Результат пошуку "12n6" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
68pF 3000V NP0 5% 1812 1k/reel (C1812N680J302N1-Hitano)
Код товару: 192512 		Hitano Керамічні SMD конденсатори > 1812
Ємність: 68 pF
Номін.напруга: 3000 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1812
у наявності: 960 шт
1+9.5 грн
10+ 8.3 грн
100+ 7.5 грн
HGTG12N60A4D HGTG12N60A4D
Код товару: 31158 		Fairchild hgt1s12n60a4ds-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,7 V
Ic 25: 54 A
Ic 100: 23 A
Pd 25: 167 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 17/96
у наявності: 7 шт
1+145 грн
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D
Код товару: 122684 		Fairchild hgtp12n60c3d-1010383.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
у наявності: 13 шт
1+185 грн
10+ 173 грн
12N65 12N65 LUGUANG ELECTRONIC 12N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 33.2W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 33.2W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
12N65 LGE Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65;
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.5 грн
Мінімальне замовлення: 30
12N60
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB12N65L AOB12N65L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOB12N65L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.8nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.12 грн
10+ 66.57 грн
13+ 64.51 грн
34+ 61.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOB12N65L AOB12N65L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOB12N65L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+92.37 грн
10+ 79.89 грн
13+ 77.42 грн
34+ 73.3 грн
800+ 70.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOT12N60 ALPHA&OMEGA AOT12N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 278W; -55°C ~ 150°C; AOT12N60 TAOT12n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+57.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOTF12N60 AOTF12N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF12N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.39 грн
5+ 73.43 грн
10+ 65.2 грн
13+ 63.14 грн
25+ 58.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF12N60 AOTF12N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF12N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+102.63 грн
5+ 88.12 грн
10+ 78.24 грн
13+ 75.77 грн
25+ 70 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOTF12N60FD ALPHA&OMEGA AOTF12N60FD.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+57.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOTF12N65 AOTF12N65 Alpha & Omega Semiconductor 278aotf12n65.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOTF12N65 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 720mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N65 TAOTF12n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
ATFC-0201-2N6B-T ABRACON ATFC-0201.pdf Category: Inductors - Unclassified
Description: ATFC-0201-2N6B-T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+2.2 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BXP12N65F BXP12N65F BRIDGELUX BXP12N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.61 грн
9+ 41.32 грн
25+ 31.78 грн
69+ 30.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
BXP12N65F BXP12N65F BRIDGELUX BXP12N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 641 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+72.73 грн
5+ 51.49 грн
25+ 38.14 грн
69+ 36.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
DA312N6 1.45V 24607 777 106 DURACELL Zinc Air Battery; model 312; 1,4V; 150mAh; blister: 6 pcs; equivalent: (DA312N6); B3124; B347PA; AC312E; PR41; HA312 DA312 N6 Duracell Battery BAT 312 D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+266.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
DA312N6 1.45V 24607 777 106 DURACELL Zinc Air Battery; model 312; 1,4V; 150mAh; blister: 6 pcs; equivalent: (DA312N6); B3124; B347PA; AC312E; PR41; HA312 DA312 N6 Duracell Battery BAT 312 D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+148.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+666.96 грн
HGTG12N60A4D ON-Semicoductor hgt1s12n60a4ds-d.pdf 54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+282 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG12N60A4D Fairchild hgt1s12n60a4ds-d.pdf 54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+282 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 IXYS IXF_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 155ns
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.34 грн
3+ 178.44 грн
6+ 142.06 грн
16+ 134.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 IXYS IXF_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 155ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+257.21 грн
3+ 222.36 грн
6+ 170.48 грн
16+ 161.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
MLZ2012N6R8LT000 inductor_commercial_decoupling_mlz2012_en.pdf дросель 6.8uH/0.1A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
38+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 38
SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 Vishay sihp12n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STF12N65M5 STF12N65M5 STMicroelectronics en.CD00226268.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.08 грн
5+ 123.53 грн
9+ 95.4 грн
