: 22
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
товар відсутній
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels INTERFACE IC
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
на замовлення 852994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 792
NVT2001GMZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
NVT2001GMZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional T/R
товар відсутній
NVT2001GMZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.4 грн
10+ 55.78 грн
100+ 37.24 грн
500+ 29.42 грн
1000+ 24.98 грн
5000+ 19.81 грн
10000+ 19.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2001GMZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
товар відсутній
NVT2002DP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.16 грн
12+ 51.21 грн
27+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface IC
на замовлення 84227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.4 грн
10+ 53.26 грн
100+ 35.12 грн
500+ 28.36 грн
1000+ 23.85 грн
2500+ 21.6 грн
5000+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002DP,118NXPDescription: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 21346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.77 грн
500+ 29.06 грн
1000+ 22.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2002DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.58 грн
5000+ 21.14 грн
12500+ 20.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2002DP,118NXPDescription: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 21346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.31 грн
50+ 50.62 грн
100+ 41.77 грн
500+ 29.06 грн
1000+ 22.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 8469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+58.34 грн
234+ 49.65 грн
273+ 42.54 грн
289+ 38.84 грн
500+ 33.66 грн
1000+ 30.37 грн
2500+ 27.84 грн
5000+ 26.65 грн
Мінімальне замовлення: 200
NVT2002DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 13954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.92 грн
10+ 51.7 грн
25+ 48.53 грн
100+ 37.18 грн
250+ 34.53 грн
500+ 29.39 грн
1000+ 23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2002GD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.28 грн
11+ 52.93 грн
25+ 52.41 грн
100+ 38.02 грн
250+ 33.05 грн
500+ 26.55 грн
1000+ 26.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVT2002GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
товар відсутній
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BIDIRCTIONL VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P AP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.56 грн
10+ 59.81 грн
25+ 49.36 грн
100+ 40.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
товар відсутній
NVT2002GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002GF
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2002GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002GF,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-Pin XSON T/R
товар відсутній
NVT2002GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+39.1 грн
300+ 38.72 грн
305+ 38.09 грн
348+ 32.25 грн
349+ 29.79 грн
500+ 22.46 грн
Мінімальне замовлення: 297
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.11 грн
16+ 36.31 грн
25+ 35.95 грн
50+ 34.11 грн
100+ 27.73 грн
250+ 26.55 грн
500+ 20.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
NVT2002TLHNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR HXSON8U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Data Rate: 33MHz
Supplier Device Package: HXSON8U
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002TLHNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.23 грн
10+ 52.96 грн
100+ 35.32 грн
500+ 31.27 грн
1000+ 24.65 грн
2000+ 23.72 грн
4000+ 21.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002TLHNXPDescription: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XSON
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+48.46 грн
268+ 43.43 грн
283+ 41.16 грн
500+ 33.22 грн
4000+ 30.41 грн
Мінімальне замовлення: 240
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional T/R
товар відсутній
NVT2002TLHNXPDescription: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XSON
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.5 грн
14+ 56.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVT2002TLHNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR HXSON8U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Data Rate: 33MHz
Supplier Device Package: HXSON8U
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.06 грн
10+ 50.11 грн
25+ 47.57 грн
100+ 36.66 грн
250+ 34.27 грн
500+ 30.29 грн
1000+ 23.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2003DP
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2003DP,118NXPDescription: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 9033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.94 грн
16+ 48.61 грн
50+ 43.04 грн
100+ 34.72 грн
250+ 31.03 грн
500+ 29.94 грн
1000+ 26.57 грн
2500+ 25.8 грн
Мінімальне замовлення: 14
NVT2003DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 10TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 3
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 30264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.24 грн
10+ 60.67 грн
25+ 57.56 грн
100+ 44.38 грн
250+ 41.48 грн
500+ 36.66 грн
1000+ 28.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2003DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 10TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 3
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.89 грн
5000+ 27.34 грн
12500+ 26.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2003DP,118NXPDescription: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 9033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.72 грн
250+ 31.03 грн
500+ 29.94 грн
1000+ 26.57 грн
2500+ 25.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P APP
на замовлення 66931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.84 грн
10+ 52.96 грн
100+ 36.77 грн
500+ 33.73 грн
1000+ 27.63 грн
2500+ 26.17 грн
5000+ 25.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2004TL
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2004TL,115NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12HXSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: DFN2514-12
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2004TL,115NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12HXSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: DFN2514-12
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2004TL,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin HXSON EP T/R
товар відсутній
NVT2006BQ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.72 грн
14+ 43.27 грн
25+ 29.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
NVT2006BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 6
Case: DHVQFN16
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NVT2006BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 6
Case: DHVQFN16
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2006BQ,115NXPDescription: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.5 грн
12+ 66.45 грн
50+ 56.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVT2006BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.52 грн
10+ 59.91 грн
25+ 56.87 грн
100+ 43.84 грн
250+ 40.99 грн
500+ 36.22 грн
1000+ 28.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.52 грн
10+ 62.86 грн
100+ 43.4 грн
500+ 38.1 грн
1000+ 29.48 грн
3000+ 27.5 грн
6000+ 26.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+61.7 грн
214+ 54.29 грн
244+ 47.68 грн
255+ 43.97 грн
500+ 38.52 грн
1000+ 35.03 грн
Мінімальне замовлення: 189
NVT2006BQ,115NXPDescription: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2006BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2006BS
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2006BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16HVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.4 грн
10+ 56.16 грн
100+ 39.89 грн
500+ 37.37 грн
1000+ 32.4 грн
2500+ 30.28 грн
6000+ 28.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 414
NVT2006BS,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 6
Case: HVQFN16
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 6000 шт
товар відсутній
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2006BS,118NXPDescription: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: HVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.73 грн
11+ 68.75 грн
