Продукція > SI4

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

товар відсутній

SI4004DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4008BDY

на замовлення 570 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI400CF-021

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI400CF-022

на замовлення 998 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4010-B1-GS

RF Microcontrollers - MCU SoC RF transmitter with 8051

товар відсутній

SI4010-B1-GS

Crystal-SOC RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-B1-GS

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified

товар відсутній

SI4010-B1-GS

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4010-B1-GSR

Crystal-SOC RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-B1-GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4010-B1-GT

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4010-C2

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4010-C2-AS

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2-ASR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2-AT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube

товар відсутній

SI4010-C2-AT

RF Microcontrollers - MCU

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.15 грн
10+	249.93 грн
100+	198.11 грн
250+	190.16 грн
500+	174.26 грн
1000+	147.09 грн
2500+	139.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2-ATR

RF Microcontrollers - MCU

товар відсутній

SI4010-C2-ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100

на замовлення 580000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	206.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4010-C2-GS

RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 2938 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	405.06 грн
10+	310.12 грн
100+	254.43 грн
250+	233.23 грн
500+	186.85 грн
1176+	176.91 грн
10584+	171.61 грн

SI4010-C2-GS

RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
кількість в упаковці: 4 шт

на замовлення 112 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	429.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2-GS

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	375.41 грн
38+	306.35 грн
100+	274.36 грн

Мінімальне замовлення: 31

SI4010-C2-GS

SI4010-C2-GS SI4010
кількість в упаковці: 56 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4010-C2-GS

RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
кількість в упаковці: 4 шт

на замовлення 56 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	429.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2-GS

на замовлення 7249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	400.65 грн
10+	344.4 грн
56+	309.94 грн
112+	265.01 грн
280+	239.16 грн
504+	214.59 грн
1008+	178.02 грн

SI4010-C2-GSR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified

товар відсутній

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	208.05 грн
10+	204.96 грн
25+	201.8 грн
100+	191.61 грн
250+	174.59 грн
500+	164.96 грн
1000+	162.25 грн
3000+	159.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	182.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GSR

SI4010-C2-GSR SI4010
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4010-C2-GSR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified

товар відсутній

SI4010-C2-GSR

RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051

на замовлення 2908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	224.05 грн

Мінімальне замовлення: 52

SI4010-C2-GSR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC T/R

товар відсутній

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	169.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GT

MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
кількість в упаковці: 50 шт

товар відсутній

SI4010-C2-GT

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2-GT

RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	354.04 грн
10+	296.41 грн
100+	223.95 грн
250+	212.03 грн
500+	160.34 грн
1050+	155.71 грн
2100+	154.38 грн

SI4010-C2-GT

Crystal-SOC RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2-GT

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2-GT

на замовлення 587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.03 грн
10+	296.09 грн
50+	266.5 грн
100+	227.86 грн
250+	205.63 грн
500+	184.51 грн

SI4010-C2-GTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товар відсутній

SI4010-C2-GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	163.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GTR

Description: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8A
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

на замовлення 2197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	284.68 грн
10+	218.52 грн
25+	214.06 грн
50+	194.63 грн
100+	175.84 грн
250+	164.37 грн
500+	155.45 грн
1000+	143.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	185.96 грн

Мінімальне замовлення: 63

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2-GTR

MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	172.68 грн
10+	164.77 грн
25+	163.12 грн
100+	155.49 грн
250+	143.72 грн
500+	137.66 грн
1000+	137.35 грн
3000+	137.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2-GTR

RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051

на замовлення 2219 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.41 грн
10+	220.21 грн
100+	181.55 грн
250+	170.95 грн
500+	161.67 грн
1000+	148.42 грн
2500+	147.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 7377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.03 грн
10+	296.09 грн
25+	266.5 грн
100+	227.86 грн
250+	205.63 грн
500+	184.51 грн
1000+	153.06 грн

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	180.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2001AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2001ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2002AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2002ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2002GS

Description: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Strip
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4010-C2003AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	163.05 грн
75+	156.78 грн

Мінімальне замовлення: 72

SI4010-C2003AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	151.4 грн
10+	145.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2003AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	256.64 грн
10+	227.83 грн
100+	167.63 грн
250+	161.01 грн
500+	147.09 грн
1000+	128.54 грн
2500+	123.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2003ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2003ATR

High Performance RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2004AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2004AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4010-C2004AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	151.4 грн
10+	145.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	292.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	156.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2004ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	199.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C200FGT

Description: EZRADIO TX SUBG 8051 SOC

товар відсутній

SI4010-C200FGT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube

товар відсутній

SI4010-C200FGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товар відсутній

SI4010-C200RGT

Description: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 2487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	102.14 грн
116+	100.58 грн
118+	99.02 грн
120+	93.98 грн
250+	85.63 грн
500+	80.86 грн
1000+	79.53 грн

Мінімальне замовлення: 114

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товар відсутній

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 2487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	94.84 грн
10+	93.4 грн
25+	91.95 грн
100+	87.26 грн
250+	79.51 грн
500+	75.08 грн
1000+	73.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4010-C200YGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товар відсутній

SI4010-C2012GT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товар відсутній

SI4010-C2020GTR

Silicon Laboratories

товар відсутній

SI4010-C2020GTR

SI4010-C2020GTR

товар відсутній

SI4010-C2024GTR

SI4010-C2024GTR

товар відсутній

SI4010-C2025GT

SI4010-C2025GT

товар відсутній

SI4010-C2M0RGS

ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)

товар відсутній

SI4010-C2M0RGSR

ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)

товар відсутній

SI4010-C2M0SGS

SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME

товар відсутній

SI4010-C2M0SGSR

SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME

товар відсутній

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	181.64 грн
10+	178.66 грн
25+	175.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

товар відсутній

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4010-C2X-GS

SI4010-C2X-GS

товар відсутній

SI4010DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4010DY-T1-GE3

MOSFET N-Channel 30V

на замовлення 5649 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4010DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4011-C1001GT

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

товар відсутній

SI4011-C1001GTR

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4011-C1002GT

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

товар відсутній

SI4011-C100GGTR

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

товар відсутній

SI4011-C100JGTR

SI4011-C100JGTR SI4011
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4011-C100MGTR

SI4011-C100MGTR SI4011
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4011-C100NGTR

SI4011-C100NGTR SI4011
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4011-C2-GT

Description: IC TRANSMITTER EZRADIO 10MSOP

товар відсутній

SI4011-CA-GT

SI4011-CA-GT

товар відсутній

SI4011-CC-GT

Description: IC TRANSMITTER 10MSOP

товар відсутній

SI4011-CC-GTR

Description: IC TRANSMITTER 10MSOP

товар відсутній

SI4012-A0-GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP

товар відсутній

SI4012-A0-GT

SI4012-A0-GT SI4012
кількість в упаковці: 50 шт

товар відсутній

SI4012-A0-GTR

RF Transmitter

товар відсутній

SI4012-B1-GT

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4012-C1001GT

MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
кількість в упаковці: 50 шт

товар відсутній

SI4012-C1001GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tube
Features: Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.44 грн
10+	181.8 грн
50+	163.66 грн
100+	139.94 грн
250+	126.28 грн
500+	113.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4012-C1001GT

RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP Tube

товар відсутній

SI4012-C1001GT

Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GT - ZF-Sender, 27MHz bis 960MHz, FSK, OOK, 100kBaud, 10dBm, 1.8V bis 3.6V, MSOP-10
Übertragungsstrom: 19.8
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz, min.: 27
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Empfindlichkeit (dBm): -
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10
Übertragungsrate: 100
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 960
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

SI4012-C1001GT

RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.4 грн
10+	182.11 грн
100+	140.47 грн
250+	130.53 грн
500+	98.72 грн
1050+	98.06 грн
2100+	90.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4012-C1001GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: Crystal-less Operation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.44 грн
10+	181.8 грн
25+	163.66 грн
100+	139.94 грн
250+	126.28 грн
500+	113.31 грн
1000+	94 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4012-C1001GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4012-C1001GTR

RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товар відсутній

SI4012-C1001GTR

Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GTR - HF-Transmitter, 27 bis 960MHz, FSK/OOK, 10dBm Out, 100kBaud, 1.8 bis 3.6V, MSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8mA
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbaud
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.11 грн
10+	188.05 грн
25+	187.31 грн
50+	173.24 грн
100+	146.53 грн
250+	135.06 грн
500+	119.77 грн
1000+	103.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4012-C1001GTR

RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 7848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.22 грн
10+	192.02 грн
100+	136.49 грн
250+	129.87 грн
500+	116.61 грн
1000+	98.06 грн
2500+	92.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4012-C1001GTR

MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4018

ALUTRONIC

SI4018 Heatsinks - equipment

товар відсутній

SI4018-S

ALUTRONIC

SI4018-S Heatsinks - equipment

товар відсутній

SI4020

на замовлення 2350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4020-I1-FT

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4020
кількість в упаковці: 96 шт

товар відсутній

SI4020-I1-FT

Description: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 3dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 14mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4020-I1-FTR

Description: IC TX FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP

товар відсутній

SI4020-I1-FTR

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO)(NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SUGGESTE SI4020TSSOP
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SI4021

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4021-A1-FT

RF Transmitter TX SubG

товар відсутній

SI4021-A1-FT

Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4021-A1-FT

SI4021-A1-FT SI4021
кількість в упаковці: 96 шт

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4021-A1-FTR

Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4021-A1-FTR

TSSOP 16/TRANSMITTER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK IA4221 SI4021
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SI4021-A1-FTR

RF Transmitter TX SubG

товар відсутній

SI4021A1FTR

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4022-A0-FT

SI4022-A0-FT SI4022
кількість в упаковці: 96 шт

товар відсутній

SI4022-A0-FT

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP

товар відсутній

SI4022-A0-FTR

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4022
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SI4022-A0-FTR

RF Transmitter TX SubG

товар відсутній

SI4022-A0-FTR

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP

товар відсутній

SI4022-A1-FT

RF Transmitter FSK 3.3V 16-Pin TSSOP

товар відсутній

SI4022-A1-FT

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP

товар відсутній

SI4022-A1-FT

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4023-S

ALUTRONIC

SI4023-S Heatsinks - equipment

товар відсутній

SI4030-A0-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4030-A0-FMR

Description: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4030-A0-FMR

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

товар відсутній

SI4030-B1-FM

TX SubG +13dBm

товар відсутній

SI4030-B1-FM

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

товар відсутній

SI4030-B1-FM

ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4030-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4030-B1-FMR

QFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSMITTER (REV B1) SI4030
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4030-B1-FMR

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

товар відсутній

SI4030-B1-FMR

ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4030-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4031

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4031-A0-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4031-B1-FM

QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
кількість в упаковці: 91 шт

товар відсутній

SI4031-B1-FM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4031-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4031-B1-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4031-B1-FMR

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4031-B1-FMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4031-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4031-B1-FMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4031-B1-FMR

QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4032-B1-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4032-B1-FM

Description: SILICON LABS - SI4032-B1-FM - ZF-Sender, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 20dBm, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 240MHz
Anwendungen HF-Sender: Automatische Zählerauslesung, Haustechnik, Telemetrie mit geringer Leistungsaufnahme, drahtlose Alarm-/Sicherheitsanlagen
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C

на замовлення 3510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	431.1 грн
10+	376.84 грн
25+	312.92 грн
50+	260.2 грн
100+	221.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4032-B1-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4032-B1-FM

QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032
кількість в упаковці: 91 шт

товар відсутній

SI4032-B1-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4032-B1-FM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4032-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4032-B1-FMR

QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032QFN+Q221
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4032-B1-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4032-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4032-B1-FMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4032-B1-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4032-V2-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 80mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4032-V2-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tube

товар відсутній

SI4032-V2-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4032-V2-FMR

товар відсутній

SI4033-B2-FM

SI4033-B2-FM

товар відсутній

SI4033-B2-FMR

SI4033-B2-FMR

товар відсутній

SI4033-B2-FMR

SI4033B2-FMR EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4033
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4154DY-GE3

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SI4048DY-T1-E3

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4048DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4048DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4048DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4048DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4055-B1A-FM

Easy-to-use, low current, sub-GHz EZRadio transceiver

товар відсутній

SI4055-B1A-FM

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4055-B1A-FMR

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4055-B1A-ZMR

SI4055-B1A-ZMR SI4055
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4055-C2A-AM

RF Transceiver Transceiver AEC-Q100

товар відсутній

SI4055-C2A-AMR

RF Transceiver Transceiver AEC-Q100

товар відсутній

SI4055-C2A-GM

RF Transceiver Sub-GHz Transmitter

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.27 грн
10+	212.59 грн
100+	175.58 грн
250+	162.99 грн
500+	142.45 грн
1000+	141.79 грн
2450+	133.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4055-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4055-C2A-GM - HF-Sender, 284MHz bis 960MHz, 13dBm out, 1.8V bis 3.6V, QFN-EP, 20 Pins
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 284MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagen- & Toröffner, Hausautomatisierung, Sicherheits-/Alarmanlagen, industrielle Steuerung/Fernsteuerung, Telemetrie
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -116dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 500Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	260.89 грн
10+	217.04 грн
25+	211.09 грн
50+	189.8 грн
100+	154.81 грн
250+	147.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4055-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4055-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4055-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4055-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4055-C2A-GMR

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4056ADY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

товар відсутній

SI4056ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 1153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.91 грн
10+	46.66 грн
100+	32.3 грн
500+	25.33 грн
1000+	21.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4056ADY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm

на замовлення 7881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.15 грн
50+	45.12 грн
100+	35.08 грн
500+	27.19 грн
1000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 14

SI4056ADY-T1-GE3

MOSFET 100V N-CH D-S MOSFET

на замовлення 136108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.37 грн
10+	51.89 грн
100+	31.27 грн
500+	26.11 грн
1000+	23.59 грн
5000+	22.2 грн
10000+	22 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4056ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

товар відсутній

SI4056ADY-T1-GE3

товар відсутній

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	57.92 грн
12+	49.27 грн
25+	48.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4056ADY-T1-GE3

на замовлення 7881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.08 грн
500+	27.19 грн
1000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

товар відсутній

SI4056DY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SI4058DY-T1-GE3

на замовлення 28033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.54 грн
10+	53.03 грн
100+	32.2 грн
500+	26.9 грн
1000+	25.97 грн
5000+	25.51 грн
10000+	24.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4056DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; Idm: 70A; 3.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: SO8

товар відсутній

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	61.64 грн
11+	52.66 грн
25+	51.67 грн
100+	37.73 грн
250+	34.59 грн
500+	28.3 грн
1000+	21.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4056DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V

товар відсутній

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4056DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4056DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V

товар відсутній

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

Si4058DY-T1-GE3

Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Base Part Number: SI4058
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA

товар відсутній

SI4058DY-T1-GE3
Код товару: 182910

товар відсутній

SI4058DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 5.6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.5 грн
500+	21.33 грн
1000+	19.37 грн
2500+	19.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

Si4058DY-T1-GE3

SI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4058DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0217ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.58 грн
21+	35.83 грн
100+	27.5 грн
500+	21.33 грн
1000+	19.37 грн
2500+	19.11 грн

Мінімальне замовлення: 19

SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

Si4058DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 633 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Si4058DY-T1-GE3

Description: Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Base Part Number: SI4058
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id

товар відсутній

SI4060-B0B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN

товар відсутній

SI4060-B0B-FM

QFN 20/I°/TX SI4060QFN
кількість в упаковці: 75 шт

товар відсутній

SI4060-B0B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/TX SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4060-B0B-FMR

SI4060-B0B-FMR

товар відсутній

SI4060-B1B-FM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4060-B1B-FM

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4060-B1B-FM

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4060-B1B-FM

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4060-B1B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	375.57 грн
10+	323.42 грн
25+	291.09 грн
80+	248.92 грн
230+	224.63 грн
490+	201.56 грн
980+	167.2 грн

SI4060-B1B-FM

QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 75 шт

товар відсутній

SI4060-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	176.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 237500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	194.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4060-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 7504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	371.98 грн

SI4060-B1B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4060-B1B-FMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4060-B1B-FMR

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4060-C2A-AM

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товар відсутній

SI4060-C2A-AMR

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товар відсутній

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	117.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	385.73 грн
10+	294.88 грн
100+	231.24 грн
250+	207.39 грн
500+	175.58 грн
1000+	174.92 грн
2450+	165.65 грн

SI4060-C2A-GM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	375.57 грн
10+	323.42 грн
25+	291.09 грн
80+	248.92 грн
230+	224.63 грн
490+	201.56 грн
980+	167.2 грн

SI4060-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4060-C2A-GM - ZF-Sender, 142MHz bis 1.05GHz, 4(G)FSK,MSK, OOK, 1MB/s, 24mA, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.8V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor-/Türöffner, Sicherheits-/Alarmanlagen, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-System
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.8V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	328.53 грн
10+	266.84 грн
25+	250.49 грн
50+	218.1 грн
100+	187.31 грн
250+	177.75 грн
500+	159.27 грн
1000+	134.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 6807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	342.44 грн
10+	306.31 грн
100+	223.29 грн
250+	212.69 грн
500+	194.14 грн
1000+	179.56 грн
2500+	161.01 грн

SI4060-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN

товар відсутній

SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.2mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.7A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 32.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 7.8
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 1956 шт:

термін постачання 287-296 дні (днів)

3+	118.27 грн
10+	96.01 грн
100+	64.73 грн
500+	55.26 грн
1000+	45.06 грн
2500+	42.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4062DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4063-B0B-FM

QFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 75 шт

товар відсутній

SI4063-B0B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4063-B0B-FMR

QFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4063-B0B-FMR

SI4063-B0B-FMR

товар відсутній

SI4063-B1B-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4063-B1B-FM

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4063-B1B-FM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4063-B1B-FM

товар відсутній

SI4063-B1B-FM
Код товару: 170485

Модульні елементи > Радіомодулі

товар відсутній

SI4063-B1B-FM

QFN 20/I°/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO TRANSMITTER SI4063QFN
кількість в упаковці: 75 шт

товар відсутній

SI4063-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	216.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4063-B1B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	254.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4063-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 14900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	454.41 грн
10+	391.06 грн
25+	351.94 грн
100+	300.92 грн
250+	271.56 грн
500+	243.67 грн
1000+	202.14 грн

SI4063-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	273.6 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4063-B1B-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 7347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	347.08 грн
10+	275.83 грн
100+	217.99 грн
250+	197.45 грн
500+	194.8 грн

SI4063-C2A-AM

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товар відсутній

SI4063-C2A-AMR

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товар відсутній

SI4063-C2A-GM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	487.38 грн
10+	419.29 грн
25+	377.37 грн
80+	322.66 грн

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	504 грн
10+	414.51 грн
100+	280.27 грн
250+	251.12 грн
500+	212.03 грн
1000+	208.71 грн
2450+	203.41 грн

SI4063-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4063-C2A-GM - HF-Transmitter, 142MHZ bis 1.05GHz, 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK, 1Mbit/s, 1.8 bis 3.6V, QFN-EP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 68.5mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Heimautomation, industrielle Steuerung, Fernsteuerung, Smart-Metering
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	529.96 грн
10+	417.72 грн
25+	383.53 грн
50+	323.7 грн
100+	269.49 грн
250+	241.46 грн
500+	203.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 2259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	441.39 грн
10+	362.7 грн
100+	194.8 грн

SI4063-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	485.4 грн
10+	430.41 грн
25+	387.13 грн
100+	335.38 грн
250+	279.02 грн
500+	237.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	522.74 грн
26+	463.51 грн
28+	416.91 грн
100+	361.18 грн
250+	300.49 грн
500+	256.28 грн

Мінімальне замовлення: 23

SI4063-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI407DNPLCC

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4090BDY-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4090BDY-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.36 грн
10+	90.35 грн
100+	70.44 грн
500+	54.61 грн
1000+	43.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4090BDY-T1-GE3

SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	99.09 грн
10+	84.34 грн
25+	78.81 грн
100+	58.92 грн
250+	54.01 грн
500+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4090DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4090DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4090DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 11899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI40SL0116-70T

на замовлення 212 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI40SL0416-75T

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI41

IDEC

Enclosures, Boxes, & Cases METAL BOX/SCAT. P41/44

товар відсутній

SI410

01+ SOP

на замовлення 197 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4100DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4100DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 30752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.86 грн
10+	66.05 грн
100+	51.37 грн
500+	40.86 грн
1000+	33.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4100DY-T1-E3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 16317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4100DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.5 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4100DY-T1-E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4100DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.67 грн
5000+	31.8 грн
12500+	30.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4100DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.69 грн
500+	48.52 грн
1000+	35.36 грн
2500+	34.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4100DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 7295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.86 грн
10+	66.05 грн
100+	51.37 грн
500+	40.86 грн
1000+	33.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4100DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.86 грн
10+	78.04 грн
100+	56.86 грн
500+	43.9 грн
1000+	36.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	86.82 грн
135+	86.07 грн
140+	83.04 грн
171+	65.73 грн
250+	59.2 грн
500+	50.39 грн

