Продукція > FUJI ELECTRIC > Всі товари виробника FUJI ELECTRIC (3) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SC2625 FUJI ELECTRIC NPN 10A 400V 80W 2SC2625 T2SC2625
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+88.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
FMV30N60S1 FMV30N60S1 FUJI ELECTRIC FUJI-S-A0002237527-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: FUJI ELECTRIC - FMV30N60S1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.106 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+658.72 грн
5+ 535.77 грн
10+ 468.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
VLA517-01R VLA517-01R FUJI ELECTRIC Description: FUJI ELECTRIC - VLA517-01R - Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 60
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: SIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Anzahl der Pins: 15
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 60
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
2SC2625
Виробник: FUJI ELECTRIC
NPN 10A 400V 80W 2SC2625 T2SC2625
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+88.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
FMV30N60S1 FUJI-S-A0002237527-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FMV30N60S1
Виробник: FUJI ELECTRIC
Description: FUJI ELECTRIC - FMV30N60S1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.106 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+658.72 грн
5+ 535.77 грн
10+ 468.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
VLA517-01R
VLA517-01R
Виробник: FUJI ELECTRIC
Description: FUJI ELECTRIC - VLA517-01R - Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 60
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: SIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Anzahl der Pins: 15
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 60
SVHC: To Be Advised
товар відсутній