50+ 59.54 грн
100+ 46.73 грн
250+ 42.88 грн
500+ 42.62 грн
1000+ 42.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+44.19 грн
265+ 43.95 грн
290+ 40.13 грн
293+ 38.31 грн
500+ 34.61 грн
1000+ 32 грн
3000+ 30.78 грн
6000+ 29.55 грн
Мінімальне замовлення: 263
NVT2006BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16HVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
на замовлення 6274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.69 грн
10+ 65.91 грн
25+ 62.59 грн
100+ 48.24 грн
250+ 45.09 грн
500+ 39.85 грн
1000+ 30.95 грн
2500+ 28.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2006BS,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 6
Case: HVQFN16
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+29.91 грн
412+ 28.23 грн
421+ 27.64 грн
500+ 25.89 грн
1000+ 23.27 грн
Мінімальне замовлення: 389
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.86 грн
15+ 41.03 грн
25+ 40.81 грн
100+ 35.93 грн
250+ 32.93 грн
500+ 30.85 грн
1000+ 29.71 грн
3000+ 28.58 грн
6000+ 27.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
NVT2006BS,118NXPDescription: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: HVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.73 грн
250+ 42.88 грн
500+ 42.62 грн
1000+ 42.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT2006BSHPNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2006PW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2006PW,118NXP/Nexperia/We-EnСтандартна логіка; Uживл, В = 1,0...3,6; 1,8...5,5; К-сть. л.е./тип л. е. = 1 6-канальний двонапрямлений транслятор; Тип виходу = з відкритим стоком; 2-тактний; Тексп, °С = -40...+85; TSSOP-16
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+66.17 грн
178+ 65.51 грн
227+ 51.24 грн
250+ 48.93 грн
500+ 42.33 грн
1000+ 29.55 грн
Мінімальне замовлення: 176
NVT2006PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 6
Case: TSSOP16
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2006PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 12159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.12 грн
10+ 66.81 грн
25+ 63.47 грн
100+ 48.91 грн
250+ 45.72 грн
500+ 40.41 грн
1000+ 31.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2006PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 6
Case: TSSOP16
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 2.1-5V
на замовлення 31843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.62 грн
10+ 67.51 грн
100+ 37.7 грн
500+ 34.52 грн
1000+ 30.01 грн
2500+ 28.82 грн
5000+ 28.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2006PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.95 грн
5000+ 30.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+72.2 грн
10+ 61.44 грн
25+ 60.83 грн
100+ 45.88 грн
250+ 42.07 грн
500+ 37.73 грн
1000+ 27.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVT2008BQ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2008BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 8
Case: DHVQFN20
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 60558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.42 грн
10+ 59.05 грн
100+ 41.28 грн
500+ 38.03 грн
1000+ 31.01 грн
3000+ 27.5 грн
6000+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+60.23 грн
195+ 59.62 грн
233+ 49.87 грн
250+ 47.61 грн
500+ 41.29 грн
1000+ 31.34 грн
3000+ 29.01 грн
Мінімальне замовлення: 193
NVT2008BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 21484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.97 грн
10+ 65.64 грн
25+ 62.31 грн
100+ 48.03 грн
250+ 44.89 грн
500+ 39.68 грн
1000+ 30.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+65.12 грн
11+ 55.92 грн
25+ 55.36 грн
100+ 44.65 грн
250+ 40.93 грн
500+ 36.81 грн
1000+ 29.1 грн
3000+ 26.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVT2008BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 8
Case: DHVQFN20
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+52.51 грн
241+ 48.37 грн
262+ 44.42 грн
270+ 41.6 грн
500+ 37.02 грн
1000+ 34.27 грн
Мінімальне замовлення: 222
NVT2008BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.35 грн
6000+ 29.59 грн
15000+ 28.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVT2008PW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+97.94 грн
10+ 85.13 грн
25+ 84.31 грн
100+ 65.29 грн
250+ 58.34 грн
500+ 35.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVT2008PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.63 грн
5000+ 39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+91.68 грн
128+ 90.79 грн
160+ 72.92 грн
250+ 67.85 грн
500+ 40.38 грн
Мінімальне замовлення: 127
NVT2008PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 8
Case: TSSOP20
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NVT2008PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 8
Case: TSSOP20
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NVT2008PW,118
Код товару: 189102		Мікросхеми > Логіка
товар відсутній
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2008PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.34 грн
10+ 86.48 грн
25+ 82.08 грн
100+ 63.28 грн
250+ 59.16 грн
500+ 52.28 грн
1000+ 40.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 29712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.8 грн
10+ 75.82 грн
100+ 54.99 грн
500+ 44.92 грн
1000+ 40.48 грн
5000+ 38.5 грн
10000+ 37.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+102.66 грн
124+ 94.27 грн
152+ 76.7 грн
200+ 69.2 грн
500+ 63.9 грн
1000+ 54.49 грн
2000+ 50.85 грн
2500+ 50.68 грн
5000+ 49.41 грн
Мінімальне замовлення: 114
NVT2010BQ,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-DHVQFN (5.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+171.3 грн
Мінімальне замовлення: 210
NVT2010BQ,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2010BQ,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 26700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.63 грн
10+ 80.01 грн
100+ 53.93 грн
500+ 47.57 грн
1000+ 42.07 грн
1500+ 36.51 грн
3000+ 32.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2010BS,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 10
Case: HVQFN24
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2010BS,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24HVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 35933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.59 грн
10+ 77.58 грн
25+ 73.63 грн
100+ 56.75 грн
250+ 53.05 грн
500+ 46.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2010BS,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24HVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.95 грн
3000+ 36.81 грн
7500+ 34.97 грн
10500+ 31.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVT2010BS,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 10
Case: HVQFN24
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
NVT2010BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR VOLT 24HVQFN
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2010PW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2010PW,118
Код товару: 163785		Мікросхеми > Джерел живлення
товар відсутній
NVT2010PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 10
Case: TSSOP24
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NVT2010PW,118NXPDescription: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 10Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.11 грн
250+ 48.8 грн
500+ 45.81 грн
1000+ 36.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2010PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.44 грн
10+ 75.71 грн
25+ 71.86 грн
100+ 55.39 грн
250+ 51.78 грн
500+ 45.76 грн
1000+ 35.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2010PW,118NXPDescription: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 10Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.55 грн
10+ 83.25 грн
50+ 71.88 грн
100+ 56.11 грн
250+ 48.8 грн
500+ 45.81 грн
1000+ 36.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 11817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.08 грн
10+ 77.72 грн
100+ 53.54 грн
500+ 47.64 грн
1000+ 37.63 грн
2500+ 35.05 грн
5000+ 33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2010PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 10
Case: TSSOP24
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+84.46 грн
10+ 75.83 грн
25+ 68.16 грн
100+ 59.44 грн
250+ 49.23 грн
500+ 41.18 грн
1000+ 32.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVT2010PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.31 грн
