Результат пошуку "1N65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SPA11N65C3 SPA11N65C3
Код товару: 60017 		Infineon spp-infineon-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/5.5
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
1+81.5 грн
10+ 74.4 грн
1N65C3 INFINEON 0804+ TO-220F
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STF21N65M5 STF21N65M5 STMicroelectronics STF21N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.68 грн
3+ 258.74 грн
5+ 198.34 грн
12+ 187.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF21N65M5 STF21N65M5 STMicroelectronics STF21N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+371.62 грн
3+ 322.43 грн
5+ 238.01 грн
12+ 224.83 грн
WMK11N65C2 WMK11N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.13 грн
5+ 85.1 грн
10+ 68.15 грн
22+ 36.72 грн
60+ 34.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK11N65C2 WMK11N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+106.05 грн
10+ 81.78 грн
22+ 44.06 грн
60+ 41.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
WML11N65C2 WML11N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.52 грн
9+ 41.32 грн
24+ 34.18 грн
64+ 32.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML11N65C2 WML11N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 354 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+51.49 грн
24+ 41.01 грн
64+ 38.71 грн
500+ 37.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMM11N65C2 WMM11N65C2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.79 грн
24+ 33.56 грн
66+ 31.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMM11N65C2 WMM11N65C2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 620 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+54.56 грн
24+ 40.27 грн
66+ 38.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMN11N65C2 WMN11N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.48 грн
9+ 41.32 грн
25+ 31.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMN11N65C2 WMN11N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+51.49 грн
25+ 38.13 грн
69+ 36.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMO11N65C2 WMO11N65C2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.48 грн
10+ 37.2 грн
25+ 32.26 грн
29+ 28.28 грн
78+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMO11N65C2 WMO11N65C2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 396 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.97 грн
6+ 46.35 грн
25+ 38.71 грн
29+ 33.93 грн
78+ 32.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMP11N65C2 WMP11N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.43 грн
10+ 37.2 грн
25+ 32.26 грн
29+ 28.28 грн
78+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMP11N65C2 WMP11N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+66.52 грн
6+ 46.35 грн
25+ 38.71 грн
29+ 33.93 грн
78+ 32.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
74HC191N-652 PHILIPS 2000 DIP-16
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CWS11N65AC China Wind
на замовлення 30230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CWS11N65AX China Wind
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CWS11N65CDR China Wind
на замовлення 7144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH041N65F-F085 ON Semiconductor FAIR-S-A0002365718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 9884 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF11N65 FCPF11N65.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MK4501N-65
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDC651N/651 FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA11N65C3 Infineon technologies Infineon-SPP_A_I11N65C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637d98e5e0049
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPI11N65C3
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPP11N65C3 Infineon
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPP11N65C3 INF 07+;
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD11N65M5 STMicroelectronics en.DM00049307.pdf
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STF11N65M2 STMicroelectronics en.DM00105472.pdf
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP31N65M5 STMicroelectronics en.DM00049148.pdf
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW21N65M5 STx21N65M5_Rev_4.pdf
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T201N65TOH
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T551N65
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T551N65TOH
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T571N65TOF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
U01N65
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
WSK01N65-SL tech
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF11N65B
Код товару: 112052 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB21N65M5
Код товару: 190960 		stp21n65m5.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STD11N65M5
Код товару: 122180 		en.DM00049307.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STL21N65M5 STL21N65M5
Код товару: 106076 		en.CD00272115.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW21N65M5 STW21N65M5
Код товару: 61395 		STx21N65M5_Rev_4.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
1N6508 1N6508 Microchip Technology lds-0086.pdf ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 40V 14-Pin CDIP Tube
товар відсутній
1N6508 1N6508 Microchip Technology lds-0086.pdf ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 40V 14-Pin CDIP Tube
товар відсутній
1N6508 1N6508 Microchip Technology lds-0086.pdf ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 40V 14-Pin CDIP Tube
товар відсутній
1N6509 1N6509 Microchip Technology lds-0087.pdf ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 40V 14-Pin CDIP Tube
товар відсутній
1N6509 1N6509 Microchip Technology lds-0087.pdf ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 40V 14-Pin CDIP Tube
товар відсутній
1N6510 Microchip Technology lds-0088.pdf Rectifier Diode Switching 0.3A 10ns 16-Pin CFPAK Tube
товар відсутній
1N6510 Microchip Technology lds-0088.pdf Rectifier Diode Switching 0.3A 10ns 16-Pin CFPAK Tube
товар відсутній
1N6519 VOLTAGE MULTIPLIERS 2002869033538488p75-p76201n6513-19.pdf Rectifier Diode Switching 10KV 0.5A 70ns 2-Pin
товар відсутній
1N6523U VOLTAGE MULTIPLIERS sf_x20ff3l-1n6525u.pdf Rectifier Diode Switching 3KV 0.25A 70ns 2-Pin
товар відсутній
1N6533U VOLTAGE MULTIPLIERS p157-p158 1n6529-33u.pdf Rectifier Diode Switching 500V 0.05A 70ns 2-Pin
товар відсутній
1N6536 1N6536 Microchip Technology 1N6536_Web.pdf Rectifier Diode Switching 400V 1A 30ns 2-Pin Case A
товар відсутній
1N6536 1N6536 Microchip Technology nods.pdf Rectifier Diode Switching 400V 1A 30ns 2-Pin Case A
товар відсутній
1N6536/TR Microchip Technology nods.pdf Switching Diode Rectifier
товар відсутній
1N6541 MICROSEMI A/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N6541
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH041N65EF-F155 ONSEMI fch041n65ef-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH041N65EF-F155 ONSEMI fch041n65ef-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH041N65EFL4 ONSEMI ONSM-S-A0003584725-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch041n65efl4-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SPA11N65C3
