Продукція > BRIDGELUX > Всі товари виробника BRIDGELUX (3849) > Сторінка 64 з 65

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 59 60 61 62 63 64 65  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BXS045N10C BRIDGELUX BXS045N10C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 600A; 167W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 167W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXS045N10C BRIDGELUX BXS045N10C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 600A; 167W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 167W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BXS049N08P BXS049N08P BRIDGELUX BXS049N08P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 79A; Idm: 560A; 189W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 85V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 189W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.58 грн
10+ 39.83 грн
25+ 35.94 грн
31+ 27.63 грн
84+ 26.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BXS049N08P BXS049N08P BRIDGELUX BXS049N08P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 79A; Idm: 560A; 189W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 85V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 189W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 591 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+79.9 грн
6+ 49.63 грн
25+ 43.13 грн
31+ 33.16 грн
84+ 31.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
BXS1150N10M BXS1150N10M BRIDGELUX BXS1150N10M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15.6A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.97 грн
25+ 14.45 грн
36+ 10.15 грн
100+ 7.25 грн
250+ 3.63 грн
404+ 2.09 грн
1111+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
BXS1150N10M BXS1150N10M BRIDGELUX BXS1150N10M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15.6A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+37.16 грн
15+ 18.01 грн
25+ 12.18 грн
100+ 8.7 грн
250+ 4.36 грн
404+ 2.51 грн
1111+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
BXT030N03C BRIDGELUX BXT030N03C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; Idm: 360A; 44.6W; PDFN56
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN56
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 59A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44.6W
товар відсутній
BXT030N03C BRIDGELUX BXT030N03C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; Idm: 360A; 44.6W; PDFN56
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN56
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 59A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44.6W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT040N03C BRIDGELUX BXT040N03C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT040N03C BRIDGELUX BXT040N03C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT047N03E BRIDGELUX BXT047N03E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; PDFN33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT047N03E BRIDGELUX BXT047N03E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; PDFN33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT071N04E BRIDGELUX BXT071N04E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; Idm: 140A; 42W; PDFN33
Mounting: SMD
Case: PDFN33
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 140A
товар відсутній
BXT071N04E BRIDGELUX BXT071N04E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; Idm: 140A; 42W; PDFN33
Mounting: SMD
Case: PDFN33
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 140A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT090N06B BXT090N06B BRIDGELUX BXT090N06B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT090N06B BXT090N06B BRIDGELUX BXT090N06B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT1000N06M BXT1000N06M BRIDGELUX BXT1000N06M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 3157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.73 грн
110+ 3.36 грн
330+ 2.59 грн
890+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 70
BXT1000N06M BXT1000N06M BRIDGELUX BXT1000N06M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3157 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+6.87 грн
100+ 4.18 грн
330+ 3.1 грн
890+ 2.93 грн
12000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
BXT1150N10D BXT1150N10D BRIDGELUX BXT1150N10D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT1150N10D BXT1150N10D BRIDGELUX BXT1150N10D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT1150N10J BXT1150N10J BRIDGELUX BXT1150N10J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT1150N10J BXT1150N10J BRIDGELUX BXT1150N10J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT1700P06M BXT1700P06M BRIDGELUX BXT1700P06M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23-3
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 22nC
Drain current: -2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: -16A
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.32 грн
45+ 8.63 грн
100+ 5.75 грн
175+ 4.73 грн
480+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
BXT1700P06M BXT1700P06M BRIDGELUX BXT1700P06M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23-3
