Результат пошуку "2n6027" : 35
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
,TO-226_straightlead.jpg "2N6027 PBFREE")
,TO-226_bentlead.jpg "2N6027RLRA")
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N6027 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT |
на замовлення 7164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N6027 PBFREE | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction |
на замовлення 50156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N6027G-T92-B | UTC |
PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N6027G-T92-B | UTC |
PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N6027 | MOT | CAN |
на замовлення 397 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2N6027 | ON |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2N6027G Код товару: 28415 |
ON |
Тиристори > Тиристори, діністори Корпус: TO-92 Uзакр,V: 40 V Iвідкр,mA: 0,15 mA Imax,A: 0,5 A Характеристики: Одноперехідний транзистор |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
|
2N6027 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| 2N6027 APM PBFREE | Central Semiconductor |
Silicon Programmable Unijunction Transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 2N6027 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
2N6027 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Active Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
2N6027 PBFREE | Central Semiconductor |
Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027 PBFREE | Central Semiconductor |
Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| 2N6027 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
2N6027 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| 2N6027 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Through-Hole-Programmable UJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
2N6027 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027 TRB PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027 TRB TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| 2N6027 TRE PBFREE | Central Semiconductor |
2N6027 TRE PBFREE |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 2N6027 TRE PBFREE | Central Semiconductor |
Silicon Programmable Unijunction Transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
2N6027 TRE PBFREE | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| 2N6027 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
2N6027G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027G | onsemi |
Description: TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92 Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
2N6027G | ON Semiconductor |
Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027RL1 | onsemi |
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027RL1G | ON Semiconductor |
Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027RL1G | onsemi |
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027RLRA | onsemi |
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027RLRAG | ON Semiconductor |
Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2N6027RLRAG | onsemi |
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
товар відсутній |
| 2N6027 APM PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT
Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT
на замовлення 7164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 175.58 грн |
| 10+ | 144.35 грн |
| 100+ | 99.89 грн |
| 250+ | 92.01 грн |
| 500+ | 83.46 грн |
| 1000+ | 75.58 грн |
| 2000+ | 65.59 грн |
| 2N6027 PBFREE |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction
Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction
на замовлення 50156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 147.98 грн |
| 10+ | 126.21 грн |
| 100+ | 92.66 грн |
| 250+ | 86.09 грн |
| 500+ | 80.83 грн |
| 1000+ | 78.21 грн |
| 2500+ | 65.72 грн |
| 2N6027G-T92-B |
Виробник: UTC
PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027
кількість в упаковці: 100 шт
PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.89 грн |
| 2N6027G-T92-B |
Виробник: UTC
PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027
кількість в упаковці: 100 шт
PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.89 грн |
| 2N6027G Код товару: 28415 |
|
Виробник: ON
Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 40 V
Iвідкр,mA: 0,15 mA
Imax,A: 0,5 A
Характеристики: Одноперехідний транзистор
Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 40 V
Iвідкр,mA: 0,15 mA
Imax,A: 0,5 A
Характеристики: Одноперехідний транзистор
товар відсутній
| 2N6027 APM PBFREE |
|
Виробник: Central Semiconductor
Silicon Programmable Unijunction Transistors
Silicon Programmable Unijunction Transistors
товар відсутній
| 2N6027 APM TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT
Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT
товар відсутній
| 2N6027 APP PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
| 2N6027 APP TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
| 2N6027 PBFREE |
|
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Active
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Active
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
| 2N6027 TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg
Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg
товар відсутній
| 2N6027 TRA PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
| 2N6027 TRA TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
| 2N6027 TRB PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
| 2N6027 TRB TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
| 2N6027 TRE PBFREE |
|
Виробник: Central Semiconductor
Silicon Programmable Unijunction Transistors
Silicon Programmable Unijunction Transistors
товар відсутній
| 2N6027 TRE PBFREE |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
Bipolar Transistors - BJT 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
| 2N6027 TRE TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT
Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT
товар відсутній
| 2N6027G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Description: TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
| 2N6027RL1 |
|
Виробник: onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
| 2N6027RL1G |
|
Виробник: onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
| 2N6027RLRA |
Виробник: onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
| 2N6027RLRAG |
Виробник: onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній