НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UF3-70B410
Код товару: 92013
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
UF3-V2UHUDINFODescription: USB 3.0 FLASH DRIVE 16GB~ 512GB
товар відсутній
UF300
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3001
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3001Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3001Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3001-GComchip TechnologyRectifiers 50V, 3A
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3001-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3001-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3001-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3001-HFComchip TechnologyRectifiers 50V, 3A
товар відсутній
UF3001-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3001-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3001-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3001-TDiodes ZetexRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 74
UF3001-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 50V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3001-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3001-TDiodes IncRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3002LTN
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3002Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3002MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3002 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
UF3002MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3002 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
UF3002-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3002-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3002-GComchip TechnologyRectifiers 100V, 3A
товар відсутній
UF3002-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3002-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3002-HFComchip TechnologyRectifiers 100V, 3A
товар відсутній
UF3002-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3002-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3002-TDiodes IncRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3002-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3002-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 100V
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3003MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Baureihe UF, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
UF3003Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3003MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Baureihe UF, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
UF3003VISHAY04+ DIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3003-A52Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-BUDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-GComchip TechnologyRectifiers 200V, 3A
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3003-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3003-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3003-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3003-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3003-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 200V 3A DO-27
товар відсутній
UF3003-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-TDiodes IncRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3003-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 200V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3003-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3004MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3004 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.3
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 300
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
UF3004
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3004MulticompDiode Switching 300V 3A 2-Pin DO-27
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3004MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3004 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
UF3004Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3004-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 300V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товар відсутній
UF3004-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3004-GComchip TechnologyRectifiers 300V 3.0A
товар відсутній
UF3004-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3004-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3004-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 300V 3A DO-27
товар відсутній
UF3004-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3004-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 300V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товар відсутній
UF3004-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3004-TDiodes IncRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3004-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 400V
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3004BDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3004B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3004B-FRDiodes IncorporatedDescription: UF3004B-FR
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3004M
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3005
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3005Lite-On ElectronicsDiode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
UF3005MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3005 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300x
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3005-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3005-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3005-GComchip TechnologyRectifiers 400V, 3A
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3005-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3005-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3005-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3005-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3005-HFComchip TechnologyRectifiers 400V, 3A
товар відсутній
UF3005-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3005-TDiodes IncRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3005-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 600V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3005-TLite-On ElectronicsUF3005-T
товар відсутній
UF3006Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3006
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3006-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3006-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3006-GComchip TechnologyRectifiers 600V, 3A
товар відсутній
UF3006-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3006-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3006-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 600V 3A DO-27
товар відсутній
UF3006-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3006-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3006-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
UF3006-TDiodes IncRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3006-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 800V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3006PT_T0_00001PanjitRectifiers 600V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,TO-3P/TO-247AD,30A
товар відсутній
UF3006PT_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3007Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3007
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3007Lite-On ElectronicsDiode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
UF3007-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3007-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
UF3007-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3007-GComchip TechnologyRectifiers 800V, 3A
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3007-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3007-HFComchip TechnologyRectifiers 800V, 3A
