Результат пошуку "1nk60z" : 39

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics STN1NK60Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+18.05 грн
25+ 14.77 грн
66+ 12.18 грн
180+ 11.52 грн
Мінімальне замовлення: 21
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics STN1NK60Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+21.67 грн
25+ 18.41 грн
66+ 14.62 грн
180+ 13.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 14904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.36 грн
10+ 48.37 грн
100+ 37.63 грн
500+ 29.93 грн
1000+ 24.38 грн
2000+ 22.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.4 грн
Мінімальне замовлення: 4000
STN1NK60Z ST en.CD00003347.pdf 600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
STN1NK60Z; 0,8A; 600V; N-MOSFET; Корпус: SOT-223; STM
на замовлення 47 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
47+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 47
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.25 грн
8000+ 13.03 грн
12000+ 12.1 грн
Мінімальне замовлення: 4000
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 16405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.1 грн
10+ 34.77 грн
100+ 24.19 грн
500+ 17.73 грн
1000+ 14.41 грн
2000+ 12.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
STQ1NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.1 грн
10+ 34.49 грн
100+ 23.99 грн
500+ 17.58 грн
1000+ 14.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
STQ1NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
STQ1NK60ZR-AP ST en.CD00003347.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C; STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics TSTQ1NK60ZR-AP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
STS1NK60Z STS1NK60Z STMicroelectronics 1518181083623798cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STS1NK60Z STS1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003308.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.94 грн
10+ 50.09 грн
100+ 34.72 грн
500+ 27.23 грн
1000+ 23.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
N1NK60Z ST
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S1NK60Z ST 09+ SOP8
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NK60Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STN1NK60Z-TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK60ZR ST 06+ TO-92
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK60ZR-
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK60ZR-AP$F1 ST TO-92 08+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK60ZR-AP$V3
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STS1NK60Z ST en.CD00003308.pdf
на замовлення 64315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STS1NK60Z ST en.CD00003308.pdf 09+ SO-8
на замовлення 38675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STS1NK60Z ST en.CD00003308.pdf SOP8
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STN1NK60Z STN1NK60Z
Код товару: 25979
ST STN1NK60Z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 600 V
Idd,A: 0,25 A
Rds(on), Ohm: 15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 94/4,9
Монтаж: SMD
товар відсутній
STQ1NK60ZR(транзистор)
Код товару: 47888
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
STQ1NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP
Код товару: 85095
en.CD00003347.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STS1NK60Z(транзистор)
Код товару: 45711
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
STN1NK60Z STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMicroelectronics 450873423927520dm0012.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN1NK60ZL STMicroelectronics 450873423927520dm0012.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STS1NK60Z STS1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003308.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
товар відсутній
STS1NK60Z STMicroelectronics 1518181083623798cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-Pin SO N T/R
товар відсутній
STN1NK60Z STN1NK60Z.pdf
STN1NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+18.05 грн
25+ 14.77 грн
66+ 12.18 грн
180+ 11.52 грн
Мінімальне замовлення: 21
STN1NK60Z STN1NK60Z.pdf
STN1NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+21.67 грн
25+ 18.41 грн
66+ 14.62 грн
180+ 13.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
STN1NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 14904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.36 грн
10+ 48.37 грн
100+ 37.63 грн
500+ 29.93 грн
1000+ 24.38 грн
2000+ 22.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
STN1NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+25.4 грн
Мінімальне замовлення: 4000
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
Виробник: ST
600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
STN1NK60Z; 0,8A; 600V; N-MOSFET; Корпус: SOT-223; STM
на замовлення 47 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
47+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 47
STN1NK60ZL en.CD00003347.pdf
STN1NK60ZL
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+14.25 грн
8000+ 13.03 грн
12000+ 12.1 грн
Мінімальне замовлення: 4000
STN1NK60ZL en.CD00003347.pdf
STN1NK60ZL
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 16405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.1 грн
10+ 34.77 грн
100+ 24.19 грн
500+ 17.73 грн
1000+ 14.41 грн
2000+ 12.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
STQ1NK60ZR-AP en.CD00003347.pdf
STQ1NK60ZR-AP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.1 грн
10+ 34.49 грн
100+ 23.99 грн
500+ 17.58 грн
1000+ 14.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
STQ1NK60ZR-AP en.CD00003347.pdf
STQ1NK60ZR-AP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
STQ1NK60ZR-AP en.CD00003347.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C; STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics TSTQ1NK60ZR-AP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
STS1NK60Z 1518181083623798cd000.pdf
STS1NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STS1NK60Z en.CD00003308.pdf
STS1NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.94 грн
10+ 50.09 грн
100+ 34.72 грн
500+ 27.23 грн
1000+ 23.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
N1NK60Z
Виробник: ST
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S1NK60Z
Виробник: ST
09+ SOP8
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NK60Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STN1NK60Z-TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK60ZR
Виробник: ST
06+ TO-92
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK60ZR-
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK60ZR-AP$F1
Виробник: ST
TO-92 08+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK60ZR-AP$V3
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STS1NK60Z en.CD00003308.pdf
Виробник: ST
на замовлення 64315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STS1NK60Z en.CD00003308.pdf
Виробник: ST
09+ SO-8
на замовлення 38675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STS1NK60Z en.CD00003308.pdf
Виробник: ST
SOP8
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STN1NK60Z
Код товару: 25979
STN1NK60Z.pdf
STN1NK60Z
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 600 V
Idd,A: 0,25 A
Rds(on), Ohm: 15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 94/4,9
Монтаж: SMD
товар відсутній
STQ1NK60ZR(транзистор)
Код товару: 47888
товар відсутній
STQ1NK60ZR-AP
Код товару: 85095
en.CD00003347.pdf
STQ1NK60ZR-AP
товар відсутній
STS1NK60Z(транзистор)
Код товару: 45711
товар відсутній
STN1NK60Z 704214581529243cd00003347.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN1NK60Z 704214581529243cd00003347.pdf
STN1NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN1NK60ZL 450873423927520dm0012.pdf
STN1NK60ZL
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN1NK60ZL 450873423927520dm0012.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STQ1NK60ZR-AP en.CD00003347.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STQ1NK60ZR-AP en.CD00003347.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STQ1NK60ZR-AP 704214581529243cd00003347.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1NK60ZR-AP 704214581529243cd00003347.pdf
STQ1NK60ZR-AP
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STS1NK60Z en.CD00003308.pdf
STS1NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
товар відсутній
STS1NK60Z 1518181083623798cd000.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-Pin SO N T/R
товар відсутній