Результат пошуку "20N1" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
220nF 1500V MKS4S032206D (MKS4-220N/1500) Wima Код товару: 82374 |
WIMA |
Конденсатори > Плівкові конденсатори Ємність: 220 nF Ном.напруга: 1,5k V Точність: ±20% M Крок виводів: 27,5 mm Діелектрик: Поліестер Розмір корпуса: 13x24x31,5 mm |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||
IXFK220N15P Код товару: 163720 |
IXYS |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 150 V Idd,A: 220 A Rds(on), Ohm: 9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 15,4/162 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||
MKS4-220N15/630 Код товару: 110672 |
WIMA |
Конденсатори > Плівкові конденсатори Ємність: 220 nF Ном.напруга: 400 VAC Точність: ±10% K Крок виводів: 15 mm Розмір корпуса: 8x15x18 mm |
у наявності: 32 шт
|
|
|||||||||||||||
20N120CND | HAR | TO-3 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
1EDI20N12AF | Infineon Technologies | Gate Drivers 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu |
на замовлення 3874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
1EDI20N12AFXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output |
на замовлення 6885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ADUM120N1BRZ | AD - Analog Devices |
Digital Isolator CMOS 2-CH 150Mbps 8-Pin SOIC N ADUM120N1BRZ-RL7 ADUM120N1BRZ UIADUM120n1brz кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ADUM120N1BRZ-RL7 | Analog Devices | Digital Isolators 3.0 kV rms, Dual-Channel Digital Isolators |
на замовлення 3944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AFBR-S20N1N256 | Broadcom / Avago | Optical Sensor Development Tools spectr. Qneo 256 900-1700 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AP2120N-1.8TRG1 | DIODES INCORPORATED |
Category: LDO unregulated voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.15A; SOT23; SMD Manufacturer series: AP2120 Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Case: SOT23 Tolerance: ±2% Output voltage: 1.8V Output current: 0.15A Voltage drop: 0.5V Type of integrated circuit: voltage regulator Number of channels: 1 Input voltage: 2...6V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4680 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ATSAMC20N17A-ANT | Microchip Technology | ARM Microcontrollers - MCU 100 TQFP,105C TEMP, GREEN, 5V, 48MHZ,T&R |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ATSAMC20N18A-ANT | Microchip Technology | ARM Microcontrollers - MCU 100 TQFP,105C TEMP, GREEN, 5V, 48MHZ,T&R |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC120N12LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 4048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ520N15NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 45312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 59659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BW-20N100W+ | Mini-Circuits | Attenuators - Interconnects FXD ATTEN /N/20DB 100W RoHS |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DAMI220N150 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 780A Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A On-state resistance: 6.7mΩ Power dissipation: 273W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate-source voltage: -20...20V Pulsed drain current: 780A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DAMI320N100 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 280A; SOT227B; screw; Idm: 900A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 280A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 424W Case: SOT227B Gate-source voltage: -20...20V On-state resistance: 2.1mΩ Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DS1001-02-20N13 | CONNFLY (Zhenqin) |
2x10pin; SMT; pitch 2.54mm, bushing, gold plated contacts; row spacing: 7.62mm DS1001-02-20N13 CONNFLY DIP Socket 20pin P20S кількість в упаковці: 24 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ET220N12-Z | Nidec Copal Electronics |
Category: Toggle Switches Description: Switch: toggle; Pos: 2; DPDT; ON-ON; 20A/125VAC; Toggle: round; ET Manufacturer series: ET Number of positions: 2 Max. contact resistance:: 20mΩ Min. insulation resistance: 0.1GΩ Body dimensions: 28.6x16x14.5mm Leads: for soldering Type of switch: toggle Contacts configuration: DPDT AC contacts rating @R: 20A / 125V AC Switching method: ON-ON Stable positions number: 2 Kind of toggle: round Knob height: 17mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDB120N10 | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench |
на замовлення 4193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGQ120N120S7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW20N120R5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW20N120R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW20N120R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW20N135R3 | Infineon |