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
12+ 25.45 грн
100+ 15.44 грн
500+ 11.99 грн
1200+ 9.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3007-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3007-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
UF3007-TDiodes IncRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3007-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF3007-TLite-On ElectronicsUF3007-T
товар відсутній
UF3007-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 1000V
товар відсутній
UF3008MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3008 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 75
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
UF3008MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3008 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 75
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
UF3008
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3008-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3008-GComchip TechnologyRectifiers 1000V, 3A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3008-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3008-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 1200
UF3008-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 1200
UF3008-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 1KV 3A DO-27
товар відсутній
UF3008-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3008-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3008-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF300BNA12-H1C2AMechatronics Fan GroupDescription: FAN AXIAL 380X98MM 115VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 200W
Features: Permanent Split Capacitor Motor
Voltage - Rated: 115VAC
Size / Dimension: Round - 398mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 2950 RPM
Air Flow: 1615.0 CFM (45.22m³/min)
Width: 98.30mm
Weight: 9.9 lbs (4.5 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 78.0dB(A)
Static Pressure: 1.100 in H2O (274.0 Pa)
Part Status: Active
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13109.78 грн
10+ 11627.39 грн
UF300BNA23-H1C2AMechatronics Fan GroupDescription: FAN AXIAL 398X98.3MM 230VAC WIRE
Packaging: Bulk
Power (Watts): 200W
Features: Permanent Split Capacitor Motor
Voltage - Rated: 230VAC
Size / Dimension: Round - 398mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 2950 RPM
Air Flow: 1615.0 CFM (45.22m³/min)
Width: 98.30mm
Weight: 10 lbs (4.5 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 78.0dB(A)
Static Pressure: 1.100 in H2O (274.0 Pa)
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13109.78 грн
UF300BNA23H1C2AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; axial; 230VAC; Ø398x98.3mm; 2436m3/h; 75dBA; ball bearing
Type of fan: AC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 230V AC
Fan dimensions: Ø398x98.3mm
Power consumption: 150W
Current rating: 0.68A
Fan efficiency: 2436m3/h
Noise level: 75dBA
Kind of Bearing: ball bearing
Rotational rate/speed: 2650rpm
Frequency: 50Hz
Impeller material: metal
Enclosure material: metal
Leads: connectors 2,8x0,5mm
Static pressure: 31mm H2O
Kind of motor: 1-phase
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9215.92 грн
UF300BNA23H1C2AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; axial; 230VAC; Ø398x98.3mm; 2436m3/h; 75dBA; ball bearing
Type of fan: AC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 230V AC
Fan dimensions: Ø398x98.3mm
Power consumption: 150W
Current rating: 0.68A
Fan efficiency: 2436m3/h
Noise level: 75dBA
Kind of Bearing: ball bearing
Rotational rate/speed: 2650rpm
Frequency: 50Hz
Impeller material: metal
Enclosure material: metal
Leads: connectors 2,8x0,5mm
Static pressure: 31mm H2O
Kind of motor: 1-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+11059.11 грн
UF300G_AY_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF300G_AY_10001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF300G_B0_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF300G_B0_10001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF300G_R2_00001PanjitRectifiers 50V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF300G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF300G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF300G_R2_10001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3010
Код товару: 112495
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+5 грн
UF3010G_AY_00001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_AY_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_B0_00001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_B0_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_F0_000A4PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_F0_000A5PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_F0_100A1PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_F0_100A4PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF3010G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF3010G_R2_00001PanjitRectifiers 1000V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF3010G_R2_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_AY_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_AY_10001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_B0_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_B0_10001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF301G_R2_00001PanjitRectifiers 100V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF301G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF301G_R2_10001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302
Код товару: 112497
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 50 ns
товар відсутній
UF302
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF302G-AY-00001PanjitRectifiers
товар відсутній
UF302G-R2-00001PanjitRectifiers DO-201AD/UF/AXIAL/UFG-30H
товар відсутній
UF302G_AY_00001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_AY_000A5PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_AY_10001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_AY_100A5PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_B0_00001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_B0_10001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A1PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A2PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A3PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A4PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A8PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A1PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A2PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A3PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A4PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A6PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A8PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_R2_00001PanjitRectifiers 200V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF302G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.37 грн
16+ 18.08 грн
100+ 10.86 грн
500+ 9.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
UF302G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+7.1 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UF302G_R2_10001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304PanJitВипрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 400; Io, А = 3; If, A = 3; Uf (max), В = 1,1; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 400; trr, нс = 50; С, пФ @ Ur, В; F, МГц = 75; Тексп, °С = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 20; DO-201AD
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+69.33 грн
10+ 62.4 грн
100+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
UF304G_AY_00001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_AY_10001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_B0_00001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_B0_10001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_F0_000A1PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_F0_100A1PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товар відсутній