5000+ 34.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+81.66 грн
159+ 73.4 грн
175+ 66.38 грн
250+ 57.26 грн
500+ 46.2 грн
1000+ 34.49 грн
Мінімальне замовлення: 143
NVT210CDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
NVT210CDM3R2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR
товар відсутній
NVT210CDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
NVT210CDM3R2GON SemiconductorDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C MICRO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT210CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.28 грн
10+ 542.9 грн
25+ 517.7 грн
100+ 402.88 грн
250+ 367.33 грн
500+ 343.63 грн
1000+ 303.03 грн
NVT210CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+327.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVT210CMTR2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR
товар відсутній
NVT210DDM3R2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR
товар відсутній
NVT210DDM3R2GRochester Electronics, LLCDescription: DIGITAL TEMPERATURE SENSOR WITH
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT210DDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
NVT210DMTR2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR
товар відсутній
NVT210DMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
товар відсутній
NVT211CMTR2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin WDFN T/R
товар відсутній
NVT211CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.28 грн
10+ 542.9 грн
25+ 517.7 грн
100+ 402.88 грн
250+ 367.33 грн
500+ 343.63 грн
1000+ 303.03 грн
NVT211CMTR2GonsemiBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR
товар відсутній
NVT211CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
NVT211DMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
NVT211DMTR2GonsemiBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR
товар відсутній
NVT211DMTR2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin WDFN T/R
товар відсутній
NVT2200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 2.2kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT2200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 2.2kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT22000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 22kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 22kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT22000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 22kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 22kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT2201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 2.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT2201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 2.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT224RQR2GON SemiconductorDescription: IC REMOTE THERMAL SENSOR QSOP
товар відсутній
NVT27023121
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT27023135
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT31323873
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT31323915
на замовлення 17820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT4201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 4.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 4.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16758.72 грн
NVT4201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 4.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 4.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+20110.47 грн
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+71.95 грн
10+ 62.82 грн
25+ 61.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVT4555UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
товар відсутній
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator Bidirectional 12-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4555UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
товар відсутній
NVT4555UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.66 грн
10+ 94.49 грн
25+ 89.67 грн
100+ 69.13 грн
250+ 64.62 грн
500+ 57.11 грн
1000+ 46.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4556AUK012NXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 396
NVT4556AUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.93 грн
10+ 89.66 грн
25+ 85.09 грн
100+ 65.59 грн
250+ 61.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4556AUKZNXP SemiconductorsSIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLATOR WITH I2C-BUS CONTROL AND LDO
товар відсутній
NVT4556AUKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
товар відсутній
NVT4556AUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
товар відсутній
NVT4556BUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Part Status: Obsolete
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.36 грн
10+ 90.9 грн
25+ 86.27 грн
100+ 66.51 грн
250+ 62.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4556BUKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4556BUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NVT4556BUKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVT4557HKXNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.59 грн
5+ 83.51 грн
10+ 67.91 грн
25+ 54.87 грн
50+ 47.53 грн
100+ 43.12 грн
500+ 35.67 грн
1000+ 31.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT4557HKXNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
товар відсутній
NVT4557HKXNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
на замовлення 15990 шт:
термін постачання 530-539 дні (днів)
5+74.75 грн
10+ 51.36 грн
100+ 40.95 грн
500+ 34.45 грн
1000+ 28.49 грн
2000+ 27.03 грн
4000+ 26.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT4557UKAZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
товар відсутній
NVT4558-4858-EVBNXP USA Inc.Description: NVT4558HK EVAL BOARD
Packaging: Box
Function: Transceiver
Type: Interface
Utilized IC / Part: NVT4558, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15484.32 грн
NVT4558-4858-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools NVT4558-4858-EVB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16295.07 грн
NVT4558HKXNXP USA Inc.Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFQFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V
Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT4558HKXNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels 1.2V SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
товар відсутній
NVT4558HKXNXP USA Inc.Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V
Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
на замовлення 39685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection
на замовлення 21491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.31 грн
10+ 93.72 грн
100+ 69.57 грн
250+ 65.33 грн
500+ 56.78 грн
1000+ 47.04 грн
2500+ 43.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
на замовлення 46533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.49 грн
10+ 88.83 грн
25+ 83.82 грн
100+ 67.03 грн
250+ 62.93 грн
500+ 55.07 грн
1000+ 44.88 грн
2500+ 41.78 грн
5000+ 40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4857UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BL SECURE INTERFACES & POWER
товар відсутній
NVT4857UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP
товар відсутній
NVT4857UKZNXP SemiconductorsSD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection
товар відсутній
NVT4857UKZNXP SemiconductorsSD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection
товар відсутній
NVT4858-4557-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools Evalaution board for NVT4857 and NVT4858
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16160.56 грн
NVT4858-4557-EVBNXP USA Inc.Description: NVT4858 EVAL BOARD
Packaging: Box
Function: Level Shifter
Type: Interface
Utilized IC / Part: NVT4557, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
товар відсутній
NVT4858-4557-EVBNXPDescription: NXP - NVT4858-4557-EVB - Referenzdesign-Board, INN3879C-H801, USB-Power-Delivery (PD)-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NVT4858, NVT4557
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: NXP
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NVT4858, NVT4557
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Spannungspegelumsetzer
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15388.86 грн
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16XQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.56 грн
10+ 68.12 грн
25+ 64.68 грн
100+ 49.85 грн
250+ 46.6 грн
