Результат пошуку "12N50" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
AOT12N50 AOT12N50 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF12N50-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.83 грн
14+ 58.19 грн
38+ 55.45 грн
500+ 53.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOT12N50 AOT12N50 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF12N50-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+105.28 грн
5+ 87.01 грн
14+ 69.83 грн
38+ 66.54 грн
500+ 64.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOT12N50 ALPHA&OMEGA AOT12N50.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT12N50 TAOT12n50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
C12N50Z4 C12N50Z4 Anaren C12N50Z4-3364878.pdf High Frequency/RF Resistors
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.79 грн
10+ 223.71 грн
25+ 174.81 грн
50+ 168.9 грн
100+ 145.24 грн
250+ 126.18 грн
500+ 113.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
C12N50Z4 TTM Technologies, Inc. C12N50Z4.pdf Description: SMD TERM 12W 50 OHM 6GHZ 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Function: Termination
Frequency: 6GHz
RF Type: AMPS, Cellular, DCS, GSM, PCS, PHS, UMTS
Secondary Attributes: 12W
Part Status: Active
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.02 грн
10+ 202.7 грн
25+ 182.43 грн
100+ 155.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
CHV1812N500100JCT CHV1812N500100JCT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP1812 NPO 10PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: General Purpose
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 10 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500101JCT CHV1812N500101JCT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: CAP CER 100PF 500V C0G/NP0 1812
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.54 грн
2000+ 27.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500102KXT CHV1812N500102KXT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 X7R 1000PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.04 грн
10+ 58.19 грн
50+ 53.12 грн
100+ 40.84 грн
500+ 32.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
CHV1812N500103JCT CHV1812N500103JCT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 COG .01UF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500103KXT CHV1812N500103KXT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 X7R .01UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500104KXT CHV1812N500104KXT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 X7R .1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.5 грн
10+ 30.6 грн
50+ 25.74 грн
100+ 19.67 грн
500+ 16.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
CHV1812N500104MXT CHV1812N500104MXT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 X7R .1UF 20% 500V
Tolerance: ±20%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500153KXT CHV1812N500153KXT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 X7R .015UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.015 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500154KXT CHV1812N500154KXT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 X7R .15UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.15 µF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
CHV1812N500222JCT CHV1812N500222JCT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 COG 2200PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 2200 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500223KXT CHV1812N500223KXT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 X7R .022UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.022 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500224KXT CHV1812N500224KXT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 X7R .22UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.22 µF
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 700
CHV1812N500331JCT CHV1812N500331JCT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 COG 330PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 330 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500332JCT CHV1812N500332JCT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP 1812 COG 3300PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 3300 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500333KXT CHV1812N500333KXT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 X7R .033UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.033 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500334KXT CHV1812N500334KXT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 X7R .33UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
CHV1812N500472JCT CHV1812N500472JCT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 COG 4700PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 4700 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500472KCT CHV1812N500472KCT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 COG 4700PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 4700 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500473KXT CHV1812N500473KXT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 X7R .047UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.047 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500474KXT CHV1812N500474KXT Cal-Chip Electronics, Inc. gmc_series.pdf Description: HVCAP1812 X7R .47UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB12N50TM FDB12N50TM onsemi / Fairchild FDB12N50TM_D-2312093.pdf MOSFET 500V N-CH MOSFET
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.71 грн
10+ 129.99 грн
100+ 90.04 грн
250+ 82.81 грн
500+ 78.86 грн
800+ 64.8 грн
2400+ 61.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB12N50UTM FDB12N50UTM Fairchild Semiconductor FDB12N50U.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 333
FDPF12N50FT FDPF12N50FT Fairchild Semiconductor FAIRS46306-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
на замовлення 35145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+68.93 грн
Мінімальне замовлення: 286
FDPF12N50NZ FDPF12N50NZ onsemi fdpf12n50nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.54 грн
50+ 98 грн
