Результат пошуку "2sd21" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 171
Мінімальне замовлення: 32
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 1324
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 3497
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 3037
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 294
Мінімальне замовлення: 369
Мінімальне замовлення: 1586
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 737
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 737
Мінімальне замовлення: 286
Мінімальне замовлення: 374
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 581
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 271
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 313
Мінімальне замовлення: 313
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 1268
Мінімальне замовлення: 468
Мінімальне замовлення: 1000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SD2125 Код товару: 184755 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3P fT: 3 MHz Uceo,V: 600 V Ucbo,V: 1500 V Ic,A: 6 A Монтаж: THT |
у наявності: 23 шт
|
|
||||||||||||||||
2SD2106-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220FM Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2114KT146V | ROHM |
Description: ROHM - 2SD2114KT146V - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 350MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2114KT146V | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2114KT146V | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 1639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2114KT146V | ROHM |
Description: ROHM - 2SD2114KT146V - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 350MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2114KT146V | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 10313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2114KT146V | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 40903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2114KT146V | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 0.5A |
на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2114KT146W | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 39933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2114KT146W | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 0.5A |
на замовлення 9046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2114KT146W | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 3V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2114KT146W | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 3V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 12549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2118TLQ | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 5A |
на замовлення 2403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2118TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 2393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2123CSTL-E#J3 | Renesas Electronics Corporation |
Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2142KT146 | Rohm Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2142KT146 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2142KT146 | Rohm Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2142KT146 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 9813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2142KT146 | ROHM Semiconductor | Darlington Transistors DARL NPN 30V .3A |
на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2142KT146 | Rohm Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2143TL | Rohm Semiconductor | Trans Darlington NPN 70V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2143TL | Rohm Semiconductor | Trans Darlington NPN 70V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2143TL | ROHM Semiconductor | Darlington Transistors DARL NPN 60V 2A |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2143TL | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN DARL 60V 2A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2150T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2150T100R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 3A |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2153T100U | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 2A |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2153T100U | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 25V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2153T100V | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 25V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2153T100V | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 2A |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2153T100V | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2153T100V | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2153T100W | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 25V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 500mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 4277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2153T100W | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 25V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 500mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 3920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2153T100W | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN |
на замовлення 1251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2161-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: MP-45F Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 4173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2164-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: MP-45F Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2165-AZ | Renesas | Биполярный транзистор MP-45F (Isolated TO-220) NPN Vceo=100V, Ic=6A |
на замовлення 24 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2176-TD-E | onsemi |
Description: NPN 1.2A 50V DARLINGTON Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2198S-DL-E | onsemi |
Description: BIP NPN 5A 50V Packaging: Bulk |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD2198S-DL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD2198S-DL-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD21 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD21 | TO-39 |
на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2SD2100 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2101 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2102 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2103 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2104 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2105 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2106 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2107 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2108 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2109 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD211 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2110 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2111 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2112 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD2113 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2SD2106-E |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 2 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
171+ | 115.54 грн |
2SD2114KT146V |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SD2114KT146V - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SD2114KT146V - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 23.3 грн |
50+ | 16.29 грн |
100+ | 9.22 грн |
500+ | 6.3 грн |
1500+ | 5.7 грн |
2SD2114KT146V |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.82 грн |
6000+ | 5.47 грн |
9000+ | 4.85 грн |
2SD2114KT146V |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1324+ | 8.79 грн |
1369+ | 8.51 грн |
2SD2114KT146V |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SD2114KT146V - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SD2114KT146V - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 9.22 грн |