23+ 90.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF12N65M5 STF12N65M5 STMicroelectronics en.CD00226268.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+176.5 грн
5+ 153.94 грн
9+ 114.48 грн
23+ 108.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF12N65M5 STF12N65M5 STMicroelectronics 402185352322717cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187280.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.95 грн
5+ 87.16 грн
12+ 70 грн
32+ 65.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
STY112N65M5 STY112N65M5 STMicroelectronics sty112n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1877.84 грн
Транзистор польовий SiHF12N60E 12A 650V N-ch TO-220F
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+155 грн
Мінімальне замовлення: 2
1812N681G501NT1812-681G500V W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1812N681J201NT W 1812-681J 200V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1812N681J201NT1812-681J200V W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1812N681J202NT W 1812-681J 2KV
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1812N681J202NT 1812-681J W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1812N681J202NT1812-681J2KV W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC2812N6 SANYO SOT23
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC2812N6-CPA-TB
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOT12N65 Alpha & Omega Semiconductor AOT12N65.pdf
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
C1812N682F5GRH KEMET
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
C1812N682J5GRH KEMET
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CC12N683J025TM
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA12N60 FAIRCHILD FAIRS42369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-3P 05+
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60 FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60 FAIRCHILD TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60 FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60C FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60C FAIRCHILD TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60C fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60CTM Fairchild FQB12N60C.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF12N60 FAIRS17575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF12N60C51W Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G12N60A4D
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGT1S12N60A4DS On Semiconductor/Fairchild FAIR-S-A0000012348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw hgt1s12n60a4ds-d.pdf
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
HGT1S12N60A4S9A FAIRCHILD HGTG12N60A4.pdf 07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGT1S12N60A4S9A FAIRCHILD HGTG12N60A4.pdf TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGTG12N60A4 HGTG12N60A4.pdf
на замовлення 9826 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
68pF 3000V NP0 5% 1812 1k/reel (C1812N680J302N1-Hitano)
Код товару: 192512
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1812
Ємність: 68 pF
Номін.напруга: 3000 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1812
у наявності: 960 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+9.5 грн
10+ 8.3 грн
100+ 7.5 грн
HGTG12N60A4D
Код товару: 31158		 hgt1s12n60a4ds-d.pdf
HGTG12N60A4D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,7 V
Ic 25: 54 A
Ic 100: 23 A
Pd 25: 167 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 17/96
у наявності: 7 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+145 грн
HGTP12N60C3D
Код товару: 122684		 hgtp12n60c3d-1010383.pdf
HGTP12N60C3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
у наявності: 13 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+185 грн
10+ 173 грн
12N65 12N65.pdf
12N65
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 33.2W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 33.2W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
12N65
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65;
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+26.5 грн
Мінімальне замовлення: 30
12N60
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB12N65L AOB12N65L.pdf
AOB12N65L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.8nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.12 грн
10+ 66.57 грн
13+ 64.51 грн
34+ 61.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOB12N65L AOB12N65L.pdf
AOB12N65L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+92.37 грн
10+ 79.89 грн
13+ 77.42 грн
34+ 73.3 грн
800+ 70.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOT12N60 AOT12N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 278W; -55°C ~ 150°C; AOT12N60 TAOT12n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+57.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOTF12N60 AOTF12N60-DTE.pdf
AOTF12N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+109.39 грн
5+ 73.43 грн
10+ 65.2 грн
13+ 63.14 грн
25+ 58.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF12N60 AOTF12N60-DTE.pdf
AOTF12N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.63 грн
5+ 88.12 грн
10+ 78.24 грн
13+ 75.77 грн
25+ 70 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOTF12N60FD AOTF12N60FD.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+57.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOTF12N65 278aotf12n65.pdf
AOTF12N65