UF304G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товар відсутній
UF304G_R2_00001PanjitRectifiers 400V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF304G_R2_10001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF305
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF306
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF306G_AY_00001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF306G_AY_10001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF306G_B0_00001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF306G_B0_10001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF306G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товар відсутній
UF306G_R2_00001PanjitRectifiers 600V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF306G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товар відсутній
UF306G_R2_10001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF307
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF308G_AY_00001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_AY_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_B0_00001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_B0_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_F0_100A1PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
UF308G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
UF308G_R2_00001PanjitRectifiers 800V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF308G_R2_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF30H04PTGeneSiC SemiconductorRectifiers 400V, 30A Ultra Fast High Effcncy Rectfer
товар відсутній
UF31
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF31613-FB4
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF318AAA12-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 318X154MM 115VAC
товар відсутній
UF318AAA12-H1C4A-CCMechatronics Fan GroupDescription: FAN IMP MTRZ 318X154.4MM 115VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 160W
Features: Conformal Coating, Permanent Split Capacitor Motor, Thermal Overload Protector (TOP)
Voltage - Rated: 115VAC
Size / Dimension: Round - 318mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1580 RPM
Air Flow: 1165.0 CFM (32.62m³/min)
Width: 154.4mm
Weight: 8.3 lbs (3.8 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 66.0dB(A)
Static Pressure: 1.600 in H2O (398.6 Pa)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15862.04 грн
UF318AAA23-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 318X154MM 230VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 160W
Features: Permanent Split Capacitor Motor, Thermal Overload Protector (TOP)
Voltage - Rated: 230VAC
Size / Dimension: Round - 318mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1580 RPM
Air Flow: 1165.0 CFM (32.62m³/min)
Width: 154.4mm
Weight: 8.3 lbs (3.8 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 66.0dB(A)
Static Pressure: 1.600 in H2O (398.6 Pa)
Part Status: Active
товар відсутній
UF318AAA23-H1C4A-L32Mechatronics Fan GroupDescription: FAN IMP MTRZ 318X154.4MM 230VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 160W
Features: Permanent Split Capacitor Motor, Thermal Overload Protector (TOP)
Voltage - Rated: 230VAC
Size / Dimension: Round - 318mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1580 RPM
Air Flow: 1165.0 CFM (32.62m³/min)
Width: 154.4mm
Weight: 8.3 lbs (3.8 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 66.0dB(A)
Static Pressure: 1.600 in H2O (398.6 Pa)
Part Status: Active
товар відсутній
UF318AAA23H1C4AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; radial; 230VAC; Ø318x138mm; 1725.5m3/h; 63dBA; 1390rpm
Frequency: 50...60Hz
Type of fan: AC
Fan dimensions: Ø318x138mm
Impeller material: aluminium
Kind of Bearing: ball bearing
Fan efficiency: 1725.5m3/h
Static pressure: 30.5mm H2O
Noise level: 63dBA
Rotational rate/speed: 1390rpm
Power consumption: 115W
Kind of fan: radial
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Operating temperature: -40...70°C
Enclosure material: aluminium
Current rating: 0.6A
Supply voltage: 230V AC
Leads: lead x4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11957.88 грн
UF318AAA23H1C4AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; radial; 230VAC; Ø318x138mm; 1725.5m3/h; 63dBA; 1390rpm
Frequency: 50...60Hz
Type of fan: AC
Fan dimensions: Ø318x138mm
Impeller material: aluminium
Kind of Bearing: ball bearing
Fan efficiency: 1725.5m3/h
Static pressure: 30.5mm H2O
Noise level: 63dBA
Rotational rate/speed: 1390rpm
Power consumption: 115W
Kind of fan: radial
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Operating temperature: -40...70°C
Enclosure material: aluminium
Current rating: 0.6A
Supply voltage: 230V AC
Leads: lead x4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+14349.46 грн
UF31AB
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF31BA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3205GTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3205LTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670CT
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670F
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670FCT
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864AH
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864AHLFICS09+
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864BH
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864BHLF
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864CH
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864CHLFICS09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864EHLF
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32AB
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32F6204ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 50mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Part Status: Active
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
товар відсутній
UF32F6204ZDiodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K
товар відсутній
UF32F6204ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 50mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Part Status: Active
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
товар відсутній
UF33ABST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33ABST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BAST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BAST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BBST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BBST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BCST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BCST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33F6202ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 25mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+263.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UF33F6202ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 25mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.15 грн
10+ 344.75 грн
50+ 334.55 грн
100+ 299.7 грн
500+ 285.43 грн
1000+ 247.37 грн
UF33L2501ZDiodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K
товар відсутній
UF341605Celduc Inc.Description: FERRITE MAGNET DIA34X16X5MM/RED
товар відсутній
UF360AAA12-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 360X167MM 115VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 270W
Features: Permanent Split Capacitor Motor
Voltage - Rated: 115VAC
Size / Dimension: Round - 360mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1600 RPM
Air Flow: 1645.0 CFM (46.06m³/min)
Width: 167.3mm
Weight: 11 lbs (5 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 70.0dB(A)
Static Pressure: 2.200 in H2O (548.0 Pa)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22061.07 грн
UF360AAA23-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 360X167MM 230VAC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20292.89 грн
UF383-100Sunon FansDescription: FAN AXIAL 8X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 8mm L x 8mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13500 RPM
