Результат пошуку "2sa12" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 663
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 6411
Мінімальне замовлення: 5323
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 2466
Мінімальне замовлення: 2049
Мінімальне замовлення: 2049
Мінімальне замовлення: 1268
Мінімальне замовлення: 1527
Мінімальне замовлення: 1268
Мінімальне замовлення: 833
Мінімальне замовлення: 1002
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 902
Мінімальне замовлення: 902
Мінімальне замовлення: 628
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 559
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 212
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 1902
Мінімальне замовлення: 2290
Мінімальне замовлення: 1781
Мінімальне замовлення: 1480
Мінімальне замовлення: 1776
Мінімальне замовлення: 2137
Мінімальне замовлення: 3206
Мінімальне замовлення: 2664
Мінімальне замовлення: 2664
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 2671
Мінімальне замовлення: 33
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 948
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1209 S Код товару: 152201 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-126 fT: 150 MHz Uке, В: 160 V Uкб, В: 180 V |
у наявності: 1 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1215 Код товару: 112784 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: MT-200 fT: 50 MHz Uке, В: 160 V Uкб, В: 160 V Iк, А: 15 A |
у наявності: 1 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1232 Код товару: 112783 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-3FPA fT: 60 MHz Uке, В: 130 V Uкб, В: 130 V Iк, А: 10 А |
у наявності: 1 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1244Y Код товару: 184941 |
Toshiba |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: 2-7J1A fT: 60 MHz Uке, В: 50 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 5 A h21,max: 240 |
у наявності: 69 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1262 Код товару: 152627 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220 fT: 15 MHz Uке, В: 60 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 4 А |
у наявності: 10 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1263 Код товару: 152628 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-3PI fT: 30 MHz Uке, В: 80 V Uкб, В: 80 V Iк, А: 6 А |
у наявності: 4 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1267 Код товару: 152630 |
Paco |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 fT: 80 MHz Uке, В: 50 V Uкб, В: 50 V Iк, А: 0,15 A |
у наявності: 27 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1270 Код товару: 152632 |
ST |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 fT: 200 MHz Uке, В: 30 V Uкб, В: 35 V Iк, А: 0,5 A |
у наявності: 7 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1271 Код товару: 152634 |
ST |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 fT: 120 MHz Uке, В: 30 V Uкб, В: 35 V Iк, А: 0,8 A |
у наявності: 33 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1276 Код товару: 152636 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220 fT: 100 MHz Uке, В: 30 V Uкб, В: 30 V Iк, А: 3 А |
у наявності: 3 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1286 Код товару: 152638 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92MOD fT: 90 MHz Uке, В: 20 V Uкб, В: 30 V Iк, А: 1,5 A |
у наявності: 8 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1201 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Collector current: 0.8A Current gain: 80...240 Collector-emitter voltage: 120V Frequency: 120MHz Power dissipation: 0.5W |
на замовлення 4941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1201 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Collector current: 0.8A Current gain: 80...240 Collector-emitter voltage: 120V Frequency: 120MHz Power dissipation: 0.5W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4941 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1201-Y(TE12L,ZC | Toshiba | Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1201-Y(TE12L,ZC | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1201-Y(TE12L,ZC | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL |
на замовлення 29021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1207S-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1207S-AA - 2SA1207S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 88500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1207S-AA | Sanyo |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 88500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1207T-AA | Sanyo |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1207T-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1207T-AA - 2SA1207T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SA1208S-AE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1208S-AE - 2SA1208S-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1208S-AE | Sanyo |
Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1208S-AE | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 91000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1208T | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 13699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1208T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1208T - 2SA1208T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1208T | Sanyo |
Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1209S | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 140 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 10681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1209S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1209S - 2SA1209S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1213-Y(TE12L,ZC | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SA1213-Y-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate |
на замовлення 2213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1213-Y-TP | Micro Commercial Co |
Description: TRANS PNP 50V 2A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1221-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 45MHz Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 10579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1221-T-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 45MHz Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1222-T-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 45MHz Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1226-T1B-A | Renesas | Trans GP BJT PNP 40V 0.03A 200mW Automotive 3-Pin Mini-Mold |
на замовлення 542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SA1232 | NEC |