100+ 80.64 грн
500+ 64.03 грн
1000+ 54.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI FDP12N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.33 грн
4+ 104.74 грн
10+ 80.1 грн
28+ 75.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI FDP12N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+150.4 грн
3+ 130.52 грн
10+ 96.11 грн
28+ 91.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF12N50T FDPF12N50T onsemi fdpf12n50t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.75 грн
50+ 133.81 грн
100+ 110.09 грн
500+ 87.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB12N50TM FQB12N50TM Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 500V 12.1A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+76.15 грн
Мінімальне замовлення: 258
HGTH12N50C1D Harris Corporation HRISD027-3-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 121
HGTH12N50CID Harris Corporation HGTH12N50.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: 12A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 121
IXFA12N50P IXFA12N50P IXYS IXF_12N50P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.08 грн
3+ 201.26 грн
5+ 160.88 грн
14+ 151.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA12N50P IXFA12N50P IXYS IXF_12N50P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+289.29 грн
3+ 250.81 грн
5+ 193.05 грн
14+ 182.37 грн
IXFA12N50P IXFA12N50P IXYS media-3321540.pdf MOSFET 500V 12A
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.19 грн
10+ 244.87 грн
50+ 180.73 грн
100+ 157.73 грн
250+ 153.13 грн
500+ 143.27 грн
1000+ 132.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP12N50P IXFP12N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_12n50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.61 грн
10+ 211.53 грн
100+ 171.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP12N50P IXFP12N50P IXYS media-3321540.pdf MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.45 грн
10+ 233.53 грн
50+ 172.84 грн
100+ 150.5 грн
250+ 147.21 грн
500+ 134.07 грн
1000+ 125.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA12N50P IXTA12N50P IXYS media-3319745.pdf MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.09 грн
10+ 230.51 грн
50+ 193.21 грн
100+ 161.67 грн
250+ 159.04 грн
500+ 143.92 грн
1000+ 124.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS IXTA12N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.05 грн
3+ 165.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS IXTA12N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+238.86 грн
3+ 206.45 грн
6+ 158.55 грн
17+ 150.33 грн
250+ 147.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS DS99322F(IXTA-TI-TP12N50P).pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.97 грн
50+ 187.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N50PM IXYS/Littelfuse littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp12n50pm_datasheet.pdf.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+143.35 грн
10+ 133.8 грн
100+ 124.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
LMDP-512-N50-WD6Q18.0-1-RH LMDP-512-N50-WD6Q18.0-1-RH Omnetics Description: CABLE ASSY D-MIC-D 51P 457.2MM
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Color: Multiple, Ribbon
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 51
Type: D-Type, Micro-D
1st Connector: Plug, Male Pins
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26879.29 грн
NTB12N50T4 NTB12N50T4 onsemi ONSMS32473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 197
SIHA12N50E-E3 SIHA12N50E-E3 Vishay Siliconix siha12n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.43 грн
10+ 95.36 грн
100+ 75.95 грн
500+ 60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA12N50E-E3 SIHA12N50E-E3 Vishay / Siliconix siha12n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.78 грн
10+ 105.81 грн
100+ 73.61 грн
250+ 69.66 грн
500+ 61.12 грн
1000+ 50.08 грн
5000+ 48.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA12N50E-GE3 SIHA12N50E-GE3 Vishay Siliconix siha12n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.01 грн
10+ 94.54 грн
100+ 75.29 грн
500+ 59.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB12N50E-GE3 SIHB12N50E-GE3 Vishay / Siliconix sihb12n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.15 грн
10+ 136.79 грн
100+ 94.64 грн
250+ 87.41 грн
500+ 83.46 грн
1000+ 65.72 грн
2000+ 64.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD12N50E-GE3 SIHD12N50E-GE3 Vishay / Siliconix sihd12n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.44 грн
10+ 83.13 грн
100+ 61.71 грн
250+ 59.67 грн
500+ 54.74 грн
1000+ 53.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD12N50E-GE3 SIHD12N50E-GE3 Vishay Siliconix sihd12n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.74 грн
10+ 90.71 грн
100+ 72.21 грн
500+ 57.34 грн
1000+ 48.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF12N50C-E3 SIHF12N50C-E3 Vishay Siliconix sihp12n5.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.99 грн
50+ 253.4 грн
100+ 217.2 грн
500+ 181.19 грн
SIHP12N50C-E3 SIHP12N50C-E3 Vishay / Siliconix sihp12n5.pdf MOSFET N-Channel 500V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+321.26 грн
10+ 266.03 грн
25+ 218.19 грн
100+ 187.3 грн
250+ 176.78 грн
500+ 166.27 грн
1000+ 134.72 грн
SIHP12N50C-E3 SIHP12N50C-E3 Vishay Siliconix sihp12n5.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+295.74 грн
10+ 238.64 грн
100+ 193.06 грн
500+ 161.06 грн
1000+ 137.9 грн
SIHP12N50E-BE3 SIHP12N50E-BE3 Vishay / Siliconix sihp12n50e.pdf MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.28 грн
10+ 105.05 грн
100+ 72.29 грн
250+ 66.38 грн
500+ 60.46 грн
1000+ 59.28 грн
2500+ 58.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP12N50E-BE3 SIHP12N50E-BE3 Vishay Siliconix sihp12n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.3 грн
50+ 90.79 грн
100+ 74.7 грн
500+ 59.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.32 грн
5+ 93.1 грн
12+ 71.2 грн
31+ 67.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+133.59 грн
5+ 116.02 грн
12+ 85.43 грн
31+ 81.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOT12N50 AOTF12N50-DTE.pdf
AOT12N50
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.83 грн
14+ 58.19 грн
38+ 55.45 грн
500+ 53.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOT12N50 AOTF12N50-DTE.pdf
AOT12N50
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.28 грн
5+ 87.01 грн
14+ 69.83 грн
38+ 66.54 грн
500+ 64.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOT12N50 AOT12N50.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT12N50 TAOT12n50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
C12N50Z4 C12N50Z4-3364878.pdf
C12N50Z4
Виробник: Anaren
High Frequency/RF Resistors
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.79 грн
10+ 223.71 грн
25+ 174.81 грн
50+ 168.9 грн
100+ 145.24 грн
250+ 126.18 грн
500+ 113.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
C12N50Z4 C12N50Z4.pdf
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: SMD TERM 12W 50 OHM 6GHZ 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Function: Termination
Frequency: 6GHz
RF Type: AMPS, Cellular, DCS, GSM, PCS, PHS, UMTS
Secondary Attributes: 12W
Part Status: Active
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+236.02 грн
10+ 202.7 грн
25+ 182.43 грн
100+ 155.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
CHV1812N500100JCT chv_series-1.pdf
CHV1812N500100JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 NPO 10PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: General Purpose
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 10 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500101JCT chv_series-1.pdf
CHV1812N500101JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: CAP CER 100PF 500V C0G/NP0 1812
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+29.54 грн
2000+ 27.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500102KXT gmc_series.pdf
CHV1812N500102KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R 1000PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.04 грн
10+ 58.19 грн
50+ 53.12 грн
100+ 40.84 грн
500+ 32.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
CHV1812N500103JCT gmc_series.pdf
CHV1812N500103JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 COG .01UF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500103KXT gmc_series.pdf
CHV1812N500103KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .01UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500104KXT gmc_series.pdf
CHV1812N500104KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.5 грн
10+ 30.6 грн
50+ 25.74 грн
100+ 19.67 грн
500+ 16.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
CHV1812N500104MXT gmc_series.pdf
CHV1812N500104MXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .1UF 20% 500V
Tolerance: ±20%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500153KXT gmc_series.pdf
CHV1812N500153KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .015UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.015 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500154KXT gmc_series.pdf
CHV1812N500154KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .15UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.15 µF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
CHV1812N500222JCT gmc_series.pdf
CHV1812N500222JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 COG 2200PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 2200 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500223KXT gmc_series.pdf
CHV1812N500223KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .022UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.022 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500224KXT gmc_series.pdf
CHV1812N500224KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .22UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.22 µF
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 700
CHV1812N500331JCT gmc_series.pdf
CHV1812N500331JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 COG 330PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 330 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500332JCT gmc_series.pdf
CHV1812N500332JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP 1812 COG 3300PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 3300 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500333KXT gmc_series.pdf
CHV1812N500333KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .033UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.033 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500334KXT gmc_series.pdf
CHV1812N500334KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .33UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
CHV1812N500472JCT gmc_series.pdf
CHV1812N500472JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 COG 4700PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 4700 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500472KCT gmc_series.pdf
CHV1812N500472KCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 COG 4700PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 4700 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500473KXT gmc_series.pdf
CHV1812N500473KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .047UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.047 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
CHV1812N500474KXT gmc_series.pdf
CHV1812N500474KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .47UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB12N50TM FDB12N50TM_D-2312093.pdf
FDB12N50TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-CH MOSFET
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.71 грн
10+ 129.99 грн
100+ 90.04 грн
250+ 82.81 грн
500+ 78.86 грн
800+ 64.8 грн
2400+ 61.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB12N50UTM FDB12N50U.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
FDB12N50UTM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
333+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 333
FDPF12N50FT FAIRS46306-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDPF12N50FT
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
на замовлення 35145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
286+68.93 грн
Мінімальне замовлення: 286
FDPF12N50NZ fdpf12n50nz-d.pdf
FDPF12N50NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.54 грн
