Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1077) > Сторінка 9 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
GSFC0403 GSFC0403 Good-Ark Semiconductor GSFC0403.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
6000+ 3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFC0403 GSFC0403 Good-Ark Semiconductor GSFC0403.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.71 грн
18+ 15.91 грн
100+ 8.04 грн
500+ 6.16 грн
1000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
GSFC0603 GSFC0603 Good-Ark Semiconductor GSFC0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFC0603 GSFC0603 Good-Ark Semiconductor GSFC0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.05 грн
12+ 23.94 грн
25+ 21.56 грн
100+ 13.98 грн
250+ 11.77 грн
500+ 9.56 грн
1000+ 7.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
GSFC1208 GSFC1208 Good-Ark Semiconductor GSFC1208.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.48 грн
6000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFC1208 GSFC1208 Good-Ark Semiconductor GSFC1208.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.4 грн
18+ 15.64 грн
25+ 13.09 грн
100+ 7.79 грн
250+ 6.01 грн
500+ 5.12 грн
1000+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
GSFC3401 GSFC3401 Good-Ark Semiconductor GSFC3401.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.56 грн
16+ 17.3 грн
25+ 14.5 грн
100+ 8.63 грн
250+ 6.66 грн
500+ 5.68 грн
1000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 14
GSFC3401 GSFC3401 Good-Ark Semiconductor GSFC3401.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFC3415 GSFC3415 Good-Ark Semiconductor GSFC3415.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFC3415 GSFC3415 Good-Ark Semiconductor GSFC3415.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.71 грн
17+ 17.09 грн
25+ 14.89 грн
100+ 9.05 грн
250+ 7.5 грн
500+ 6 грн
1000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
GSFC4050 GSFC4050 Good-Ark Semiconductor GSFC4050.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.15 грн
6000+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFC4050 GSFC4050 Good-Ark Semiconductor GSFC4050.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.68 грн
23+ 12.39 грн
100+ 6.05 грн
500+ 4.73 грн
1000+ 3.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
GSFCP0212 GSFCP0212 Good-Ark Semiconductor GSFCP0212.pdf Description: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
товар відсутній
GSFCP0212 GSFCP0212 Good-Ark Semiconductor GSFCP0212.pdf Description: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GSFD0460 Good-Ark Semiconductor GSFD0460.pdf Description: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.39 грн
5000+ 18.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GSFD0460 Good-Ark Semiconductor GSFD0460.pdf Description: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.45 грн
10+ 44.7 грн
25+ 41.99 грн
100+ 32.15 грн
250+ 29.86 грн
500+ 25.42 грн
1000+ 20 грн
Мінімальне замовлення: 6
GSFD0646 Good-Ark Semiconductor GSFD0646.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.97 грн
5000+ 16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GSFD0646 Good-Ark Semiconductor GSFD0646.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.99 грн
10+ 39.37 грн
25+ 36.98 грн
100+ 28.33 грн
250+ 26.31 грн
500+ 22.39 грн
1000+ 17.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
GSFD0650 GSFD0650 Good-Ark Semiconductor GSFD0650.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GSFD0650 GSFD0650 Good-Ark Semiconductor GSFD0650.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.39 грн
10+ 36.26 грн
25+ 34.02 грн
100+ 26.05 грн
250+ 24.19 грн
500+ 20.59 грн
1000+ 16.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
GSFD06C20 GSFD06C20 Good-Ark Semiconductor GSFD06C20.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.61 грн
10+ 46.22 грн
25+ 43.45 грн
100+ 33.29 грн
250+ 30.91 грн
500+ 26.31 грн
1000+ 20.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
GSFD06C20 GSFD06C20 Good-Ark Semiconductor GSFD06C20.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GSFD1028 GSFD1028 Good-Ark Semiconductor GSFD1028.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товар відсутній
GSFD1028 GSFD1028 Good-Ark Semiconductor GSFD1028.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+132.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GSFD1550 GSFD1550 Good-Ark Semiconductor GSFD1550.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
товар відсутній