Мінімальне замовлення: 134

SI4100DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.67 грн
5000+	31.8 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4100DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 7802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.85 грн
10+	81.53 грн
100+	55.79 грн
500+	47.24 грн
1000+	37.3 грн
2500+	34.79 грн
5000+	33.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	93.79 грн
10+	80.62 грн
25+	79.92 грн
50+	74.36 грн
100+	56.52 грн
250+	52.77 грн
500+	46.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4100DYT1E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4101

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4101DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 13748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.91 грн
13+	59.61 грн
100+	42.14 грн
500+	30.92 грн
1000+	22.81 грн
2500+	22.74 грн
5000+	22.36 грн
10000+	21.47 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SI4101DY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 97050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.21 грн
10+	47.55 грн
100+	29.42 грн
500+	25.11 грн
1000+	21.6 грн
2500+	19.41 грн
5000+	18.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	63.8 грн
11+	56.71 грн
25+	55.62 грн
50+	53.1 грн
100+	37.9 грн
250+	36.03 грн
500+	28.05 грн
1000+	22.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4101DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V

на замовлення 12305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.34 грн
10+	47.62 грн
100+	32.97 грн
500+	25.85 грн
1000+	22 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4101DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 13748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.14 грн
500+	30.92 грн
1000+	22.81 грн
2500+	22.74 грн
5000+	22.36 грн
10000+	21.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4101DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.69 грн
5000+	19.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

191+	61.08 грн
193+	60.38 грн
255+	44.08 грн
257+	40.41 грн
500+	30.21 грн
1000+	24.04 грн

Мінімальне замовлення: 191

SI4102DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

товар відсутній

SI4102DY-T1-E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

товар відсутній

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4102DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 3318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4102DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4103DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO

на замовлення 4010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SI4103DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4103DY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 118920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.18 грн
10+	44.58 грн
100+	27.43 грн
500+	22.93 грн
1000+	19.55 грн
2500+	18.82 грн
10000+	17.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4103DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	25.37 грн
24+	24.08 грн
25+	23.92 грн
50+	22.77 грн
100+	19 грн
250+	17.93 грн
500+	17.03 грн
1000+	15.57 грн

Мінімальне замовлення: 23

SI4103DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 9838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.73 грн
16+	47.87 грн
100+	35.9 грн
500+	26.37 грн
1000+	19.43 грн
2500+	18.79 грн
5000+	18.48 грн

Мінімальне замовлення: 13

SI4104DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

товар відсутній

SI4104DY-T1-E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4104DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

товар відсутній

SI4104DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

товар відсутній

SI4104DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4108DY-T1-E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4108DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V

товар відсутній

SI4108DYT1E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI410A

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110-KT

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110DY-T1-E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110DY-T1-E3

PN may be NE

товар відсутній

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

товар відсутній

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

товар відсутній

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

товар відсутній

SI4110DY-T1-GE3

на замовлення 124200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110DYT1E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110KT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112-BM

на замовлення 434 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112-BM

Description: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

товар відсутній

SI4112-BT

SILICONIX

0544

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112-BT
Код товару: 47301

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

SI4112-BT

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

товар відсутній

SI4112-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4112-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товар відсутній

SI4112-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT

на замовлення 1389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	414.33 грн
10+	381.75 грн
25+	281.6 грн
100+	269.67 грн
250+	256.42 грн
490+	229.92 грн
2940+	221.3 грн

SI4112-D-GM

MLP 28/I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 490 шт

товар відсутній

SI4112-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	475.91 грн
10+	420.19 грн
25+	382.01 грн
80+	322.65 грн
230+	295.76 грн
490+	268.87 грн
980+	261.85 грн

SI4112-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 5918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	445.81 грн
10+	393.41 грн
25+	357.68 грн
100+	302.09 грн
250+	276.92 грн
500+	251.75 грн
1000+	222.86 грн

SI4112-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

товар відсутній

SI4112-D-GMR

Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4112-D-GMR

MLP 28/?I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4112-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	241.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

товар відсутній

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	276.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4112-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

на замовлення 7440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	444.38 грн
10+	392.03 грн
25+	356.41 грн
100+	301.02 грн
250+	275.93 грн
500+	250.85 грн

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	273.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4112-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товар відсутній

SI4112-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF Synthesizer with IF output

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4112-D-GT

SI4112
кількість в упаковці: 62 шт

товар відсутній

SI4112-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

товар відсутній

SI4112-D-GTR

Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free

товар відсутній

SI4112-D-GTR

TSSOP 24/I°/IF Synthesizer IF Only SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4112-D-GTR

RF Synthesizer with IF OUs

товар відсутній

SI4112-EVB

RF Development Tools IF Only Evaluation Board TSSOP

товар відсутній

SI4112-EVB

TSSOP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4112
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4112-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112

товар відсутній

SI4112BT

на замовлення 235 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112G-BM

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112

товар відсутній

SI4112M-EVB

RF Development Tools IF Only Evaluation Board MLP

товар відсутній

SI4112M-EVB

MLP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD SI4112
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4113-BMR

на замовлення 7280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4113-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товар відсутній

SI4113-D-GM

QFN 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS SI4113
кількість в упаковці: 490 шт

товар відсутній

SI4113-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	703.44 грн
10+	626.34 грн
25+	519.46 грн
100+	451.22 грн
250+	430.68 грн
490+	379.66 грн
980+	358.46 грн

SI4113-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN Tray

товар відсутній

SI4113-D-GM

Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4113-D-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

товар відсутній

SI4113-D-GMR

MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4113-D-GMR

RF Wireless Misc Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free

товар відсутній

SI4113-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R

на замовлення 52500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	473.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4113-D-GT

SLLSI4113-D-GT SI4113
кількість в упаковці: 62 шт

товар відсутній

SI4113-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	703.44 грн
10+	626.34 грн
25+	519.46 грн
100+	475.07 грн
248+	463.81 грн
558+	443.27 грн
1054+	397.55 грн

SI4113-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube

товар відсутній

SI4113-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товар відсутній

SI4113-D-GTR

Clock Generators & Support Products Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free

товар відсутній

SI4113-D-GTR

IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товар відсутній

SI4113-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товар відсутній

SI4113-D-GTR

TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4113-D-ZT1

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товар відсутній

SI4113-EVB

TSSOP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4113
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4113-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board TSSOP

товар відсутній

SI4113-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113

товар відсутній

SI4113G-BT

на замовлення 105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4113GM

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4113M-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4113M-EVB

MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4113M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113

товар відсутній

SI4113ZT1

N/A

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4114DY-T1-E3

SI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4114DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.84 грн
10+	105.6 грн
100+	84.9 грн
500+	65.46 грн
1000+	54.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4114DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4114DY-T1-E3

MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8

на замовлення 4620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4114DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V

товар відсутній

SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4114DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4114DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8

на замовлення 12468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.04 грн
10+	105.15 грн
100+	73.55 грн
500+	60.82 грн
1000+	49.96 грн
2500+	46.51 грн
5000+	42.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	38.4 грн
25+	38.32 грн
100+	36.57 грн
250+	33.53 грн
500+	31.85 грн
1000+	31.52 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI4114DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4114DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4114G-B-GM