Air Flow: 0.006 CFM (0.0002m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.000 lb (0.30 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 2.1dB(A)
Static Pressure: 0.006 in H2O (1.6 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 300 mW
товар відсутній
UF385-100Sunon FansDescription: FAN AXIAL 8X5MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 8mm L x 8mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.010 CFM (0.0003m³/min)
Width: 5.00mm
Weight: 0.001 lb (0.45 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 17.1dB(A)
Static Pressure: 0.012 in H2O (3.0 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 200 mW
товар відсутній
UF3ADC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
товар відсутній
UF3ADC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3A3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 10x10x3mm; 0.21m3/h; 6.8dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 10x10x3mm
Power consumption: 290mW
Current rating: 96mA
Fan efficiency: 0.21m3/h
Noise level: 6.8dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 17000 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 500MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 1.07mm H2O
Version: Might&Mini
товар відсутній
UF3A3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 10x10x3mm; 0.21m3/h; 6.8dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 10x10x3mm
Power consumption: 290mW
Current rating: 96mA
Fan efficiency: 0.21m3/h
Noise level: 6.8dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 17000 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 500MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 1.07mm H2O
Version: Might&Mini
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3A3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3A3-500SunonDC Fans DC Fan, 10x3mm, 3VDC, 3.43CFM, 0.29W, 27.3/10cm dBA, 17000RPM, 10.44inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3A3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
товар відсутній
UF3A3-500BSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3A3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1715.86 грн
10+ 1509.3 грн
25+ 1451.96 грн
50+ 1272.97 грн
100+ 1174.36 грн
250+ 1156.43 грн
500+ 1128.65 грн
UF3A3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3A3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1502.99 грн
10+ 1321.64 грн
25+ 1271.44 грн
50+ 1114.69 грн
100+ 1028.35 грн
250+ 1012.65 грн
UF3A3-700SunonDC Fans Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 3.43 L/min, 0.29W, 27.3/10cm dBA, Vapo, 2 Wire, IP55
товар відсутній
UF3A3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Power (Watts): 290 mW
товар відсутній
UF3A3-700SunonDC Fan Vapo Bearing 3V 0.096A 0.29W 17000RPM 0.12CFM Flange Mount
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2617.27 грн
10+ 2481.68 грн
20+ 2282.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
UF3A3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, IP55
товар відсутній
UF3A3-700 TC
Код товару: 158621
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
UF3A3-700-TCSunon6 Poles Brushless DC Motor Fan
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2178.93 грн
25+ 1785.28 грн
100+ 1510.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
UF3A3-700-TCSunon FansDescription: Power Supply
Packaging: Bulk
товар відсутній
UF3A3-700BSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3A3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1698.66 грн
10+ 1494.33 грн
25+ 1437.58 грн
50+ 1260.36 грн
100+ 1162.73 грн
250+ 1144.98 грн
500+ 1117.48 грн
UF3A3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3A3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1479.34 грн
10+ 1301.14 грн
25+ 1251.73 грн
50+ 1097.42 грн
100+ 1012.4 грн
250+ 996.95 грн
500+ 973 грн
UF3A_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 50V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3A_R1_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3A_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 50V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3A_R2_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3BDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
товар відсутній
UF3BDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3B_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3B_R1_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3B_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3B_R2_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3C065030B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1543.05 грн
5+ 1480.61 грн
10+ 1418.18 грн
50+ 1248.55 грн
100+ 1090.07 грн
250+ 1027 грн
UF3C065030B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1199.1 грн
10+ 1017.2 грн
100+ 879.76 грн
UF3C065030B3
Код товару: 198848
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
UF3C065030B3QorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1346.58 грн
25+ 1299.92 грн
100+ 978.63 грн
250+ 876.59 грн
500+ 852.74 грн
800+ 811 грн
2400+ 802.39 грн
UF3C065030B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1418.18 грн
50+ 1248.55 грн
100+ 1090.07 грн
250+ 1027 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065030B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+827.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065030K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1230.63 грн
30+ 959.66 грн
120+ 903.21 грн
510+ 768.16 грн
UF3C065030K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1599.36 грн
10+ 1449.26 грн
30+ 1064.1 грн
270+ 950.8 грн
510+ 950.14 грн
1020+ 932.91 грн
UF3C065030K3SUnited Silicon Carbide650V-27mW SiC FET
товар відсутній
UF3C065030K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3305.36 грн
UF3C065030K3SQORVODescription: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1450.88 грн
5+ 1366.15 грн
10+ 1280.67 грн
50+ 1109.82 грн
100+ 951.19 грн
250+ 805.29 грн
UF3C065030K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3966.44 грн
UF3C065030K3SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1382.14 грн
25+ 1354.78 грн
100+ 1019.05 грн
250+ 915.02 грн
600+ 902.43 грн
3000+ 898.46 грн
5400+ 893.82 грн
UF3C065030K4SUnited Silicon Carbide650V-27mW SiC Cascode
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+965.46 грн
17+ 886.15 грн
44+ 863.17 грн
107+ 812.97 грн
UF3C065030K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3698.56 грн
UF3C065030K4SQORVODescription: QORVO - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1468.72 грн
5+ 1382.5 грн
10+ 1296.28 грн
50+ 1123.63 грн
100+ 962.65 грн
UF3C065030K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4438.27 грн
UF3C065030K4SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1528.24 грн
25+ 1329.63 грн
100+ 1001.82 грн
250+ 944.84 грн
600+ 803.05 грн
3000+ 786.48 грн
5400+ 761.97 грн
UF3C065030K4SUnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1437.8 грн
10+ 1302.96 грн
120+ 957.43 грн
270+ 937.55 грн
510+ 837.5 грн
1020+ 822.93 грн
UF3C065030K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1259.3 грн
30+ 981.56 грн
120+ 923.83 грн
510+ 785.7 грн
UF3C065030T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1199.1 грн
50+ 934.75 грн
100+ 879.76 грн
500+ 748.22 грн
UF3C065030T3SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1729.23 грн
25+ 1449.26 грн
100+ 1111.15 грн
250+ 963.39 грн
500+ 814.97 грн
1000+ 771.91 грн
5000+ 733.48 грн
UF3C065030T3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065030T3SQORVODescription: QORVO - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1662.72 грн
5+ 1538.59 грн
10+ 1413.72 грн
50+ 1235.44 грн
100+ 1068.41 грн
UF3C065030T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1558.39 грн
10+ 1411.93 грн
50+ 1227.1 грн
100+ 1036.28 грн
500+ 926.29 грн
1000+ 909.72 грн
2500+ 909.06 грн
UF3C065040B3United Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+536.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065040B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+958.09 грн
5+ 915.72 грн
10+ 872.61 грн
