Результат пошуку "20n6" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Код товару: 32885
FAIR HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 8 шт
1+230 грн
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Fairchild hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 10 шт
1+220 грн
10+ 199 грн
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 4 шт
1+195 грн
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Код товару: 61820
Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 78 шт
1+102 грн
10+ 91.4 грн
IKP20N60T IKP20N60T
Код товару: 84958
ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 13 шт
1+140 грн
10+ 128 грн
JVR-20N681K-Bochen(варистор) JVR-20N681K-Bochen(варистор)
Код товару: 123753
Bochen datasheet-20n0680k.pdf Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 420/560 V
Uвар, V: 680(612...748) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@5 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 1 W
Ємність, pF: 565 pF
Розмір: 20D
у наявності: 189 шт
1+14 грн
10+ 12.5 грн
100+ 10.9 грн
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Код товару: 25463
Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 176 шт
1+125 грн
10+ 114 грн
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Код товару: 32013
Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 29 шт
1+240 грн
10+ 226 грн
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3 Infineon 09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3 INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5 HARRIS 09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5 SIEMENS 2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
#220N61 2PAI SEMI PAI220N61 Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+202.45 грн
8+ 131.92 грн
21+ 124.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.19 грн
10+ 235.15 грн
25+ 192.61 грн
100+ 164.9 грн
250+ 155.67 грн
500+ 146.43 грн
1000+ 124.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 456 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+345.41 грн
3+ 294.54 грн
5+ 233.34 грн
12+ 220.14 грн
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.94 грн
10+ 381.55 грн
25+ 313.97 грн
100+ 273.74 грн
240+ 256.59 грн
480+ 222.95 грн
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF20N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+194.46 грн
5+ 165.25 грн
8+ 130.27 грн
21+ 122.85 грн
500+ 122.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOTF20N60 AOTF20N60 Alpha & Omega Semiconductor 51136592388968456aot20n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF20N60 ALPHA&OMEGA AOTF20N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
BIDW20N60T BIDW20N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.1 грн
10+ 197.98 грн
25+ 167.54 грн
100+ 139.84 грн
250+ 124.01 грн
600+ 106.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCA20N60 FCA20N60 onsemi / Fairchild FCA20N60_F109_D-2311741.pdf MOSFET HIGH POWER
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.42 грн
10+ 380.03 грн
30+ 235.48 грн
120+ 205.8 грн
1020+ 191.29 грн
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 ON Semiconductor fca20n60_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCA20N60F FCA20N60F onsemi / Fairchild FCA20N60F_D-2311914.pdf MOSFET 600V N-CH FRFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.81 грн
10+ 392.93 грн
30+ 276.38 грн
120+ 267.14 грн
270+ 242.74 грн
510+ 217.67 грн
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi / Fairchild FCB20N60F_D-2312010.pdf MOSFET 600V NCH FRFET
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.24 грн
10+ 334.52 грн
25+ 285.61 грн
100+ 234.82 грн
250+ 234.16 грн
500+ 227.56 грн
800+ 184.69 грн
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.51 грн
3+ 337.36 грн
4+ 227.43 грн
10+ 215.06 грн
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+507.01 грн
3+ 420.41 грн
4+ 272.91 грн
10+ 258.07 грн
FCP20N60 FCP20N60 onsemi / Fairchild FCP20N60_D-2311949.pdf MOSFET 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+349.37 грн
10+ 311.01 грн
50+ 249.33 грн
100+ 211.07 грн
250+ 205.14 грн
500+ 188.65 грн
1000+ 172.16 грн
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+434.2 грн
3+ 376.74 грн
4+ 263.84 грн
10+ 249 грн
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU onsemi / Fairchild FGH20N60SFDTU_F085_D-2313335.pdf IGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.64 грн
10+ 216.95 грн
25+ 178.09 грн
100+ 152.37 грн
250+ 144.45 грн
450+ 135.88 грн
900+ 120.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTU ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+156.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
HGTG20N60A4 Fairchaild IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+218.11 грн
10+ 182.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG20N60B3D ON-Semicoductor hgtg20n60b3d-d.pdf 40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode   HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+274.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description 70A; 600V; 290W; IGBT   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description 70A; 600V; 290W; IGBT   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB20N60H3 IGB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB20N60H3_DataSheet_v02_03_EN-3361595.pdf IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.59 грн
10+ 106.2 грн
100+ 74.54 грн
250+ 68.6 грн
500+ 62.6 грн
1000+ 53.76 грн
2000+ 51.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.49 грн
8+ 105.81 грн
21+ 100.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+188.24 грн
3+ 160.11 грн
8+ 126.97 грн
21+ 120.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5 IGP20N65F5 Infineon Technologies Infineon_IGP20N65F5_DS_v02_01_EN-3360252.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+157.76 грн
10+ 128.95 грн
100+ 89.71 грн
250+ 83.11 грн
500+ 60.35 грн
1000+ 59.89 грн
2500+ 59.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.12 грн
9+ 98.25 грн
