Результат пошуку "15n120" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 75
Мінімальне замовлення: 75
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 90
Мінімальне замовлення: 108
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 151
Мінімальне замовлення: 149
Мінімальне замовлення: 193
Мінімальне замовлення: 138
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 97
Мінімальне замовлення: 76
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HGT1S15N120C3 | Harris Corporation |
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 164 W |
на замовлення 4004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGT1S15N120C3S | Harris Corporation |
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263AB Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 164 W |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG15N120C3 | Harris Corporation |
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 164 W |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW15N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Case: TO247-3 Manufacturer series: H3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Gate-emitter voltage: ±20V Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Case: TO247-3 Manufacturer series: H3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Gate-emitter voltage: ±20V Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns Switching Energy: 1.55mJ Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 217 W |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 1450ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 62.2W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 90nC Turn-on time: 1940ns Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 45A Collector current: 15A |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 1450ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 62.2W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 90nC Turn-on time: 1940ns Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 45A Collector current: 15A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 3324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: NPT and Trench Switching Energy: 300µJ (off) Gate Charge: 90 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 156 W |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3 | Infineon |
30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 346ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 127W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 165nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 45A Collector current: 15A |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 346ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 127W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 165nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 45A Collector current: 15A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/300ns Switching Energy: 700µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 254 W |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005419706 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 135 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 36 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 176 W |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 260 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns Switching Energy: 1.55mJ Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 217 W |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120T2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120T2 | Infineon |
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 457ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 235W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 93nC Turn-on time: 57ns Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 30A |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 457ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 235W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 93nC Turn-on time: 57ns Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRG8P15N120KD-EPBF | International Rectifier |
Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-247AD Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 125 W |
на замовлення 8125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRG8P15N120KDPBF | International Rectifier |
Description: IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 125 W |
на замовлення 6634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MIW15N120FA-BP | Micro Commercial Components (MCC) | IGBT Transistors |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MIW15N120FA-BP | Micro Commercial Co |
Description: IGBT 1200V 15A,TO-247AB Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247AB IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/128ns Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 33Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 1724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB15N120FL2WG | onsemi |
Description: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 294 W |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB15N120FL2WG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB15N120FLWG | onsemi |
Description: IGBT 1200V 15A TO247-3 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB15N120IHRWG | onsemi |
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/170ns Switching Energy: 340µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 333 W |
на замовлення 21949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB15N120LWG | onsemi |
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 229 W |
на замовлення 6987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTG15N120FL2WG | onsemi |
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 294 W |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N120F500CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF |
на замовлення 4359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N120G500CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF |
на замовлення 4644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N120J100CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V |
на замовлення 13647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N120J500CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V |
на замовлення 6295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SGH15N120RUFDTU | Fairchild Semiconductor |
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 180 W |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SGH15N120RUFTU | Fairchild Semiconductor |
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 180 W |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TW015N120C,S1F | Toshiba | MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TW015N120C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN |
на замовлення 22 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247 |
на замовлення 14 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
6MBI15N-120 | FUJI | MODULE |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FGA15N120 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FGA15N120ANDTU | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FGA15N120ANFD |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FGA15N120ANTD |
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FGA15N120ANTDTU-F109 | ON Semiconductor |
на замовлення 34010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FGA15N120ANTDTU_F109 | FAIRCHILD |
на замовлення 26730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
HGT1S15N120C3 |