GSFD1550 GSFD1550 Good-Ark Semiconductor GSFD1550.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.18 грн
10+ 110.02 грн
25+ 103.79 грн
100+ 82.99 грн
250+ 77.93 грн
500+ 68.19 грн
1000+ 55.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
GSFD4N65 GSFD4N65 Good-Ark Semiconductor GSFD4N65.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.74 грн
12+ 23.94 грн
100+ 16.67 грн
500+ 12.22 грн
1000+ 9.93 грн
2500+ 8.88 грн
5000+ 8.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
GSFD6959 GSFD6959 Good-Ark Semiconductor GSFD6959.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GSFD6959 GSFD6959 Good-Ark Semiconductor GSFD6959.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.51 грн
10+ 54.04 грн
25+ 51.31 грн
100+ 39.55 грн
250+ 36.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
GSFF0308 GSFF0308 Good-Ark Semiconductor GSFF0308.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 15890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.15 грн
14+ 19.93 грн
25+ 16.69 грн
100+ 9.91 грн
250+ 7.65 грн
500+ 6.52 грн
1000+ 4.36 грн
2500+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
GSFF0308 GSFF0308 Good-Ark Semiconductor GSFF0308.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 8000
GSFH06100 GSFH06100 Good-Ark Semiconductor GSFH06100.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 30 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.66 грн
10+ 75.28 грн
25+ 71.44 грн
100+ 55.08 грн
250+ 51.49 грн
500+ 45.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
GSFH0625 GSFH0625 Good-Ark Semiconductor GSFH0625.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -25.00A, -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
товар відсутній
GSFH0970 Good-Ark Semiconductor GSFH0970.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.75 грн
10+ 192.43 грн
25+ 181.54 грн
100+ 145.14 грн
250+ 136.29 грн
500+ 119.25 грн
1000+ 97.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
GSFH0980 Good-Ark Semiconductor GSFH0980.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.21 грн
10+ 134.1 грн
25+ 126.51 грн
100+ 101.16 грн
250+ 94.99 грн
500+ 83.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
GSFH10120 GSFH10120 Good-Ark Semiconductor GSFH10120.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 50 V
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+ 97.15 грн
25+ 91.61 грн
100+ 73.25 грн
250+ 68.78 грн
500+ 60.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
GSFH5010 GSFH5010 Good-Ark Semiconductor GSFH5010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9A, 500V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.51 грн
10+ 73.35 грн
25+ 69.64 грн
100+ 53.67 грн
250+ 50.17 грн
500+ 44.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
GSFH5020 GSFH5020 Good-Ark Semiconductor GSFH5020.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 50
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 252W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2687 pF @ 25 V
товар відсутній
GSFH60R160 GSFH60R160 Good-Ark Semiconductor GSFH60R160.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 100 V
товар відсутній
GSFH9506 GSFH9506 Good-Ark Semiconductor GSFH9506.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.57 грн
10+ 154.3 грн
100+ 122.79 грн
500+ 97.51 грн
1000+ 82.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
GSFK0300 GSFK0300 Good-Ark Semiconductor GSFK0300.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.02 грн
14+ 19.93 грн
25+ 17.46 грн
100+ 10.6 грн
250+ 8.78 грн
500+ 7.02 грн
1000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
GSFK0300 GSFK0300 Good-Ark Semiconductor GSFK0300.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFK0501 GSFK0501 Good-Ark Semiconductor GSFK0501.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFK0501 GSFK0501 Good-Ark Semiconductor GSFK0501.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.02 грн
14+ 19.93 грн
25+ 17.46 грн
100+ 10.6 грн
250+ 8.78 грн
500+ 7.02 грн
1000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
GSFK0501E GSFK0501E Good-Ark Semiconductor GSFK0501E.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFK0501E GSFK0501E Good-Ark Semiconductor GSFK0501E.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.18 грн
13+ 21.66 грн
25+ 18.96 грн
100+ 11.51 грн
250+ 9.53 грн
500+ 7.62 грн
1000+ 5.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
