Результат пошуку "21N60" : 43
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP21N60LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA21N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB21N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP21N60EF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 7689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP21N60L |
на замовлення 608 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRFP21N60LPBF | IR |
на замовлення 370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFP21N60PBF | IR | TO-247 |
на замовлення 1072 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MGP21N60E |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MGW21N60ED |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PHB21N60LT |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PHD21N60 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
T221N600EOC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
T221N600EOF |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRFP21N60L Код товару: 24841 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFP21N60L | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFP21N60LPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFP21N60LPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFP21N60LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHA21N60EF-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHB21N60EF-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 227W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 176mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHB21N60EF-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 227W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 176mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHB21N60EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHG21N60EF-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 227W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 176mΩ Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHG21N60EF-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 227W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 176mΩ Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHG21N60EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHG21N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHH21N60E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 176mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHH21N60E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 176mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHH21N60E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin PowerPAK EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHH21N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SiHH21N60EF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHP21N60EF-BE3 | Vishay | N Channel Trans MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHP21N60EF-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 227W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 176mΩ Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHP21N60EF-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 227W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 176mΩ Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHP21N60EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
45-1231.21N6.000.101 | EAO | Pushbutton Switches Wht LED 24VAC/DC 1NO On-Off Scrw Trm Mtl |
товар відсутній |
||||||||||||||||
45-1231.21N6.000.401 | EAO | Pushbutton Switches (45-1231.21N6.000.401) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
N74F521N,602 | NXP Semiconductors | Identity Comparator 8-Bit Inverting 20-Pin PDIP Tube |
товар відсутній |
IRFP21N60LPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 420.16 грн |
10+ | 366.55 грн |
25+ | 295.74 грн |
100+ | 276.02 грн |
250+ | 266.82 грн |
500+ | 254.99 грн |
1000+ | 235.27 грн |
SIHA21N60EF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 357.29 грн |
10+ | 309.11 грн |
25+ | 239.87 грн |
100+ | 232.65 грн |
500+ | 205.04 грн |
1000+ | 137.35 грн |
2000+ | 132.75 грн |
SIHB21N60EF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 287.52 грн |
10+ | 237.31 грн |
25+ | 195.19 грн |
100+ | 167.58 грн |
250+ | 158.38 грн |
500+ | 149.18 грн |
1000+ | 123.55 грн |
SIHP21N60EF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 200.11 грн |
10+ | 165.51 грн |
25+ | 136.04 грн |
100+ | 116.98 грн |
250+ | 110.41 грн |
500+ | 103.84 грн |
1000+ | 91.35 грн |
SIHP21N60EF-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 274.49 грн |
10+ | 226.73 грн |
50+ | 153.13 грн |
100+ | 138.67 грн |
250+ | 134.07 грн |
500+ | 128.15 грн |
1000+ | 115.67 грн |
IRFP21N60LPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFP21N60LPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHB21N60EF-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHB21N60EF-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHG21N60EF-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHG21N60EF-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHH21N60E-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHH21N60E-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHH21N60E-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
товар відсутній
SiHH21N60EF-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
товар відсутній
SIHP21N60EF-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHP21N60EF-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
45-1231.21N6.000.101 |
Виробник: EAO
Pushbutton Switches Wht LED 24VAC/DC 1NO On-Off Scrw Trm Mtl
Pushbutton Switches Wht LED 24VAC/DC 1NO On-Off Scrw Trm Mtl
товар відсутній
N74F521N,602 |
Виробник: NXP Semiconductors
Identity Comparator 8-Bit Inverting 20-Pin PDIP Tube
Identity Comparator 8-Bit Inverting 20-Pin PDIP Tube
товар відсутній