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOTF12N65 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 720mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N65 TAOTF12n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
ATFC-0201-2N6B-T ATFC-0201.pdf
Виробник: ABRACON
Category: Inductors - Unclassified
Description: ATFC-0201-2N6B-T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.2 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BXP12N65F BXP12N65.pdf
BXP12N65F
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+60.61 грн
9+ 41.32 грн
25+ 31.78 грн
69+ 30.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
BXP12N65F BXP12N65.pdf
BXP12N65F
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 641 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.73 грн
5+ 51.49 грн
25+ 38.14 грн
69+ 36.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
DA312N6 1.45V 24607 777 106
Виробник: DURACELL
Zinc Air Battery; model 312; 1,4V; 150mAh; blister: 6 pcs; equivalent: (DA312N6); B3124; B347PA; AC312E; PR41; HA312 DA312 N6 Duracell Battery BAT 312 D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+266.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
DA312N6 1.45V 24607 777 106
Виробник: DURACELL
Zinc Air Battery; model 312; 1,4V; 150mAh; blister: 6 pcs; equivalent: (DA312N6); B3124; B347PA; AC312E; PR41; HA312 DA312 N6 Duracell Battery BAT 312 D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+148.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+666.96 грн
HGTG12N60A4D hgt1s12n60a4ds-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG12N60A4D hgt1s12n60a4ds-d.pdf
Виробник: Fairchild
54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP12N65X2 IXF_12N65X2.pdf
IXFP12N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 155ns
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.34 грн
3+ 178.44 грн
6+ 142.06 грн
16+ 134.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP12N65X2 IXF_12N65X2.pdf
IXFP12N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 155ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.21 грн
3+ 222.36 грн
6+ 170.48 грн
16+ 161.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
MLZ2012N6R8LT000 inductor_commercial_decoupling_mlz2012_en.pdf
дросель 6.8uH/0.1A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 38
SIHP12N60E-GE3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+71.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STF12N65M5 en.CD00226268.pdf
STF12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.08 грн
5+ 123.53 грн
9+ 95.4 грн
23+ 90.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF12N65M5 en.CD00226268.pdf
STF12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.5 грн
5+ 153.94 грн
9+ 114.48 грн
23+ 108.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF12N65M5 402185352322717cd002.pdf
STF12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12N60M2 en.DM00187280.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+104.95 грн
5+ 87.16 грн
12+ 70 грн
32+ 65.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
STY112N65M5 sty112n65m5.pdf
STY112N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1877.84 грн
Транзистор польовий SiHF12N60E 12A 650V N-ch TO-220F
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155 грн
Мінімальне замовлення: 2
1812N681G501NT1812-681G500V
Виробник: W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1812N681J201NT
Виробник: W
1812-681J 200V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1812N681J201NT1812-681J200V
Виробник: W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1812N681J202NT
Виробник: W
1812-681J 2KV
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1812N681J202NT 1812-681J
Виробник: W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1812N681J202NT1812-681J2KV
Виробник: W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC2812N6
Виробник: SANYO
SOT23
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC2812N6-CPA-TB
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOT12N65 AOT12N65.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
C1812N682F5GRH
Виробник: KEMET
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
C1812N682J5GRH
Виробник: KEMET
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CC12N683J025TM
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA12N60 FAIRS42369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
TO-3P 05+
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60
Виробник: FAIRCHILD
TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60C
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60C
Виробник: FAIRCHILD
TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60C
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60CTM FQB12N60C.pdf
Виробник: Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF12N60 FAIRS17575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF12N60C51W
Виробник: Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G12N60A4D
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGT1S12N60A4DS FAIR-S-A0000012348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw hgt1s12n60a4ds-d.pdf
Виробник: On Semiconductor/Fairchild
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
HGT1S12N60A4S9A HGTG12N60A4.pdf
Виробник: FAIRCHILD
07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGT1S12N60A4S9A HGTG12N60A4.pdf
Виробник: FAIRCHILD
TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGTG12N60A4 HGTG12N60A4.pdf
на замовлення 9826 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]