Результат пошуку "1N80" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 300
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPP11N80C3 Код товару: 111118 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 800 V Idd,A: 11 A Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8 Монтаж: THT |
у наявності: 36 шт
|
|
||||||||||||||||
AL02BT1N802 | Viking |
Category: SMD 0402 inductors Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 1.8nH; 675mA; 200mΩ; Q: 16; ±0,1nH Mounting: SMD Tolerance: ±0,1nH Inductance: 1.8nH Type of inductor: thin film Q factor: 16 Test frequency: 500MHz Resonant frequency: 10GHz Case - mm: 1005 Case - inch: 0402 Resistance: 0.2Ω Operating current: 675mA |
на замовлення 8347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AL02BT1N802 | Viking |
Category: SMD 0402 inductors Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 1.8nH; 675mA; 200mΩ; Q: 16; ±0,1nH Mounting: SMD Tolerance: ±0,1nH Inductance: 1.8nH Type of inductor: thin film Q factor: 16 Test frequency: 500MHz Resonant frequency: 10GHz Case - mm: 1005 Case - inch: 0402 Resistance: 0.2Ω Operating current: 675mA кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 8347 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQD1N80TM | onsemi / Fairchild | MOSFET Power MOSFET |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQD1N80TM | Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQT1N80TF-WS | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel |
на замовлення 135940 шт: термін постачання 350-359 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSJB11N80A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSJP11N80A-BP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSJPF11N80A-BP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch 800V Super Junction Power FET |
на замовлення 4986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTHS0603N01N8002JE | Vishay / Dale | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 80Kohms 5% |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA11N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP |
на замовлення 2892 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA11N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA21N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V N-CHANNEL |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB11N80AE-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB11N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V N-CH MOSFET |
на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB11N80E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB21N80AE-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB21N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V N-CHANNEL |
на замовлення 2131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD11N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V N-CH MOSFET |
на замовлення 8875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG11N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V N-CH MOSFET E-SERIES PWR |
на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG11N80AEF-GE3 | Vishay | MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode |
на замовлення 350 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG11N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG21N80AE-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 800V |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG21N80AEF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP11N80AE-GE3 | Vishay | Power MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP11N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220AB |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP11N80AEF-GE3 | Vishay | MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode |
на замовлення 450 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP11N80E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP11N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP21N80AEF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHW21N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V |
на замовлення 751 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 156W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 156W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 324 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 4609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 5455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon |
N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW11N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Wi-Fi Маршрутизатор TP-Link TL-WR841N 802.11b/g/n, 300Mbp |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
WML11N80M3 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10.5A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.5A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML11N80M3 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10.5A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.5A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 133 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
XR-B1N8-0509D | Quantic X-Microwave | RF Amplifier Amplifier, HMC865LC3 [PCB: 1188]32 Gbps LIMITING AMPLIFIERRecommended Bias Controller: XR-B1P7-0509D-SP |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
11N80C3 | INFINEON |
на замовлення 5045 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
APT11N80BC3 |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
APT11N80KC3 |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
APT31N80JC3 | APT | 31A/800V/MOS/1U |
на замовлення 163 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DD151N800K | AEG | 05+ |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DD31N800K | AEG | 05+ |
на замовлення 460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DD61N800K | AEG |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQD1N80 | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD1N80 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD1N80 | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD1N80 | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
SPP11N80C3 Код товару: 111118 |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
Монтаж: THT
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
Монтаж: THT
у наявності: 36 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 165 грн |
10+ | 149 грн |
AL02BT1N802 |
Виробник: Viking
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 1.8nH; 675mA; 200mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 1.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 10GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.2Ω
Operating current: 675mA
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 1.8nH; 675mA; 200mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 1.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 10GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.2Ω
Operating current: 675mA
на замовлення 8347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 1.39 грн |
1000+ | 0.87 грн |
1300+ | 0.65 грн |
3400+ | 0.61 грн |
AL02BT1N802 |
Виробник: Viking
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 1.8nH; 675mA; 200mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 1.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 10GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.2Ω
Operating current: 675mA
кількість в упаковці: 100 шт
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 1.8nH; 675mA; 200mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 1.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 10GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.2Ω
Operating current: 675mA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 8347 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 1.66 грн |
1000+ | 1.09 грн |
1300+ | 0.78 грн |
3400+ | 0.74 грн |
FQD1N80TM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Power MOSFET
MOSFET Power MOSFET
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.62 грн |
10+ | 57.44 грн |
100+ | 38.84 грн |
500+ | 32.93 грн |
1000+ | 26.81 грн |
2500+ | 26.22 грн |
FQD1N80TM |
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 17.4 грн |
FQT1N80TF-WS |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 135940 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.85 грн |
10+ | 56.76 грн |
100+ | 38.38 грн |
500+ | 32.53 грн |
1000+ | 25.96 грн |
2000+ | 24.45 грн |
MSJB11N80A-TP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 533.64 грн |
10+ | 450.44 грн |
25+ | 355.54 грн |
100+ | 326.62 грн |
250+ | 307.57 грн |
500+ | 288.51 грн |
800+ | 258.28 грн |
MSJP11N80A-BP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 261.45 грн |
10+ | 216.15 грн |
25+ | 178.1 грн |
100+ | 153.13 грн |
250+ | 143.92 грн |
500+ | 135.38 грн |
1000+ | 116.32 грн |
MSJPF11N80A-BP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET N-Ch 800V Super Junction Power FET
MOSFET N-Ch 800V Super Junction Power FET
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 269.89 грн |
10+ | 223.71 грн |
25+ | 183.36 грн |
100+ | 157.73 грн |
250+ | 148.53 грн |
500+ | 139.98 грн |
1000+ | 119.61 грн |
NTHS0603N01N8002JE |
Виробник: Vishay / Dale
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 80Kohms 5%
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 80Kohms 5%
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 322.02 грн |
10+ | 238.07 грн |
50+ | 174.81 грн |
100+ | 170.21 грн |
500+ | 143.27 грн |
1000+ | 134.07 грн |
2000+ | 118.95 грн |
SIHA11N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.24 грн |
10+ | 112.61 грн |
100+ | 77.55 грн |
250+ | 71.63 грн |
500+ | 64.8 грн |
1000+ | 55.86 грн |
2500+ | 55.27 грн |
SIHA11N80E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 230.78 грн |
10+ | 209.35 грн |
25+ | 159.7 грн |
100+ | 137.35 грн |
250+ | 134.07 грн |
500+ | 123.55 грн |
1000+ | 107.12 грн |
SIHA21N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CHANNEL
MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.91 грн |
10+ | 158.71 грн |
50+ | 130.12 грн |
100+ | 111.07 грн |
250+ | 105.15 грн |
500+ | 99.24 грн |
1000+ | 80.18 грн |
SIHB11N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 61.87 грн |
SIHB11N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CH MOSFET
MOSFET 800V N-CH MOSFET
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.44 грн |
10+ | 120.92 грн |
100+ | 84.78 грн |
250+ | 84.12 грн |
500+ | 68.35 грн |
1000+ | 62.37 грн |
2000+ | 57.83 грн |
SIHB11N80E-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 261.45 грн |
10+ | 216.15 грн |
25+ | 178.1 грн |
100+ | 153.13 грн |
250+ | 143.92 грн |
500+ | 135.38 грн |
1000+ | 112.38 грн |
SIHB21N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 91.24 грн |
SIHB21N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CHANNEL
MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 198.58 грн |
10+ | 165.51 грн |
25+ | 135.38 грн |
100+ | 116.32 грн |
250+ | 109.75 грн |
500+ | 103.18 грн |
1000+ | 84.12 грн |
SIHD11N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CH MOSFET
MOSFET 800V N-CH MOSFET
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 126.51 грн |
10+ | 101.27 грн |
75+ | 71.63 грн |
525+ | 60.26 грн |
1050+ | 57.11 грн |
5025+ | 54.94 грн |
10050+ | 51.92 грн |