500+ | 6.3 грн |
1500+ | 5.7 грн |
2SD2114KT146V |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 10313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 26.3 грн |
16+ | 18 грн |
100+ | 9.07 грн |
500+ | 7.54 грн |
1000+ | 5.87 грн |
2SD2114KT146V |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 40903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3497+ | 3.33 грн |
7178+ | 1.62 грн |
2SD2114KT146V |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 0.5A
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 0.5A
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.52 грн |
15+ | 21.24 грн |
100+ | 7.89 грн |
1000+ | 6.05 грн |
3000+ | 5.13 грн |
9000+ | 4.67 грн |
24000+ | 4.34 грн |
2SD2114KT146W |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 39933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3037+ | 3.83 грн |
3226+ | 3.61 грн |
3304+ | 3.52 грн |
3402+ | 3.3 грн |
6000+ | 3.04 грн |
12000+ | 2.86 грн |
2SD2114KT146W |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 0.5A
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 0.5A
на замовлення 9046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.52 грн |
16+ | 20.03 грн |
100+ | 7.82 грн |
1000+ | 6.05 грн |
3000+ | 5.26 грн |
9000+ | 4.67 грн |
24000+ | 4.34 грн |
2SD2114KT146W |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.82 грн |
6000+ | 5.47 грн |
9000+ | 4.85 грн |
2SD2114KT146W |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 12549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 26.3 грн |
16+ | 18 грн |
100+ | 9.07 грн |
500+ | 7.54 грн |
1000+ | 5.87 грн |
2SD2118TLQ |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 5A
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 5A
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.19 грн |
10+ | 51.92 грн |
100+ | 30.82 грн |
500+ | 25.76 грн |
1000+ | 21.88 грн |
2500+ | 19.12 грн |
5000+ | 18.2 грн |
2SD2118TLQ |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
294+ | 39.67 грн |
306+ | 38.08 грн |
500+ | 36.7 грн |
1000+ | 34.24 грн |
2SD2123CSTL-E#J3 |
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
369+ | 53.17 грн |
2SD2142KT146 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1586+ | 7.34 грн |
1715+ | 6.79 грн |
1745+ | 6.67 грн |
2000+ | 6.41 грн |
2SD2142KT146 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.9 грн |
6000+ | 8.13 грн |
2SD2142KT146 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
737+ | 15.82 грн |
764+ | 15.24 грн |
1000+ | 14.75 грн |
2500+ | 13.8 грн |
2SD2142KT146 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 26.3 грн |
13+ | 21.77 грн |
100+ | 15.11 грн |
500+ | 11.07 грн |
1000+ | 9 грн |
2SD2142KT146 |
Виробник: ROHM Semiconductor
Darlington Transistors DARL NPN 30V .3A
Darlington Transistors DARL NPN 30V .3A
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.52 грн |
13+ | 24.18 грн |
100+ | 14.59 грн |
500+ | 11.44 грн |
1000+ | 9.27 грн |
3000+ | 7.82 грн |
9000+ | 7.29 грн |
2SD2142KT146 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
737+ | 15.82 грн |
764+ | 15.24 грн |
1000+ | 14.75 грн |
2SD2143TL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Darlington NPN 70V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans Darlington NPN 70V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
286+ | 40.81 грн |
298+ | 39.17 грн |
500+ | 37.76 грн |
1000+ | 35.22 грн |
2SD2143TL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Darlington NPN 70V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans Darlington NPN 70V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
374+ | 31.15 грн |
407+ | 28.62 грн |
420+ | 27.75 грн |
500+ | 25.73 грн |
1000+ | 22.96 грн |
2500+ | 20.88 грн |
2SD2143TL |
Виробник: ROHM Semiconductor
Darlington Transistors DARL NPN 60V 2A
Darlington Transistors DARL NPN 60V 2A
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.78 грн |
10+ | 54.64 грн |
100+ | 37 грн |
500+ | 31.35 грн |
1000+ | 25.56 грн |
2500+ | 22.67 грн |
2SD2143TL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 60V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 10 W
Description: TRANS NPN DARL 60V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.56 грн |
10+ | 49.08 грн |
100+ | 38.21 грн |
500+ | 30.4 грн |
2SD2150T100R |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT NPN 20V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
581+ | 20.07 грн |
602+ | 19.35 грн |
1000+ | 18.72 грн |
2SD2150T100R |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 3A
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 3A
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.33 грн |
10+ | 40.21 грн |
100+ | 32.73 грн |
500+ | 19.65 грн |
1000+ | 10.65 грн |
2000+ | 9.99 грн |
2SD2153T100U |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 2A
Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 2A
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.93 грн |
10+ | 38.7 грн |
100+ | 24.45 грн |
500+ | 19.91 грн |
1000+ | 16.23 грн |
2000+ | 14.72 грн |
5000+ | 14.13 грн |
2SD2153T100U |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 25V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.52 грн |
10+ | 34.23 грн |
100+ | 23.71 грн |
500+ | 18.59 грн |
2SD2153T100V |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 25V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 55.45 грн |
10+ | 43.61 грн |
2SD2153T100V |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 2A
Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 2A
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.88 грн |
10+ | 48.52 грн |
100+ | 34.83 грн |
500+ | 27.8 грн |
1000+ | 22.61 грн |
2000+ | 21.29 грн |
5000+ | 20.31 грн |
2SD2153T100V |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT NPN 25V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 58.41 грн |
409+ | 28.52 грн |
447+ | 26.1 грн |
450+ | 24.98 грн |
551+ | 18.88 грн |
1000+ | 16.96 грн |
2SD2153T100V |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT NPN 25V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
271+ | 42.97 грн |
283+ | 41.25 грн |
500+ | 39.75 грн |
1000+ | 37.09 грн |
2500+ | 33.32 грн |
2SD2153T100W |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 500mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 25V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 500mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.52 грн |
10+ | 34.23 грн |
100+ | 23.71 грн |
500+ | 18.59 грн |
2SD2153T100W |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 500mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 25V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 500mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 17.5 грн |
2000+ | 15.01 грн |
2SD2153T100W |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.24 грн |
10+ | 38.09 грн |
100+ | 22.94 грн |
500+ | 19.19 грн |
1000+ | 16.23 грн |
2000+ | 14.46 грн |
5000+ | 13.54 грн |
2SD2161-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: MP-45F
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: MP-45F
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
313+ | 63.02 грн |
2SD2164-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: MP-45F
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: MP-45F
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
313+ | 63.02 грн |
2SD2165-AZ |
Виробник: Renesas
Биполярный транзистор MP-45F (Isolated TO-220) NPN Vceo=100V, Ic=6A
Биполярный транзистор MP-45F (Isolated TO-220) NPN Vceo=100V, Ic=6A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.42 грн |
10+ | 102.7 грн |
2SD2176-TD-E |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1268+ | 15.76 грн |
2SD2198S-DL-E |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
468+ | 42.01 грн |
2SD2198S-DL-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD2198S-DL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD2198S-DL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 42.54 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]