Description: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

товар відсутній

SI4114G-BM

Description: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

товар відсутній

SI4114G-BMR

03+ CLCC

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4114GM-EVB

Description: BOARD EVAL SI4114G-BM

товар відсутній

SI4115G-BM

Description: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

товар відсутній

SI4115G-BMR

на замовлення 67790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4116DY-T1-E3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8

на замовлення 3411 шт:

термін постачання 714-723 дні (днів)

4+	100.49 грн
10+	89.15 грн
100+	60.36 грн
500+	49.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.6 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4116DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4116DY-T1-E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	39.22 грн
25+	39.12 грн
100+	34.7 грн
250+	32.03 грн
500+	29.07 грн
1000+	28.44 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI4116DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

товар відсутній

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4116DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.91 грн
500+	45.97 грн
1000+	33.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4116DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.86 грн
10+	81.76 грн
100+	59.91 грн
500+	45.97 грн
1000+	33.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4116DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V

на замовлення 561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.56 грн
10+	62.6 грн
100+	48.67 грн
500+	38.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4116DY-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8

на замовлення 7146 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.58 грн
10+	76.2 грн
100+	51.55 грн
500+	42.6 грн
1000+	33.66 грн
2500+	32.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	70.34 грн
10+	60.95 грн
25+	59.86 грн
100+	44.05 грн
250+	40.23 грн
500+	32.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

SI4116DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4116DYT1E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4120

на замовлення 363 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4120-KT

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4120KT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4122-BT

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122-BTR

на замовлення 1370 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122-D-GM

RF synthesizer with RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4122-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товар відсутній

SI4122-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	766.83 грн
10+	682.72 грн
25+	469.11 грн
100+	430.01 грн

SI4122-D-GM

Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

товар відсутній

SI4122-D-GM

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 490 шт

товар відсутній

SI4122-D-GMR

Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

товар відсутній

SI4122-D-GMR

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4122-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

товар відсутній

SI4122-D-GMR

RF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free

товар відсутній

SI4122-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4122-D-GT

RF synthesizer with RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4122-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4122-D-GT

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 62 шт

товар відсутній

SI4122-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4122-D-GTR

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4122-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122

товар відсутній

SI4122-EVB

TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4122-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

товар відсутній

SI4122BT

на замовлення 238 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122DY-T1-E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 70A

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 9522 шт:

термін постачання 319-328 дні (днів)

2+	170.06 грн
10+	139.44 грн
100+	96.74 грн
250+	89.45 грн
500+	80.83 грн
1000+	69.57 грн
2500+	68.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4122DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 27.2
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 4207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.85 грн
10+	162.78 грн
100+	132.3 грн
500+	101.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4122DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3
Код товару: 188744

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3

10+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122DYT1E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122G-BMR

2000

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122M-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP

товар відсутній

SI4122M-EVB

MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4122M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122

товар відсутній

SI4123-BM

Description: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP

товар відсутній

SI4123-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4123-BT

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4123-D-GM

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF), LEAD FREE SI4123
кількість в упаковці: 490 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4123-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	707.42 грн
10+	624.21 грн
25+	567.45 грн
80+	479.26 грн
230+	439.32 грн
490+	399.38 грн
980+	353.55 грн

SI4123-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	745.96 грн
10+	664.44 грн
25+	550.6 грн
100+	478.38 грн
250+	456.52 грн
490+	416.1 грн
980+	379.66 грн

SI4123-D-GM

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товар відсутній

SI4123-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товар відсутній

SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товар відсутній

SI4123-D-GMR

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4123-D-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP

товар відсутній

SI4123-D-GMR

Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free

товар відсутній

SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товар відсутній

SI4123-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

товар відсутній

SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

на замовлення 1133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	621.12 грн
10+	575.49 грн
25+	548.87 грн
100+	508.13 грн

SI4123-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube

товар відсутній

SI4123-D-GT

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товар відсутній

SI4123-D-GT

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 62 шт

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4123-D-GT

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товар відсутній

SI4123-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	660.11 грн
10+	582.31 грн
25+	529.4 грн
100+	447.14 грн
250+	409.88 грн

SI4123-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4123-D-GTR

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4123-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4123-D-GTR

Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free

товар відсутній

SI4123-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

товар відсутній

SI4123-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board TSSOP

товар відсутній

SI4123-EVB

TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4123
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4123BM

QFN

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4123BM

на замовлення 2090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4123M-EVB

MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD SI4123
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4123M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

товар відсутній

SI4123M-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board MLP

товар відсутній

SI4124DY-T1-E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4124DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

товар відсутній

SI4124DY-T1-E3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

товар відсутній

SI4124DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4124DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 384-393 дні (днів)

2+	167.74 грн
10+	149.35 грн
25+	128.54 грн
100+	104.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4124DYT1E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126

O246+ QFN

на замовлення 1345 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-BM

Description: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP

товар відсутній

SI4126-BM

на замовлення 1474 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-BMR

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-BMR

на замовлення 915 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-BMR

03+

на замовлення 4105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-F-BM

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

товар відсутній

SI4126-F-BMR

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

товар відсутній

SI4126-F-GM

QFN 28/I°/WLAN Synthesizer (RF2/IF) SI4126
кількість в упаковці: 490 шт

товар відсутній

SI4126-F-GM

RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.3 GHz/IF output

товар відсутній

SI4126-F-GM

Description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

товар відсутній

SI4126-F-GMR

RF Wireless Misc WLAN Synthesizer (RF2/IF), lead free

товар відсутній

SI4126-F-GMR

Description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

товар відсутній

SI4126-F-GMR

MLP 28/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF), LEAD FREE SI4126
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4126-GM

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126BM

на замовлення 626 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126BM

N/A

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126DY-T1-E3

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	72.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4126DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: SO8

товар відсутній

SI4126DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	158.24 грн
10+	136.66 грн
25+	134.21 грн
100+	102.35 грн
250+	92.49 грн
500+	76.47 грн
1000+	64.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4126DY-T1-GE3

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V

на замовлення 2539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.83 грн
10+	127.96 грн
100+	101.82 грн
500+	80.85 грн
1000+	68.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4126DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 4652 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	170.84 грн
10+	140.2 грн
100+	97.4 грн
250+	92.1 грн
500+	81.5 грн
1000+	70.23 грн
2500+	66.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4126DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4126DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4126M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4126

товар відсутній

SI4126M-EVB

MLP/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4126
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4128BDY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V

товар відсутній

SI4128DY

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4128DY-T1-E3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 3326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.83 грн
10+	37.18 грн
100+	22.46 грн
500+	18.75 грн
1000+	15.97 грн
2500+	13.91 грн
5000+	13.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4128DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.1 грн
5000+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4128DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4128DY-T1-E3

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4128DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 9616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.14 грн
10+	33.13 грн
100+	22.96 грн
500+	18 грн
1000+	15.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4128DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4128DY-T1-GE3

на замовлення 4058 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.14 грн
10+	33.47 грн
100+	23.17 грн
500+	18.17 грн
1000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4128DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4128DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

на замовлення 3971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.24 грн
19+	40.14 грн
100+	25.2 грн
500+	19.53 грн
1000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 16

SI4128DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.7A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4128DY-T1-GE3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4128DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	38.28 грн
18+	32.23 грн
25+	31.7 грн