50+ 750.23 грн
100+ 637.1 грн
UF3C065040B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+847.9 грн
10+ 719.04 грн
100+ 621.85 грн
UF3C065040B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 176
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+872.61 грн
50+ 750.23 грн
100+ 637.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065040B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3C065040B3QorvoMOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+951.58 грн
25+ 928.08 грн
100+ 698.36 грн
250+ 653.3 грн
500+ 636.74 грн
800+ 604.27 грн
2400+ 598.31 грн
UF3C065040K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.73 грн
30+ 689.04 грн
120+ 648.51 грн
510+ 551.54 грн
1020+ 505.9 грн
UF3C065040K3SQORVODescription: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.17 грн
5+ 893.42 грн
10+ 837.68 грн
50+ 717.8 грн
100+ 606.52 грн
250+ 594.41 грн
UF3C065040K3SQorvoMOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+947.71 грн
25+ 858.74 грн
100+ 630.78 грн
600+ 563.19 грн
UF3C065040K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Technology: SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 326W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 125A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2527.89 грн
3+ 2340.43 грн
5+ 2256.92 грн
UF3C065040K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Technology: SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 326W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 125A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3033.47 грн
3+ 2916.53 грн
5+ 2708.3 грн
UF3C065040K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065040K4SQORVODescription: QORVO - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1065.12 грн
5+ 990.05 грн
10+ 914.23 грн
50+ 792.34 грн
100+ 679.15 грн
250+ 579.76 грн
UF3C065040K4SQorvoMOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1077.58 грн
25+ 937.22 грн
100+ 706.31 грн
250+ 598.31 грн
600+ 566.51 грн
3000+ 554.58 грн
5400+ 538.02 грн
UF3C065040K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065040K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.93 грн
30+ 702.36 грн
120+ 661.04 грн
510+ 562.2 грн
UF3C065040T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+847.9 грн
50+ 660.7 грн
100+ 621.85 грн
UF3C065040T3SQORVODescription: QORVO - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1211.55 грн
5+ 1115.66 грн
10+ 1019.04 грн
50+ 891.03 грн
100+ 770.89 грн
250+ 668.31 грн
UF3C065040T3SQorvoMOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1080.67 грн
25+ 862.55 грн
100+ 705.65 грн
250+ 704.32 грн
500+ 634.09 грн
1000+ 581.75 грн
5000+ 579.1 грн
UF3C065040T3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065080B3QORVODescription: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.23 грн
5+ 506.17 грн
10+ 457.12 грн
50+ 393.41 грн
100+ 333.84 грн
250+ 301.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B3UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.52 грн
10+ 502.14 грн
100+ 361.11 грн
500+ 315.39 грн
800+ 290.21 грн
2400+ 285.57 грн
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 14577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.33 грн
10+ 287.12 грн
100+ 247.76 грн
UF3C065080B3QorvoMOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.15 грн
25+ 518.14 грн
100+ 378.33 грн
250+ 367.73 грн
500+ 366.41 грн
800+ 300.15 грн
2400+ 282.92 грн
UF3C065080B3QORVODescription: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+457.12 грн
50+ 393.41 грн
100+ 333.84 грн
250+ 301.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+257.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.59 грн
10+ 527.28 грн
100+ 382.31 грн
800+ 303.46 грн
2400+ 284.25 грн
UF3C065080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+368.98 грн
1600+ 319.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+752.91 грн
10+ 670.53 грн
100+ 483.02 грн
500+ 420.74 грн
800+ 394.24 грн
2400+ 386.95 грн
UF3C065080B7SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.57 грн
10+ 483.2 грн
100+ 402.7 грн
UF3C065080B7SQorvoMOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+632.32 грн
25+ 614.15 грн
100+ 447.9 грн
250+ 435.98 грн
500+ 432 грн
800+ 355.14 грн
2400+ 354.48 грн
UF3C065080K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065080K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 12183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.08 грн
30+ 404.31 грн
120+ 361.77 грн
510+ 299.56 грн
1020+ 269.61 грн
2010+ 252.63 грн
UF3C065080K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+684.11 грн
10+ 608.81 грн
120+ 437.97 грн
510+ 381.65 грн
1020+ 357.79 грн
2520+ 351.17 грн
UF3C065080K3SQORVODescription: QORVO - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+593.14 грн
5+ 538.13 грн
10+ 482.39 грн
50+ 418.25 грн
100+ 358.69 грн
250+ 303.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K3SQorvoMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+684.11 грн
10+ 608.81 грн
120+ 437.97 грн
510+ 381.65 грн
1020+ 357.79 грн
2520+ 351.17 грн
UF3C065080K4SQorvoMOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.9 грн
25+ 576.05 грн
100+ 420.08 грн
250+ 366.41 грн
600+ 332.62 грн
1200+ 314.06 грн
3000+ 313.4 грн
UF3C065080K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1752.65 грн
2+ 1538.43 грн
UF3C065080K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2103.18 грн
2+ 1917.12 грн
5+ 1822.1 грн
UF3C065080K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.53 грн
10+ 628.62 грн
120+ 452.54 грн
510+ 393.57 грн
1020+ 369.72 грн
2520+ 363.76 грн
UF3C065080K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065080K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.28 грн
30+ 417.66 грн
120+ 373.69 грн
510+ 309.43 грн
1020+ 278.49 грн
2010+ 260.95 грн
UF3C065080K4SQORVODescription: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+611.72 грн
5+ 555.23 грн
10+ 498.74 грн
50+ 432.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+636.19 грн
10+ 566.9 грн
50+ 492.3 грн
100+ 408.15 грн
500+ 355.14 грн
1000+ 333.28 грн
2500+ 327.98 грн
UF3C065080T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.33 грн
50+ 267.38 грн
100+ 247.76 грн
UF3C065080T3SQORVODescription: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+646.65 грн
5+ 578.27 грн
10+ 509.15 грн
50+ 445.17 грн
100+ 385.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080T3SUnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.48 грн
10+ 493.76 грн
50+ 428.69 грн
100+ 355.14 грн
500+ 308.76 грн
1000+ 290.21 грн
2500+ 285.57 грн
UF3C065080T3SQorvoMOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+623.05 грн
25+ 521.95 грн
100+ 400.86 грн
250+ 347.19 грн
500+ 294.19 грн
1000+ 278.28 грн
5000+ 264.37 грн
UF3C120040K3SQorvoMOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2349.95 грн
25+ 2044.36 грн
100+ 1540.5 грн
250+ 1303.96 грн
600+ 1234.39 грн
3000+ 1209.21 грн
5400+ 1172.77 грн
UF3C120040K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 36052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1251.42 грн
30+ 1099.38 грн
UF3C120040K3SQORVODescription: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2259.57 грн
5+ 2127.27 грн
10+ 1994.22 грн
50+ 1728.23 грн
100+ 1481.25 грн
UF3C120040K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C120040K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2335.27 грн
10+ 2122.84 грн
30+ 1575.62 грн
270+ 1430.51 грн
UF3C120040K4SQorvoMOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2349.95 грн
25+ 2044.36 грн
100+ 1540.5 грн
250+ 1303.96 грн
600+ 1234.39 грн
3000+ 1209.21 грн
5400+ 1172.77 грн
UF3C120040K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2245.6 грн
10+ 1967.4 грн
30+ 1495.44 грн
270+ 1276.79 грн
UF3C120040K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1780.37 грн
30+ 1421.26 грн
120+ 1332.44 грн
510+ 1067.05 грн
UF3C120040K4SQORVODescription: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2259.57 грн
5+ 2127.27 грн
10+ 1994.22 грн
50+ 1728.23 грн
100+ 1481.25 грн
UF3C120040K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1184.25 грн
