Результат пошуку "10N6" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
10N65 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 27.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
10N65 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 27.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 107 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
10N65 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
10N60 |
на замовлення 8995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
AOT10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 265 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 27.7nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 27.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 590 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT10N65 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.4A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 31.1nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 868 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF10N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF10N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 27.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 624 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP10N65CF | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP10N65CF | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 919 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCB110N65F | onsemi / Fairchild | MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS010N6P03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS010N6P03-PM | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS010N6PHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS010N6S03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS010N6S03-PM | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS010N6SHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS610N6PHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 7 POS PLUG |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS610N6SHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 7 POS PLUG |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS6BS10N6P03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS PLUG |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS6BS10N6S03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS PLUG |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS710N6P03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS710N6PHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS710N6S03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 670 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon |
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 5997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 370 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.7A 30000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA10N65ET6XKSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 15A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 780 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 2561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD10N60RF | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC |
на замовлення 5057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN110N60P3 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP10N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP10N60P | IXYS | MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTA10N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXTP10N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP10N60P | IXYS | MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH110N65C4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 110A Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH110N65C4 | IXYS | IGBT Transistors 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXK110N65B4H1 | IXYS | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXN110N65B4H1 | IXYS | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXR110N65B4H1 | IXYS | IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXX110N65B4H1 | IXYS | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYP10N65B3D1 | IXYS | IGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
10N65 |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.34 грн |
11+ | 32.18 грн |
25+ | 28.89 грн |
32+ | 24.71 грн |
88+ | 23.41 грн |
10N65 |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.81 грн |
7+ | 40.1 грн |
25+ | 34.67 грн |
32+ | 29.66 грн |
88+ | 28.09 грн |
250+ | 27.52 грн |
10N65 |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 22.52 грн |