50+ 98 грн
100+ 80.64 грн
500+ 64.03 грн
1000+ 54.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF12N50T FDP12N50.pdf
FDPF12N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.33 грн
4+ 104.74 грн
10+ 80.1 грн
28+ 75.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF12N50T FDP12N50.pdf
FDPF12N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+150.4 грн
3+ 130.52 грн
10+ 96.11 грн
28+ 91.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF12N50T fdpf12n50t-d.pdf
FDPF12N50T
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.75 грн
50+ 133.81 грн
100+ 110.09 грн
500+ 87.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB12N50TM
FQB12N50TM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 12.1A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
258+76.15 грн
Мінімальне замовлення: 258
HGTH12N50C1D HRISD027-3-33.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
121+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 121
HGTH12N50CID HGTH12N50.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
121+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 121
IXFA12N50P IXF_12N50P.pdf
IXFA12N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.08 грн
3+ 201.26 грн
5+ 160.88 грн
14+ 151.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA12N50P IXF_12N50P.pdf
IXFA12N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+289.29 грн
3+ 250.81 грн
5+ 193.05 грн
14+ 182.37 грн
IXFA12N50P media-3321540.pdf
IXFA12N50P
Виробник: IXYS
MOSFET 500V 12A
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+295.19 грн
10+ 244.87 грн
50+ 180.73 грн
100+ 157.73 грн
250+ 153.13 грн
500+ 143.27 грн
1000+ 132.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP12N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_12n50p_datasheet.pdf.pdf
IXFP12N50P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+261.61 грн
10+ 211.53 грн
100+ 171.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP12N50P media-3321540.pdf
IXFP12N50P
Виробник: IXYS
MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+284.45 грн
10+ 233.53 грн
50+ 172.84 грн
100+ 150.5 грн
250+ 147.21 грн
500+ 134.07 грн
1000+ 125.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA12N50P media-3319745.pdf
IXTA12N50P
Виробник: IXYS
MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+279.09 грн
10+ 230.51 грн
50+ 193.21 грн
100+ 161.67 грн
250+ 159.04 грн
500+ 143.92 грн
1000+ 124.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N50P IXTA12N50P-DTE.pdf
IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.05 грн
3+ 165.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N50P IXTA12N50P-DTE.pdf
IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.86 грн
3+ 206.45 грн
6+ 158.55 грн
17+ 150.33 грн
250+ 147.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N50P DS99322F(IXTA-TI-TP12N50P).pdf
IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.97 грн
50+ 187.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N50PM littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp12n50pm_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+143.35 грн
10+ 133.8 грн
100+ 124.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
LMDP-512-N50-WD6Q18.0-1-RH
LMDP-512-N50-WD6Q18.0-1-RH
Виробник: Omnetics
Description: CABLE ASSY D-MIC-D 51P 457.2MM
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Color: Multiple, Ribbon
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 51
Type: D-Type, Micro-D
1st Connector: Plug, Male Pins
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+26879.29 грн
NTB12N50T4 ONSMS32473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NTB12N50T4
Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
197+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 197
SIHA12N50E-E3 siha12n50e.pdf
SIHA12N50E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.43 грн
10+ 95.36 грн
100+ 75.95 грн
500+ 60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA12N50E-E3 siha12n50e.pdf
SIHA12N50E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.78 грн
10+ 105.81 грн
100+ 73.61 грн
250+ 69.66 грн
500+ 61.12 грн
1000+ 50.08 грн
5000+ 48.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA12N50E-GE3 siha12n50e.pdf
SIHA12N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.01 грн
10+ 94.54 грн
100+ 75.29 грн
500+ 59.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB12N50E-GE3 sihb12n50e.pdf
SIHB12N50E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.15 грн
10+ 136.79 грн
100+ 94.64 грн
250+ 87.41 грн
500+ 83.46 грн
1000+ 65.72 грн
2000+ 64.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD12N50E-GE3 sihd12n50e.pdf
SIHD12N50E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.44 грн
10+ 83.13 грн
100+ 61.71 грн
250+ 59.67 грн
500+ 54.74 грн
1000+ 53.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD12N50E-GE3 sihd12n50e.pdf
SIHD12N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.74 грн
10+ 90.71 грн
100+ 72.21 грн
500+ 57.34 грн
1000+ 48.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF12N50C-E3 sihp12n5.pdf
SIHF12N50C-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+331.99 грн
50+ 253.4 грн
100+ 217.2 грн
500+ 181.19 грн
SIHP12N50C-E3 sihp12n5.pdf
SIHP12N50C-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Channel 500V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+321.26 грн
10+ 266.03 грн
25+ 218.19 грн
100+ 187.3 грн
250+ 176.78 грн
500+ 166.27 грн
1000+ 134.72 грн
SIHP12N50C-E3 sihp12n5.pdf
SIHP12N50C-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+295.74 грн
10+ 238.64 грн
100+ 193.06 грн
500+ 161.06 грн
1000+ 137.9 грн
SIHP12N50E-BE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.28 грн
10+ 105.05 грн
100+ 72.29 грн
250+ 66.38 грн
500+ 60.46 грн
1000+ 59.28 грн
2500+ 58.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP12N50E-BE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.3 грн
50+ 90.79 грн
100+ 74.7 грн
500+ 59.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+111.32 грн
5+ 93.1 грн
12+ 71.2 грн
31+ 67.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+133.59 грн
5+ 116.02 грн
12+ 85.43 грн
31+ 81.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]