Мінімальне замовлення: 600
UF3C120080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+504.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1101.54 грн
10+ 998.18 грн
100+ 733.48 грн
500+ 654.63 грн
800+ 642.7 грн
UF3C120080B7SQorvoMOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1038.93 грн
25+ 903.69 грн
100+ 681.13 грн
250+ 575.78 грн
500+ 545.97 грн
2400+ 535.37 грн
4800+ 518.8 грн
UF3C120080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+602.06 грн
10+ 510.6 грн
100+ 485.95 грн
UF3C120080K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1297.77 грн
5+ 1244.99 грн
10+ 1191.48 грн
50+ 1020.1 грн
100+ 861.35 грн
250+ 844.79 грн
UF3C120080K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 17658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.5 грн
30+ 556.57 грн
UF3C120080K3SQorvoMOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+1173.43 грн
25+ 1020.27 грн
100+ 769.26 грн
250+ 650.65 грн
600+ 616.86 грн
3000+ 604.27 грн
5400+ 586.38 грн
UF3C120080K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C120080K4SQorvoMOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1214.4 грн
25+ 975.32 грн
100+ 793.77 грн
250+ 712.27 грн
600+ 654.63 грн
3000+ 652.64 грн
5400+ 649.99 грн
UF3C120080K4SQORVODescription: QORVO - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1149.85 грн
5+ 1073.3 грн
10+ 996.74 грн
50+ 864.12 грн
UF3C120080K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+958.27 грн
30+ 747.36 грн
120+ 703.41 грн
510+ 598.23 грн
1020+ 548.72 грн
UF3C120150B7SQorvoMOSFET 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+581.3 грн
25+ 505.18 грн
100+ 380.98 грн
250+ 322.01 грн
500+ 305.45 грн
2400+ 302.14 грн
9600+ 280.93 грн
UF3C120150B7SQorvoDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.57 грн
10+ 447.79 грн
100+ 373.15 грн
UF3C120150B7SQorvoDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+341.91 грн
1600+ 296.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120150B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+703.44 грн
10+ 627.1 грн
100+ 451.22 грн
500+ 410.14 грн
800+ 373.7 грн
UF3C120150K3SUnitedSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
товар відсутній
UF3C120150K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3C120150K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+867.32 грн
10+ 772.64 грн
120+ 555.91 грн
510+ 483.68 грн
1020+ 438.63 грн
2520+ 430.68 грн
UF3C120150K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.48 грн
30+ 492.89 грн
120+ 441 грн
UF3C120150K4SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.08 грн
5+ 839.91 грн
10+ 775.98 грн
50+ 659.13 грн
100+ 550.45 грн
250+ 539.62 грн
UF3C120150K4SQorvoMOSFET 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+686.43 грн
25+ 596.62 грн
100+ 449.89 грн
250+ 380.98 грн
600+ 360.44 грн
3000+ 353.82 грн
5400+ 342.55 грн
UF3C120400B7SQorvoMOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.65 грн
25+ 348.22 грн
100+ 262.38 грн
250+ 247.81 грн
800+ 210.7 грн
UF3C120400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.12 грн
10+ 333.43 грн
100+ 269.75 грн
UF3C120400B7SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C120400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+249 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120400K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 7.6
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.53 грн
5+ 543.34 грн
10+ 508.4 грн
50+ 462.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+692.62 грн
10+ 616.43 грн
100+ 444.59 грн
600+ 386.28 грн
1200+ 325.33 грн
3000+ 312.74 грн
UF3C120400K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.03 грн
30+ 359.54 грн
120+ 321.69 грн
510+ 266.38 грн
UF3C120400K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3C120400K3SQorvoMOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.55 грн
25+ 440.42 грн
100+ 331.29 грн
250+ 280.27 грн
600+ 266.36 грн
3000+ 260.39 грн
5400+ 252.44 грн
UF3C120400K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C170400B7SUnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, ENHANCED Rth
на замовлення 800 шт:
термін постачання 50-59 дні (днів)
1+548.06 грн
10+ 488.42 грн
100+ 351.17 грн
500+ 306.11 грн
1000+ 286.9 грн
2500+ 277.62 грн
UF3C170400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.7 грн
10+ 410.11 грн
100+ 341.75 грн
UF3C170400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+313.14 грн
1600+ 271.39 грн
2400+ 254.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C170400B7SQorvoMOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO263-7
товар відсутній
UF3C170400K3SQorvoMOSFET 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.96 грн
25+ 402.32 грн
100+ 324 грн
600+ 323.34 грн
10200+ 322.68 грн
UF3C170400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+755.23 грн
10+ 672.82 грн
100+ 484.35 грн
250+ 422.06 грн
600+ 367.07 грн
1200+ 353.82 грн
UF3C170400K3SUnited Silicon Carbide1700V 410Mw Sic FET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+365.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3SUnited Silicon Carbide1700V 410Mw Sic FET
товар відсутній
UF3C170400K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 75577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.54 грн
30+ 442.73 грн
120+ 396.13 грн
510+ 328.02 грн
1020+ 295.21 грн
2010+ 276.63 грн
UF3C3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 300 mW
товар відсутній
UF3C3-500SunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3C3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Current rating: 97mA
Operating temperature: -10...70°C
Leads: lead FPCB
Min. insulation resistance: 20MΩ
Operating voltage: 2...3.5V
Version: Might&Mini
Kind of fan: axial
Enclosure material: thermoplastic
Supply voltage: 3V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 12x12x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Power consumption: 0.3W
товар відсутній
UF3C3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Current rating: 97mA
Operating temperature: -10...70°C
Leads: lead FPCB
Min. insulation resistance: 20MΩ
Operating voltage: 2...3.5V
Version: Might&Mini
Kind of fan: axial
Enclosure material: thermoplastic
Supply voltage: 3V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 12x12x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Power consumption: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3C3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
товар відсутній
UF3C3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1683.61 грн
UF3C3-500BSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3C3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3C3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1238.52 грн
10+ 1089.25 грн
25+ 1047.87 грн
50+ 918.69 грн
100+ 847.53 грн
250+ 834.59 грн
UF3C3-700SunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3C3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3C3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Current rating: 97mA
Operating temperature: -10...70°C
Leads: lead FPCB
Min. insulation resistance: 20MΩ
Operating voltage: 2...3.5V
Version: Might&Mini
Kind of fan: axial
Enclosure material: thermoplastic
Supply voltage: 3V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 12x12x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Power consumption: 0.3W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2012.06 грн
UF3C3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Current rating: 97mA
Operating temperature: -10...70°C
Leads: lead FPCB
Min. insulation resistance: 20MΩ
Operating voltage: 2...3.5V
Version: Might&Mini
Kind of fan: axial
Enclosure material: thermoplastic
Supply voltage: 3V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 12x12x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Power consumption: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2414.47 грн
10+ 2018.61 грн
50+ 1636.57 грн
UF3C3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, IP55
товар відсутній