500+ 41.18 грн
1000+ 31.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.11 грн
10+ 77.3 грн
50+ 66.45 грн
100+ 51.56 грн
250+ 44.85 грн
500+ 42.05 грн
1000+ 33.19 грн
2500+ 31.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVT4858HKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional 16-Pin XQFN T/R
товар відсутній
NVT4858HKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
на замовлення 7959 шт:
термін постачання 141-150 дні (днів)
4+86.58 грн
10+ 72.31 грн
100+ 48.04 грн
500+ 42.47 грн
1000+ 33.53 грн
2000+ 32.27 грн
4000+ 29.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16XQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.56 грн
250+ 44.85 грн
500+ 42.05 грн
1000+ 33.19 грн
2500+ 31.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT4858UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional T/R
товар відсутній
NVT4858UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 220-229 дні (днів)
3+109.77 грн
10+ 97.53 грн
100+ 65.93 грн
500+ 54.46 грн
1000+ 43 грн
3000+ 40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.81 грн
10+ 96.49 грн
25+ 91.6 грн
100+ 70.61 грн
250+ 66.01 грн
500+ 58.33 грн
1000+ 45.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT6200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+11463.15 грн
3+ 11006.45 грн
NVT6200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9552.63 грн
NVT6201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT6201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT6400MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.4kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.4kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 2g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT6400MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.4kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.4kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 2g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.22 грн
3000+ 4.72 грн
9000+ 4.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.81 грн
6000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTA7002NT1GON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+4.49 грн
198+ 2.92 грн
202+ 2.86 грн
217+ 2.56 грн
250+ 2.18 грн
500+ 1.91 грн
1000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 129
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.79 грн
42+ 17.84 грн
100+ 11.07 грн
500+ 5.22 грн
3000+ 4.72 грн
9000+ 4.63 грн
Мінімальне замовлення: 29
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
15+ 19.12 грн
100+ 10.85 грн
500+ 6.74 грн
1000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NVTA7002NT1GonsemiMOSFET NFET SC75 30V 154MA 7OHM
на замовлення 839413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.9 грн
21+ 15.01 грн
100+ 6.43 грн
1000+ 5.23 грн
3000+ 3.98 грн
9000+ 3.58 грн
24000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTC040N120M3SON SemiconductorNVTC040N120M3S
товар відсутній
NVTE4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NVTE4151PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SC89 760MA 20V TR
товар відсутній
NVTFS002N04CLTAGonsemiMOSFET 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 963-972 дні (днів)
2+173.15 грн
10+ 147.06 грн
100+ 102.7 грн
250+ 98.72 грн
500+ 84.81 грн
1000+ 74.21 грн
1500+ 66.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVTFS002N04CLTAGON Semiconductor
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS002N04CTAGON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NVTFS002N04CTAGonsemiMOSFET 40V 2.4 mOhms 136A Single N-Channel
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 898-907 дні (днів)
3+116.72 грн
10+ 92.96 грн
100+ 65.93 грн
250+ 62.88 грн
500+ 55.79 грн
1000+ 52.48 грн
1500+ 47.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS004N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS004N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+101.26 грн
10+ 82.29 грн
100+ 55.79 грн
500+ 47.24 грн
1000+ 38.43 грн
1500+ 36.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS005N04CTAGON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.96 грн
10+ 98.01 грн
100+ 76.4 грн
500+ 59.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS005N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.22 грн
10+ 87.63 грн
100+ 59.37 грн
500+ 50.36 грн
1000+ 40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
715+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 715
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.17 грн
3000+ 40.95 грн
7500+ 39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL IN
на замовлення 40870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.77 грн
10+ 89.15 грн
100+ 60.03 грн
500+ 50.89 грн
1000+ 45.72 грн
1500+ 39.09 грн
3000+ 36.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.49 грн
10+ 80.96 грн
100+ 62.99 грн
500+ 50.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS014P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.19 грн
10+ 57.99 грн
100+ 39.22 грн
500+ 33.26 грн
1000+ 27.03 грн
1500+ 25.51 грн
3000+ 24.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44 грн
500+ 28.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.22 грн
10+ 51.7 грн
100+ 40.19 грн
500+ 31.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.04 грн
13+ 61.25 грн
100+ 44 грн
500+ 28.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.62 грн
10+ 44.45 грн
100+ 34.6 грн
500+ 27.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS015N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS015N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.15 грн
10+ 44.88 грн
100+ 32.8 грн
500+ 28.62 грн
1000+ 23.32 грн
1500+ 21.93 грн
3000+ 20.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS015P03P8ZTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, P-Channel, u8FL -30 V, 7.5 mohm, -88.6 A
товар відсутній
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS016N06CTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 16.3 mohm, 32 A
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.08 грн
10+ 84.58 грн
100+ 56.72 грн
500+ 46.84 грн
1000+ 36.64 грн
1500+ 31.14 грн
3000+ 30.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFS016N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 20.3 m, 27 A Active OPN
товар відсутній
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFS020N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.85 грн
10+ 64.54 грн
100+ 43.66 грн
500+ 37.04 грн
1000+ 30.15 грн
1500+ 28.42 грн
3000+ 27.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS020N06CTAGON Semiconductor
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS024N06CTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
5+76.91 грн
10+ 62.56 грн
100+ 42.34 грн
500+ 35.85 грн
1000+ 29.22 грн
1500+ 27.5 грн
3000+ 26.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS024N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.28 грн
3000+ 19.11 грн
7500+ 18.1 грн
10500+ 15.73 грн
37500+ 15.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTFS027N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL U8FL
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.04 грн
10+ 49.07 грн
100+ 29.15 грн
500+ 24.32 грн
1000+ 20.67 грн
1500+ 18.82 грн
3000+ 17.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.32 грн
10+ 43.62 грн
100+ 30.17 грн
500+ 23.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS030N06CTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
5+71.19 грн
10+ 58.14 грн
100+ 39.29 грн
500+ 33.33 грн
1000+ 27.1 грн
1500+ 25.51 грн
3000+ 24.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS040N10MCLTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.99 грн
10+ 40.08 грн
100+ 23.79 грн
500+ 19.88 грн
1000+ 14.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS040N10MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43 грн
10+ 36.03 грн
100+ 24.94 грн
500+ 19.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.41 грн
3000+ 15.79 грн
7500+ 14.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
товар відсутній
NVTFS052P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.84 грн
10+ 53.34 грн
100+ 32.14 грн
500+ 26.83 грн
1000+ 22.79 грн
1500+ 19.08 грн
3000+ 18.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS052P04M8LTAGON SemiconductorPower, Single P-Channel, -40 V, -13.2 A
товар відсутній
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
товар відсутній
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS070N10MCLTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm
товар відсутній
