Результат пошуку "20n6" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HGTG20N60A4 Код товару: 32885 |
FAIR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 8 шт
|
|
|||||||||||||||
HGTG20N60A4D Код товару: 29312 |
Fairchild |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 10 шт
|
|
|||||||||||||||
HGTG20N60B3D Код товару: 28558 |
Fairchild |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 165 W td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220 |
у наявності: 4 шт
|
|
|||||||||||||||
HGTP20N60A4 Код товару: 61820 |
Fairchild |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 78 шт
|
|
|||||||||||||||
IKP20N60T Код товару: 84958 |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,5 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 166 W td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199 |
у наявності: 13 шт
|
|
||||||||||||||||
JVR-20N681K-Bochen(варистор) Код товару: 123753 |
Bochen |
Пасивні компоненти > Варистори Uроб AC/DC, V: 420/560 V Uвар, V: 680(612...748) V Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@5 В@A Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс) Потужність, W: 1 W Ємність, pF: 565 pF Розмір: 20D |
у наявності: 189 шт
|
|
|||||||||||||||
SPP20N60C3 Код товару: 25463 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 20,7 A Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11 Монтаж: THT |
у наявності: 176 шт
|
|
|||||||||||||||
SPP20N60S5 Код товару: 32013 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79 Монтаж: THT |
у наявності: 29 шт
|
|
|||||||||||||||
20N60A4D |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
20N60C3 | FAIRCHILD | TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
20N60C3 | Infineon | 09+ |
на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
20N60C3 | INFINION |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
20N60S5 | HARRIS | 09+ |
на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
20N60S5 | SIEMENS | 2004 TO220 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
#220N61 | 2PAI SEMI | PAI220N61 Interfaces others - integrated circuits |
на замовлення 1109 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AIKB20N60CTATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETES |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 456 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETES |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF20N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 957 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF20N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF20N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BIDW20N60T | Bourns | IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247 |
на замовлення 7097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCA20N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET HIGH POWER |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCA20N60-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCA20N60F | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-CH FRFET |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCB20N60FTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V NCH FRFET |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP20N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP20N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP20N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SuperFET |
на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCPF20N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGH20N60SFDTU | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V 20A Field Stop |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGH20N60SFDTU | ON-Semicoductor |
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ; FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG20N60A4 | Fairchaild | IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A |
на замовлення 7 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG20N60B3D | ON-Semicoductor |
40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTP20N60A4 | Fairchild |
70A; 600V; 290W; IGBT HGTP20N60A4 THGTP20n60a4 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTP20N60A4 | Fairchild |
70A; 600V; 290W; IGBT HGTP20N60A4 THGTP20n60a4 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB20N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 121 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP20N65F5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP20N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 42A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP20N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 42A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 317 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP20N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB20N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT |
на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB20N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A |
на замовлення 847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 40ns Turn-off time: 183ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 40ns Turn-off time: 183ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 957 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP20N60T | Infineon |
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 408 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP20N65H5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ120N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
HGTG20N60A4 Код товару: 32885 |
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 8 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 230 грн |
HGTG20N60A4D Код товару: 29312 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 10 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 220 грн |
10+ | 199 грн |
HGTG20N60B3D Код товару: 28558 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 4 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 195 грн |
HGTP20N60A4 Код товару: 61820 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 78 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 102 грн |
10+ | 91.4 грн |
IKP20N60T Код товару: 84958 |
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 13 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 140 грн |
10+ | 128 грн |
JVR-20N681K-Bochen(варистор) Код товару: 123753 |
Виробник: Bochen
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 420/560 V
Uвар, V: 680(612...748) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@5 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 1 W
Ємність, pF: 565 pF
Розмір: 20D
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 420/560 V
Uвар, V: 680(612...748) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@5 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 1 W
Ємність, pF: 565 pF
Розмір: 20D
у наявності: 189 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 14 грн |
10+ | 12.5 грн |
100+ | 10.9 грн |
SPP20N60C3 Код товару: 25463 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 176 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 125 грн |
10+ | 114 грн |