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 22nC
Drain current: -2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: -16A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.98 грн
25+ 10.75 грн
100+ 6.9 грн
175+ 5.67 грн
480+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
BXT170N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT170N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BXT230P03B BXT230P03B BRIDGELUX BXT230P03B.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+24.77 грн
19+ 18.98 грн
25+ 16.25 грн
100+ 13.01 грн
122+ 6.9 грн
335+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 16
BXT230P03B BXT230P03B BRIDGELUX BXT230P03B.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+29.73 грн
12+ 23.65 грн
25+ 19.5 грн
100+ 15.61 грн
122+ 8.28 грн
335+ 7.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
BXT270N02M BXT270N02M BRIDGELUX BXT270N02M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+23.23 грн
33+ 11.07 грн
47+ 7.76 грн
100+ 5.52 грн
250+ 2.76 грн
489+ 1.73 грн
1345+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
BXT270N02M BXT270N02M BRIDGELUX BXT270N02M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+27.87 грн
20+ 13.8 грн
28+ 9.32 грн
100+ 6.63 грн
250+ 3.31 грн
489+ 2.07 грн
1345+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
BXT2800N10M BRIDGELUX BXT2800N10M SMD N channel transistors
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
38+7.52 грн
350+ 2.88 грн
960+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 38
BXT280N02B BXT280N02B BRIDGELUX BXT280N02B.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Case: SOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: SMD
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.66 грн
75+ 4.95 грн
220+ 3.85 грн
605+ 3.64 грн
Мінімальне замовлення: 60
BXT280N02B BXT280N02B BRIDGELUX BXT280N02B.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Case: SOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
35+7.99 грн
50+ 6.16 грн
220+ 4.62 грн
605+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 35
BXT2N7002BK BXT2N7002BK BRIDGELUX BXT2N7002BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 19810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
160+2.45 грн
225+ 1.61 грн
500+ 1.06 грн
905+ 0.94 грн
2485+ 0.88 грн
12000+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 160
BXT2N7002BK BXT2N7002BK BRIDGELUX BXT2N7002BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 19810 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
95+2.94 грн
135+ 2.01 грн
500+ 1.28 грн
905+ 1.12 грн
2485+ 1.06 грн
12000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 95
BXT330N06D BXT330N06D BRIDGELUX BXT330N06D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Gate charge: 24.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.8W
товар відсутній
BXT330N06D BXT330N06D BRIDGELUX BXT330N06D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Gate charge: 24.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.8W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT3800P06M BXT3800P06M BRIDGELUX BXT3800P06M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.1A; Idm: -12A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
BXT3800P06M BXT3800P06M BRIDGELUX BXT3800P06M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.1A; Idm: -12A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BXT420N03M BXT420N03M BRIDGELUX BXT420N03M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.66 грн
165+ 2.24 грн
495+ 1.72 грн
1355+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 150
BXT420N03M BXT420N03M BRIDGELUX BXT420N03M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
90+3.2 грн
100+ 2.79 грн
495+ 2.06 грн
1355+ 1.95 грн
12000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 90
BXT520P02M BRIDGELUX BXT520P02M SMD P channel transistors
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
41+6.89 грн
420+ 2.42 грн
1150+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 41
BXT600P03M BXT600P03M BRIDGELUX BXT600P03M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+16.26 грн
49+ 7.48 грн
70+ 5.18 грн
100+ 4.16 грн
250+ 3.71 грн
394+ 2.15 грн
1081+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 24
BXT600P03M BXT600P03M BRIDGELUX BXT600P03M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+19.51 грн
29+ 9.32 грн
42+ 6.21 грн
100+ 4.99 грн
250+ 4.45 грн
394+ 2.58 грн
1081+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
BXT900P06D BXT900P06D BRIDGELUX BXT900P06D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.26 грн
17+ 22.29 грн
25+ 18.98 грн
100+ 15.24 грн
102+ 8.34 грн
278+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
BXT900P06D BXT900P06D BRIDGELUX BXT900P06D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+48.31 грн
10+ 27.77 грн
25+ 22.77 грн
100+ 18.29 грн
102+ 10.01 грн
278+ 9.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
BXW10M1K2H BXW10M1K2H BRIDGELUX BXW10M1K2H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 610mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80.6W
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
товар відсутній