23+ 92.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 317 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+169.6 грн
3+ 144.7 грн
9+ 117.91 грн
23+ 111.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igp20n65f5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.14 грн
3+ 206.13 грн
6+ 147.04 грн
15+ 139.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+296.57 грн
3+ 256.87 грн
6+ 176.45 грн
15+ 167.38 грн
IKB20N60H3 IKB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en-3360250.pdf IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.82 грн
10+ 106.2 грн
100+ 80.47 грн
500+ 73.88 грн
1000+ 66.62 грн
5000+ 65.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKB20N60T IKB20N60T Infineon Technologies Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN-3360257.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.07 грн
10+ 140.33 грн
25+ 121.37 грн
100+ 103.56 грн
250+ 100.92 грн
500+ 94.32 грн
1000+ 84.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.14 грн
5+ 206.81 грн
6+ 150.47 грн
15+ 142.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+296.57 грн
5+ 257.72 грн
6+ 180.57 грн
15+ 170.67 грн
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB20N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3362061.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.32 грн
10+ 181.29 грн
25+ 149.07 грн
100+ 127.3 грн
250+ 120.71 грн
500+ 113.45 грн
1000+ 96.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60T Infineon INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.62 грн
3+ 208.88 грн
6+ 151.16 грн
15+ 142.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 408 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+298.35 грн
3+ 260.29 грн
6+ 181.39 грн
15+ 171.5 грн
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies 43108097755415224dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304323b87bc.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N65H5 IKP20N65H5 Infineon Technologies Infineon_IKP20N65H5_DS_v02_01_EN-3360258.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.62 грн
10+ 135.78 грн
100+ 103.56 грн
250+ 93.66 грн
500+ 86.41 грн
1000+ 81.13 грн
2500+ 79.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikp20n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+874.2 грн
10+ 804.82 грн
25+ 537.58 грн
50+ 536.26 грн
100+ 520.43 грн
240+ 517.13 грн
480+ 474.92 грн
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq120n60t-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.36 грн
IKQ120N65EH7XKSA1 IKQ120N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ120N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250810c82046 IGBT Transistors
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+858.81 грн
10+ 725.17 грн
25+ 572.54 грн
100+ 525.71 грн
240+ 494.71 грн
480+ 463.7 грн
1200+ 416.87 грн
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.26 грн
3+ 230.18 грн
5+ 166.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG20N60A4
Код товару: 32885
HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 8 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+230 грн
HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+220 грн
10+ 199 грн
HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 4 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+195 грн
HGTP20N60A4
Код товару: 61820
description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 78 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+102 грн
10+ 91.4 грн
IKP20N60T
Код товару: 84958
ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 13 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+140 грн
10+ 128 грн
JVR-20N681K-Bochen(варистор)
Код товару: 123753
datasheet-20n0680k.pdf
JVR-20N681K-Bochen(варистор)
Виробник: Bochen
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 420/560 V
Uвар, V: 680(612...748) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@5 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 1 W
Ємність, pF: 565 pF
Розмір: 20D
у наявності: 189 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+14 грн
10+ 12.5 грн
100+ 10.9 грн
SPP20N60C3
Код товару: 25463
INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 176 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+125 грн
10+ 114 грн
SPP20N60S5
Код товару: 32013
description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 29 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+240 грн
10+ 226 грн
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3
Виробник: FAIRCHILD
TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3
Виробник: Infineon
09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3
Виробник: INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5
Виробник: HARRIS
09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5
Виробник: SIEMENS
2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
#220N61
Виробник: 2PAI SEMI
PAI220N61 Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.45 грн
8+ 131.92 грн
21+ 124.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1 Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+283.19 грн
10+ 235.15 грн
25+ 192.61 грн
100+ 164.9 грн
250+ 155.67 грн
500+ 146.43 грн
1000+ 124.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 456 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+345.41 грн
3+ 294.54 грн
5+ 233.34 грн
12+ 220.14 грн
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+420.94 грн
10+ 381.55 грн
25+ 313.97 грн
100+ 273.74 грн
240+ 256.59 грн
480+ 222.95 грн
AOTF20N60 AOTF20N60-DTE.pdf
AOTF20N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.46 грн
5+ 165.25 грн
8+ 130.27 грн
21+ 122.85 грн
500+ 122.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOTF20N60 51136592388968456aot20n60.pdf
AOTF20N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF20N60 AOTF20N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
BIDW20N60T Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf
BIDW20N60T
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.1 грн
10+ 197.98 грн
25+ 167.54 грн
100+ 139.84 грн