Виробник: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 260.56 грн |
HGT1S15N120C3S |
Виробник: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 260.56 грн |
HGTG15N120C3 |
Виробник: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
70+ | 280.01 грн |
IGW15N120H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 286.92 грн |
10+ | 266.4 грн |
25+ | 195.32 грн |
100+ | 168.06 грн |
240+ | 164.17 грн |
480+ | 127.18 грн |
1200+ | 120.05 грн |
IGW15N120H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 299.18 грн |
3+ | 245.36 грн |
4+ | 213.59 грн |
11+ | 202.1 грн |
IGW15N120H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 359.01 грн |
3+ | 305.76 грн |
4+ | 256.31 грн |
11+ | 242.52 грн |
IGW15N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.73 грн |
IGW15N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 264.63 грн |
30+ | 201.99 грн |
120+ | 173.15 грн |
IHW15N120E1XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 147.35 грн |
7+ | 121.67 грн |
18+ | 114.91 грн |
IHW15N120E1XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.52 грн |
3+ | 183.62 грн |
7+ | 146 грн |
18+ | 137.89 грн |
IHW15N120E1XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 192.29 грн |
10+ | 170.89 грн |
25+ | 131.08 грн |
100+ | 111.61 грн |
240+ | 109.66 грн |
480+ | 99.28 грн |
1200+ | 84.36 грн |
IHW15N120E1XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 176.89 грн |
30+ | 134.87 грн |
IHW15N120E1XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.03 грн |
IHW15N120R3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 225.6 грн |
10+ | 186.56 грн |
25+ | 153.14 грн |
100+ | 131.08 грн |
240+ | 118.1 грн |
480+ | 116.15 грн |
1200+ | 99.28 грн |
IHW15N120R3 |
Виробник: Infineon
30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 100.89 грн |
IHW15N120R3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 240.22 грн |
3+ | 200.08 грн |
6+ | 154.11 грн |
14+ | 145.33 грн |
IHW15N120R3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 288.26 грн |
3+ | 249.32 грн |
6+ | 184.93 грн |
14+ | 174.39 грн |
IHW15N120R3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 195.32 грн |
10+ | 185.81 грн |
25+ | 142.11 грн |
100+ | 129.78 грн |
240+ | 99.28 грн |
1200+ | 94.09 грн |
2640+ | 93.44 грн |
IHW15N120R3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.17 грн |
IHW15N120R3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 207.77 грн |
30+ | 158.57 грн |
120+ | 135.91 грн |
IKW15N120BH6XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 226.36 грн |
10+ | 216.41 грн |
25+ | 153.79 грн |
100+ | 132.37 грн |
240+ | 131.73 грн |
480+ | 99.93 грн |
1200+ | 94.74 грн |
IKW15N120CS7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
SP005419706
SP005419706
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 183.96 грн |
IKW15N120CS7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 400.48 грн |
10+ | 360.43 грн |
25+ | 271.89 грн |
100+ | 238.14 грн |
240+ | 231.66 грн |
480+ | 177.15 грн |
1200+ | 167.41 грн |
IKW15N120CS7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 369.21 грн |
30+ | 281.82 грн |
IKW15N120H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 385.33 грн |
10+ | 319.39 грн |
25+ | 262.15 грн |
100+ | 224.52 грн |
240+ | 211.54 грн |
480+ | 199.21 грн |
1200+ | 170.01 грн |
IKW15N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 354.47 грн |
30+ | 270.46 грн |
120+ | 231.82 грн |
IKW15N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 176.39 грн |
IKW15N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 384.58 грн |
10+ | 318.64 грн |
25+ | 261.5 грн |
100+ | 223.87 грн |
240+ | 211.54 грн |
480+ | 199.21 грн |
1200+ | 170.01 грн |
IKW15N120T2 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 446.66 грн |
10+ | 408.19 грн |
25+ | 231.01 грн |
100+ | 200.51 грн |
240+ | 176.5 грн |
480+ | 164.17 грн |
1200+ | 154.44 грн |
IKW15N120T2 |
Виробник: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 306.2 грн |
IKW15N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 404 грн |
3+ | 337.29 грн |
4+ | 259.56 грн |
IKW15N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 484.8 грн |
3+ | 420.31 грн |
4+ | 311.47 грн |
9+ | 294.44 грн |
IKW15N120T2FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 162.76 грн |
IRG8P15N120KD-EPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
90+ | 218.43 грн |
IRG8P15N120KDPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
108+ | 181.49 грн |
MIW15N120FA-BP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBT Transistors
IGBT Transistors
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 261.18 грн |
10+ | 216.41 грн |
25+ | 177.15 грн |
100+ | 151.84 грн |
250+ | 143.41 грн |
500+ | 134.97 грн |
1000+ | 116.15 грн |
MIW15N120FA-BP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: IGBT 1200V 15A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/128ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
Description: IGBT 1200V 15A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/128ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 240.76 грн |
10+ | 194.4 грн |
100+ | 157.3 грн |
500+ | 131.21 грн |
NGTB15N120FL2WG |
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
Description: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 410.63 грн |
NGTB15N120FL2WG |
Виробник: onsemi
IGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT
IGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 434.54 грн |
10+ | 379.83 грн |
30+ | 275.13 грн |
120+ | 253.72 грн |
210+ | 245.28 грн |
420+ | 197.26 грн |
1050+ | 185.58 грн |
NGTB15N120FLWG |
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
151+ | 143.89 грн |
NGTB15N120IHRWG |
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 21949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
149+ | 130.93 грн |
NGTB15N120LWG |
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
193+ | 101.11 грн |
NGTG15N120FL2WG |
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
138+ | 141.3 грн |
RF15N120F500CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 22.11 грн |
22+ | 14.18 грн |
100+ | 6.23 грн |
1000+ | 4.02 грн |
2500+ | 3.83 грн |
10000+ | 3.11 грн |
20000+ | 2.86 грн |
RF15N120G500CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 11.43 грн |
48+ | 6.27 грн |
100+ | 3.11 грн |
1000+ | 2.01 грн |
2500+ | 1.69 грн |
10000+ | 1.36 грн |
20000+ | 1.23 грн |
RF15N120J100CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 13647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 8.18 грн |
73+ | 4.1 грн |
143+ | 1.82 грн |
1000+ | 1.17 грн |
10000+ | 1.1 грн |
20000+ | 0.91 грн |
50000+ | 0.84 грн |
RF15N120J500CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 6295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 9.01 грн |
55+ | 5.45 грн |
106+ | 2.47 грн |
1000+ | 1.56 грн |
2500+ | 1.49 грн |
10000+ | 1.17 грн |
20000+ | 1.1 грн |
SGH15N120RUFDTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
97+ | 202.23 грн |
SGH15N120RUFTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
76+ | 256.67 грн |
TW015N120C,S1F |
Виробник: Toshiba
MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4752.71 грн |
TW015N120C,S1F |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4242.45 грн |
30+ | 3574.34 грн |
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN |
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 126.68 грн |
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247 |
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 237.53 грн |
FGA15N120ANTDTU-F109 |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]