SIHG11N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CH MOSFET E-SERIES PWR
MOSFET 800V N-CH MOSFET E-SERIES PWR
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 189.38 грн |
10+ | 133.02 грн |
100+ | 96.61 грн |
250+ | 92.66 грн |
500+ | 84.12 грн |
1000+ | 74.26 грн |
2500+ | 71.63 грн |
SIHG11N80AEF-GE3 |
Виробник: Vishay
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
на замовлення 350 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 253.02 грн |
10+ | 209.35 грн |
25+ | 172.18 грн |
100+ | 147.21 грн |
250+ | 139.32 грн |
500+ | 130.78 грн |
SIHG11N80E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 281.39 грн |
10+ | 233.53 грн |
25+ | 191.24 грн |
100+ | 163.64 грн |
250+ | 155.1 грн |
500+ | 145.24 грн |
1000+ | 141.95 грн |
SIHG21N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 328.16 грн |
10+ | 272.08 грн |
25+ | 191.24 грн |
100+ | 170.87 грн |
250+ | 166.93 грн |
500+ | 149.84 грн |
1000+ | 143.92 грн |
SIHG21N80AEF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 230.78 грн |
10+ | 191.21 грн |
100+ | 150.5 грн |
500+ | 113.04 грн |
1000+ | 99.89 грн |
SIHP11N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay
Power MOSFET
Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 62.95 грн |
SIHP11N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220AB
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220AB
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 138.01 грн |
10+ | 113.37 грн |
100+ | 78.21 грн |
250+ | 72.29 грн |
500+ | 65.39 грн |
1000+ | 56.45 грн |
2500+ | 55.86 грн |
SIHP11N80AEF-GE3 |
Виробник: Vishay
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
на замовлення 450 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 199.35 грн |
10+ | 165.51 грн |
25+ | 135.38 грн |
100+ | 116.32 грн |
250+ | 109.75 грн |
500+ | 103.18 грн |
1000+ | 88.72 грн |
SIHP11N80E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 242.28 грн |
10+ | 204.06 грн |
50+ | 150.5 грн |
100+ | 138.67 грн |
250+ | 136.7 грн |
500+ | 134.72 грн |
1000+ | 129.47 грн |
SIHP11N80E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 242.28 грн |
10+ | 201.03 грн |
25+ | 164.96 грн |
100+ | 141.3 грн |
250+ | 133.41 грн |
500+ | 126.18 грн |
1000+ | 103.18 грн |
SIHP21N80AEF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 196.28 грн |
10+ | 163.25 грн |
25+ | 136.7 грн |
100+ | 115.01 грн |
250+ | 111.07 грн |
500+ | 101.86 грн |
1000+ | 86.75 грн |
SIHW21N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 751 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 328.92 грн |
10+ | 323.47 грн |
30+ | 222.79 грн |
120+ | 191.24 грн |
SPA11N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 203.95 грн |
10+ | 169.29 грн |
25+ | 138.67 грн |
100+ | 118.29 грн |
250+ | 112.38 грн |
500+ | 105.81 грн |
1000+ | 90.69 грн |
SPA11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 203.95 грн |
10+ | 169.29 грн |
25+ | 111.72 грн |
100+ | 102.52 грн |
500+ | 101.86 грн |
1000+ | 85.43 грн |
SPA11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.81 грн |
SPA11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 191.39 грн |
SPA11N80C3XKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 204.72 грн |
10+ | 170.05 грн |
25+ | 139.32 грн |
100+ | 118.95 грн |
250+ | 113.04 грн |
500+ | 105.81 грн |
1000+ | 85.43 грн |
SPA11N80C3XKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.81 грн |
SPP11N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.94 грн |
3+ | 160.19 грн |
7+ | 122.54 грн |
18+ | 115.69 грн |
SPP11N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 324 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 229.13 грн |
3+ | 199.62 грн |
7+ | 147.05 грн |
18+ | 138.83 грн |
SPP11N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 202.41 грн |
10+ | 167.78 грн |
25+ | 137.35 грн |
100+ | 117.64 грн |
250+ | 111.07 грн |
500+ | 104.49 грн |
1000+ | 90.04 грн |
SPP11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 201.65 грн |
10+ | 191.21 грн |
25+ | 132.75 грн |
100+ | 114.35 грн |
500+ | 100.55 грн |
1000+ | 84.78 грн |
SPP11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.51 грн |
SPP11N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon
N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 163.76 грн |
SPW11N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 239.98 грн |
10+ | 198.77 грн |
25+ | 162.98 грн |
100+ | 139.98 грн |
240+ | 132.1 грн |
480+ | 124.21 грн |
1200+ | 106.47 грн |
SPW11N80C3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 242.28 грн |
10+ | 217.66 грн |
25+ | 164.96 грн |
100+ | 141.95 грн |
240+ | 138.67 грн |
480+ | 107.78 грн |
1200+ | 100.55 грн |
Wi-Fi Маршрутизатор TP-Link TL-WR841N 802.11b/g/n, 300Mbp |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1053.27 грн |
WML11N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10.5A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10.5A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 80.36 грн |
6+ | 65.72 грн |
16+ | 51.34 грн |
43+ | 48.6 грн |
WML11N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10.5A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10.5A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 96.43 грн |
5+ | 81.9 грн |
16+ | 61.61 грн |
43+ | 58.33 грн |
XR-B1N8-0509D |
Виробник: Quantic X-Microwave
RF Amplifier Amplifier, HMC865LC3 [PCB: 1188]32 Gbps LIMITING AMPLIFIERRecommended Bias Controller: XR-B1P7-0509D-SP
RF Amplifier Amplifier, HMC865LC3 [PCB: 1188]32 Gbps LIMITING AMPLIFIERRecommended Bias Controller: XR-B1P7-0509D-SP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 57709.74 грн |
10+ | 55465.22 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]