Результат пошуку "2NK" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 26
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
22nH 10% 0603 (SWI0603CT22NK-Hitano) індуктивність Код товару: 4721 |
Hitano |
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0603 Номінал, nH: 22 nH Точність: ±10% Типорозмір: 0603 Характеристики: Дротова на кераміці; IDC max=700mA Номінальний струм: 700 mA Опір: 0,22 Ohm |
у наявності: 8446 шт
|
|
|||||||||||
22nH 10% 0805 (SWI0805CT22NK-Hitano) індуктивність Код товару: 4246 |
Hitano |
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0805 Номінал, H: 22 nH Точність: ±10% Типорозмір: 0805 Характеристики: Дротова на кераміці; IDC max=600mA Номинальный ток: 600 mA Опір: 0,22 Ohm |
у наявності: 444 шт
|
|
|||||||||||
STW12NK80Z Код товару: 33689 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 800 V Idd,A: 10,5 A Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87 Монтаж: THT |
у наявності: 19 шт
|
|
|||||||||||
STW12NK90Z Код товару: 31985 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 900 V Idd,A: 11 А Rds(on), Ohm: 0,88 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113 Монтаж: THT |
у наявності: 26 шт
|
|
|||||||||||
JS-12N-K | FUJITSU |
Category: Miniature Electromagnetic Relays Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 12VDC; 8A; 8A/250VAC; 8A/24VDC Type of relay: electromagnetic Contacts configuration: SPDT Rated coil voltage: 12V DC Contact current max.: 8A AC contacts rating @R: 8A / 250V AC DC contacts rating @R: 8A / 24V DC Switched voltage: max. 150V DC; max. 400V AC Relay variant: miniature Mounting: PCB Coil resistance: 660Ω Coil voltage min.: 8.5V DC Coil voltage max.: 28.3V DC Operate time: 10ms Body dimensions: 29x10x12.5mm Release time: 5ms Coil power consumption: 400mW Operating temperature: -40...85°C Relay series: JS Contact resistance: 100mΩ Contact material: AgSnO2 Terminal pitch: 3.2mm Contact plating: gold-plated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5524 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
LQW2BHN12NK13L | Murata | L-0805 12 нГн ±10% 1,1 A 0,04 Ом Qmin=40 Fsf=3,2 GHz |
на замовлення 245 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||
LTL42NKFD | LITEON |
Category: THT LEDs Round Description: LED; 3mm; amber; 140÷680mcd; 65°; Front: convex; 2.05÷2.4V Mounting: THT Operating voltage: 2.05...2.4V Terminal pitch: 2.54mm LED colour: amber LED lens: amber; diffused LED diameter: 3mm LED current: 20mA Luminosity: 140...680mcd Wavelength: 605nm Viewing angle: 65° Front: convex Type of diode: LED |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
STD2NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.3A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6500mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 885 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
STP12NK30Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 5.6A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
STP12NK30Z | ST |
Trans MOSFET N-CH 300V 9A STP12NK30Z TSTP12NK30Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.6A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 106 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
STP2NK90Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.3A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
STP2NK90Z | ST |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A STP2NK90Z TSTP2NK90Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STU2NK100Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 8,5Ohm; 1,85A; 70W; -55°C ~ 150°C; STU2NK100Z TSTU2NK100Z кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STW12NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
STW12NK90Z | ST |
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STW12NK90Z | ST |
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STW52NK25Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 250V; 30V; 45mOhm; 52A; 300W; -55°C ~ 150°C; STW52NK25Z TSTW52NK25Z кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
0603-12NK |
на замовлення 2256 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
0603-22NK |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
0603-82NK |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
0805-12NK |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
0805-22NK |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
1008C-82NK-026 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
1008C-82NK-026 | 2520(1008) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
1206-12NK |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
12NK | HH0603 |
на замовлення 111900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
18A32NK | TI | 01+ SOP |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
2520-82NK |
на замовлення 3742 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC2780-T2(NK) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
3225-22NK |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
3225-82NK |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
82NK | TOKO | HH0805 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
AN5322NK | PANASONI | DIP |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
AN5322NK | PANASONI |
на замовлення 1878 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
AN8812NK | PANA | DIP24 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
B1608-82NKJT | CTC | 2005+ |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
BCM7572NKFEB03G | BROADCOM |
на замовлення 352 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
C2012C-12NK | SAGAMI |
на замовлення 4010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
C2520C-82NK/2520-82N | SAGAMI |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
CCI2012-82NK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
CCM-0805-22NK |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
CI-B1608-82NK |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
CI-B1608-82NK | 0603L |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
CI160808-82NK |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
CI160808-82NK | 0603L |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
CI160808B82NK |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
CI201209-82NK |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
CI201209B82NK |
на замовлення 164000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
CIH10T12NKNC |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
CIH10T22NKNC |
на замовлення 556000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
CIH10T82NKNC |
на замовлення 68462 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
CIH21T12NKNE | ИэРЗ |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
CIH21T22NKNE | ИэРЗ |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
CL201209T-82NK | 0805L |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
CL201209T-82NK |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
CLH1608T-22NK-S | TAIWAN | 2004 |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
CLH1608T-82NK-S | 2004 |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
CLH2012T-82NK-S | 2005+ |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
CMI201209V82NK | FENGHUA | SMD |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
22nH 10% 0603 (SWI0603CT22NK-Hitano) індуктивність Код товару: 4721 |
Виробник: Hitano
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0603
Номінал, nH: 22 nH
Точність: ±10%
Типорозмір: 0603
Характеристики: Дротова на кераміці; IDC max=700mA
Номінальний струм: 700 mA
Опір: 0,22 Ohm
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0603
Номінал, nH: 22 nH
Точність: ±10%
Типорозмір: 0603
Характеристики: Дротова на кераміці; IDC max=700mA
Номінальний струм: 700 mA
Опір: 0,22 Ohm
у наявності: 8446 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 4 грн |
100+ | 3.6 грн |
1000+ | 3.2 грн |
22nH 10% 0805 (SWI0805CT22NK-Hitano) індуктивність Код товару: 4246 |
Виробник: Hitano
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0805
Номінал, H: 22 nH
Точність: ±10%
Типорозмір: 0805
Характеристики: Дротова на кераміці; IDC max=600mA
Номинальный ток: 600 mA
Опір: 0,22 Ohm
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0805
Номінал, H: 22 nH
Точність: ±10%
Типорозмір: 0805
Характеристики: Дротова на кераміці; IDC max=600mA
Номинальный ток: 600 mA
Опір: 0,22 Ohm
у наявності: 444 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 4.1 грн |
100+ | 3.7 грн |
STW12NK80Z Код товару: 33689 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 10,5 A
Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 10,5 A
Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
Монтаж: THT
у наявності: 19 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 132 грн |
10+ | 123 грн |
STW12NK90Z Код товару: 31985 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,88 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,88 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113
Монтаж: THT
у наявності: 26 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 145 грн |
10+ | 133 грн |
JS-12N-K |
Виробник: FUJITSU
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 12VDC; 8A; 8A/250VAC; 8A/24VDC
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 12V DC
Contact current max.: 8A
AC contacts rating @R: 8A / 250V AC
DC contacts rating @R: 8A / 24V DC
Switched voltage: max. 150V DC; max. 400V AC
Relay variant: miniature
Mounting: PCB
Coil resistance: 660Ω
Coil voltage min.: 8.5V DC
Coil voltage max.: 28.3V DC
Operate time: 10ms
Body dimensions: 29x10x12.5mm
Release time: 5ms
Coil power consumption: 400mW
Operating temperature: -40...85°C
Relay series: JS
Contact resistance: 100mΩ
Contact material: AgSnO2
Terminal pitch: 3.2mm
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 12VDC; 8A; 8A/250VAC; 8A/24VDC
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 12V DC
Contact current max.: 8A
AC contacts rating @R: 8A / 250V AC
DC contacts rating @R: 8A / 24V DC
Switched voltage: max. 150V DC; max. 400V AC
Relay variant: miniature
Mounting: PCB
Coil resistance: 660Ω
Coil voltage min.: 8.5V DC
Coil voltage max.: 28.3V DC
Operate time: 10ms
Body dimensions: 29x10x12.5mm
Release time: 5ms
Coil power consumption: 400mW
Operating temperature: -40...85°C
Relay series: JS
Contact resistance: 100mΩ
Contact material: AgSnO2
Terminal pitch: 3.2mm
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5524 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 144.73 грн |
5+ | 125.01 грн |
12+ | 82.45 грн |
32+ | 78.33 грн |
LQW2BHN12NK13L |
Виробник: Murata
L-0805 12 нГн ±10% 1,1 A 0,04 Ом Qmin=40 Fsf=3,2 GHz
L-0805 12 нГн ±10% 1,1 A 0,04 Ом Qmin=40 Fsf=3,2 GHz
на замовлення 245 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 14.7 грн |
20+ | 12.64 грн |
LTL42NKFD |
Виробник: LITEON
Category: THT LEDs Round
Description: LED; 3mm; amber; 140÷680mcd; 65°; Front: convex; 2.05÷2.4V
Mounting: THT
Operating voltage: 2.05...2.4V
Terminal pitch: 2.54mm
LED colour: amber
LED lens: amber; diffused
LED diameter: 3mm
LED current: 20mA
Luminosity: 140...680mcd
Wavelength: 605nm
Viewing angle: 65°
Front: convex
Type of diode: LED
Category: THT LEDs Round
Description: LED; 3mm; amber; 140÷680mcd; 65°; Front: convex; 2.05÷2.4V
Mounting: THT
Operating voltage: 2.05...2.4V
Terminal pitch: 2.54mm
LED colour: amber
LED lens: amber; diffused
LED diameter: 3mm
LED current: 20mA
Luminosity: 140...680mcd
Wavelength: 605nm
Viewing angle: 65°
Front: convex
Type of diode: LED
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
26+ | 10.33 грн |
30+ | 8.56 грн |
100+ | 4.22 грн |
380+ | 2.35 грн |
1045+ | 2.22 грн |
STD2NK90ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6500mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6500mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 87.64 грн |
5+ | 53.94 грн |
25+ | 41.31 грн |
26+ | 34.72 грн |
71+ | 32.83 грн |
STP12NK30Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 73.64 грн |
10+ | 63.49 грн |
19+ | 52.77 грн |
50+ | 50.3 грн |
STP12NK30Z |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 28.32 грн |
STP12NK80Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 184.69 грн |
3+ | 157.54 грн |
10+ | 106.36 грн |
25+ | 100.59 грн |
STP2NK90Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.58 грн |
5+ | 61.65 грн |
10+ | 48.65 грн |
24+ | 40.15 грн |
66+ | 38.01 грн |
STP2NK90Z |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 30.5 грн |
STU2NK100Z |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 8,5Ohm; 1,85A; 70W; -55°C ~ 150°C; STU2NK100Z TSTU2NK100Z
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 8,5Ohm; 1,85A; 70W; -55°C ~ 150°C; STU2NK100Z TSTU2NK100Z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 20.95 грн |
STW12NK80Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW12NK90Z |
Виробник: ST
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 142.26 грн |
STW12NK90Z |
Виробник: ST
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 142.26 грн |
STW52NK25Z |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 250V; 30V; 45mOhm; 52A; 300W; -55°C ~ 150°C; STW52NK25Z TSTW52NK25Z
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 250V; 30V; 45mOhm; 52A; 300W; -55°C ~ 150°C; STW52NK25Z TSTW52NK25Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 110.09 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]