AOT10N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 79.62 грн |
6+ | 66.4 грн |
15+ | 56.14 грн |
39+ | 52.71 грн |
AOT10N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 95.55 грн |
5+ | 82.75 грн |
15+ | 67.36 грн |
39+ | 63.25 грн |
500+ | 61.61 грн |
AOT10N65 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 77.41 грн |
6+ | 65.03 грн |
15+ | 54.77 грн |
40+ | 52.03 грн |
500+ | 49.97 грн |
AOT10N65 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 92.89 грн |
5+ | 81.04 грн |
15+ | 65.72 грн |
40+ | 62.43 грн |
500+ | 59.97 грн |
AOT10N65 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 48.62 грн |
AOTF10N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 868 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 97.31 грн |
5+ | 84.46 грн |
15+ | 68.18 грн |
40+ | 64.08 грн |
500+ | 61.61 грн |
AOTF10N60 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 56.12 грн |
AOTF10N60 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 56.12 грн |
AOTF10N65 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 624 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 93.78 грн |
5+ | 81.04 грн |
15+ | 65.72 грн |
40+ | 61.61 грн |
500+ | 59.97 грн |
BXP10N65CF |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 59.72 грн |
9+ | 38.47 грн |
25+ | 34.64 грн |
30+ | 26.49 грн |
82+ | 25.06 грн |
BXP10N65CF |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 919 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 71.66 грн |
6+ | 47.94 грн |
25+ | 41.57 грн |
30+ | 31.79 грн |
82+ | 30.07 грн |
FCB110N65F |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 381.83 грн |
10+ | 333.29 грн |
25+ | 279.31 грн |
100+ | 256.3 грн |
250+ | 250.39 грн |
500+ | 228.05 грн |
800+ | 199.79 грн |
FLS010N6P03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 532.11 грн |
10+ | 457.24 грн |
100+ | 337.14 грн |
200+ | 322.68 грн |
500+ | 303.62 грн |
1000+ | 266.16 грн |
2500+ | 252.36 грн |
FLS010N6P03-PM |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 560.47 грн |
10+ | 476.89 грн |
50+ | 400.89 грн |
100+ | 380.51 грн |
250+ | 340.43 грн |
500+ | 320.05 грн |
1000+ | 280.62 грн |
FLS010N6PHEC03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 818.86 грн |
10+ | 714.96 грн |
50+ | 580.3 грн |
100+ | 542.18 грн |
250+ | 494.21 грн |
500+ | 462.01 грн |
1000+ | 423.89 грн |
FLS010N6S03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 667.05 грн |
10+ | 591.77 грн |
50+ | 484.35 грн |
100+ | 460.03 грн |
250+ | 410.09 грн |
500+ | 385.11 грн |
1000+ | 340.43 грн |
FLS010N6S03-PM |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 550.51 грн |
10+ | 495.79 грн |
50+ | 365.4 грн |
100+ | 339.77 грн |
250+ | 302.31 грн |
500+ | 275.36 грн |
1000+ | 255.65 грн |
FLS010N6SHEC03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 792.79 грн |
10+ | 736.12 грн |
50+ | 543.5 грн |
100+ | 502.09 грн |
250+ | 437.03 грн |
500+ | 406.14 грн |
1000+ | 384.46 грн |
FLS610N6PHEC03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 903.97 грн |
10+ | 823.79 грн |
50+ | 607.9 грн |
100+ | 519.18 грн |
200+ | 503.41 грн |
500+ | 492.89 грн |
1000+ | 479.09 грн |
FLS610N6SHEC03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1014.38 грн |
10+ | 922.8 грн |
50+ | 681.51 грн |
100+ | 613.82 грн |
250+ | 580.96 грн |
500+ | 558.61 грн |
1000+ | 532.33 грн |
FLS6BS10N6P03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 928.5 грн |
10+ | 810.94 грн |
50+ | 658.51 грн |
100+ | 614.47 грн |
250+ | 560.58 грн |
500+ | 524.44 грн |
1000+ | 481.06 грн |
FLS6BS10N6S03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1064.21 грн |
10+ | 929.6 грн |
50+ | 755.11 грн |
100+ | 704.51 грн |
250+ | 642.73 грн |
500+ | 601.33 грн |
1000+ | 552.04 грн |
FLS710N6P03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 799.69 грн |
10+ | 727.81 грн |
50+ | 536.93 грн |
100+ | 483.69 грн |
250+ | 458.06 грн |
500+ | 440.32 грн |
1000+ | 419.29 грн |
FLS710N6PHEC03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1147.78 грн |
10+ | 1044.47 грн |
50+ | 771.54 грн |
100+ | 759.71 грн |
250+ | 656.53 грн |
500+ | 632.22 грн |
1000+ | 601.99 грн |
FLS710N6S03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 817.33 грн |
10+ | 724.78 грн |
50+ | 602.64 грн |
100+ | 511.29 грн |
200+ | 449.52 грн |
500+ | 417.32 грн |
1000+ | 399.57 грн |
IGB10N60TATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 81.1 грн |
6+ | 67.77 грн |
15+ | 53.4 грн |
41+ | 50.66 грн |
250+ | 49.97 грн |
IGB10N60TATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 97.31 грн |
5+ | 84.46 грн |
15+ | 64.08 грн |