NVTFS070N10MCLTAGON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4823NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4823NTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4823NTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4823NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4823NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
товар відсутній
NVTFS4824NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4824NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4824NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4824NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4824NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
товар відсутній
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
товар відсутній
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
товар відсутній
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGonsemiMOSFET T6 30V NCH U8FL
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+159.24 грн
10+ 129.53 грн
100+ 90.11 грн
500+ 76.2 грн
1000+ 64.73 грн
1500+ 59.96 грн
3000+ 58.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A Automotive T/R
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C02NWFTAGonsemiMOSFET MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.2 грн
10+ 157.73 грн
100+ 110.65 грн
500+ 92.76 грн
1000+ 78.85 грн
1500+ 69.57 грн
4500+ 67.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.18 грн
10+ 90.68 грн
100+ 63.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS4C05NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.22 грн
10+ 89.15 грн
100+ 61.62 грн
250+ 56.85 грн
500+ 51.62 грн
1000+ 44.26 грн
1500+ 41.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C05NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C05NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 102
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
товар відсутній
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
товар відсутній
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTWGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 458-467 дні (днів)
4+96.63 грн
10+ 86.1 грн
100+ 57.84 грн
500+ 47.84 грн
1000+ 37.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4C08NTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товар відсутній
NVTFS4C08NTWGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
на замовлення 27661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C08NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTAGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C08NWFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C08NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS4C08NWFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTWGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4C10Nonsemionsemi NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.04 грн
10+ 75.78 грн
100+ 58.94 грн
500+ 46.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.36 грн
10+ 84.58 грн
100+ 56.85 грн
500+ 48.17 грн
1000+ 44.53 грн
1500+ 38.56 грн
3000+ 35.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.18 грн
500+ 35.34 грн
1500+ 29.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
товар відсутній
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.44 грн
13+ 57.6 грн
100+ 41.18 грн
500+ 35.34 грн
1500+ 29.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.79 грн
10+ 50.11 грн
100+ 38.96 грн
500+ 30.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C13NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
товар відсутній
NVTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A U8FL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C13NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A U8FL
товар відсутній
NVTFS4C13NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4C13NWFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
товар відсутній
NVTFS4C13NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4C13NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A U8FL
товар відсутній
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C25NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MOHM
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.01 грн
10+ 54.79 грн
100+ 33 грн
500+ 27.63 грн
1000+ 25.58 грн
1500+ 22.93 грн
3000+ 19.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товар відсутній
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4C25NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5116PLonsemionsemi PFET U8FL 60V 14A 52MOHM
товар відсутній
NVTFS5116PLTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+55.05 грн
25+ 38.93 грн
69+ 36.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.33 грн
500+ 34.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+59.27 грн
12+ 49.42 грн
25+ 47.3 грн
100+ 37.32 грн
250+ 33.53 грн
500+ 27.97 грн
1000+ 21.71 грн
3000+ 21.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS5116PLTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.17 грн
25+ 32.44 грн
69+ 30.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTFS5116PLTAGonsemiMOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 19592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.37 грн
10+ 49.38 грн
100+ 33.46 грн
500+ 28.36 грн
1000+ 23.12 грн
1500+ 21.73 грн
3000+ 20.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.91 грн
10+ 44.52 грн
100+ 34.62 грн
500+ 27.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.56 грн
13+ 60.8 грн
100+ 43.33 грн
500+ 34.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+53.23 грн
228+ 50.94 грн
279+ 41.68 грн
288+ 39 грн
500+ 31.38 грн
1000+ 23.38 грн
3000+ 22.81 грн
Мінімальне замовлення: 219
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTWGonsemiMOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 24232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.07 грн
10+ 63.93 грн
100+ 43.27 грн
500+ 36.64 грн
1000+ 29.88 грн
2500+ 28.09 грн
5000+ 26.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.79 грн
10000+ 26.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.54 грн
500+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.11 грн
10+ 57.56 грн
100+ 44.79 грн
500+ 35.62 грн
1000+ 29.02 грн
2000+ 27.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.48 грн
12+ 67.12 грн
100+ 48.54 грн
500+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.33 грн
10+ 75.09 грн
100+ 58.4 грн
500+ 46.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 901-910 дні (днів)
4+102.81 грн
10+ 83.05 грн
100+ 56.45 грн
500+ 47.84 грн
1000+ 38.96 грн
1500+ 36.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5116PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTWGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.13 грн
10+ 85.34 грн
100+ 57.05 грн
500+ 48.37 грн
1000+ 37.9 грн
2500+ 37.1 грн
5000+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS5116PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.2 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.59 грн
14+ 53.81 грн
100+ 37.68 грн
500+ 27.75 грн
1500+ 20.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGonsemiMOSFET PFET U8FL 60V 8A 260MOHM
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.93 грн
10+ 56.46 грн
100+ 37.63 грн
500+ 29.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS5124PLTWGonsemiMOSFET PFET U8FL 60V 8A 260MOHM
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.52 грн
10+ 51.74 грн
100+ 34.52 грн
500+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
товар відсутній
NVTFS5124PLWFTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.97 грн
10+ 62.48 грн
100+ 40.81 грн
500+ 32.27 грн
1000+ 25.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS5124PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5124PLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
товар відсутній
NVTFS5124PLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
товар відсутній
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
товар відсутній
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
товар відсутній
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
товар відсутній
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
товар відсутній
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
товар відсутній
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товар відсутній
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5824NLTAG-ONonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
на замовлення 18870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товар відсутній