GSFK0502 GSFK0502 Good-Ark Semiconductor GSFK0502.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFK0502 GSFK0502 Good-Ark Semiconductor GSFK0502.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.3 грн
13+ 21.45 грн
25+ 17.96 грн
100+ 10.68 грн
250+ 8.24 грн
500+ 7.02 грн
1000+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 11
GSFK3420 GSFK3420 Good-Ark Semiconductor GSFK3420.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V, 1Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V, 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFK3420 GSFK3420 Good-Ark Semiconductor GSFK3420.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V, 1Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V, 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.15 грн
16+ 18.13 грн
25+ 16.39 грн
100+ 10.62 грн
250+ 8.94 грн
500+ 7.26 грн
1000+ 5.5 грн
Мінімальне замовлення: 12
GSFKW0202 GSFKW0202 Good-Ark Semiconductor GSFKW0202.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товар відсутній
GSFKW0202 GSFKW0202 Good-Ark Semiconductor GSFKW0202.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товар відсутній
GSFL1003 GSFL1003 Good-Ark Semiconductor GSFL1003.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFL1003 GSFL1003 Good-Ark Semiconductor GSFL1003.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.33 грн
11+ 26.36 грн
25+ 24.61 грн
100+ 18.48 грн
250+ 17.16 грн
500+ 14.52 грн
1000+ 11.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
GSFL1004 GSFL1004 Good-Ark Semiconductor GSFL1004.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.22 грн
6000+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFL1004 GSFL1004 Good-Ark Semiconductor GSFL1004.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.74 грн
13+ 22.56 грн
25+ 20.62 грн
100+ 14.4 грн
250+ 13.05 грн
500+ 10.8 грн
1000+ 7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
GSFN0205 GSFN0205 Good-Ark Semiconductor GSFN0205.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -5.5A, -20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.39 грн
10+ 34.74 грн
25+ 32.44 грн
100+ 24.34 грн
250+ 22.61 грн
500+ 19.13 грн
1000+ 14.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
GSFN0205 GSFN0205 Good-Ark Semiconductor GSFN0205.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -5.5A, -20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.91 грн
6000+ 13.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFN0232 GSFN0232 Good-Ark Semiconductor GSFN0232.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 32A, 20V, DF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.91 грн
6000+ 13.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFN0232 GSFN0232 Good-Ark Semiconductor GSFN0232.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 32A, 20V, DF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.39 грн
10+ 34.74 грн
25+ 32.44 грн
100+ 24.34 грн
250+ 22.61 грн
500+ 19.13 грн
1000+ 14.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
GSFC0403 GSFC0403.pdf
GSFC0403
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.25 грн
6000+ 3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFC0403 GSFC0403.pdf
GSFC0403
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.71 грн
18+ 15.91 грн
100+ 8.04 грн
500+ 6.16 грн
1000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
GSFC0603 GSFC0603.pdf
GSFC0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFC0603 GSFC0603.pdf
GSFC0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.05 грн
12+ 23.94 грн
25+ 21.56 грн
100+ 13.98 грн
250+ 11.77 грн
500+ 9.56 грн
1000+ 7.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
GSFC1208 GSFC1208.pdf
GSFC1208
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.48 грн
6000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFC1208 GSFC1208.pdf
GSFC1208
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.4 грн
18+ 15.64 грн
25+ 13.09 грн
100+ 7.79 грн
250+ 6.01 грн
500+ 5.12 грн
1000+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
GSFC3401 GSFC3401.pdf
GSFC3401
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.56 грн
16+ 17.3 грн
25+ 14.5 грн
100+ 8.63 грн
250+ 6.66 грн
500+ 5.68 грн
1000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 14
GSFC3401 GSFC3401.pdf
GSFC3401
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFC3415 GSFC3415.pdf
GSFC3415
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFC3415 GSFC3415.pdf
GSFC3415
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.71 грн
17+ 17.09 грн
25+ 14.89 грн
100+ 9.05 грн
250+ 7.5 грн
500+ 6 грн