250+ 124.01 грн
600+ 106.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCA20N60 FCA20N60_F109_D-2311741.pdf
FCA20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET HIGH POWER
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+459.42 грн
10+ 380.03 грн
30+ 235.48 грн
120+ 205.8 грн
1020+ 191.29 грн
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60-F109
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCA20N60F FCA20N60F_D-2311914.pdf
FCA20N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-CH FRFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+474.81 грн
10+ 392.93 грн
30+ 276.38 грн
120+ 267.14 грн
270+ 242.74 грн
510+ 217.67 грн
FCB20N60FTM FCB20N60F_D-2312010.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V NCH FRFET
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+403.24 грн
10+ 334.52 грн
25+ 285.61 грн
100+ 234.82 грн
250+ 234.16 грн
500+ 227.56 грн
800+ 184.69 грн
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.51 грн
3+ 337.36 грн
4+ 227.43 грн
10+ 215.06 грн
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+507.01 грн
3+ 420.41 грн
4+ 272.91 грн
10+ 258.07 грн
FCP20N60 FCP20N60_D-2311949.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+349.37 грн
10+ 311.01 грн
50+ 249.33 грн
100+ 211.07 грн
250+ 205.14 грн
500+ 188.65 грн
1000+ 172.16 грн
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+434.2 грн
3+ 376.74 грн
4+ 263.84 грн
10+ 249 грн
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU_F085_D-2313335.pdf
FGH20N60SFDTU
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+261.64 грн
10+ 216.95 грн
25+ 178.09 грн
100+ 152.37 грн
250+ 144.45 грн
450+ 135.88 грн
900+ 120.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTU fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+156.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
HGTG20N60A4
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.11 грн
10+ 182.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG20N60B3D hgtg20n60b3d-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode   HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+274.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Виробник: Fairchild
70A; 600V; 290W; IGBT   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Виробник: Fairchild
70A; 600V; 290W; IGBT   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB20N60H3 Infineon_IGB20N60H3_DataSheet_v02_03_EN-3361595.pdf
IGB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.59 грн
10+ 106.2 грн
100+ 74.54 грн
250+ 68.6 грн
500+ 62.6 грн
1000+ 53.76 грн
2000+ 51.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.49 грн
8+ 105.81 грн
21+ 100.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.24 грн
3+ 160.11 грн
8+ 126.97 грн
21+ 120.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5 Infineon_IGP20N65F5_DS_v02_01_EN-3360252.pdf
IGP20N65F5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.76 грн
10+ 128.95 грн
100+ 89.71 грн
250+ 83.11 грн
500+ 60.35 грн
1000+ 59.89 грн
2500+ 59.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.12 грн
9+ 98.25 грн
23+ 92.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 317 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.6 грн
3+ 144.7 грн
9+ 117.91 грн
23+ 111.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5XKSA1 infineon-igp20n65f5-ds-v02_01-en.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+247.14 грн
3+ 206.13 грн
6+ 147.04 грн
15+ 139.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+296.57 грн
3+ 256.87 грн
6+ 176.45 грн
15+ 167.38 грн
IKB20N60H3 Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en-3360250.pdf
IKB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.82 грн
10+ 106.2 грн
100+ 80.47 грн
500+ 73.88 грн
1000+ 66.62 грн
5000+ 65.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKB20N60T Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN-3360257.pdf
IKB20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.07 грн
10+ 140.33 грн
25+ 121.37 грн
100+ 103.56 грн
250+ 100.92 грн
500+ 94.32 грн
1000+ 84.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+247.14 грн
5+ 206.81 грн
6+ 150.47 грн
15+ 142.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+296.57 грн
5+ 257.72 грн
6+ 180.57 грн
15+ 170.67 грн
IKB20N65EH5ATMA1 Infineon_IKB20N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3362061.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219.32 грн
10+ 181.29 грн
25+ 149.07 грн
100+ 127.3 грн
250+ 120.71 грн
500+ 113.45 грн
1000+ 96.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60T INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.62 грн
3+ 208.88 грн
6+ 151.16 грн
15+ 142.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 408 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+298.35 грн
3+ 260.29 грн
6+ 181.39 грн
15+ 171.5 грн
IKP20N60TXKSA1 43108097755415224dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304323b87bc.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N65H5 Infineon_IKP20N65H5_DS_v02_01_EN-3360258.pdf
IKP20N65H5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.62 грн
10+ 135.78 грн
100+ 103.56 грн
250+ 93.66 грн
500+ 86.41 грн
1000+ 81.13 грн
2500+ 79.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N65H5XKSA1 infineon-ikp20n65h5-ds-v02_01-en.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKQ120N60TXKSA1 Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+874.2 грн
10+ 804.82 грн
25+ 537.58 грн
50+ 536.26 грн
100+ 520.43 грн
240+ 517.13 грн
480+ 474.92 грн
IKQ120N60TXKSA1 infineon-ikq120n60t-ds-v02_03-en.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+506.36 грн
IKQ120N65EH7XKSA1 Infineon-IKQ120N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250810c82046
IKQ120N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+858.81 грн
10+ 725.17 грн
25+ 572.54 грн
100+ 525.71 грн
240+ 494.71 грн
480+ 463.7 грн
1200+ 416.87 грн
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+275.26 грн
3+ 230.18 грн
5+ 166.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]