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5824NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+371.27 грн
Мінімальне замовлення: 97
NVTFS5824NLWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товар відсутній
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5826NLTAGON Semiconductor
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.42 грн
100+ 20.33 грн
250+ 18.53 грн
500+ 17.51 грн
1000+ 17.22 грн
3000+ 16.94 грн
6000+ 16.66 грн
Мінімальне замовлення: 27
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
на замовлення 3812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C453NLTAGON SemiconductorMOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL
товар відсутній
NVTFS5C453NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5C453NLWFTAGON SemiconductorMOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL WF
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C453NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - MOSFET, N-CH, 40V, 107A, 175DEG C, 68W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: Lead
товар відсутній
NVTFS5C454NLTAGON SemiconductorMOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL
товар відсутній
NVTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5C454NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0033 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorMOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL WF
на замовлення 7411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 4379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C466NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C471NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C471NLTAGonsemiMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
товар відсутній
NVTFS5C471NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C471NLWFTAGonsemiMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 300 шт:
термін постачання 252-261 дні (днів)
3+117.5 грн
10+ 103.63 грн
100+ 70.23 грн
500+ 57.98 грн
1000+ 47.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS5C471NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C478NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5C478NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C478NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C658NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 114
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C658NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C658NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.53 грн
10+ 101.83 грн
100+ 72.62 грн
500+ 52.25 грн
1500+ 47.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5C658NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5C670NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.54 грн
10+ 89.91 грн
100+ 61.02 грн
500+ 51.68 грн
1000+ 42.07 грн
1500+ 39.62 грн
3000+ 37.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL WF
товар відсутній
NVTFS5C670NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.29 грн
10+ 67.09 грн
100+ 52.21 грн
500+ 41.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5C673NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.76 грн
10+ 71.55 грн
100+ 49.76 грн
500+ 42.8 грн
1000+ 39.75 грн
1500+ 34.79 грн
3000+ 31.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.43 грн
3000+ 33.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0081 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.84 грн
10+ 95.88 грн
100+ 71.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5C673NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0081 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL WF
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C673NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C680NLTAGonsemiMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.98 грн
10+ 48.23 грн
100+ 32.67 грн
500+ 27.7 грн
1000+ 24.18 грн
1500+ 20.47 грн
3000+ 20.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 330-339 дні (днів)
5+76.91 грн
10+ 62.71 грн
100+ 42.47 грн
500+ 35.98 грн
1000+ 29.29 грн
1500+ 27.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H850NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H850NLTAGON SemiconductorPower MOSFET 80 V, 8.6 mW, 64 A, Single N-Channel
товар відсутній
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS6H850NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 619-628 дні (днів)
5+70.42 грн
10+ 57.45 грн
100+ 38.96 грн
500+ 33 грн
1000+ 26.83 грн
1500+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.02 грн
13+ 61.47 грн
100+ 45.19 грн
500+ 33.27 грн
1500+ 24.15 грн
4500+ 23.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.22 грн
10+ 51.83 грн
100+ 40.29 грн
500+ 32.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+75.88 грн
10+ 75.14 грн
25+ 74.41 грн
100+ 71.04 грн
250+ 65.12 грн
500+ 61.88 грн
1000+ 61.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.19 грн
500+ 33.27 грн
1500+ 24.15 грн
4500+ 23.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+80.92 грн
145+ 80.13 грн
147+ 79.34 грн
250+ 75.74 грн
500+ 69.42 грн
1000+ 65.97 грн
Мінімальне замовлення: 144
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.97 грн
10+ 59.84 грн
100+ 46.55 грн
500+ 37.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товар відсутній
NVTFS6H854NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS6H854NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H854NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товар відсутній
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H860NLTAGonsemiMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.91 грн
10+ 62.71 грн
100+ 42.47 грн
500+ 35.98 грн
1000+ 29.29 грн
1500+ 27.63 грн
3000+ 26.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H860NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
товар відсутній
NVTFS6H860NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H860NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
товар відсутній
NVTFS6H860NTAGON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H860NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 837-846 дні (днів)
7+46.54 грн
10+ 40 грн
100+ 26.64 грн
500+ 21.14 грн
1000+ 16.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS6H860NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H860NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H860NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H860NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H880NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
товар відсутній
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Power, Single N Channel, 80 V, 29 m, 22 A
товар відсутній
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H880NTAGonsemiMOSFET T8 80V U8FL
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 649-658 дні (днів)
7+46.54 грн
10+ 39.01 грн
100+ 25.38 грн
500+ 19.94 грн
1000+ 15.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS6H880NTAGON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H880NWFTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V U8FL
товар відсутній
NVTFS6H880NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H888NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H888NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.11 грн
500+ 23.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS6H888NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H888NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.23 грн
17+ 46.01 грн
100+ 32.11 грн
500+ 23.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
NVTFS6H888NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
на замовлення 9370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS6H888NTAGON Semiconductor
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS6H888NTAGonsemiMOSFET T8 80V U8FL
товар відсутній
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H888NWFTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V U8FL
товар відсутній
NVTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
товар відсутній
NVTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8Lonsemionsemi
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.66 грн
500+ 53.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.36 грн
10+ 84.58 грн
100+ 55.86 грн
500+ 47.31 грн
1000+ 38.5 грн
1500+ 36.24 грн
3000+ 34.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.47 грн
10+ 86.96 грн
100+ 62.66 грн
500+ 53.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFWS002N04CLTAGonsemiMOSFET 40V 2.0 Ohm 142A Single N-Channel
товар відсутній