40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode IHW20N135R3 TIHW20n135r3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW20N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW20N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW20N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ120N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ120N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 1377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKY120N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules INDUSTRY 14 |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB120N10S403ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB120N10S405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ |
на замовлення 15924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPG20N10S436AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ |
на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPG20N10S4L-22A | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 5065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPG20N10S4L-35 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET |
на замовлення 7965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPG20N10S4L22AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 4278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET |
на замовлення 5580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPG20N10S4L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPG20N10S4L35ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET |
на замовлення 31260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPT020N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 24445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPT020N13NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IQD020N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 4899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 2484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXDH20N120 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 175ns Turn-off time: 570ns |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXDH20N120 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 175ns Turn-off time: 570ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 244 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH120N15P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 120A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 261 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH20N100P | IXYS | MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH320N10T2 | IXYS | MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A |
на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK220N15P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 220A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 220A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 162nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXFK420N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 420A Power dissipation: 1670W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 670nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXFN20N120P | IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 595W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 570mΩ Gate charge: 193nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 300ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN20N120P | IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 595W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 570mΩ Gate charge: 193nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 300ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN420N10T | IXYS | Discrete Semiconductor Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFR20N120P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 13A Power dissipation: 290W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFR20N120P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 13A Power dissipation: 290W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFT120N15P | IXYS | MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFT320N10T2 | IXYS | MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
220nF 1500V MKS4S032206D (MKS4-220N/1500) Wima Код товару: 82374 |
Виробник: WIMA
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 220 nF
Ном.напруга: 1,5k V
Точність: ±20% M
Крок виводів: 27,5 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 13x24x31,5 mm
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 220 nF
Ном.напруга: 1,5k V
Точність: ±20% M
Крок виводів: 27,5 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 13x24x31,5 mm
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 54 грн |
IXFK220N15P Код товару: 163720 |
Виробник: IXYS
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 150 V
Idd,A: 220 A
Rds(on), Ohm: 9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 15,4/162
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 150 V
Idd,A: 220 A
Rds(on), Ohm: 9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 15,4/162
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 440 грн |