41+ | 60.79 грн |
250+ | 59.97 грн |
IGB10N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 101.97 грн |
10+ | 83.13 грн |
100+ | 57.18 грн |
500+ | 47.97 грн |
1000+ | 40.68 грн |
2000+ | 38.31 грн |
5000+ | 36.47 грн |
IGB10N60TATMA1 |
Виробник: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 53.22 грн |
IGD10N65T6ARMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 177.88 грн |
10+ | 145.86 грн |
100+ | 100.55 грн |
250+ | 92.66 грн |
500+ | 84.12 грн |
1000+ | 72.95 грн |
3000+ | 67.69 грн |
IGP10N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 97.31 грн |
5+ | 79.41 грн |
10+ | 71.88 грн |
13+ | 65.72 грн |
34+ | 62.3 грн |
IGP10N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 98.96 грн |
10+ | 86.26 грн |
13+ | 78.86 грн |
34+ | 74.76 грн |
IKA10N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.7A 30000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.7A 30000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.68 грн |
IKA10N65ET6XKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 15A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 15A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 56.89 грн |
IKB10N60TATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 115.01 грн |
5+ | 96.52 грн |
11+ | 78.04 грн |
28+ | 73.93 грн |
IKB10N60TATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 138.01 грн |
5+ | 120.28 грн |
11+ | 93.65 грн |
28+ | 88.72 грн |
IKB10N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 52.98 грн |
IKD10N60RATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.67 грн |
10+ | 80.87 грн |
100+ | 54.55 грн |
500+ | 45.61 грн |
1000+ | 37.66 грн |
2500+ | 35.36 грн |
5000+ | 33.65 грн |
IKD10N60RC2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.21 грн |
10+ | 64.24 грн |
100+ | 44.69 грн |
500+ | 38.84 грн |
1000+ | 32.99 грн |
2500+ | 31.09 грн |
5000+ | 30.03 грн |
IKD10N60RF |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.01 грн |
10+ | 93.72 грн |
100+ | 62.96 грн |
500+ | 53.63 грн |
1000+ | 43.7 грн |
2500+ | 42.65 грн |
5000+ | 42.45 грн |
IKP10N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP10N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 49.38 грн |
IKP10N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 119.61 грн |
10+ | 77.09 грн |
100+ | 59.02 грн |
250+ | 58.23 грн |
500+ | 53.36 грн |
1000+ | 46.27 грн |
2500+ | 46.2 грн |
IXFN110N60P3 |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
Discrete Semiconductor Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2984.85 грн |
10+ | 2674.67 грн |
100+ | 2041.24 грн |
1000+ | 1976.17 грн |
IXFP10N60P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 256.56 грн |
3+ | 221.8 грн |
6+ | 170.87 грн |
10+ | 170.05 грн |
16+ | 161.01 грн |
IXFP10N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600
MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 283.69 грн |
10+ | 235.04 грн |
50+ | 192.56 грн |
100+ | 164.96 грн |
250+ | 155.75 грн |
500+ | 146.55 грн |
1000+ | 126.18 грн |
IXTA10N60P |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IXTP10N60P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 244.17 грн |
3+ | 211.57 грн |
6+ | 161.83 грн |
17+ | 153.62 грн |
IXTP10N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 272.95 грн |
10+ | 225.98 грн |
50+ | 185.33 грн |
100+ | 162.33 грн |
IXXH110N65C4 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 751.98 грн |
2+ | 526.35 грн |
3+ | 506.04 грн |
6+ | 478.93 грн |
IXXH110N65C4 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBT Transistors 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 778.99 грн |
10+ | 657.52 грн |
30+ | 519.18 грн |
120+ | 475.81 грн |
270+ | 448.2 грн |
510+ | 391.03 грн |
1020+ | 370 грн |
IXXK110N65B4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1278.89 грн |
10+ | 1110.98 грн |
25+ | 939.78 грн |
50+ | 887.87 грн |
100+ | 835.29 грн |
250+ | 809 грн |
500+ | 780.09 грн |
IXXN110N65B4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2297.87 грн |
10+ | 1973.32 грн |
IXXR110N65B4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1491.28 грн |
10+ | 1296.15 грн |
30+ | 1035.08 грн |
60+ | 1034.42 грн |
120+ | 912.18 грн |
270+ | 852.38 грн |
IXXX110N65B4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1308.8 грн |
IXYP10N65B3D1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
IGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 317.42 грн |
10+ | 275.1 грн |
50+ | 203.07 грн |
100+ | 184.67 грн |
250+ | 174.16 грн |
500+ | 163.64 грн |
1000+ | 139.98 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]