Мінімальне замовлення: 16

SI4128DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4128DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 37083 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.83 грн
10+	37.18 грн
100+	22.46 грн
500+	18.75 грн
1000+	15.97 грн
2500+	15.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4128DY-TI-GE3

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132-BT

на замовлення 798 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132-KT

на замовлення 714 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132-KT

09+

на замовлення 757 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132-SB

на замовлення 93 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132BT

на замовлення 798 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132KT

на замовлення 757 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132SB

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133-BMR

SILICONI

00+ CLCC

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133-BT

Description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4133-BT

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133-BT/GT

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133-D-GM

MLP 28/I°/Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4133
кількість в упаковці: 490 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4133-D-GM

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4133-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 3884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	711.72 грн
10+	620.07 грн
25+	571.12 грн
80+	490.03 грн
230+	459.4 грн
490+	428.78 грн
980+	400.66 грн

SI4133-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

на замовлення 2929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	682.57 грн
10+	624.81 грн
25+	491.63 грн
100+	473.08 грн
250+	441.94 грн
490+	419.41 грн
980+	418.75 грн

SI4133-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товар відсутній

SI4133-D-GMR

RF Wireless Misc RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

товар відсутній

SI4133-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R

товар відсутній

SI4133-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 4318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	711.72 грн
10+	620.07 грн
25+	571.12 грн
100+	490.03 грн
250+	459.4 грн
500+	428.78 грн
1000+	400.66 грн

SI4133-D-GMR

MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF), LEAD FREE SI4133
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4133-D-GMR

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4133-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	432.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4133-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товар відсутній

SI4133-D-GT

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 1127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	711.72 грн
10+	620.07 грн
62+	571.12 грн
124+	490.03 грн
310+	459.41 грн
558+	428.78 грн
1054+	400.66 грн

SI4133-D-GT

TSSOP 24/I°/Dual-Band RF Synthesizer SI4133
кількість в упаковці: 62 шт

товар відсутній

SI4133-D-GT

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4133-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	784.61 грн
10+	710.92 грн
25+	593.01 грн
100+	522.11 грн
248+	496.27 грн
558+	464.47 грн
1054+	438.63 грн

SI4133-D-GT

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4133-D-GTR

Clock Generators & Support Products RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

товар відсутній

SI4133-D-GTR

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4133-D-GTR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R

товар відсутній

SI4133-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4133-D-GTR

TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4133
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4133-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4133-EVB

Si4133-BT Clock Generator and Synthesizer Evaluation Kit

товар відсутній

SI4133-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4133-EVB

SLLSI4133-EVB SI4133
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4133-GM

на замовлення 460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133B-BM

на замовлення 219 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

Si4133BM

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133F-BMR

03+

на замовлення 2937 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-BM

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-BT

SILCON

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-BTR

0050

на замовлення 848 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-BTR

SILI

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-XM2

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-XM2R

2003

на замовлення 1385 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-XMZ

на замовлення 546 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GBM

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GBMR

SLAB

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GBMR

SLAB

0011

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GBT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GM

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GM-EVB

Mobile Development Tools Dual-Band GSM RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board, Not recommended for new designs, Recommended replacement is Si4133M-EVB

товар відсутній

SI4133GX2-BM

Description: IC SYNTH DUAL GSM RF(RF1/RF2/IF)

товар відсутній

SI4133GX2M-EVB

Description: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI

товар відсутній

SI4133GXM2

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133M-EVB

MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4133
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4133M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133

товар відсутній

SI4133M-EVB

Si4133-BM PLL Evaluation Board

товар відсутній

SI4133M-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4133T-BM

09+

на замовлення 350018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-BM

04+ CLCC

на замовлення 2388 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-BM

Description: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

товар відсутній

SI4133T-BM

QFN??

на замовлення 43 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-BMR

2004

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-BMR

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-GM

Description: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

товар відсутній

SI4133T-GM

на замовлення 53500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-MB

2004

на замовлення 179 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133TBM

03+

на замовлення 2066 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133W-BM

на замовлення 390 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133W-BMR

2002

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133W-D-GM

0602

на замовлення 78 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133WM-EVB

Description: KIT EVAL FOR SI4133W-BM
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133W-BM
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

SI4134DY

на замовлення 163 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 4212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.17 грн
10+	41.83 грн
100+	28.97 грн
500+	22.71 грн
1000+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4134DY-T1-E3

1027+ SOP8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4134DY-T1-E3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 67067 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	44.6 грн
10+	39.09 грн
100+	25.77 грн
500+	22.79 грн
1000+	19.94 грн
2500+	17.23 грн
5000+	16.23 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4134DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 3474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.17 грн
10+	41.83 грн
100+	28.97 грн
500+	22.71 грн
1000+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4134DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 7442 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.89 грн
17+	21.05 грн
25+	18.91 грн
58+	13.76 грн
158+	13.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4134DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 14421 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.65 грн
10+	45.79 грн
100+	28.03 грн
500+	23.39 грн
1000+	19.94 грн
2500+	16.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4134DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm

на замовлення 65560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.7 грн
500+	25.33 грн
1000+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4134DY-T1-GE3

Siliconix

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	13.42 грн

Мінімальне замовлення: 50

SI4134DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4134DY-T1-GE3

на замовлення 65560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.55 грн
50+	42.66 грн
100+	32.7 грн
500+	25.33 грн
1000+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4134DY-T1-GE3

на замовлення 7442 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	64.67 грн
10+	26.23 грн
25+	22.69 грн
58+	16.51 грн
158+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4134T-BM

09+

на замовлення 318 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-BM

QFN32

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-BM

Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

товар відсутній

SI4134T-BMR

QFN

на замовлення 1776 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-BMR

QFN??

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-GM

Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

товар відсутній

SI4134T-GM

09+

на замовлення 9018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-GMR

04+

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136-BM

Description: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP

товар відсутній

SI4136-BM

09+

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136-BT

Clock Generator 2MHz to 50MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R

товар відсутній

SI4136-Bt

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136-Bt

Description: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4136-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4136
Frequency: 2.3GHz ~ 2.5GHz, 2.025GHz ~ 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

товар відсутній

SI4136-EVB

ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS

товар відсутній

SI4136-EVB

TSSOP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-TS SI4136
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4136-EVB

RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4136-F-BM

Description: IC FREQUENCY SYNTH 28QFN

товар відсутній

SI4136-F-BT

Description: IC FREQUENCY SYNTH 24TSSOP

товар відсутній

SI4136-F-GM

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28QFN

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	794.14 грн

SI4136-F-GM

QFN 28/I°/WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 490 шт

товар відсутній

SI4136-F-GM

RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4136-F-GMR

MLP 28/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4136-F-GMR

Clock Generators & Support Products WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free

товар відсутній

SI4136-F-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

товар відсутній

SI4136-F-GT

Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	855.06 грн
10+	754.65 грн

SI4136-F-GT

TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 62 шт

товар відсутній

SI4136-F-GT

RF Wireless Misc RF Synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4136-F-GTR

TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4136-F-GTR

RF Wireless Misc WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free

товар відсутній

SI4136-F-GTR

Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

товар відсутній

SI4136-GM

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136-XM-GT

на замовлення 3848 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136BM

на замовлення 154 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136BT

09+ TSSOP24

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136DY

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136DY-T1-E3

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4136DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4136DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO

товар відсутній

SI4136DY-T1-GE3

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4136DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SI4136DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 21393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.31 грн
10+	79.24 грн
100+	54.73 грн
500+	46.78 грн
1000+	41.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4136M-EVB

RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP

товар відсутній

SI4136M-EVB

MLP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4136
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4136M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136

товар відсутній

SI4136XM-BT

SILCON

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136XM-BT

09+ TSSOP24

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136XM-BT

на замовлення 5998 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136XM-BTR

на замовлення 652 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136XM-GT

на замовлення 626 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4137-BM

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4137BM

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4143DY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 63860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.96 грн
10+	46.18 грн
100+	27.83 грн
500+	23.26 грн
1000+	19.81 грн
2500+	18.68 грн
5000+	16.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4143DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V

на замовлення 2526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.17 грн
10+	42.1 грн
100+	29.15 грн
500+	22.86 грн
1000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4143DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4143DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SI4143DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4143DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm

на замовлення 14517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.58 грн
15+	50.39 грн
100+	31.81 грн
500+	24.71 грн
1000+	17.2 грн
5000+	17.01 грн

Мінімальне замовлення: 13

SI4143DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 13260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.16 грн
500+	27.19 грн
1000+	20.13 грн
2500+	20.07 грн
5000+	18.73 грн
10000+	17.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4148DY-T1

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI415

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI415

01+ SOP

на замовлення 1078 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4151DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 20.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5.6
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

SI4151DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V

на замовлення 4129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.84 грн
10+	62.25 грн
100+	48.42 грн
500+	38.52 грн
1000+	31.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4151DY-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.5A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -150A
Gate charge: 87nC
Mounting: SMD

товар відсутній

SI4151DY-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V MOSFET

на замовлення 15455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.8 грн
10+	69.26 грн
100+	46.84 грн
500+	45.06 грн
2500+	38.3 грн
5000+	37.5 грн
10000+	36.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4151DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4151DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4151DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4151DY-T1-GE3

Micro Commercial Components (MCC)

Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A T/R

товар відсутній

SI4153-TP

MOSFET N-Ch Enh FET 20Vdss 6Vgss 0.9215A 150mW

товар відсутній

SI4153-TP

Micro Commercial Components

Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-523 T/R

товар відсутній

SI4153DY-T1-GE3

SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SI4153DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

товар відсутній

SI4153DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	54.56 грн
17+	46.01 грн
100+	28.47 грн
500+	22.16 грн
1000+	15.1 грн
5000+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 14

SI4153DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30-V MSFT

на замовлення 15648 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.63 грн
10+	42.82 грн
100+	25.38 грн
500+	21.27 грн
1000+	18.62 грн
2500+	15.7 грн
5000+	15.17 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4153DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

товар відсутній

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4154DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO

товар відсутній

SI4154DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

SI4154DY-T1-GE3
Код товару: 184243

товар відсутній

SI4154DY-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 16465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4154DY-T1-GE3

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4154DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO

товар відсутній

SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4154DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	50.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4155DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	64.81 грн
14+	54.71 грн
100+	38.35 грн
500+	28.16 грн
1000+	20.83 грн
2500+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI4155DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4155DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 4.5W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.35 грн
500+	28.16 грн
1000+	20.83 грн
2500+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4155DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

на замовлення 3727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.79 грн
10+	53.97 грн
100+	41.36 грн
500+	30.68 грн
1000+	24.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4156DY-T1-E3

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4156DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A

товар відсутній

SI4156DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 64592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.7 грн
10+	52.12 грн
100+	35.25 грн
500+	29.88 грн
1000+	24.32 грн
2500+	22.13 грн
5000+	21.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4156DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.32 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4156DY-T1-GE3

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4156DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 3045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.46 грн
13+	61.17 грн
100+	47.79 грн
500+	36.65 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4156DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.77 грн
10+	46.31 грн
100+	36.03 грн
500+	28.66 грн
1000+	23.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4156DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4158DY-T1-E3

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4158DY-T1-GE3

MOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V

товар відсутній

SI4158DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO

товар відсутній

SI4160DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4160DY-T1-EG3

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4160DY-T1-GE3

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4160DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 14229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.17 грн
10+	86.86 грн
100+	58.64 грн
500+	48.43 грн
1000+	38.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4160DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4160DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	96.76 грн
10+	83.37 грн
100+	65 грн
500+	50.39 грн
1000+	39.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4160DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	74.33 грн
12+	64.81 грн
100+	47.72 грн
500+	37.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4160DY-TI-GE3

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4162DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4162DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V

на замовлення 27938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.21 грн
10+	50.25 грн
100+	34.76 грн
500+	27.26 грн
1000+	23.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4162DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm

на замовлення 67452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.25 грн
500+	30.44 грн
1000+	23.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4162DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.86 грн
5000+	20.86 грн
12500+	19.31 грн
25000+	17.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4162DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1861 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	35.68 грн
25+	31.05 грн
42+	23.27 грн
115+	22.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4162DY-T1-GE3

на замовлення 67452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.36 грн
50+	50.84 грн
100+	39.25 грн
500+	30.44 грн
1000+	23.89 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4162DY-T1-GE3

на замовлення 1861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	29.73 грн
25+	24.92 грн
42+	19.39 грн
115+	18.36 грн

Мінімальне замовлення: 13

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.15 грн
5000+	22.98 грн
10000+	21.38 грн
15000+	19.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4162DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 20398 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.4 грн
10+	55.85 грн
100+	33.66 грн
500+	28.09 грн
1000+	23.92 грн
2500+	19.35 грн
5000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4164DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4164DY-T1-E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4164DY-T1-GE3
Код товару: 186845

товар відсутній

SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4164DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®

товар відсутній

SI4164DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V

на замовлення 33401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.36 грн
10+	82.82 грн
100+	64.42 грн
500+	51.24 грн
1000+	41.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4164DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4164DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 33627 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.09 грн
10+	91.44 грн
100+	61.42 грн
500+	52.08 грн
1000+	42.47 грн
2500+	40.48 грн
5000+	38.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4164DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.48 грн
5000+	39.88 грн
12500+	38.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4164DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm

на замовлення 2263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	110.75 грн
10+	83.99 грн
100+	61.92 грн
500+	48.8 грн
1000+	34.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4164DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 3789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.35 грн
10+	73 грн
100+	52.54 грн
500+	46.51 грн
1000+	37.97 грн
2500+	33.92 грн
10000+	33.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	38.94 грн
25+	38.55 грн
50+	36.8 грн
100+	32.81 грн
250+	31.19 грн
500+	29.61 грн
1000+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI4166DY-T1-GE3

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.56 грн
13+	60.65 грн
100+	47.12 грн
500+	38.79 грн
1000+	26.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4166DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.33 грн
10+	74.82 грн
100+	58.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	41.92 грн
280+	41.5 грн
283+	41.08 грн
294+	38.13 грн
297+	34.96 грн
500+	31.77 грн
1000+	31.55 грн