1000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
GSFC4050 GSFC4050.pdf
GSFC4050
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.15 грн
6000+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFC4050 GSFC4050.pdf
GSFC4050
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.68 грн
23+ 12.39 грн
100+ 6.05 грн
500+ 4.73 грн
1000+ 3.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
GSFCP0212 GSFCP0212.pdf
GSFCP0212
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
товар відсутній
GSFCP0212 GSFCP0212.pdf
GSFCP0212
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GSFD0460 GSFD0460.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.39 грн
5000+ 18.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GSFD0460 GSFD0460.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.45 грн
10+ 44.7 грн
25+ 41.99 грн
100+ 32.15 грн
250+ 29.86 грн
500+ 25.42 грн
1000+ 20 грн
Мінімальне замовлення: 6
GSFD0646 GSFD0646.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.97 грн
5000+ 16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GSFD0646 GSFD0646.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.99 грн
10+ 39.37 грн
25+ 36.98 грн
100+ 28.33 грн
250+ 26.31 грн
500+ 22.39 грн
1000+ 17.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
GSFD0650 GSFD0650.pdf
GSFD0650
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GSFD0650 GSFD0650.pdf
GSFD0650
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.39 грн
10+ 36.26 грн
25+ 34.02 грн
100+ 26.05 грн
250+ 24.19 грн
500+ 20.59 грн
1000+ 16.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
GSFD06C20 GSFD06C20.pdf
GSFD06C20
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.61 грн
10+ 46.22 грн
25+ 43.45 грн
100+ 33.29 грн
250+ 30.91 грн
500+ 26.31 грн
1000+ 20.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
GSFD06C20 GSFD06C20.pdf
GSFD06C20
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GSFD1028 GSFD1028.pdf
GSFD1028
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товар відсутній
GSFD1028 GSFD1028.pdf
GSFD1028
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+132.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GSFD1550 GSFD1550.pdf
GSFD1550
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
товар відсутній
GSFD1550 GSFD1550.pdf
GSFD1550
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.18 грн
10+ 110.02 грн
25+ 103.79 грн
100+ 82.99 грн
250+ 77.93 грн
500+ 68.19 грн
1000+ 55.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
GSFD4N65 GSFD4N65.pdf
GSFD4N65
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.74 грн
12+ 23.94 грн
100+ 16.67 грн
500+ 12.22 грн
1000+ 9.93 грн
2500+ 8.88 грн
5000+ 8.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
GSFD6959 GSFD6959.pdf
GSFD6959
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GSFD6959 GSFD6959.pdf
GSFD6959
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.51 грн
10+ 54.04 грн
25+ 51.31 грн
100+ 39.55 грн
250+ 36.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
GSFF0308 GSFF0308.pdf
GSFF0308
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 15890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.15 грн
14+ 19.93 грн
25+ 16.69 грн
100+ 9.91 грн
250+ 7.65 грн
500+ 6.52 грн
1000+ 4.36 грн
2500+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
GSFF0308 GSFF0308.pdf
GSFF0308
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 8000
GSFH06100 GSFH06100.pdf
GSFH06100
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 30 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.66 грн
10+ 75.28 грн
25+ 71.44 грн
100+ 55.08 грн
250+ 51.49 грн
500+ 45.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
GSFH0625 GSFH0625.pdf
GSFH0625
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -25.00A, -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
товар відсутній
GSFH0970 GSFH0970.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.75 грн
10+ 192.43 грн
25+ 181.54 грн
100+ 145.14 грн
250+ 136.29 грн
500+ 119.25 грн
1000+ 97.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
GSFH0980 GSFH0980.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.21 грн
10+ 134.1 грн
25+ 126.51 грн
100+ 101.16 грн
250+ 94.99 грн
500+ 83.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
GSFH10120 GSFH10120.pdf
GSFH10120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 50 V
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.09 грн
10+ 97.15 грн
25+ 91.61 грн
100+ 73.25 грн
250+ 68.78 грн
500+ 60.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