SPP20N60S5 Код товару: 32013 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 29 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 240 грн |
10+ | 226 грн |
#220N61 |
Виробник: 2PAI SEMI
PAI220N61 Interfaces others - integrated circuits
PAI220N61 Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 202.45 грн |
8+ | 131.92 грн |
21+ | 124.5 грн |
AIKB20N60CTATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 283.19 грн |
10+ | 235.15 грн |
25+ | 192.61 грн |
100+ | 164.9 грн |
250+ | 155.67 грн |
500+ | 146.43 грн |
1000+ | 124.67 грн |
AIKP20N60CTAKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 456 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 345.41 грн |
3+ | 294.54 грн |
5+ | 233.34 грн |
12+ | 220.14 грн |
AIKW20N60CTXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 420.94 грн |
10+ | 381.55 грн |
25+ | 313.97 грн |
100+ | 273.74 грн |
240+ | 256.59 грн |
480+ | 222.95 грн |
AOTF20N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 194.46 грн |
5+ | 165.25 грн |
8+ | 130.27 грн |
21+ | 122.85 грн |
500+ | 122.03 грн |
AOTF20N60 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.8 грн |
AOTF20N60 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 86.97 грн |
BIDW20N60T |
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 240.1 грн |
10+ | 197.98 грн |
25+ | 167.54 грн |
100+ | 139.84 грн |
250+ | 124.01 грн |
600+ | 106.86 грн |
FCA20N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET HIGH POWER
MOSFET HIGH POWER
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 459.42 грн |
10+ | 380.03 грн |
30+ | 235.48 грн |
120+ | 205.8 грн |
1020+ | 191.29 грн |
FCA20N60-F109 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FCA20N60F |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-CH FRFET
MOSFET 600V N-CH FRFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 474.81 грн |
10+ | 392.93 грн |
30+ | 276.38 грн |
120+ | 267.14 грн |
270+ | 242.74 грн |
510+ | 217.67 грн |
FCB20N60FTM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V NCH FRFET
MOSFET 600V NCH FRFET
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 403.24 грн |
10+ | 334.52 грн |
25+ | 285.61 грн |
100+ | 234.82 грн |
250+ | 234.16 грн |
500+ | 227.56 грн |
800+ | 184.69 грн |
FCP20N60 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 422.51 грн |
3+ | 337.36 грн |
4+ | 227.43 грн |
10+ | 215.06 грн |
FCP20N60 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 507.01 грн |
3+ | 420.41 грн |
4+ | 272.91 грн |
10+ | 258.07 грн |
FCP20N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 349.37 грн |
10+ | 311.01 грн |
50+ | 249.33 грн |
100+ | 211.07 грн |
250+ | 205.14 грн |
500+ | 188.65 грн |
1000+ | 172.16 грн |
FCPF20N60 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 434.2 грн |
3+ | 376.74 грн |
4+ | 263.84 грн |
10+ | 249 грн |
FGH20N60SFDTU |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V 20A Field Stop
IGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 261.64 грн |
10+ | 216.95 грн |
25+ | 178.09 грн |
100+ | 152.37 грн |
250+ | 144.45 грн |
450+ | 135.88 грн |
900+ | 120.05 грн |
FGH20N60SFDTU |
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ; FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ; FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 156.01 грн |
HGTG20N60A4 |
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 218.11 грн |
10+ | 182.28 грн |
HGTG20N60B3D |
Виробник: ON-Semicoductor
40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 274.65 грн |
HGTP20N60A4 |
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 117.13 грн |
HGTP20N60A4 |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 117.13 грн |
IGB20N60H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.59 грн |
10+ | 106.2 грн |
100+ | 74.54 грн |
250+ | 68.6 грн |
500+ | 62.6 грн |
1000+ | 53.76 грн |
2000+ | 51.12 грн |
IGP20N60H3XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.49 грн |
8+ | 105.81 грн |
21+ | 100.32 грн |
IGP20N60H3XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 188.24 грн |
3+ | 160.11 грн |
8+ | 126.97 грн |
21+ | 120.38 грн |
IGP20N65F5 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 157.76 грн |
10+ | 128.95 грн |
100+ | 89.71 грн |
250+ | 83.11 грн |
500+ | 60.35 грн |
1000+ | 59.89 грн |
2500+ | 59.76 грн |
IGP20N65F5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.12 грн |
9+ | 98.25 грн |
23+ | 92.76 грн |
IGP20N65F5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 317 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 169.6 грн |
3+ | 144.7 грн |
9+ | 117.91 грн |
23+ | 111.31 грн |
IGP20N65F5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.87 грн |
IGW20N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 247.14 грн |
3+ | 206.13 грн |
6+ | 147.04 грн |
15+ | 139.48 грн |
IGW20N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 296.57 грн |
3+ | 256.87 грн |
6+ | 176.45 грн |
15+ | 167.38 грн |
IKB20N60H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.82 грн |
10+ | 106.2 грн |
100+ | 80.47 грн |
500+ | 73.88 грн |
1000+ | 66.62 грн |
5000+ | 65.17 грн |
IKB20N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 160.07 грн |
10+ | 140.33 грн |
25+ | 121.37 грн |
100+ | 103.56 грн |
250+ | 100.92 грн |
500+ | 94.32 грн |
1000+ | 84.43 грн |
IKB20N65EH5ATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 247.14 грн |
5+ | 206.81 грн |
6+ | 150.47 грн |
15+ | 142.23 грн |
IKB20N65EH5ATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 296.57 грн |
5+ | 257.72 грн |
6+ | 180.57 грн |
15+ | 170.67 грн |
IKB20N65EH5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 219.32 грн |
10+ | 181.29 грн |
25+ | 149.07 грн |
100+ | 127.3 грн |
250+ | 120.71 грн |
500+ | 113.45 грн |
1000+ | 96.3 грн |
IKP20N60T |
Виробник: Infineon
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 117.13 грн |
IKP20N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 248.62 грн |
3+ | 208.88 грн |
6+ | 151.16 грн |
15+ | 142.92 грн |
IKP20N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 408 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 298.35 грн |
3+ | 260.29 грн |
6+ | 181.39 грн |
15+ | 171.5 грн |
IKP20N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.34 грн |
IKP20N65H5 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 201.62 грн |
10+ | 135.78 грн |
100+ | 103.56 грн |
250+ | 93.66 грн |
500+ | 86.41 грн |
1000+ | 81.13 грн |
2500+ | 79.81 грн |
IKP20N65H5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.96 грн |
IKQ120N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 874.2 грн |
10+ | 804.82 грн |
25+ | 537.58 грн |
50+ | 536.26 грн |
100+ | 520.43 грн |
240+ | 517.13 грн |
480+ | 474.92 грн |
IKQ120N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 506.36 грн |
IKQ120N65EH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors
IGBT Transistors
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 858.81 грн |
10+ | 725.17 грн |
25+ | 572.54 грн |
100+ | 525.71 грн |
240+ | 494.71 грн |
480+ | 463.7 грн |
1200+ | 416.87 грн |
IKW20N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 275.26 грн |
3+ | 230.18 грн |
5+ | 166.96 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]