Результат пошуку "1n4150" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 56
Мінімальне замовлення: 140
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 44
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 777
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5792
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 313
Мінімальне замовлення: 7353
Мінімальне замовлення: 50000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 50000
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 102
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 2226
Мінімальне замовлення: 55
Мінімальне замовлення: 36
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 3817
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 57
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 16
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N4150 Код товару: 43481 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі |
у наявності: 207 шт
|
|
||||||||||||||||||||
1N4150 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.3A Max. load current: 0.6A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.5W Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | DC COMPONENTS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 5991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Diotec Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 50; Io, А = 0,3; If, A = 0,3; Тексп, °С = -50...+200; DO-35 |
на замовлення 140 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | DC COMPONENTS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5991 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.3A Max. load current: 0.6A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.5W Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Diotec Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode, DO-35, 50V, 0.3A, 175C |
на замовлення 14040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Diotec Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 Packaging: Box Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 8215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Microchip Technology | Zener Diodes 75 V Signal or Computer Diode |
на замовлення 910 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 TR PBFREE | Central Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Planar Diode Vr/50V Io/200mA |
на замовлення 18307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 6371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-1 | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-1 | Microchip Technology | Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-1 | Microchip Technology | Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-1 | Microchip Technology | Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-T/R | VISHAY |
Description: VISHAY - 1N4150-T/R - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4150 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
1N4150-TR | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R |
на замовлення 9951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.15A Max. load current: 0.6A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 2.5pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.44W Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.15A Max. load current: 0.6A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 2.5pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.44W Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 824 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | VISHAY |
Description: VISHAY - 1N4150TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 19665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo |
на замовлення 30426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo |
на замовлення 30426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 8935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA |
на замовлення 54936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR | VISHAY |
Description: VISHAY - 1N4150TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 40129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 60712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA T/R |
на замовлення 20863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UBCA/TR | Microchip Technology |
Description: DIODE ARRAY UBC Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: UBC |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UBCA/TR | Microchip Technology |
Description: DIODE ARRAY UBC Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: UBC |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1 | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 75V Load current: 0.2A Max. load current: 0.4A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: DO213AA Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: bulk |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1 | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 75V Load current: 0.2A Max. load current: 0.4A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: DO213AA Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 591 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1 | Microchip Technology | Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 75V 0.4A 4ns 2-Pin DO-213AA Bag |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1 | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 1304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1/TR | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1/TR | Microchip Technology | Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns |
на замовлення 46870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: -A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 12058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: -A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 48555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 8767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns |
на замовлення 19606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 8767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-G3-08 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns |
на замовлення 14980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-G3-18 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns |
на замовлення 9867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-G3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 9968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-HE3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
1N4150W-HE3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
1N4150W-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 30766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
1N4150 Код товару: 43481 |
у наявності: 207 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.8 грн |
1N4150 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 1.98 грн |
450+ | 0.77 грн |
1000+ | 0.63 грн |
1475+ | 0.54 грн |
1N4150 |
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
56+ | 6.64 грн |
87+ | 3.97 грн |
148+ | 2.33 грн |
208+ | 1.65 грн |
250+ | 1.38 грн |
1000+ | 1.15 грн |
1588+ | 0.5 грн |
4378+ | 0.47 грн |
1N4150 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 50; Io, А = 0,3; If, A = 0,3; Тексп, °С = -50...+200; DO-35
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 50; Io, А = 0,3; If, A = 0,3; Тексп, °С = -50...+200; DO-35
на замовлення 140 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
140+ | 4.46 грн |
1N4150 |
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 7.96 грн |
52+ | 4.95 грн |
89+ | 2.79 грн |
125+ | 1.98 грн |
250+ | 1.66 грн |
1000+ | 1.38 грн |
1588+ | 0.6 грн |
1N4150 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 25 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 2.37 грн |
275+ | 0.96 грн |
1000+ | 0.76 грн |
1475+ | 0.65 грн |
4050+ | 0.61 грн |
1N4150 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode, DO-35, 50V, 0.3A, 175C
Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode, DO-35, 50V, 0.3A, 175C
на замовлення 14040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
44+ | 7.13 грн |
86+ | 3.55 грн |
103+ | 2.56 грн |
500+ | 2.1 грн |
1000+ | 1.77 грн |
5000+ | 1.31 грн |
10000+ | 0.85 грн |
1N4150 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Box
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Box
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 8215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 17.55 грн |
50+ | 14.55 грн |
100+ | 12.55 грн |
500+ | 4.2 грн |
1000+ | 3.5 грн |
2000+ | 2.99 грн |
5000+ | 1.77 грн |
1N4150 |
Виробник: Microchip Technology
Zener Diodes 75 V Signal or Computer Diode
Zener Diodes 75 V Signal or Computer Diode
на замовлення 910 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.01 грн |
100+ | 61.22 грн |
1N4150 TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Planar Diode Vr/50V Io/200mA
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Planar Diode Vr/50V Io/200mA
на замовлення 18307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25 грн |
16+ | 19.35 грн |
100+ | 10.06 грн |
500+ | 9 грн |
1000+ | 5.85 грн |
2500+ | 5.65 грн |
10000+ | 4.99 грн |
1N4150 TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 6371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 22.75 грн |
16+ | 17.39 грн |
100+ | 10.43 грн |
500+ | 9.06 грн |
1000+ | 6.16 грн |
2000+ | 5.67 грн |
5000+ | 5.35 грн |
1N4150-1 |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.85 грн |
100+ | 55 грн |
1N4150-1 |
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 57.84 грн |
42+ | 13.92 грн |
1N4150-1 |
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
777+ | 15 грн |
1N4150-1 |
Виробник: Microchip Technology
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.1 грн |
1N4150-T/R |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150-T/R - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4150
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: VISHAY - 1N4150-T/R - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4150
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)1N4150-TR |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 9951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5792+ | 2.01 грн |
5860+ | 1.99 грн |
1N4150TAP |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 2.5pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: Ammo Pack
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 2.5pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 12.53 грн |
46+ | 7.53 грн |
53+ | 6.5 грн |
73+ | 4.71 грн |
106+ | 3.25 грн |
250+ | 3.02 грн |
500+ | 2.36 грн |
579+ | 1.37 грн |
1N4150TAP |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 2.5pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 2.5pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 824 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 15.04 грн |
28+ | 9.38 грн |
32+ | 7.8 грн |
44+ | 5.65 грн |
100+ | 3.9 грн |
250+ | 3.62 грн |
500+ | 2.83 грн |
1N4150TAP |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - 1N4150TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 19665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 19.68 грн |
66+ | 11.21 грн |
145+ | 5.09 грн |
500+ | 3.59 грн |
1000+ | 2.27 грн |
5000+ | 2.23 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 30426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
313+ | 1.85 грн |
324+ | 1.78 грн |
335+ | 1.72 грн |
348+ | 1.6 грн |
362+ | 1.42 грн |
500+ | 1.32 грн |
1000+ | 1.26 грн |
3000+ | 1.21 грн |
6000+ | 1.16 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 30426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7353+ | 1.58 грн |
7654+ | 1.52 грн |
8022+ | 1.45 грн |
15000+ | 1.33 грн |
30000+ | 1.18 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50000+ | 1.21 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.22 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 17.06 грн |
25+ | 11.3 грн |
100+ | 5.53 грн |
500+ | 4.33 грн |
1000+ | 3.01 грн |
2000+ | 2.61 грн |
5000+ | 2.38 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50000+ | 1.3 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA
Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA
на замовлення 54936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 12.8 грн |
35+ | 8.69 грн |
100+ | 3.42 грн |
1000+ | 2.17 грн |
2500+ | 1.84 грн |
100000+ | 1.77 грн |
1N4150TR |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.25 грн |
30000+ | 2.13 грн |
50000+ | 1.92 грн |
1N4150TR |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - 1N4150TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 40129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 21.23 грн |
53+ | 14.15 грн |
155+ | 4.78 грн |
500+ | 3.48 грн |
1000+ | 2.34 грн |
5000+ | 2.29 грн |
1N4150TR |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 60712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 17.77 грн |
24+ | 11.5 грн |
100+ | 5.62 грн |
500+ | 4.4 грн |
1000+ | 3.06 грн |
2000+ | 2.65 грн |
5000+ | 2.42 грн |
1N4150TR |
Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA T/R
Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA T/R
на замовлення 20863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 18.55 грн |
24+ | 12.77 грн |
100+ | 4.14 грн |
1000+ | 2.69 грн |
2500+ | 2.5 грн |
10000+ | 1.97 грн |
25000+ | 1.91 грн |
1N4150UBCA/TR |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ARRAY UBC
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UBC
Description: DIODE ARRAY UBC
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UBC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1564.7 грн |
1N4150UBCA/TR |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ARRAY UBC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UBC
Description: DIODE ARRAY UBC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UBC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 1453.38 грн |
1N4150UR-1 |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 88.31 грн |
10+ | 79.41 грн |
11+ | 75.99 грн |
25+ | 73.25 грн |
29+ | 71.88 грн |
100+ | 69.14 грн |
1N4150UR-1 |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 591 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.05 грн |
10+ | 95.29 грн |
11+ | 91.19 грн |
25+ | 87.9 грн |
29+ | 86.26 грн |
100+ | 82.97 грн |
1N4150UR-1 |
Виробник: Microchip Technology
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.51 грн |
100+ | 73.99 грн |
1N4150UR-1 |
Виробник: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 75V 0.4A 4ns 2-Pin DO-213AA Bag
Rectifier Diode Switching 75V 0.4A 4ns 2-Pin DO-213AA Bag
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
102+ | 115.14 грн |
250+ | 102.95 грн |
500+ | 98.63 грн |
1000+ | 92.78 грн |
1N4150UR-1 |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 73.93 грн |
100+ | 66.38 грн |
1N4150UR-1/TR |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 85.31 грн |
100+ | 76.49 грн |
1N4150UR-1/TR |
Виробник: Microchip Technology
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 92.77 грн |
100+ | 85.4 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
на замовлення 46870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.86 грн |
26+ | 12.02 грн |
100+ | 4.34 грн |
1000+ | 2.96 грн |
2500+ | 2.04 грн |
10000+ | 1.77 грн |
15000+ | 1.71 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 3.75 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.78 грн |
6000+ | 2.49 грн |
9000+ | 2.06 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 3.48 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2226+ | 5.23 грн |
2246+ | 5.18 грн |
2273+ | 5.12 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
55+ | 13.64 грн |
137+ | 5.42 грн |
250+ | 4.06 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
36+ | 16.3 грн |
51+ | 11.32 грн |
119+ | 4.68 грн |
250+ | 4.3 грн |
500+ | 4.08 грн |
1000+ | 2.45 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 12058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 16.35 грн |
25+ | 10.95 грн |
100+ | 5.33 грн |
500+ | 4.18 грн |
1000+ | 2.9 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 4.06 грн |
1N4150W-E3-18 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 48555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 16.35 грн |
25+ | 10.95 грн |
100+ | 5.33 грн |
500+ | 4.18 грн |
1000+ | 2.9 грн |
2000+ | 2.52 грн |
5000+ | 2.3 грн |
1N4150W-E3-18 |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3817+ | 3.05 грн |
3857+ | 3.02 грн |
3907+ | 2.98 грн |
4452+ | 2.52 грн |
5173+ | 2.01 грн |
6148+ | 1.62 грн |
1N4150W-E3-18 |
Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
на замовлення 19606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.1 грн |
27+ | 11.41 грн |
100+ | 4.34 грн |
1000+ | 2.63 грн |
2500+ | 2.37 грн |
10000+ | 1.97 грн |
50000+ | 1.71 грн |
1N4150W-E3-18 |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
57+ | 10.27 грн |
84+ | 6.88 грн |
85+ | 6.8 грн |
204+ | 2.73 грн |
250+ | 2.5 грн |
500+ | 2.37 грн |
1000+ | 2.08 грн |
3000+ | 1.79 грн |
6000+ | 1.51 грн |
1N4150W-E3-18 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.14 грн |
30000+ | 2.03 грн |
1N4150W-G3-08 |
Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 21.39 грн |
21+ | 14.59 грн |
100+ | 6.18 грн |
1000+ | 3.61 грн |
2500+ | 3.09 грн |
10000+ | 2.5 грн |
15000+ | 2.3 грн |
1N4150W-G3-18 |
Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
на замовлення 9867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 21.39 грн |
21+ | 14.59 грн |
100+ | 5.19 грн |
1000+ | 3.09 грн |
2500+ | 2.89 грн |
10000+ | 2.3 грн |
50000+ | 2.1 грн |
1N4150W-G3-18 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 9968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 19.91 грн |
21+ | 13.08 грн |
100+ | 6.38 грн |
500+ | 4.99 грн |
1000+ | 3.47 грн |
2000+ | 3.01 грн |
5000+ | 2.74 грн |
1N4150W-HE3-08 |
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)1N4150W-HE3-08 |
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)1N4150W-HE3-08 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 17.77 грн |
24+ | 11.5 грн |
100+ | 5.62 грн |
500+ | 4.4 грн |
1000+ | 3.06 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]