Результат пошуку "11N80c" : 33
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPP11N80C3 Код товару: 111118 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 800 V Idd,A: 11 A Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8 Монтаж: THT |
у наявності: 36 шт
|
|
||||||||||||||||
11N80C3 | INFINEON |
на замовлення 5045 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPA11N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 156W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 156W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 309 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
на замовлення 3407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 5452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon |
N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW11N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW11N80CC |
на замовлення 6900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPA11N80C3 Код товару: 119117 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
SPW11N80C3 Код товару: 132782 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
SPA11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SPA11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SPP11N80C3XK | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SPW11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SPW11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SP000216320 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
товар відсутній |
SPP11N80C3 Код товару: 111118 |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
Монтаж: THT
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
Монтаж: THT
у наявності: 36 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 165 грн |
10+ | 149 грн |
SPA11N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.66 грн |
10+ | 171.54 грн |
25+ | 140.51 грн |
100+ | 119.87 грн |
250+ | 113.87 грн |
500+ | 107.22 грн |
1000+ | 91.9 грн |
SPA11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.9 грн |
50+ | 145.73 грн |
100+ | 124.9 грн |
500+ | 104.19 грн |
1000+ | 89.22 грн |
2000+ | 84.01 грн |
SPA11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.91 грн |
SPA11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 207.44 грн |
10+ | 184.56 грн |
25+ | 130.52 грн |
100+ | 111.21 грн |
500+ | 104.55 грн |
1000+ | 86.57 грн |
SPA11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 191.88 грн |
SPA11N80C3XKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 207.44 грн |
10+ | 172.31 грн |
25+ | 141.18 грн |
100+ | 120.53 грн |
250+ | 114.54 грн |
500+ | 107.22 грн |
1000+ | 86.57 грн |
SPA11N80C3XKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.91 грн |
SPA11N80C3XKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.9 грн |
50+ | 145.73 грн |
100+ | 124.9 грн |
SPP11N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 193.48 грн |
3+ | 162.32 грн |
7+ | 124.17 грн |
18+ | 117.23 грн |
SPP11N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 232.18 грн |
3+ | 202.28 грн |
7+ | 149 грн |
18+ | 140.68 грн |
SPP11N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 205.11 грн |
10+ | 170.01 грн |
25+ | 139.18 грн |
100+ | 119.2 грн |
250+ | 112.54 грн |
500+ | 105.88 грн |
1000+ | 91.23 грн |
SPP11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 3407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 189.46 грн |
50+ | 144.54 грн |
100+ | 123.88 грн |
500+ | 103.34 грн |
1000+ | 88.49 грн |
2000+ | 83.32 грн |
SPP11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 81.58 грн |
SPP11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 5452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 205.89 грн |
10+ | 194.52 грн |
25+ | 138.51 грн |
100+ | 117.2 грн |
250+ | 116.54 грн |
500+ | 102.55 грн |
1000+ | 85.91 грн |
SPP11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon
N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 164.17 грн |
SPW11N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 243.18 грн |
10+ | 201.41 грн |
25+ | 165.15 грн |
100+ | 141.84 грн |
240+ | 133.85 грн |
480+ | 125.86 грн |
1200+ | 107.88 грн |
SPW11N80C3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 245.51 грн |
10+ | 220.56 грн |
25+ | 167.15 грн |
100+ | 143.84 грн |
240+ | 140.51 грн |
480+ | 109.21 грн |
1200+ | 101.89 грн |
SPW11N80C3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 226.19 грн |
30+ | 172.82 грн |
120+ | 148.14 грн |
510+ | 123.57 грн |
1020+ | 105.81 грн |
SPA11N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SPA11N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPW11N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SPW11N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPW11N80C3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
SP000216320 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
товар відсутній