NVTFWS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFWS002N04CTAGON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NVTFWS002N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS002N04CTAGonsemiMOSFET 40V 2.4 Ohm 136A Single N-Channel
товар відсутній
NVTFWS002N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 669-678 дні (днів)
3+124.45 грн
10+ 102.1 грн
100+ 70.9 грн
250+ 67.58 грн
500+ 58.9 грн
1000+ 50.49 грн
1500+ 47.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0035 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFWS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS004N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
товар відсутній
NVTFWS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 38775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.78 грн
10+ 81.79 грн
100+ 65.08 грн
500+ 51.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS005N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 410-419 дні (днів)
3+114.41 грн
10+ 102.1 грн
100+ 71.56 грн
500+ 58.31 грн
1000+ 47.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS008N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+103.58 грн
10+ 83.82 грн
100+ 56.58 грн
500+ 47.97 грн
1000+ 39.09 грн
1500+ 36.71 грн
3000+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFN EP Reel
товар відсутній
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL IN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 182-191 дні (днів)
3+114.41 грн
10+ 92.96 грн
100+ 62.88 грн
500+ 53.01 грн
1500+ 43.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS014P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mO, -49 A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFWS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.04 грн
13+ 59.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFWS014P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFWS014P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.19 грн
10+ 56.16 грн
100+ 38.76 грн
500+ 32.86 грн
1500+ 26.77 грн
3000+ 26.24 грн
9000+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS014P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
товар відсутній
NVTFWS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFWS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS015N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 1095-1104 дні (днів)
4+85.03 грн
10+ 68.12 грн
100+ 46.12 грн
500+ 39.09 грн
1000+ 34.06 грн
1500+ 28.89 грн
3000+ 28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFWS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.41 грн
10+ 60.67 грн
100+ 47.18 грн
500+ 37.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiMOSFET PT8P PORTFOLIO EXPANSION
товар відсутній
NVTFWS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFWS016N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NVTFWS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFWS020N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 20.3 m, 27 A
товар відсутній
NVTFWS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFWS020N06CTAGON SemiconductorMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NVTFWS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFWS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVTFWS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS024N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.07 грн
10+ 49.76 грн
100+ 38.72 грн
500+ 30.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.76 грн
3000+ 25.16 грн
7500+ 23.97 грн
10500+ 21.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFWS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS030N06CTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+85.03 грн
10+ 69.03 грн
100+ 46.71 грн
500+ 39.62 грн
1000+ 32.2 грн
1500+ 30.35 грн
3000+ 28.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFWS030N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 29.7 m, 19 A
товар відсутній
NVTFWS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.64 грн
10+ 51.35 грн
100+ 35.56 грн
500+ 27.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
5+66.17 грн
10+ 57.22 грн
100+ 33.92 грн
500+ 28.36 грн
1000+ 20.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
товар відсутній
NVTFWS052P04M8LTAGON SemiconductorPower, Single P-Channel, -40 V, -13.2 A
товар відсутній
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
товар відсутній
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.84 грн
10+ 54.1 грн
100+ 32.14 грн
500+ 26.83 грн
1000+ 22.79 грн
1500+ 20.67 грн
3000+ 19.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm
товар відсутній
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS8D1N08HTAGonsemiDescription: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK
товар відсутній
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
на замовлення 7339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFWS9D6P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.35 грн
10+ 70.86 грн
100+ 48.3 грн
500+ 40.95 грн
1000+ 33.33 грн
1500+ 31.34 грн
3000+ 29.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTGS3455T1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
товар відсутній
NVTGS3455T1GON SemiconductorMOSFET
товар відсутній
NVTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.272W
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.81 грн
21+ 16.77 грн
24+ 14.63 грн
38+ 9.25 грн
100+ 8.35 грн
115+ 6.97 грн
315+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
NVTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.99 грн
6000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTJD4001NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 1207683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.73 грн
19+ 16.31 грн
100+ 5.96 грн
1000+ 4.97 грн
3000+ 4.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
NVTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 465157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.94 грн
18+ 15.46 грн
100+ 7.79 грн
500+ 6.47 грн
1000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
NVTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NVTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.272W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+24.97 грн
13+ 20.9 грн
15+ 17.56 грн
25+ 11.1 грн
100+ 10.02 грн
115+ 8.37 грн
315+ 7.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTJD4001NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTJD4001NT2GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 14731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTJD4001NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
товар відсутній
NVTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET 20V 0.63A SC-88
товар відсутній
NVTJD4158CT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88
товар відсутній
NVTJD4158CT1GonsemiMOSFET PFET 20V .88A 1OHM
товар відсутній
NVTJD4401NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88
товар відсутній
NVTP2955GonsemiDescription: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTP2955GonsemiDescription: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Bulk
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 650
NVTR01P02Lonsemionsemi PFET SOT23 20V 1.3A 0.075
товар відсутній
NVTR01P02LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.97 грн
12+ 24.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR01P02LT1GON Semiconductor
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTR01P02LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
товар відсутній
NVTR01P02LT1GonsemiMOSFET PFET 20V 0.160R TR
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.97 грн
11+ 30.02 грн
100+ 16.3 грн
500+ 11.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR0202PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR0202PLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.85 грн
36+ 21.18 грн
100+ 12.26 грн
500+ 8.08 грн
1000+ 5.77 грн
3000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
NVTR0202PLT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTR0202PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
6000+ 5.17 грн
9000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR0202PLT1GonsemiMOSFET PFET 20V 0.4A 80MOH
на замовлення 33926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
19+ 16.23 грн
100+ 7.35 грн
1000+ 5.7 грн
3000+ 4.7 грн
9000+ 4.37 грн
24000+ 4.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTR0202PLT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1A; 225mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NVTR0202PLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.26 грн