BXW10M1K2H BXW10M1K2H BRIDGELUX BXW10M1K2H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 610mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80.6W
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXW18M1K2H BXW18M1K2H BRIDGELUX BXW18M1K2H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 345mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 96.9W
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній
BXW18M1K2H BXW18M1K2H BRIDGELUX BXW18M1K2H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 345mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 96.9W
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 100 шт
товар відсутній
BXW3M1K7H BXW3M1K7H BRIDGELUX BXW3M1K7H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -3...20V
On-state resistance: 1.69Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXW3M1K7H BXW3M1K7H BRIDGELUX BXW3M1K7H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -3...20V
On-state resistance: 1.69Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXW60M1K2J BXW60M1K2J BRIDGELUX BXW60M1K2J.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 240A; 271.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 170nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...18V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 271.7W
товар відсутній
BXW60M1K2J BXW60M1K2J BRIDGELUX BXW60M1K2J.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 240A; 271.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 170nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...18V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 271.7W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
OLMA-40C000-A01A-AA000 OLMA-40C000-A01A-AA000 Bridgelux DS60_revB%20Bridgelux%20OLM%20Data%20Sheet.pdf Description: LED MOD OLM 4000K 70CRI A01A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
OLMA-40C000-A06A-AA000 OLMA-40C000-A06A-AA000 Bridgelux DS60_revB%20Bridgelux%20OLM%20Data%20Sheet.pdf Description: LED MOD OLM 4000K 70CRI A06A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
OLMA-40E000-A01A-AA000 OLMA-40E000-A01A-AA000 Bridgelux DS60_revB%20Bridgelux%20OLM%20Data%20Sheet.pdf Description: LED MOD OLM 4000K 80CRI A01A
товар відсутній
OLMA-40E000-A06A-AA000 OLMA-40E000-A06A-AA000 Bridgelux DS60_revB%20Bridgelux%20OLM%20Data%20Sheet.pdf Description: LED MOD OLM 4000K 80CRI A06A
товар відсутній
OLMA-50C000-A01A-AA000 OLMA-50C000-A01A-AA000 Bridgelux DS60_revB%20Bridgelux%20OLM%20Data%20Sheet.pdf Description: LED MOD OLM 5000K 70CRI A01A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
OLMA-50C000-A06A-AA000 OLMA-50C000-A06A-AA000 Bridgelux DS60_revB%20Bridgelux%20OLM%20Data%20Sheet.pdf Description: LED MOD OLM 5000K 70CRI A06A
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BXS045N10C BXS045N10C.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 600A; 167W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 167W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXS045N10C BXS045N10C.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 600A; 167W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 167W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BXS049N08P BXS049N08P.pdf
BXS049N08P
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 79A; Idm: 560A; 189W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 85V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 189W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+66.58 грн
10+ 39.83 грн
25+ 35.94 грн
31+ 27.63 грн
84+ 26.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BXS049N08P BXS049N08P.pdf
BXS049N08P
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 79A; Idm: 560A; 189W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 85V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 189W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 591 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.9 грн
6+ 49.63 грн
25+ 43.13 грн
31+ 33.16 грн
84+ 31.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
BXS1150N10M BXS1150N10M.pdf
BXS1150N10M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15.6A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+30.97 грн
25+ 14.45 грн
36+ 10.15 грн
100+ 7.25 грн
250+ 3.63 грн
404+ 2.09 грн
1111+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
BXS1150N10M BXS1150N10M.pdf
BXS1150N10M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15.6A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.16 грн
15+ 18.01 грн
25+ 12.18 грн
100+ 8.7 грн
250+ 4.36 грн
404+ 2.51 грн
1111+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
BXT030N03C BXT030N03C.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; Idm: 360A; 44.6W; PDFN56
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN56
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 59A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44.6W
товар відсутній
BXT030N03C BXT030N03C.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; Idm: 360A; 44.6W; PDFN56
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN56