UF3C3-700BSunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP58, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3C3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2188.19 грн
10+ 1924.24 грн
25+ 1851.17 грн
50+ 1622.94 грн
100+ 1497.23 грн
250+ 1474.37 грн
UF3C3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3C3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1224.18 грн
10+ 1076.62 грн
25+ 1035.72 грн
50+ 908.04 грн
100+ 837.71 грн
250+ 824.92 грн
500+ 805.1 грн
UF3DDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3DDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
UF3D-R1-00001PanjitRectifiers SMC/ULTRA/SMD/USM-30H
товар відсутній
UF3D-R2-00001PanjitRectifiers
товар відсутній
UF3DL-6253E3/72Vishay1A,300V,50NS,UF PLASTIC RECT
товар відсутній
UF3DL-6253E3/72Vishay1A,300V,50NS,UF PLASTIC RECT
товар відсутній
UF3D_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3D_R1_00001PanjitRectifiers 200V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.76 грн
14+ 22.02 грн
100+ 11.53 грн
500+ 10.67 грн
800+ 6.63 грн
2400+ 6.36 грн
9600+ 5.7 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3D_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
14+ 19.81 грн
100+ 11.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3D_R2_00001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3F3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1618.39 грн
UF3F3-500SunonDC Fans DC Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75CFM, 0.1W, 30.0/30cm dBA, 14500RPM, 20.36inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3F3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+984.82 грн
10+ 926.55 грн
25+ 757.99 грн
50+ 729.5 грн
100+ 671.86 грн
250+ 628.79 грн
500+ 618.85 грн
UF3F3-500BSunonDC Fans DC Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75CFM, 0.1W, 30.0/30cm dBA, 14500RPM, 20.36inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP58, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3F3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3F3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3F3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3F3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
товар відсутній
UF3F3-700
Код товару: 129707
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
товар відсутній
UF3F3-700SunonDC Fans Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75 L/min, 0.1W, Vapo, Leads, IP55, MagLev, Mighty Mini
товар відсутній
UF3F3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 15x15x3mm; 0.53m3/h; 20.2dBA; Vapo; 2.08mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 15x15x3mm
Power consumption: 100mW
Current rating: 36mA
Fan efficiency: 0.53m3/h
Noise level: 20.2dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 14500 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 20MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 2.08mm H2O
Version: Might&Mini
товар відсутній
UF3F3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 15x15x3mm; 0.53m3/h; 20.2dBA; Vapo; 2.08mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 15x15x3mm
Power consumption: 100mW
Current rating: 36mA
Fan efficiency: 0.53m3/h
Noise level: 20.2dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 14500 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 20MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 2.08mm H2O
Version: Might&Mini
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3F3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, IP55
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1169.57 грн
10+ 1072.85 грн
25+ 887.86 грн
50+ 840.15 грн
100+ 773.23 грн
250+ 741.43 грн
UF3F3-700-TCSunon FansDescription: Thermal Products
Packaging: Bulk
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3F3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2084.98 грн
10+ 1833.69 грн
25+ 1764.07 грн
50+ 1546.6 грн
100+ 1426.8 грн
250+ 1405.01 грн
UF3F3-700BSunonDC Fans DC Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75CFM, 0.1W, 30.0/30cm dBA, 14500RPM, 20.36inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP58, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3F3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3F3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1159.68 грн
10+ 1066.13 грн
25+ 1002.68 грн
50+ 905.23 грн
100+ 833.77 грн
250+ 780.17 грн
500+ 755.67 грн
UF3GDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 50ns
товар відсутній
UF3GDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3GL-5700/22T
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3G_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.39 грн
12+ 24.43 грн
100+ 16.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3G_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3G_R1_00001PanjitRectifiers 400V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
товар відсутній
UF3G_R2_00001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3H3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3H3-500SunonDC Fans DC Fan, 17x3mm, 3VDC, 16.27CFM, 0.1W, 32.0/30cm dBA, 13000RPM, 21.21inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3H3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
товар відсутній
UF3H3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1602.62 грн
10+ 1408.95 грн
25+ 1355.45 грн
50+ 1188.34 грн
100+ 1096.29 грн
UF3H3-500BSunonDC Fans DC Fan, 17x3mm, 3VDC, 16.27CFM, 0.1W, 32.0/30cm dBA, 13000RPM, 21.21inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP58, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3H3-500B TCSunonDC Fans Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 16.27 L/min, 0.1W, 32.0/30cm dBA, Vapo, Tach, 3 Wire, IP58
товар відсутній
UF3H3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.17 грн
10+ 813.59 грн
25+ 765.17 грн
50+ 690.83 грн
100+ 636.28 грн
250+ 595.38 грн
UF3H3-700SunonDC Fans DC Fan, 17x3mm, 3VDC, 16.27 L/min, 0.1W, 32/30cm dBA, 13000RPM, 21.21inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP55 Rated, MagLev Motor, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3H3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.42 грн
10+ 728.84 грн
25+ 685.47 грн
50+ 618.87 грн
100+ 570.01 грн
250+ 533.36 грн
500+ 516.61 грн
UF3H3-700 /Sunon
Код товару: 113662
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
товар відсутній
UF3H3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, IP55
товар відсутній
UF3H3-700BSunonDC Fans DC Fan, 17x3mm, 3VDC, 16.27CFM, 0.1W, 32/30cm dBA, 13000RPM, 21.21inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP58, Mighty Mini Series
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3H3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1583.98 грн
10+ 1392.94 грн
25+ 1340.04 грн
50+ 1174.84 грн
100+ 1083.83 грн
250+ 1067.28 грн
500+ 1041.65 грн
UF3H3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3H3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1184.04 грн
10+ 1088.43 грн
25+ 1023.6 грн
50+ 924.15 грн
100+ 851.19 грн
250+ 796.47 грн
500+ 771.45 грн
UF3H3-710Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+776.22 грн
10+ 713.86 грн
30+ 671.37 грн
60+ 606.14 грн
120+ 558.29 грн
270+ 522.4 грн
510+ 505.99 грн
UF3H3-710 V2Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC
Packaging: Bulk
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Position Rectangular Connector
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3JDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3JDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
товар відсутній
UF3J_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3J_R1_00001PanjitRectifiers 600V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
товар відсутній
UF3J_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.39 грн
12+ 24.43 грн
100+ 16.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3J_R2_00001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3KDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3KDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
товар відсутній
UF3K_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.39 грн
12+ 24.43 грн