MKS4-220N15/630 Код товару: 110672 |
Виробник: WIMA
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 220 nF
Ном.напруга: 400 VAC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 15 mm
Розмір корпуса: 8x15x18 mm
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 220 nF
Ном.напруга: 400 VAC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 15 mm
Розмір корпуса: 8x15x18 mm
у наявності: 32 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 20 грн |
10+ | 18 грн |
1EDI20N12AF |
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
Gate Drivers 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.58 грн |
10+ | 103.73 грн |
100+ | 72.03 грн |
250+ | 67.48 грн |
500+ | 59.44 грн |
1000+ | 49.25 грн |
2500+ | 45.88 грн |
1EDI20N12AFXUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
Gate Drivers 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
на замовлення 6885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.83 грн |
10+ | 95.52 грн |
100+ | 71.38 грн |
250+ | 66.84 грн |
500+ | 52.3 грн |
1000+ | 47.11 грн |
2500+ | 44.9 грн |
ADUM120N1BRZ |
Виробник: AD - Analog Devices
Digital Isolator CMOS 2-CH 150Mbps 8-Pin SOIC N ADUM120N1BRZ-RL7 ADUM120N1BRZ UIADUM120n1brz
кількість в упаковці: 2 шт
Digital Isolator CMOS 2-CH 150Mbps 8-Pin SOIC N ADUM120N1BRZ-RL7 ADUM120N1BRZ UIADUM120n1brz
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 99.37 грн |
ADUM120N1BRZ-RL7 |
Виробник: Analog Devices
Digital Isolators 3.0 kV rms, Dual-Channel Digital Isolators
Digital Isolators 3.0 kV rms, Dual-Channel Digital Isolators
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.11 грн |
10+ | 126.11 грн |
100+ | 97.33 грн |
250+ | 92.14 грн |
500+ | 81.76 грн |
1000+ | 73.32 грн |
2000+ | 71.38 грн |
AFBR-S20N1N256 |
Виробник: Broadcom / Avago
Optical Sensor Development Tools spectr. Qneo 256 900-1700
Optical Sensor Development Tools spectr. Qneo 256 900-1700
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 321257.82 грн |
AP2120N-1.8TRG1 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LDO unregulated voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.15A; SOT23; SMD
Manufacturer series: AP2120
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Case: SOT23
Tolerance: ±2%
Output voltage: 1.8V
Output current: 0.15A
Voltage drop: 0.5V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Input voltage: 2...6V
кількість в упаковці: 5 шт
Category: LDO unregulated voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.15A; SOT23; SMD
Manufacturer series: AP2120
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Case: SOT23
Tolerance: ±2%
Output voltage: 1.8V
Output current: 0.15A
Voltage drop: 0.5V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Input voltage: 2...6V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 13.98 грн |
50+ | 5.42 грн |
100+ | 4.63 грн |
235+ | 3.98 грн |
650+ | 3.77 грн |
ATSAMC20N17A-ANT |
Виробник: Microchip Technology
ARM Microcontrollers - MCU 100 TQFP,105C TEMP, GREEN, 5V, 48MHZ,T&R
ARM Microcontrollers - MCU 100 TQFP,105C TEMP, GREEN, 5V, 48MHZ,T&R
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 308.12 грн |
10+ | 302.97 грн |
25+ | 248.53 грн |
100+ | 232.95 грн |
1000+ | 232.3 грн |
ATSAMC20N18A-ANT |
Виробник: Microchip Technology
ARM Microcontrollers - MCU 100 TQFP,105C TEMP, GREEN, 5V, 48MHZ,T&R
ARM Microcontrollers - MCU 100 TQFP,105C TEMP, GREEN, 5V, 48MHZ,T&R
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 309.63 грн |
10+ | 304.46 грн |
25+ | 253.72 грн |
100+ | 243.34 грн |
1000+ | 242.69 грн |
BSC120N12LSGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.27 грн |
10+ | 105.96 грн |
100+ | 77.87 грн |
250+ | 75.92 грн |
500+ | 65.54 грн |
1000+ | 52.88 грн |
2500+ | 52.82 грн |
BSZ520N15NS3 G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 45312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.31 грн |
10+ | 92.53 грн |
100+ | 62.75 грн |
500+ | 52.82 грн |
1000+ | 43.02 грн |
5000+ | 38.22 грн |
BSZ520N15NS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 59659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.8 грн |
10+ | 91.04 грн |
100+ | 61.58 грн |
500+ | 49.58 грн |
1000+ | 38.87 грн |
2500+ | 38.48 грн |
5000+ | 38.22 грн |
BW-20N100W+ |
Виробник: Mini-Circuits
Attenuators - Interconnects FXD ATTEN /N/20DB 100W RoHS
Attenuators - Interconnects FXD ATTEN /N/20DB 100W RoHS
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 38631.12 грн |
DAMI220N150 |
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 780A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 6.7mΩ
Power dissipation: 273W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate-source voltage: -20...20V
Pulsed drain current: 780A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 780A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 6.7mΩ
Power dissipation: 273W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate-source voltage: -20...20V
Pulsed drain current: 780A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2249.29 грн |