Мінімальне замовлення: 278

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4166DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SI4166DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4166DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4168DY

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4168DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4168DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4168DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4168DY-T1-GE3

на замовлення 652 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4168DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.57 грн
10+	72.68 грн
100+	56.67 грн
500+	43.93 грн
1000+	34.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4168DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

товар відсутній

SI417

01+ SOP

на замовлення 159 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

товар відсутній

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

товар відсутній

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

товар відсутній

SI4170DYT1E3

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DT-T1-GE3

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DY

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

товар відсутній

SI4172DY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4172DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	22.35 грн
27+	22.01 грн
50+	20.89 грн
100+	19.03 грн
250+	17.97 грн
500+	17.68 грн
1000+	17.38 грн

Мінімальне замовлення: 26

SI4172DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4172DY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4174DY-T1-E3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4174DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.91 грн
5000+	19.99 грн
12500+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4174DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.5A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.82 грн
10+	35.75 грн
25+	31.13 грн
31+	25.61 грн
85+	24.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	58.25 грн
12+	48.67 грн
25+	47.19 грн
100+	33.34 грн
250+	29.68 грн
500+	25.76 грн
1000+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4174DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

на замовлення 15645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.34 грн
10+	48.11 грн
100+	33.32 грн
500+	26.12 грн
1000+	22.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4174DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 26045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.54 грн
10+	53.49 грн
100+	32.2 грн
500+	26.9 грн
1000+	22.93 грн
2500+	19.81 грн
5000+	18.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4174DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm

на замовлення 6065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.75 грн
13+	57.6 грн
100+	36.12 грн
500+	28.02 грн
1000+	23.38 грн
5000+	20.9 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.7 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4174DY-T1-GE3

на замовлення 2102 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	80.18 грн
6+	44.55 грн
25+	37.35 грн
31+	30.73 грн
85+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4176DY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4176DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4176DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

товар відсутній

SI4176DY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4176DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

товар відсутній

SI4178DY

на замовлення 3310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4178DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4178DY-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SI4178DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

товар відсутній

SI4178DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.06 грн
18+	20.15 грн
25+	18.08 грн
51+	15.69 грн
140+	14.84 грн
500+	14.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4178DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 8110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.44 грн
10+	36.96 грн
100+	22.26 грн
500+	18.62 грн
1000+	15.5 грн
2500+	14.64 грн
5000+	13.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4178DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

на замовлення 3787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.5 грн
500+	21.4 грн
1000+	16.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4178DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4178DY-T1-GE3

Siliconix

N-MOSFET 30V 12A 21mΩ 5W SI4178DY-T1-GE3 Vishay TSI4178dy
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

40+	15.3 грн

Мінімальне замовлення: 40

SI4178DY-T1-GE3

на замовлення 3787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.6 грн
50+	36.05 грн
100+	27.5 грн
500+	21.4 грн
1000+	16.76 грн

Мінімальне замовлення: 17

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4178DY-T1-GE3

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	58.87 грн
11+	25.11 грн
25+	21.7 грн
51+	18.83 грн
140+	17.81 грн
500+	17.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4178DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 3569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.14 грн
10+	33.89 грн
100+	23.46 грн
500+	18.4 грн
1000+	15.66 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4186DY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4186DY-T1-E3

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4186DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.94 грн
5000+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4186DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35.8A; Idm: 70A; 6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35.8A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4186DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4186DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 23831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.4 грн
10+	86.1 грн
100+	58.7 грн
500+	48.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4186DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V

на замовлення 5692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.41 грн
10+	60.81 грн
100+	47.31 грн
500+	37.63 грн
1000+	30.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4186DY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI419

SOP-8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI419

01+ SOP

на замовлення 197 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4190ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

товар відсутній

SI4190ADY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 18.4A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18.4A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	118.25 грн
10+	102.29 грн
25+	96.15 грн
100+	76.59 грн
250+	68.56 грн
500+	57.22 грн
1000+	49.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4190ADY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 13854 шт:

термін постачання 802-811 дні (днів)

3+	131.41 грн
10+	116.58 грн
100+	81.5 грн
250+	79.51 грн
500+	65.33 грн
1000+	61.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4190ADY-T1-GE3

товар відсутній

SI4190ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

товар відсутній

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

Si4190BDY-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

на замовлення 4543 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.19 грн
10+	122.68 грн
100+	84.81 грн
250+	78.85 грн
500+	71.56 грн
1000+	64.73 грн
2500+	55.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4190DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4190DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

товар відсутній

SI4196DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

товар відсутній

SI4196DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

товар відсутній

SI4200

SILICONE

QFN??

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BM

09+

на замовлення 54 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BM

Description: IC TXRX TRI-BAND 32MLP

товар відсутній

SI4200-BM

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BMR

2 QFN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BMR

03+

на замовлення 1835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BMR

QFN

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-EVB

Description: BOARD EVAL FOR SI4200
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Si4200
Frequency: 850MHz, 900MHz, 1.8GHz
Type: GPRS/GSM
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

SI4200-GM

QFN??

на замовлення 2922 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-GM

Description: IC TXRX TRI-BAND 32MLP

товар відсутній

SI4200-GMR

04+

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI42000BW

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200BM

N/A

0346

на замовлення 1009 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200BM

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200BM

SIL

QFN

на замовлення 1270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BM

09+

на замовлення 5718 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BMR

0347

на замовлення 1336 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BMR

на замовлення 1573 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BMR

0340+

на замовлення 1452 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BRM

SAGEM

04+

на замовлення 3298 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-GMR

06+

на замовлення 357 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DY-T1-E3

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4200DY-T1-GE3

MOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4200DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4201-BM

09+

на замовлення 440018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-BM

Description: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN

товар відсутній

SI4201-BMR

QFN??

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-BMR

QFN

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-BMR

03+

на замовлення 2596 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-BMR

2 QFN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-GM

Description: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN

товар відсутній

SI4201-GMR

SIICON

2004PB

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

si4201bm

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

Si4202DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4202DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4202DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 7807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.49 грн
10+	89.15 грн
100+	60.16 грн
500+	49.69 грн
1000+	39.22 грн
2500+	36.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4202DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

на замовлення 4750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.36 грн
10+	90.9 грн
100+	70.85 грн
500+	54.92 грн
1000+	43.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4202DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4202DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4202DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.7
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	64.67 грн
13+	57.98 грн
100+	45.04 грн
500+	34.65 грн
1000+	28.03 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI4202DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4204

на замовлення 371 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

Si4204DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4204DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4204DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4204DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 0.0038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 3.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 12312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	136.02 грн
10+	104.06 грн
100+	78.04 грн
500+	63.15 грн
1000+	56.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4204DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4204DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 26372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.84 грн
10+	97.52 грн
100+	77.64 грн
500+	61.65 грн
1000+	52.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4204DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	120.32 грн
10+	103.38 грн
25+	101.06 грн
100+	77.95 грн
250+	71.49 грн
500+	58.43 грн
1000+	50.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4204DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 34370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.37 грн
10+	121.91 грн
100+	85.47 грн
500+	70.23 грн
1000+	57.84 грн
2500+	55.66 грн
5000+	53.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4204DY-T1-GE3