100+ 16.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3K_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
UF3K_R1_00001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
на замовлення 5196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.92 грн
13+ 24.84 грн
100+ 16.1 грн
500+ 12.72 грн
800+ 9.74 грн
2400+ 8.88 грн
4800+ 8.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3MDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 100ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 446 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
38+7.14 грн
50+ 5.54 грн
216+ 4.49 грн
593+ 4.24 грн
1000+ 4.23 грн
3000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 38
UF3MDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 100ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+5.95 грн
78+ 4.44 грн
216+ 3.74 грн
Мінімальне замовлення: 63
UF3M-R1-00001PanjitRectifiers SMC/ULTRA/SMD/USM-30H
товар відсутній
UF3M-R2-00001PanjitRectifiers SMC/UF/SMD/USM-30H
товар відсутній
UF3M_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.69 грн
12+ 25.05 грн
100+ 15.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
UF3M_R1_00001PanjitRectifiers 1000V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
товар відсутній
UF3M_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+14.44 грн
1600+ 9.45 грн
2400+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3M_R2_00001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3N170400B7SUnited Silicon Carbide1700V - 400mW SiC Normally-on JFET
товар відсутній
UF3N170400B7SQorvoMOSFET 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+616.09 грн
25+ 536.43 грн
100+ 404.17 грн
250+ 341.89 грн
500+ 324 грн
2400+ 318.04 грн
4800+ 307.44 грн
UF3N170400B7SQorvoDescription: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.54 грн
10+ 475.4 грн
100+ 396.13 грн
UF3N170400B7SUnited Silicon CarbideUF3N170400B7S
товар відсутній
UF3N170400B7SQorvo / UnitedSiCJFET 1700V/400mOhm, SiC, N-ON JFET, G3 Fast, reduced Rth, D2PAK-7L
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+748.27 грн
10+ 665.96 грн
100+ 479.71 грн
500+ 435.32 грн
800+ 420.74 грн
2400+ 413.45 грн
UF3N170400B7SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.32 грн
5+ 708.35 грн
10+ 649.63 грн
50+ 551.46 грн
100+ 461.26 грн
250+ 452.34 грн
UF3N170400B7SQorvoDescription: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+362.97 грн
1600+ 314.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065007K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4923.96 грн
30+ 4149 грн
120+ 3852.63 грн
UF3SC065007K4SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 789W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6273.28 грн
5+ 6117.19 грн
10+ 5960.36 грн
50+ 5301.34 грн
UF3SC065007K4SQorvoMOSFET 650V/7mO,SiCFET,G3,TO247-4
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6336.37 грн
25+ 5934.2 грн
100+ 4901.77 грн
250+ 4348.52 грн
600+ 4117.94 грн
3000+ 4035.78 грн
5400+ 3912.54 грн
UF3SC065007K4SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3SC065007K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/7mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-4L
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6334.05 грн
10+ 5931.92 грн
120+ 4940.86 грн
510+ 4851.42 грн
UF3SC065030B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST STACK CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1541.38 грн
10+ 1396.69 грн
100+ 1025.67 грн
500+ 914.36 грн
800+ 897.13 грн
UF3SC065030B7SQorvoDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1175.44 грн
10+ 997.25 грн
100+ 862.44 грн
UF3SC065030B7SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3SC065030B7SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+928.39 грн
100+ 870.93 грн
800+ 756.67 грн
UF3SC065030B7SQorvoDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+811.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065030D8SUnitedSiCDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
товар відсутній
UF3SC065030D8SUnitedSiCDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
товар відсутній
UF3SC065040B7SQorvoDescription: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+562.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065040B7SQorvoMOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+997.96 грн
25+ 867.88 грн
100+ 653.97 грн
250+ 553.92 грн
500+ 524.76 грн
2400+ 513.5 грн
4800+ 498.92 грн
UF3SC065040B7SQorvoDescription: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.21 грн
10+ 690.67 грн
100+ 597.39 грн
UF3SC065040B7SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3SC065040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+995.25 грн
5+ 920.92 грн
10+ 846.6 грн
50+ 733.67 грн
100+ 628.81 грн
250+ 532.61 грн
UF3SC065040D8SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3SC065040D8SUnitedSiCMOSFET 650V/40mOhm SiC STACKED FAST CASCODE G3 DFN8 REDUCED Rth
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3SC065040D8SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3SC120009K4SUnited Silicon Carbide1200V-8.6mW SiC FET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4188.31 грн
UF3SC120009K4SQorvoMOSFET 1200V/9mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6654.08 грн
25+ 5941.82 грн
100+ 4632.1 грн
250+ 4410.14 грн
3000+ 4321.35 грн
5400+ 4189.5 грн
10200+ 4058.31 грн
UF3SC120009K4SUnited Silicon Carbide1200V-8.6mW SiC FET
товар відсутній
UF3SC120009K4SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 789W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7065.62 грн
5+ 6888.72 грн
10+ 6711.81 грн
50+ 5804.48 грн
UF3SC120009K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8512 pF @ 100 V
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4078.22 грн
UF3SC120016K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/16mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-3L
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4358.23 грн
10+ 4008.71 грн
120+ 3032.63 грн
510+ 2980.29 грн
5010+ 2979.63 грн
UF3SC120016K3SUnited Silicon Carbide1200V 16mOhm SiC MOSFETs
товар відсутній
UF3SC120016K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 107
Verlustleistung Pd: 517
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 517
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3703.02 грн
5+ 3538.75 грн
10+ 3374.49 грн
50+ 2784.91 грн
UF3SC120016K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3266.16 грн
30+ 2635.53 грн
120+ 2459.84 грн
UF3SC120016K3SQorvoMOSFET 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4062.94 грн
25+ 3356.47 грн
100+ 2723.21 грн
250+ 2700.68 грн
600+ 2663.57 грн
1200+ 2662.25 грн
3000+ 2654.96 грн
UF3SC120016K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2599.59 грн
UF3SC120016K4SQorvoMOSFET 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4311.08 грн
25+ 3859.37 грн
100+ 3024.02 грн
250+ 2872.95 грн
600+ 2772.24 грн
UF3SC120016K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3SC120016K4SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4145.27 грн
5+ 3954.99 грн
10+ 3764.71 грн
50+ 3150.02 грн
UF3SC120040B7SQorvoDescription: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1630.57 грн
10+ 1395.35 грн
100+ 1220.44 грн
UF3SC120040B7SUnited Silicon Carbide1200V-35mW SiC FET
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1374.61 грн
12+ 1249.33 грн
31+ 1200.18 грн
75+ 1104.93 грн
UF3SC120040B7SQORVODescription: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2034.36 грн
5+ 1955.57 грн
10+ 1876.78 грн
50+ 1615.73 грн
100+ 1373.58 грн
UF3SC120040B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, FAST STACK CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2115.73 грн
10+ 1923.97 грн
100+ 1428.52 грн
500+ 1392.08 грн
800+ 1366.9 грн
UF3SC120040B7SQorvoDescription: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1081.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC120040B7SQorvoMOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2152.83 грн
25+ 1872.15 грн
100+ 1411.3 грн
250+ 1193.31 грн
500+ 1130.36 грн
2400+ 1108.5 грн
4800+ 1074.71 грн
UF3SC170400B7SUnited Silicon CarbideUF3SC170400B7S
товар відсутній