2+ | 2050.19 грн |
DAMI320N100 |
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 280A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 280A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 424W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 280A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 280A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 424W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2905.3 грн |
DS1001-02-20N13 |
Виробник: CONNFLY (Zhenqin)
2x10pin; SMT; pitch 2.54mm, bushing, gold plated contacts; row spacing: 7.62mm DS1001-02-20N13 CONNFLY DIP Socket 20pin P20S
кількість в упаковці: 24 шт
2x10pin; SMT; pitch 2.54mm, bushing, gold plated contacts; row spacing: 7.62mm DS1001-02-20N13 CONNFLY DIP Socket 20pin P20S
кількість в упаковці: 24 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 22.57 грн |
ET220N12-Z |
Виробник: Nidec Copal Electronics
Category: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; DPDT; ON-ON; 20A/125VAC; Toggle: round; ET
Manufacturer series: ET
Number of positions: 2
Max. contact resistance:: 20mΩ
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Body dimensions: 28.6x16x14.5mm
Leads: for soldering
Type of switch: toggle
Contacts configuration: DPDT
AC contacts rating @R: 20A / 125V AC
Switching method: ON-ON
Stable positions number: 2
Kind of toggle: round
Knob height: 17mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; DPDT; ON-ON; 20A/125VAC; Toggle: round; ET
Manufacturer series: ET
Number of positions: 2
Max. contact resistance:: 20mΩ
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Body dimensions: 28.6x16x14.5mm
Leads: for soldering
Type of switch: toggle
Contacts configuration: DPDT
AC contacts rating @R: 20A / 125V AC
Switching method: ON-ON
Stable positions number: 2
Kind of toggle: round
Knob height: 17mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 567.78 грн |
2+ | 531.5 грн |
6+ | 484.24 грн |
25+ | 475.31 грн |
100+ | 470.45 грн |
FDB120N10 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench
MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench
на замовлення 4193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 213.49 грн |
10+ | 176.86 грн |
25+ | 153.14 грн |
100+ | 124.59 грн |
500+ | 123.94 грн |
800+ | 88.9 грн |
IGQ120N120S7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1022.76 грн |
10+ | 888.01 грн |
25+ | 752.07 грн |
50+ | 709.89 грн |
100+ | 668.36 грн |
240+ | 646.95 грн |
480+ | 604.77 грн |
IHW20N120R5 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 230.14 грн |
10+ | 211.18 грн |
25+ | 157.68 грн |
100+ | 135.62 грн |
240+ | 132.37 грн |
480+ | 103.82 грн |
1200+ | 97.98 грн |
IHW20N120R5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 262.78 грн |
3+ | 219.68 грн |
5+ | 168.31 грн |
13+ | 158.84 грн |
IHW20N120R5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 315.34 грн |
3+ | 273.75 грн |
5+ | 201.97 грн |
13+ | 190.61 грн |
IHW20N135R3 |
Виробник: Infineon
40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode IHW20N135R3 TIHW20n135r3
кількість в упаковці: 5 шт
40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode IHW20N135R3 TIHW20n135r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 151.42 грн |
IHW20N135R5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 240.22 грн |
3+ | 200.08 грн |
6+ | 153.44 грн |
14+ | 144.65 грн |
IHW20N135R5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 288.26 грн |
3+ | 249.32 грн |
6+ | 184.12 грн |
14+ | 173.58 грн |
IHW20N140R5LXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 196.07 грн |
10+ | 162.68 грн |
25+ | 133.67 грн |
100+ | 114.21 грн |
240+ | 107.72 грн |
480+ | 100.58 грн |
1200+ | 86.3 грн |
IKQ120N120CH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1005.35 грн |
10+ | 873.09 грн |
25+ | 738.44 грн |
50+ | 697.56 грн |
100+ | 656.68 грн |
240+ | 635.27 грн |
480+ | 594.39 грн |
IKQ120N120CS7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1214.3 грн |
10+ | 1055.17 грн |
25+ | 892.23 грн |
50+ | 842.91 грн |
100+ | 793.6 грн |
240+ | 768.29 грн |
480+ | 718.97 грн |
IKY120N120CH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules INDUSTRY 14
IGBT Modules INDUSTRY 14
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1025.79 грн |
10+ | 891 грн |
25+ | 754.01 грн |
50+ | 711.84 грн |
100+ | 669.66 грн |
240+ | 648.89 грн |
480+ | 606.72 грн |
IPB120N10S403ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 100+
MOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 360.35 грн |
10+ | 298.49 грн |
25+ | 245.28 грн |
100+ | 210.24 грн |
250+ | 198.56 грн |
500+ | 186.23 грн |
1000+ | 159.63 грн |
IPB120N10S405ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 100+
MOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 15924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 188.5 грн |
10+ | 155.96 грн |
100+ | 111.61 грн |
IPG20N10S436AATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 100+
MOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.07 грн |
10+ | 89.55 грн |
100+ | 62.16 грн |
500+ | 53.34 грн |
1000+ | 40.95 грн |
5000+ | 38.61 грн |
IPG20N10S4L-22A |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.7 грн |
10+ | 105.22 грн |
100+ | 73.32 грн |
250+ | 67.48 грн |
500+ | 60.93 грн |
1000+ | 52.63 грн |
2500+ | 49.96 грн |
IPG20N10S4L-35 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
на замовлення 7965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.53 грн |
10+ | 89.55 грн |
100+ | 60.35 грн |
500+ | 51.52 грн |
1000+ | 41.92 грн |
2500+ | 39.45 грн |
5000+ | 37.57 грн |
IPG20N10S4L22AATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.99 грн |
10+ | 85.82 грн |
100+ | 65.54 грн |
250+ | 64.56 грн |
500+ | 57.49 грн |
1000+ | 50.03 грн |
2500+ | 49.96 грн |
IPG20N10S4L22ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
на замовлення 5580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.88 грн |
10+ | 95.52 грн |
100+ | 70.08 грн |
500+ | 60.93 грн |
1000+ | 49.06 грн |
2500+ | 48.99 грн |
5000+ | 47.43 грн |
IPG20N10S4L35AATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.56 грн |
10+ | 91.79 грн |
100+ | 62.16 грн |
500+ | 52.82 грн |
1000+ | 40.56 грн |
2500+ | 40.49 грн |
5000+ | 38.54 грн |
IPG20N10S4L35ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
на замовлення 31260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 106.74 грн |
10+ | 79.85 грн |
100+ | 57.36 грн |
500+ | 50.61 грн |
1000+ | 39.52 грн |
2500+ | 39.45 грн |
5000+ | 37.57 грн |
IPT020N10N5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 24445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 456.5 грн |
10+ | 385.8 грн |
25+ | 317.31 грн |
100+ | 279.67 грн |
250+ | 275.13 грн |
500+ | 246.58 грн |
1000+ | 221.92 грн |
IPT020N13NM6ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 498.89 грн |
10+ | 421.62 грн |
25+ | 332.23 грн |
100+ | 305.63 грн |
250+ | 288.11 грн |
500+ | 269.94 грн |
1000+ | 242.69 грн |
IQD020N10NM5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 327.04 грн |
10+ | 271.63 грн |
25+ | 222.57 грн |
100+ | 190.77 грн |
250+ | 180.39 грн |
500+ | 169.36 грн |
1000+ | 145.35 грн |
IQD020N10NM5CGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 327.04 грн |
10+ | 271.63 грн |
25+ | 222.57 грн |
100+ | 190.77 грн |
250+ | 180.39 грн |
500+ | 169.36 грн |
1000+ | 145.35 грн |
ISC320N12LM6ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 107.5 грн |
10+ | 87.31 грн |
100+ | 59.18 грн |
500+ | 50.16 грн |
1000+ | 40.88 грн |
2500+ | 38.41 грн |
5000+ | 36.66 грн |
IXDH20N120 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 433.12 грн |
3+ | 287.95 грн |
8+ | 272.4 грн |
IXDH20N120 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 519.74 грн |
3+ | 358.83 грн |
8+ | 326.88 грн |
IXFH120N15P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 536.34 грн |
3+ | 464.96 грн |
6+ | 433.95 грн |
10+ | 417.73 грн |
IXFH20N100P |
Виробник: IXYS
MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds
MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 900.12 грн |
10+ | 781.3 грн |
30+ | 661.22 грн |
60+ | 624.88 грн |
120+ | 587.9 грн |
270+ | 569.08 грн |
510+ | 532.74 грн |
IXFH320N10T2 |
Виробник: IXYS
MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1089.38 грн |
10+ | 984.27 грн |
30+ | 755.96 грн |
60+ | 755.31 грн |
120+ | 711.19 грн |
270+ | 703.4 грн |
510+ | 644.35 грн |
IXFK220N15P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 220A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 220A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXFK420N10T |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFN20N120P |
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 570mΩ
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 570mΩ
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2617.62 грн |
10+ | 2388.74 грн |
IXFN20N120P |
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 570mΩ
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 570mΩ
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3141.14 грн |
10+ | 2976.74 грн |
IXFN420N10T |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
Discrete Semiconductor Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2271.88 грн |
10+ | 1946.16 грн |
20+ | 1622.88 грн |
50+ | 1597.58 грн |
100+ | 1506.08 грн |
200+ | 1434.05 грн |
500+ | 1423.02 грн |
IXFR20N120P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1573.78 грн |
2+ | 1381.6 грн |
IXFR20N120P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1888.53 грн |
2+ | 1721.69 грн |
IXFT120N15P |
Виробник: IXYS
MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 760.83 грн |
10+ | 643.25 грн |
30+ | 465.91 грн |
120+ | 439.3 грн |
270+ | 438 грн |
2520+ | 408.8 грн |
IXFT320N10T2 |
Виробник: IXYS
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1481.53 грн |
10+ | 1286.5 грн |
60+ | 1036.93 грн |
120+ | 967.5 грн |
270+ | 927.92 грн |
510+ | 876.66 грн |
2520+ | 818.9 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]