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 59A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44.6W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT040N03C BXT040N03C.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT040N03C BXT040N03C.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT047N03E BXT047N03E.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; PDFN33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT047N03E BXT047N03E.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; PDFN33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT071N04E BXT071N04E.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; Idm: 140A; 42W; PDFN33
Mounting: SMD
Case: PDFN33
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 140A
товар відсутній
BXT071N04E BXT071N04E.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; Idm: 140A; 42W; PDFN33
Mounting: SMD
Case: PDFN33
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 140A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT090N06B BXT090N06B.pdf
BXT090N06B
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT090N06B BXT090N06B.pdf
BXT090N06B
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT1000N06M BXT1000N06M.pdf
BXT1000N06M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 3157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+5.73 грн
110+ 3.36 грн
330+ 2.59 грн
890+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 70
BXT1000N06M BXT1000N06M.pdf
BXT1000N06M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3157 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+6.87 грн
100+ 4.18 грн
330+ 3.1 грн
890+ 2.93 грн
12000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
BXT1150N10D BXT1150N10D.pdf
BXT1150N10D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT1150N10D BXT1150N10D.pdf
BXT1150N10D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT1150N10J BXT1150N10J.pdf
BXT1150N10J
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT1150N10J BXT1150N10J.pdf
BXT1150N10J
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT1700P06M BXT1700P06M.pdf
BXT1700P06M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23-3
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 22nC
Drain current: -2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: -16A
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.32 грн
45+ 8.63 грн
100+ 5.75 грн
175+ 4.73 грн
480+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
BXT1700P06M BXT1700P06M.pdf
BXT1700P06M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23-3
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 22nC
Drain current: -2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: -16A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.98 грн
25+ 10.75 грн
100+ 6.9 грн
175+ 5.67 грн
480+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
BXT170N06D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT170N06D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BXT230P03B BXT230P03B.pdf
BXT230P03B
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+24.77 грн
19+ 18.98 грн
25+ 16.25 грн
100+ 13.01 грн
122+ 6.9 грн
335+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 16
BXT230P03B BXT230P03B.pdf
BXT230P03B
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.73 грн
12+ 23.65 грн
25+ 19.5 грн
100+ 15.61 грн
122+ 8.28 грн
335+ 7.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
BXT270N02M BXT270N02M.pdf
BXT270N02M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+23.23 грн
33+ 11.07 грн
47+ 7.76 грн
100+ 5.52 грн
250+ 2.76 грн
489+ 1.73 грн
1345+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
BXT270N02M BXT270N02M.pdf
BXT270N02M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+27.87 грн
20+ 13.8 грн
28+ 9.32 грн
100+ 6.63 грн
250+ 3.31 грн
489+ 2.07 грн
1345+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
BXT2800N10M
Виробник: BRIDGELUX
BXT2800N10M SMD N channel transistors
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+7.52 грн
350+ 2.88 грн
960+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 38
BXT280N02B BXT280N02B.pdf
BXT280N02B
Виробник: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Case: SOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: SMD
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+6.66 грн
75+ 4.95 грн
220+ 3.85 грн
605+ 3.64 грн
Мінімальне замовлення: 60
BXT280N02B BXT280N02B.pdf
BXT280N02B
Виробник: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Case: SOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+7.99 грн
50+ 6.16 грн
220+ 4.62 грн
605+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 35
BXT2N7002BK BXT2N7002BK.pdf
BXT2N7002BK
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 19810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+2.45 грн
225+ 1.61 грн
500+ 1.06 грн
905+ 0.94 грн
2485+ 0.88 грн
12000+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 160
BXT2N7002BK BXT2N7002BK.pdf
BXT2N7002BK
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 19810 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+2.94 грн
135+ 2.01 грн
500+ 1.28 грн
905+ 1.12 грн
2485+ 1.06 грн
12000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 95
BXT330N06D BXT330N06D.pdf
BXT330N06D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Gate charge: 24.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.8W