PNP 10A 130V 100W 60MHz 2SA1232 T2SA1232 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1241-Y(T6L1,NV) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R |
на замовлення 1705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1244-Y(T6L1,NQ) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PB-F POWER TRANSISTOR |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1244-Y(T6L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1244-Y(T6L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD; Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1246; биполярный; PNP; 50V; 0,15A; 0,4W; 100Mhz; Корпус: TO-092 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA1246T-AA | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1246T-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1246T-AA - 2SA1246T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1248S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1248S - 2SA1248 - TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1248S | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 15580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1249S | onsemi |
Description: 2SA1249 - TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 45528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1249S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1249S - 2SA1249 - TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1253T-SPA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1253T-SPA - 2SA1253T-SPA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1253T-SPA-ON | onsemi |
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-SPA |
на замовлення 28396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1253T-SPA-SY | Sanyo |
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-SPA |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1257-5-TB-E | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-CP Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1257-5-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1257-5-TB-E - 2SA1257 - TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1294 | Sanken Electric Company, Ltd. | Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1294 | SPTECH |
Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk 2SA1294 Allegro Microsystems T2SA1294 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1298-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 25V 0.8A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 2908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1298-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor |
на замовлення 6373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1298-Y,LF(B | Toshiba | 2SA1298-Y,LF(B |
на замовлення 2834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA12 | HARRIS | CAN |
на замовлення 985 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SA120 | NEC | CAN |
на замовлення 485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SA1201 | TOSHIBA |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2SA1244Y Код товару: 184941 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: 2-7J1A
fT: 60 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 5 A
h21,max: 240
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: 2-7J1A
fT: 60 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 5 A
h21,max: 240
у наявності: 69 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 20 грн |
10+ | 17.9 грн |
2SA1267 Код товару: 152630 |
Виробник: Paco
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 80 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,15 A
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 80 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,15 A
у наявності: 27 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3.5 грн |
10+ | 2.5 грн |
2SA1270 Код товару: 152632 |
у наявності: 7 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 2.5 грн |
2SA1271 Код товару: 152634 |
у наявності: 33 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3.5 грн |
10+ | 2.5 грн |
2SA1201 |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Current gain: 80...240
Collector-emitter voltage: 120V
Frequency: 120MHz
Power dissipation: 0.5W
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Current gain: 80...240
Collector-emitter voltage: 120V
Frequency: 120MHz
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 31.3 грн |
22+ | 15.41 грн |
45+ | 7.68 грн |
100+ | 4.04 грн |
250+ | 3.64 грн |
269+ | 2.91 грн |
740+ | 2.75 грн |
2SA1201 |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Current gain: 80...240
Collector-emitter voltage: 120V
Frequency: 120MHz
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Current gain: 80...240
Collector-emitter voltage: 120V
Frequency: 120MHz
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 37.56 грн |
14+ | 19.2 грн |
27+ | 9.21 грн |
100+ | 4.85 грн |
250+ | 4.36 грн |
269+ | 3.49 грн |
740+ | 3.3 грн |
2SA1201-Y(TE12L,ZC |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
663+ | 17.34 грн |
667+ | 17.24 грн |
817+ | 14.09 грн |
2SA1201-Y(TE12L,ZC |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 32.99 грн |
10+ | 27.1 грн |
100+ | 18.85 грн |
2SA1201-Y(TE12L,ZC |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL
Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL
на замовлення 29021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 35.88 грн |
10+ | 30.22 грн |
100+ | 19.66 грн |
500+ | 15.44 грн |
1000+ | 11.1 грн |
2000+ | 10.25 грн |
10000+ | 9.15 грн |
2SA1207S-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1207S-AA - 2SA1207S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1207S-AA - 2SA1207S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6411+ | 5.1 грн |
2SA1207S-AA |
Виробник: Sanyo
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 600 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 88500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5323+ | 3.89 грн |
2SA1207T-AA |
Виробник: Sanyo
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 600 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.07 грн |
2SA1207T-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1207T-AA - 2SA1207T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1207T-AA - 2SA1207T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SA1208S-AE |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1208S-AE - 2SA1208S-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1208S-AE - 2SA1208S-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2466+ | 9.83 грн |
2SA1208S-AE |
Виробник: Sanyo
Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2049+ | 9.72 грн |
2SA1208S-AE |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 91000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2049+ | 9.72 грн |
2SA1208T |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 13699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1268+ | 15.56 грн |
2SA1208T |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1208T - 2SA1208T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1208T - 2SA1208T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1527+ | 15.8 грн |
2SA1208T |
Виробник: Sanyo
Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1268+ | 15.56 грн |
2SA1209S |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 140 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 140 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 10681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
833+ | 23.33 грн |
2SA1209S |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1209S - 2SA1209S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1209S - 2SA1209S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1002+ | 23.66 грн |
2SA1213-Y(TE12L,ZC |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SA1213-Y-TP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.16 грн |
14+ | 21.42 грн |
100+ | 10.38 грн |
1000+ | 7.01 грн |
2000+ | 6.81 грн |
10000+ | 5.58 грн |
25000+ | 5.52 грн |
2SA1213-Y-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TRANS PNP 50V 2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 50V 2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 25.97 грн |
15+ | 19.26 грн |
100+ | 11.57 грн |
500+ | 10.06 грн |
2SA1221-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 10579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
902+ | 21.39 грн |
2SA1221-T-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
902+ | 21.39 грн |
2SA1222-T-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
628+ | 31.11 грн |
2SA1226-T1B-A |
Виробник: Renesas
Trans GP BJT PNP 40V 0.03A 200mW Automotive 3-Pin Mini-Mold
Trans GP BJT PNP 40V 0.03A 200mW Automotive 3-Pin Mini-Mold
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SA1232 |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 43.29 грн |
2SA1241-Y(T6L1,NV) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
559+ | 20.6 грн |
561+ | 20.5 грн |
625+ | 18.39 грн |
1000+ | 17 грн |
2SA1244-Y(T6L1,NQ) |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PB-F POWER TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT PB-F POWER TRANSISTOR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.17 грн |
10+ | 53.36 грн |
100+ | 36.14 грн |
500+ | 32.12 грн |
2SA1244-Y(T6L1,NQ) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
212+ | 54.32 грн |
318+ | 36.21 грн |
341+ | 33.72 грн |
342+ | 32.43 грн |
500+ | 25.32 грн |
1000+ | 22.99 грн |
2SA1244-Y(T6L1,NQ) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD;
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: PB-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD;
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.07 грн |
10+ | 47.99 грн |
100+ | 37.33 грн |
500+ | 29.7 грн |
1000+ | 24.19 грн |
2SA1246; биполярный; PNP; 50V; 0,15A; 0,4W; 100Mhz; Корпус: TO-092 |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 656.88 грн |
2SA1246T-AA |
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1902+ | 10.37 грн |
2SA1246T-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1246T-AA - 2SA1246T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1246T-AA - 2SA1246T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2290+ | 10.48 грн |
2SA1248S |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1248S - 2SA1248 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1248S - 2SA1248 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1781+ | 13.1 грн |
2SA1248S |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 15580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1480+ | 12.96 грн |
2SA1249S |
Виробник: onsemi
Description: 2SA1249 - TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
Description: 2SA1249 - TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 45528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1776+ | 11.02 грн |
2SA1249S |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1249S - 2SA1249 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1249S - 2SA1249 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2137+ | 11.28 грн |
2SA1253T-SPA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1253T-SPA - 2SA1253T-SPA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1253T-SPA - 2SA1253T-SPA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3206+ | 10.12 грн |
2SA1253T-SPA-ON |
Виробник: onsemi
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
на замовлення 28396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2664+ | 7.13 грн |
2SA1253T-SPA-SY |
Виробник: Sanyo
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2664+ | 7.13 грн |
2SA1257-5-TB-E |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.07 грн |
2SA1257-5-TB-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1257-5-TB-E - 2SA1257 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1257-5-TB-E - 2SA1257 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2671+ | 9.32 грн |
2SA1294 |
Виробник: Sanken Electric Company, Ltd.
Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk
Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
33+ | 357.32 грн |
51+ | 227.99 грн |
63+ | 184.88 грн |
100+ | 166.27 грн |
200+ | 153.1 грн |
2SA1294 |
Виробник: SPTECH
Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk 2SA1294 Allegro Microsystems T2SA1294
кількість в упаковці: 10 шт
Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk 2SA1294 Allegro Microsystems T2SA1294
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 78.49 грн |
2SA1298-Y,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 25V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 25V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 26.67 грн |
15+ | 18.05 грн |
100+ | 9.1 грн |
500+ | 6.97 грн |
1000+ | 5.17 грн |
2SA1298-Y,LF |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 6373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.84 грн |
15+ | 20.07 грн |
100+ | 7.14 грн |
1000+ | 5.39 грн |
3000+ | 4.61 грн |
9000+ | 3.7 грн |
24000+ | 3.44 грн |
2SA1298-Y,LF(B |
Виробник: Toshiba
2SA1298-Y,LF(B
2SA1298-Y,LF(B
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
948+ | 12.13 грн |
983+ | 11.69 грн |
1017+ | 11.31 грн |
2500+ | 10.59 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]