GSFH5010 GSFH5010.pdf
GSFH5010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9A, 500V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.51 грн
10+ 73.35 грн
25+ 69.64 грн
100+ 53.67 грн
250+ 50.17 грн
500+ 44.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
GSFH5020 GSFH5020.pdf
GSFH5020
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 50
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 252W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2687 pF @ 25 V
товар відсутній
GSFH60R160 GSFH60R160.pdf
GSFH60R160
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 100 V
товар відсутній
GSFH9506 GSFH9506.pdf
GSFH9506
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.57 грн
10+ 154.3 грн
100+ 122.79 грн
500+ 97.51 грн
1000+ 82.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
GSFK0300 GSFK0300.pdf
GSFK0300
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.02 грн
14+ 19.93 грн
25+ 17.46 грн
100+ 10.6 грн
250+ 8.78 грн
500+ 7.02 грн
1000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
GSFK0300 GSFK0300.pdf
GSFK0300
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFK0501 GSFK0501.pdf
GSFK0501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFK0501 GSFK0501.pdf
GSFK0501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.02 грн
14+ 19.93 грн
25+ 17.46 грн
100+ 10.6 грн
250+ 8.78 грн
500+ 7.02 грн
1000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
GSFK0501E GSFK0501E.pdf
GSFK0501E
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFK0501E GSFK0501E.pdf
GSFK0501E
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
13+ 21.66 грн
25+ 18.96 грн
100+ 11.51 грн
250+ 9.53 грн
500+ 7.62 грн
1000+ 5.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
GSFK0502 GSFK0502.pdf
GSFK0502
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFK0502 GSFK0502.pdf
GSFK0502
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.3 грн
13+ 21.45 грн
25+ 17.96 грн
100+ 10.68 грн
250+ 8.24 грн
500+ 7.02 грн
1000+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 11
GSFK3420 GSFK3420.pdf
GSFK3420
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V, 1Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V, 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFK3420 GSFK3420.pdf
GSFK3420
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V, 1Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V, 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.15 грн
16+ 18.13 грн
25+ 16.39 грн
100+ 10.62 грн
250+ 8.94 грн
500+ 7.26 грн
1000+ 5.5 грн
Мінімальне замовлення: 12
GSFKW0202 GSFKW0202.pdf
GSFKW0202
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товар відсутній
GSFKW0202 GSFKW0202.pdf
GSFKW0202
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товар відсутній
GSFL1003 GSFL1003.pdf
GSFL1003
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFL1003 GSFL1003.pdf
GSFL1003
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.33 грн
11+ 26.36 грн
25+ 24.61 грн
100+ 18.48 грн
250+ 17.16 грн
500+ 14.52 грн
1000+ 11.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
GSFL1004 GSFL1004.pdf
GSFL1004
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.22 грн
6000+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFL1004 GSFL1004.pdf
GSFL1004
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.74 грн
13+ 22.56 грн
25+ 20.62 грн
100+ 14.4 грн
250+ 13.05 грн
500+ 10.8 грн
1000+ 7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
GSFN0205 GSFN0205.pdf
GSFN0205
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -5.5A, -20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.39 грн
10+ 34.74 грн
25+ 32.44 грн
100+ 24.34 грн
250+ 22.61 грн
500+ 19.13 грн
1000+ 14.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
GSFN0205 GSFN0205.pdf
GSFN0205
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -5.5A, -20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.91 грн
6000+ 13.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFN0232 GSFN0232.pdf
GSFN0232
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 32A, 20V, DF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.91 грн
6000+ 13.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GSFN0232 GSFN0232.pdf
GSFN0232
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 32A, 20V, DF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.39 грн
10+ 34.74 грн
25+ 32.44 грн
100+ 24.34 грн
250+ 22.61 грн
500+ 19.13 грн
1000+ 14.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]