Код товару: 60017		 spp-infineon-datasheet.pdf
SPA11N65C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/5.5
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+81.5 грн
10+ 74.4 грн
1N65C3
INFINEON 0804+ TO-220F
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STF21N65M5 STF21N65M5.pdf
STF21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+309.68 грн
3+ 258.74 грн
5+ 198.34 грн
12+ 187.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF21N65M5 STF21N65M5.pdf
STF21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+371.62 грн
3+ 322.43 грн
5+ 238.01 грн
12+ 224.83 грн
WMK11N65C2
WMK11N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+110.13 грн
5+ 85.1 грн
10+ 68.15 грн
22+ 36.72 грн
60+ 34.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK11N65C2
WMK11N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.05 грн
10+ 81.78 грн
22+ 44.06 грн
60+ 41.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
WML11N65C2
WML11N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.52 грн
9+ 41.32 грн
24+ 34.18 грн
64+ 32.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML11N65C2
WML11N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 354 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+51.49 грн
24+ 41.01 грн
64+ 38.71 грн
500+ 37.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMM11N65C2
WMM11N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.79 грн
24+ 33.56 грн
66+ 31.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMM11N65C2
WMM11N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 620 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+54.56 грн
24+ 40.27 грн
66+ 38.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMN11N65C2
WMN11N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.48 грн
9+ 41.32 грн
25+ 31.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMN11N65C2
WMN11N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+51.49 грн
25+ 38.13 грн
69+ 36.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMO11N65C2
WMO11N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.48 грн
10+ 37.2 грн
25+ 32.26 грн
29+ 28.28 грн
78+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMO11N65C2
WMO11N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 396 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.97 грн
6+ 46.35 грн
25+ 38.71 грн
29+ 33.93 грн
78+ 32.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMP11N65C2
WMP11N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.43 грн
10+ 37.2 грн
25+ 32.26 грн
29+ 28.28 грн
78+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMP11N65C2
WMP11N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+66.52 грн
6+ 46.35 грн
25+ 38.71 грн
29+ 33.93 грн
78+ 32.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
74HC191N-652
Виробник: PHILIPS
2000 DIP-16
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CWS11N65AC
Виробник: China Wind
на замовлення 30230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CWS11N65AX
Виробник: China Wind
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CWS11N65CDR
Виробник: China Wind
на замовлення 7144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH041N65F-F085 FAIR-S-A0002365718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 9884 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF11N65 FCPF11N65.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MK4501N-65
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDC651N/651
Виробник: FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA11N65C3 Infineon-SPP_A_I11N65C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637d98e5e0049
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPI11N65C3
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPP11N65C3
Виробник: Infineon
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPP11N65C3
Виробник: INF
07+;
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD11N65M5 en.DM00049307.pdf
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STF11N65M2 en.DM00105472.pdf
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP31N65M5 en.DM00049148.pdf
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW21N65M5 STx21N65M5_Rev_4.pdf
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T201N65TOH
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T551N65
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T551N65TOH
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T571N65TOF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
U01N65
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
WSK01N65-SL
Виробник: tech
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF11N65B
Код товару: 112052
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB21N65M5
Код товару: 190960		 stp21n65m5.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STD11N65M5
Код товару: 122180		 en.DM00049307.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STL21N65M5
Код товару: 106076		 en.CD00272115.pdf
STL21N65M5
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW21N65M5
Код товару: 61395		 STx21N65M5_Rev_4.pdf
STW21N65M5
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
1N6508 lds-0086.pdf
1N6508
Виробник: Microchip Technology
ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 40V 14-Pin CDIP Tube
товар відсутній
1N6508 lds-0086.pdf
1N6508
Виробник: Microchip Technology
ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 40V 14-Pin CDIP Tube
товар відсутній
1N6508 lds-0086.pdf
1N6508
Виробник: Microchip Technology
ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 40V 14-Pin CDIP Tube
товар відсутній
1N6509 lds-0087.pdf
1N6509
Виробник: Microchip Technology
ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 40V 14-Pin CDIP Tube
товар відсутній
1N6509 lds-0087.pdf
1N6509
Виробник: Microchip Technology
ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 40V 14-Pin CDIP Tube
товар відсутній
1N6510 lds-0088.pdf
Виробник: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 0.3A 10ns 16-Pin CFPAK Tube
товар відсутній
1N6510 lds-0088.pdf
Виробник: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 0.3A 10ns 16-Pin CFPAK Tube
товар відсутній
1N6519 2002869033538488p75-p76201n6513-19.pdf
Виробник: VOLTAGE MULTIPLIERS
Rectifier Diode Switching 10KV 0.5A 70ns 2-Pin
товар відсутній
1N6523U sf_x20ff3l-1n6525u.pdf
Виробник: VOLTAGE MULTIPLIERS
Rectifier Diode Switching 3KV 0.25A 70ns 2-Pin
товар відсутній
1N6533U p157-p158 1n6529-33u.pdf
Виробник: VOLTAGE MULTIPLIERS
Rectifier Diode Switching 500V 0.05A 70ns 2-Pin
товар відсутній
1N6536 1N6536_Web.pdf
1N6536
Виробник: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 400V 1A 30ns 2-Pin Case A
товар відсутній
1N6536 nods.pdf
1N6536
Виробник: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 400V 1A 30ns 2-Pin Case A
товар відсутній
1N6536/TR nods.pdf
Виробник: Microchip Technology
Switching Diode Rectifier
товар відсутній
1N6541
Виробник: MICROSEMI
A/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N6541
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH041N65EF-F155 fch041n65ef-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH041N65EF-F155 fch041n65ef-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH041N65EFL4 ONSM-S-A0003584725-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch041n65efl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]