500+ 8.08 грн
1000+ 5.77 грн
3000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTR0202PLT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1A; 225mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NVTR0202PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.09 грн
17+ 17.05 грн
100+ 8.57 грн
500+ 7.13 грн
1000+ 5.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTR4502PT1GonsemiMOSFET PFET 30V 1.95A 20MO
на замовлення 80584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.64 грн
10+ 30.63 грн
100+ 18.55 грн
500+ 14.51 грн
1000+ 11.79 грн
3000+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.77 грн
14+ 43.99 грн
25+ 42.14 грн
100+ 31.37 грн
250+ 26.65 грн
500+ 22.43 грн
1000+ 16.15 грн
3000+ 15.98 грн
6000+ 15.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.43 грн
20+ 38.72 грн
100+ 25.79 грн
500+ 19.39 грн
1000+ 13.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
NVTR4502PT1GONSEMINVTR4502PT1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.99 грн
10+ 31.33 грн
100+ 23.41 грн
500+ 17.26 грн
1000+ 13.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+45.38 грн
332+ 35.03 грн
362+ 32.14 грн
500+ 27.17 грн
1000+ 18.12 грн
3000+ 17.21 грн
6000+ 16.76 грн
Мінімальне замовлення: 256
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.79 грн
500+ 19.39 грн
1000+ 13.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.41 грн
9000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.58 грн
6000+ 5.25 грн
9000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR4503NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.73W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+10.85 грн
55+ 6.76 грн
100+ 6 грн
155+ 5.21 грн
425+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 35
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 22
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.4 грн
9000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.36 грн
35+ 21.85 грн
100+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 26
NVTR4503NT1GonsemiMOSFET NFET SOT23 30V 2A 0.110R
на замовлення 188610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.06 грн
18+ 17.3 грн
100+ 7.55 грн
1000+ 5.9 грн
3000+ 5.1 грн
9000+ 4.51 грн
24000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
16+ 17.25 грн
100+ 8.7 грн
500+ 7.24 грн
1000+ 5.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR4503NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.73W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.02 грн
35+ 8.43 грн
100+ 7.21 грн
155+ 6.25 грн
425+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
NVTR4503NT1G транзистор
Код товару: 199485		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NVTS4409NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70
товар відсутній
NVTYS002N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS002N03CLTWGonsemiMOSFET T6 30V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS002N03CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS002N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTYS003N03CLTWGonsemiMOSFET T6 30V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS003N03CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS003N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.11 грн
10+ 57.63 грн
100+ 44.82 грн
500+ 35.66 грн
1000+ 29.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTYS003N04CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS003N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N04CLTWGonsemiMOSFET T6 40V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS003N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N04CTWGonsemiMOSFET T6 40V N-CH SL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS003N04CTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS004N03CLTWGonsemiMOSFET T6 30V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS004N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.66 грн
10+ 52.8 грн
100+ 41.09 грн
500+ 32.69 грн
1000+ 26.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS004N03CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS004N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS004N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.24 грн
10+ 55.56 грн
100+ 43.2 грн
500+ 34.37 грн
1000+ 27.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS004N04CLTWGonsemiMOSFET T6 40V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS004N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS004N04CLTWGON Semiconductor40V N-Channel Mosfet
товар відсутній
NVTYS004N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS004N04CTWGonsemiMOSFET T6 40V N-CH SL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS004N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS005N04CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS005N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS005N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS005N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
товар відсутній
NVTYS005N06CLTWGonsemiMCC
товар відсутній
NVTYS006N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS006N06CLTWGonsemiMOSFET T6 60V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS007N04CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS007N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS007N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
товар відсутній
NVTYS008N06CLTWGonsemiMOSFET T6 60V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS008N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.24 грн
10+ 55.22 грн
100+ 42.96 грн
500+ 34.17 грн
1000+ 27.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS008N06CLTWGON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS008N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTYS010N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS010N04CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS010N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.64 грн
10+ 51.35 грн
100+ 35.57 грн
500+ 27.89 грн
1000+ 23.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS010N04CLTWGonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS010N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.25 грн
6000+ 23.04 грн
9000+ 21.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTYS010N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.66 грн
10+ 55.49 грн
100+ 38.4 грн
500+ 30.11 грн
1000+ 25.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS010N06CLTWGonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, 60 V, 9.8 mohm, 51 A
товар відсутній
NVTYS010N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS010N06CLTWGON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS010N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS013N10MCLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS014P04M8LTWGonsemiDescription: MV8 40V LL SINGLE PCH L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS014P04M8LTWGonsemiMOSFET MV8 40V LL SINGLE PCH LFPAK 13 MOHMS MAX
товар відсутній
NVTYS025P04M8LTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVTYS025P04M8LTWGonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 255µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS025P04M8LTWGonsemiMOSFET MV8 40V P-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.59 грн
10+ 58.75 грн
100+ 39.82 грн
500+ 33.73 грн
1000+ 27.5 грн
3000+ 25.84 грн
6000+ 24.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS029N08HLTWGonsemionsemi T8 80V N-CH LL IN LFPAK33
товар відсутній
NVTYS029N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
товар відсутній
NVTYS029N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
товар відсутній
NVTYS029N08HTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 40 V
товар відсутній
NVTYS029N08HTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 40 V
товар відсутній
NVTYS040N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL, SINGLE NCH, LFPAK3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 27µA
товар відсутній
NVTYS040N10MCLTWGonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel,
товар відсутній
NVTYS040N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL, SINGLE NCH, LFPAK3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 27µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS9D6P04M8LTWGonsemiDescription: MV8 40V LL SINGLE PCH L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2368 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS9D6P04M8LTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній