Результат пошуку "2SC28" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 11539
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 11539
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 11539
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 1211
Мінімальне замовлення: 9000
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 833
Мінімальне замовлення: 1002
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 1233
Мінімальне замовлення: 1025
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 8013
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 1249
Мінімальне замовлення: 167
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 294
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 446
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC2898 Код товару: 82718 |
Hitachi |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220AB Uceo,V: 400 V Ucbo,V: 500 V Ic,A: 8 А Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||
2SC2812-5-TB-E | onsemi |
Description: TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 387000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2812-5-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC2812-5-TB-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 387000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2812-6-M-TB-E | onsemi |
Description: 2SC2812 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-CP Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2812-6-M-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC2812-6-M-TB-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2812-6-TB-E | Sanyo |
Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2812-6-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC2812-6-TB-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2812-7-TB-E | Sanyo |
Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-CP Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2812-7-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC2812-7-TB-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2812N6-CPA-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC2812N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12129790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2812N6-CPA-TB-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A 3CP Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 12129790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2814-5-TB-E | onsemi |
Description: TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Gain: 25dB Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: 3-CP |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2814-5-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC2814-5-TB-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2827; биполярный; NPN; 500V; 6A; 50W; 20Mhz; Корпус: TO-220 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SC2837 | SPTECH |
NPN 150V 10A 100W 70MHz 2SC2837 TO-3P T2SC2837 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2839E-SPA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC2839E-SPA - 2SC2839E-SPA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 29225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2839E-SPA | onsemi |
Description: BIP NPN 30MA 20V Packaging: Bulk Part Status: Obsolete |
на замовлення 29225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2839E-SPA-AC | onsemi |
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Package / Case: 3-SIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 25dB Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 320MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz Supplier Device Package: 3-SPA Part Status: Active |
на замовлення 11700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2839E-SPA-AC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC2839E-SPA-AC - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2839E-SPA-AC-SY | Sanyo |
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2853E-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 12V Frequency - Transition: 310MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 400 mW |
на замовлення 34625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2873-Y(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 6312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2873-Y(TE12L,ZC | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2881-Y(TE12L,ZC | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2881-Y(TE12L,ZC | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2881-Y(TE12L,ZC | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 4037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC2881-Y(TE12L,ZC | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC28 | NEC | CAN |
на замовлення 387 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC280 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC2800 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC2802 | PAN |
на замовлення 1213 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2SC2803 | SK | 00+ TO126 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2804 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC2804 | TO-39 |
на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2SC2805 | TO-39 |
на замовлення 590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2SC2805 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC2806 |
на замовлення 3560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC2808 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC2808 | TO-92 |
на замовлення 11020 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2SC2808S |
на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC2809 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC281 | NEC | CAN |
на замовлення 697 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2810 | SK | 00+ MT25 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2811 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC2812 | SANYO | SOT23 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2812 | NEC | SOT23 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2812 | SANYO |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2SC2812-6 | SANYO | SOT-23 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2812-6-TB-E | SANYO | SOT23/SOT323 |
на замовлення 41500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2812-L6-TB | SANYO | SOT-23 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2812-R | SANYO | 00+ SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2812?6?-TB | SONYO | SOT23 |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2812L6-TA | SAYNO | SOT23 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2812N6 | SANYO | SOT23 |
на замовлення 2417 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC2812N6-CPA-TB |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC2813 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC2813-3-TB |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2SC2898 Код товару: 82718 |
Виробник: Hitachi
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 8 А
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 8 А
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 31 грн |
2SC2812-5-TB-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11539+ | 1.97 грн |
2SC2812-5-TB-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC2812-5-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC2812-5-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 1.99 грн |
2SC2812-6-M-TB-E |
Виробник: onsemi
Description: 2SC2812 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: 2SC2812 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11539+ | 1.97 грн |
2SC2812-6-M-TB-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC2812-6-M-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC2812-6-M-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 1.99 грн |
2SC2812-6-TB-E |
Виробник: Sanyo
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11539+ | 1.97 грн |
2SC2812-6-TB-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC2812-6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC2812-6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 2.36 грн |
2SC2812-7-TB-E |
Виробник: Sanyo
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1211+ | 16.41 грн |
2SC2812-7-TB-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC2812-7-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC2812-7-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SC2812N6-CPA-TB-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC2812N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC2812N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12129790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9000+ | 4.13 грн |
2SC2812N6-CPA-TB-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.15A 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.15A 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 12129790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.28 грн |
2SC2814-5-TB-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 25dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 25dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: 3-CP
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
833+ | 23.63 грн |
2SC2814-5-TB-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC2814-5-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC2814-5-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1002+ | 23.96 грн |
2SC2827; биполярный; NPN; 500V; 6A; 50W; 20Mhz; Корпус: TO-220 |
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 221.76 грн |
2SC2837 |
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 66.36 грн |
2SC2839E-SPA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC2839E-SPA - 2SC2839E-SPA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC2839E-SPA - 2SC2839E-SPA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1233+ | 19.32 грн |
2SC2839E-SPA |
на замовлення 29225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1025+ | 19.04 грн |
2SC2839E-SPA-AC |
Виробник: onsemi
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 25dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 320MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 25dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 320MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.28 грн |
2SC2839E-SPA-AC |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC2839E-SPA-AC - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC2839E-SPA-AC - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8013+ | 3.39 грн |
2SC2839E-SPA-AC-SY |
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.28 грн |
2SC2853E-E |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 12V
Frequency - Transition: 310MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 400 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 12V
Frequency - Transition: 310MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 34625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1249+ | 15.76 грн |
2SC2873-Y(TE12L,F) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 6312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
167+ | 70.06 грн |
174+ | 66.92 грн |
250+ | 64.24 грн |
500+ | 59.7 грн |
1000+ | 53.48 грн |
2500+ | 49.82 грн |
5000+ | 48.49 грн |
2SC2873-Y(TE12L,ZC |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 27.73 грн |
13+ | 22.45 грн |
100+ | 15.6 грн |
2SC2873-Y(TE12L,ZC |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SC2873-Y(TE12L,ZC |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SC2873-Y(TE12L,ZC |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 15.51 грн |
2SC2881-Y(TE12L,ZC |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
294+ | 39.69 грн |
389+ | 29.98 грн |
391+ | 29.79 грн |
2SC2881-Y(TE12L,ZC |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 11.81 грн |
2000+ | 10.17 грн |
2SC2881-Y(TE12L,ZC |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.28 грн |
11+ | 25.81 грн |
100+ | 17.93 грн |
500+ | 13.14 грн |
2SC2881-Y(TE12L,ZC |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
446+ | 26.11 грн |
465+ | 25.06 грн |
500+ | 24.15 грн |
2SC2812-6-TB-E |
Виробник: SANYO
SOT23/SOT323
SOT23/SOT323
на замовлення 41500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]