Продукція > YJD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
YJD112010DG1Yangjie TechnologyDescription: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+380.59 грн
12500+ 346.13 грн
25000+ 325.77 грн
50000+ 286.61 грн
100000+ 257.92 грн
250000+ 238.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD120N04AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.37 грн
12500+ 22.16 грн
25000+ 20.84 грн
50000+ 18.33 грн
100000+ 16.52 грн
250000+ 15.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD15N10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.74 грн
95+ 10.58 грн
260+ 9.61 грн
2500+ 9.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJD15N10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.45 грн
95+ 8.49 грн
260+ 8.01 грн
2500+ 7.66 грн
Мінімальне замовлення: 35
YJD15N10AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.62 грн
12500+ 12.35 грн
25000+ 11.6 грн
50000+ 10.23 грн
100000+ 9.2 грн
250000+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD180N03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.37 грн
12500+ 22.16 грн
25000+ 20.84 грн
50000+ 18.33 грн
100000+ 16.52 грн
250000+ 15.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD20N06AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.4 грн
12500+ 12.22 грн
25000+ 11.46 грн
50000+ 10.1 грн
100000+ 9.07 грн
250000+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD20N06AYangjie Electronic TechnologyN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD20N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товар відсутній
YJD20N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товар відсутній
YJD20N06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+18.55 грн
25+ 15.05 грн
100+ 13.09 грн
105+ 9.44 грн
280+ 8.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
YJD20N06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+15.46 грн
30+ 12.08 грн
100+ 10.9 грн
105+ 7.87 грн
280+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
YJD20N06A-F1-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
товар відсутній
YJD20N06A-F1-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
товар відсутній
YJD25N15BYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJD25N15BYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD40N04AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.02 грн
12500+ 9.12 грн
25000+ 8.59 грн
50000+ 7.56 грн
100000+ 6.81 грн
250000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD45G10A-F1-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 45A TO-252
товар відсутній
YJD45G10A-F1-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 45A TO-252
товар відсутній
YJD50N03AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.19 грн
12500+ 12.01 грн
25000+ 11.32 грн
50000+ 9.91 грн
100000+ 8.94 грн
250000+ 8.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD50N06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD50N06AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.63 грн
12500+ 16.01 грн
25000+ 15.12 грн
50000+ 13.28 грн
100000+ 11.98 грн
250000+ 11.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD50N06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJD60N02AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.97 грн
12500+ 10.9 грн
25000+ 10.28 грн
50000+ 9 грн
100000+ 8.1 грн
250000+ 7.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD60N04AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.64 грн
100+ 13.57 грн
105+ 9.51 грн
280+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJD60N04AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.33 грн
12500+ 12.15 грн
25000+ 11.46 грн
50000+ 10.04 грн
100000+ 9.07 грн
250000+ 8.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD60N04AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.03 грн
100+ 10.89 грн
105+ 7.93 грн
280+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
YJD60N04AYangjie Electronic TechnologyN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD80G06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD80G06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD80G06A-F1-0000Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
товар відсутній
YJD80G06A-F1-0000Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
товар відсутній
YJD80N03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.77 грн
12500+ 15.25 грн
25000+ 14.36 грн
50000+ 12.63 грн
100000+ 11.4 грн
250000+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD80N03BYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.97 грн
12500+ 10.9 грн
25000+ 10.28 грн
50000+ 9 грн
100000+ 8.1 грн
250000+ 7.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD90N06AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.37 грн
12500+ 21.26 грн
25000+ 20.02 грн
50000+ 17.62 грн
100000+ 15.87 грн
250000+ 14.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500