Результат пошуку "12NF06" : 19
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2500
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD12NF06L | ST |
Logic N-MOSFET 12A 60V 30W 0.08Ω STD12NF06L TSTD12nf06l кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
STD12NF06L-1 | STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD12NF06L-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD12NF06LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD12NF06T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.5A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD12NF06T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.5A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 825 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD12NF06T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STD12NF06 | STM | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STD12NF06 | ST | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STD12NF06 | ST | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STD12NF06L-T4 |
на замовлення 53200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STD12NF06L-TR |
на замовлення 58700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STD12NF06L1 | ST |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| STD12NF06L-1 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
STD12NF06L-1 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
| STD12NF06LAG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
| STD12NF06LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
| STD12NF06L |
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 24.8 грн |
| STD12NF06L-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 73.17 грн |
| 13+ | 28 грн |
| STD12NF06L-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.8 грн |
| 8+ | 34.89 грн |
| 25+ | 30.47 грн |
| 40+ | 23.88 грн |
| 111+ | 22.24 грн |
| STD12NF06LT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.67 грн |
| STD12NF06T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 27.86 грн |
| 25+ | 23.2 грн |
| 44+ | 18.39 грн |
| 119+ | 17.36 грн |
| STD12NF06T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 33.44 грн |
| 25+ | 28.91 грн |
| 44+ | 22.07 грн |
| 119+ | 20.84 грн |
| 2500+ | 20.67 грн |
| STD12NF06T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.98 грн |
| STD12NF06L-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
| STD12NF06L-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
| STD12NF06LAG |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
| STD12NF06LT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній