Результат пошуку "2SC609" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SC6091 2SC6091 onsemi SNYOS11425-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 3 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 4.5A
Supplier Device Package: TO-3PMLH
на замовлення 88985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 329
2SC6091 ONSEMI SNYOS11425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6091 - 2SC6091, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 396
2SC6094-TD-E 2SC6094-TD-E onsemi ena0410-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1112+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 1112
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E onsemi ENA0434_D-2310840.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 8443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.08 грн
10+ 39.07 грн
100+ 24.38 грн
500+ 20.44 грн
1000+ 17.35 грн
2000+ 15.44 грн
5000+ 14.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E onsemi ena0434-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.08 грн
10+ 36.56 грн
100+ 25.29 грн
500+ 19.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E ONSEMI ONSMS36430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E onsemi ena0434-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.67 грн
2000+ 16.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E ONSEMI ONSMS36430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.83 грн
18+ 43.05 грн
100+ 27.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ON Semiconductor 2sc6097-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ONSEMI ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.62 грн
500+ 26.7 грн
700+ 20.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E onsemi 2sc6097-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+22.65 грн
1400+ 18.56 грн
2100+ 16.53 грн
4900+ 14.7 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC6097-TL-E ONSEMI ONSMS36407-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 76612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 1400
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ONSEMI ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.48 грн
14+ 53.74 грн
100+ 33.62 грн
500+ 26.7 грн
700+ 20.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ON Semiconductor 2sc6097-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.07 грн
14+ 44.17 грн
100+ 31.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ON Semiconductor 2sc6097-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+35.25 грн
332+ 35.14 грн
397+ 29.38 грн
402+ 27.96 грн
516+ 20.16 грн
Мінімальне замовлення: 331
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E onsemi 2sc6097-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 14728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.5 грн
10+ 37.72 грн
100+ 26.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E onsemi 2SC6097_D-2309487.pdf Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
7+50.6 грн
10+ 43.15 грн
100+ 27.01 грн
700+ 22.94 грн
1400+ 18.93 грн
2100+ 17.94 грн
4900+ 17.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC6098-E 2SC6098-E onsemi ena0413-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 952
2SC6098-E 2SC6098-E ONSEMI ONSMS36429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6098-E - 2SC6098-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2SC6098-TL-E 2SC6098-TL-E onsemi ena0413-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A TPFA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 8409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
876+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 876
2SC6099-E 2SC6099-E onsemi ena0435-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 1110
2SC6099-E 2SC6099-E ONSEMI ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6099-E - 2SC6099-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E onsemi ena0435-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E ON Semiconductor 1108ena0435-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E onsemi ena0435-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.74 грн
10+ 45.32 грн
100+ 31.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E onsemi ENA0435_D-2310807.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
6+54.21 грн
10+ 50.41 грн
100+ 30.36 грн
700+ 25.3 грн
1400+ 21.56 грн
2100+ 19.19 грн
4900+ 18.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC609
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC6095-TD-E ON Semiconductor ena0411-d.pdf
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC6097-TL-E ON Semiconductor 2sc6097-d.pdf
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC6097-TL-E SANYO 2sc6097-d.pdf SOT252/2.5
на замовлення 27940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC6099-TL-E SANYO ena0435-d.pdf TO-252 08+
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC609T
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC6090 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 34462 		Sanyo 2SC6090.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220F
Uceo,V: 700 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 10 A
h21: 15
товар відсутній
2SC6094-TD-E 2SC6094-TD-E onsemi ena0410-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6094-TD-E 2SC6094-TD-E onsemi ena0410-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6094-TD-E ON Semiconductor 2877ena0410-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC6095-TD-E ON Semiconductor 597ena0411-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC6095-TD-E 2SC6095-TD-E onsemi ena0411-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6095-TD-E 2SC6095-TD-E onsemi ena0411-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6096-TD-E ON Semiconductor 2052ena0434-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC6096-TD-E ON Semiconductor 2052ena0434-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC6096-TD-H ON Semiconductor 2052ena0434-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC6096-TD-H 2SC6096-TD-H onsemi ena0434-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6096-TD-H 2SC6096-TD-H onsemi ena0434-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6097-E 2SC6097-E onsemi 2sc6097-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2SC6097-E 2SC6097-E ON Semiconductor 43002sc6097-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SC6097-TL-E ONSEMI 2sc6097-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 300...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
товар відсутній
2SC6097-TL-E ONSEMI 2sc6097-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 300...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ON Semiconductor 2sc6097-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ON Semiconductor 43002sc6097-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SC6098-E 2SC6098-E ON Semiconductor 3556ena0413-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SC6098-E 2SC6098-E onsemi ena0413-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2SC6098-TL-E 2SC6098-TL-E ON Semiconductor 3556ena0413-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SC6098-TL-E 2SC6098-TL-E onsemi ena0413-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2SC6099-E 2SC6099-E ON Semiconductor 1108ena0435-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SC6099-E 2SC6099-E onsemi ena0435-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E ON Semiconductor 1108ena0435-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E ON Semiconductor 1108ena0435-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTE237 NTE Electronics nte237.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 60V; 2A; 10W; TO39; Pout: 3.5W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 10W
Case: TO39
Mounting: THT
Frequency: 27MHz
Output power: 3.5W
товар відсутній
2SC6091 SNYOS11425-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC6091
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 3 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 4.5A
Supplier Device Package: TO-3PMLH
на замовлення 88985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
329+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 329
2SC6091 SNYOS11425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6091 - 2SC6091, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
396+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 396
2SC6094-TD-E ena0410-d.pdf
2SC6094-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1112+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 1112
2SC6096-TD-E ENA0434_D-2310840.pdf
2SC6096-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 8443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.08 грн
10+ 39.07 грн
100+ 24.38 грн
500+ 20.44 грн
1000+ 17.35 грн
2000+ 15.44 грн
5000+ 14.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC6096-TD-E ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.08 грн
10+ 36.56 грн
100+ 25.29 грн
500+ 19.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC6096-TD-E ONSMS36430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6096-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC6096-TD-E ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+18.67 грн
2000+ 16.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC6096-TD-E ONSMS36430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6096-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+51.83 грн
18+ 43.05 грн
100+ 27.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC6097-TL-E ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6097-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+33.62 грн
500+ 26.7 грн
700+ 20.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+22.65 грн
1400+ 18.56 грн
2100+ 16.53 грн
4900+ 14.7 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC6097-TL-E ONSMS36407-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 76612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1400+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 1400
2SC6097-TL-E ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6097-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+63.48 грн
14+ 53.74 грн
100+ 33.62 грн
500+ 26.7 грн
700+ 20.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+51.07 грн
14+ 44.17 грн
100+ 31.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
331+35.25 грн
332+ 35.14 грн
397+ 29.38 грн
402+ 27.96 грн
516+ 20.16 грн
Мінімальне замовлення: 331
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 14728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.5 грн
10+ 37.72 грн
100+ 26.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC6097-TL-E 2SC6097_D-2309487.pdf
2SC6097-TL-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.6 грн
10+ 43.15 грн
100+ 27.01 грн
700+ 22.94 грн
1400+ 18.93 грн
2100+ 17.94 грн
4900+ 17.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC6098-E ena0413-d.pdf
2SC6098-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2.5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
952+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 952
2SC6098-E ONSMS36429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6098-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6098-E - 2SC6098-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2SC6098-TL-E ena0413-d.pdf
2SC6098-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2.5A TPFA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 8409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
876+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 876
2SC6099-E ena0435-d.pdf
2SC6099-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1110+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 1110
2SC6099-E ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6099-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6099-E - 2SC6099-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2SC6099-TL-E ena0435-d.pdf
2SC6099-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC6099-TL-E 1108ena0435-d.pdf
2SC6099-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC6099-TL-E ena0435-d.pdf
2SC6099-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.74 грн
10+ 45.32 грн
100+ 31.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC6099-TL-E ENA0435_D-2310807.pdf
2SC6099-TL-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.21 грн
10+ 50.41 грн
100+ 30.36 грн
700+ 25.3 грн
1400+ 21.56 грн
2100+ 19.19 грн
4900+ 18.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC609
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC6095-TD-E ena0411-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
Виробник: SANYO
SOT252/2.5
на замовлення 27940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC6099-TL-E ena0435-d.pdf
Виробник: SANYO
TO-252 08+
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC609T
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC6090 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 34462		 2SC6090.pdf
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220F
Uceo,V: 700 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 10 A
h21: 15
товар відсутній
2SC6094-TD-E ena0410-d.pdf
2SC6094-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6094-TD-E ena0410-d.pdf
2SC6094-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6094-TD-E 2877ena0410-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC6095-TD-E 597ena0411-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC6095-TD-E ena0411-d.pdf
2SC6095-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6095-TD-E ena0411-d.pdf
2SC6095-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6096-TD-E 2052ena0434-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC6096-TD-E 2052ena0434-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC6096-TD-H 2052ena0434-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC6096-TD-H ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-H
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6096-TD-H ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-H
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
2SC6097-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2SC6097-E 43002sc6097-d.pdf
2SC6097-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 300...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
товар відсутній
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 300...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SC6097-TL-E 43002sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SC6098-E 3556ena0413-d.pdf
2SC6098-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SC6098-E ena0413-d.pdf
2SC6098-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2.5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2SC6098-TL-E 3556ena0413-d.pdf
2SC6098-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SC6098-TL-E ena0413-d.pdf
2SC6098-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2.5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2SC6099-E 1108ena0435-d.pdf
2SC6099-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SC6099-E ena0435-d.pdf
2SC6099-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2SC6099-TL-E 1108ena0435-d.pdf
2SC6099-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SC6099-TL-E 1108ena0435-d.pdf
2SC6099-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTE237 nte237.pdf
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 60V; 2A; 10W; TO39; Pout: 3.5W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 10W
Case: TO39
Mounting: THT
Frequency: 27MHz
Output power: 3.5W
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]