товар відсутній
BXT330N06D BXT330N06D.pdf
BXT330N06D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Gate charge: 24.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.8W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT3800P06M BXT3800P06M.pdf
BXT3800P06M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.1A; Idm: -12A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
BXT3800P06M BXT3800P06M.pdf
BXT3800P06M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.1A; Idm: -12A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BXT420N03M BXT420N03M.pdf
BXT420N03M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+2.66 грн
165+ 2.24 грн
495+ 1.72 грн
1355+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 150
BXT420N03M BXT420N03M.pdf
BXT420N03M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+3.2 грн
100+ 2.79 грн
495+ 2.06 грн
1355+ 1.95 грн
12000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 90
BXT520P02M
Виробник: BRIDGELUX
BXT520P02M SMD P channel transistors
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+6.89 грн
420+ 2.42 грн
1150+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 41
BXT600P03M BXT600P03M.pdf
BXT600P03M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+16.26 грн
49+ 7.48 грн
70+ 5.18 грн
100+ 4.16 грн
250+ 3.71 грн
394+ 2.15 грн
1081+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 24
BXT600P03M BXT600P03M.pdf
BXT600P03M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.51 грн
29+ 9.32 грн
42+ 6.21 грн
100+ 4.99 грн
250+ 4.45 грн
394+ 2.58 грн
1081+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
BXT900P06D BXT900P06D.pdf
BXT900P06D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+40.26 грн
17+ 22.29 грн
25+ 18.98 грн
100+ 15.24 грн
102+ 8.34 грн
278+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
BXT900P06D BXT900P06D.pdf
BXT900P06D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.31 грн
10+ 27.77 грн
25+ 22.77 грн
100+ 18.29 грн
102+ 10.01 грн
278+ 9.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
BXW10M1K2H BXW10M1K2H.pdf
BXW10M1K2H
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 610mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80.6W
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
товар відсутній
BXW10M1K2H BXW10M1K2H.pdf
BXW10M1K2H
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 610mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80.6W
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXW18M1K2H BXW18M1K2H.pdf
BXW18M1K2H
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 345mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 96.9W
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній
BXW18M1K2H BXW18M1K2H.pdf
BXW18M1K2H
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 345mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 96.9W
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 100 шт
товар відсутній
BXW3M1K7H BXW3M1K7H.pdf
BXW3M1K7H
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -3...20V
On-state resistance: 1.69Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXW3M1K7H BXW3M1K7H.pdf
BXW3M1K7H
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -3...20V
On-state resistance: 1.69Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXW60M1K2J BXW60M1K2J.pdf
BXW60M1K2J
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 240A; 271.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 170nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...18V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 271.7W
товар відсутній
BXW60M1K2J BXW60M1K2J.pdf
BXW60M1K2J
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 240A; 271.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 170nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...18V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 271.7W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
OLMA-40C000-A01A-AA000 DS60_revB%20Bridgelux%20OLM%20Data%20Sheet.pdf
OLMA-40C000-A01A-AA000
Виробник: Bridgelux
Description: LED MOD OLM 4000K 70CRI A01A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
OLMA-40C000-A06A-AA000 DS60_revB%20Bridgelux%20OLM%20Data%20Sheet.pdf
OLMA-40C000-A06A-AA000
Виробник: Bridgelux
Description: LED MOD OLM 4000K 70CRI A06A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
OLMA-40E000-A01A-AA000 DS60_revB%20Bridgelux%20OLM%20Data%20Sheet.pdf
OLMA-40E000-A01A-AA000
Виробник: Bridgelux
Description: LED MOD OLM 4000K 80CRI A01A
товар відсутній
OLMA-40E000-A06A-AA000 DS60_revB%20Bridgelux%20OLM%20Data%20Sheet.pdf
OLMA-40E000-A06A-AA000
Виробник: Bridgelux
Description: LED MOD OLM 4000K 80CRI A06A
товар відсутній
OLMA-50C000-A01A-AA000 DS60_revB%20Bridgelux%20OLM%20Data%20Sheet.pdf
OLMA-50C000-A01A-AA000
Виробник: Bridgelux
Description: LED MOD OLM 5000K 70CRI A01A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
OLMA-50C000-A06A-AA000 DS60_revB%20Bridgelux%20OLM%20Data%20Sheet.pdf
OLMA-50C000-A06A-AA000
Виробник: Bridgelux
Description: LED MOD OLM 5000K 70CRI A06A
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 59 60 61 62 63 64 65  [ Наступна Сторінка >> ]