Результат пошуку "30n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Код товару: 42509 		FAIR/ON HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 7 шт
1+540 грн
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Код товару: 31842 		ON HGTG30N60A4D.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 1 шт
1+320 грн
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.06 грн
10+ 405.63 грн
25+ 332.79 грн
100+ 286.96 грн
240+ 214.56 грн
1200+ 203.93 грн
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP (MICROSEMI) 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.06 грн
3+ 476.74 грн
10+ 471.21 грн
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP (MICROSEMI) 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+634.88 грн
3+ 594.1 грн
10+ 565.45 грн
APT30N60BC6 Microchip Technology 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 30 A TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.08 грн
100+ 346.05 грн
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7_25_2022_BIDNW30N60H3_datasheet-3005228.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.46 грн
10+ 223.82 грн
25+ 193.3 грн
100+ 157.43 грн
250+ 140.16 грн
600+ 132.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW30N60T_datasheet-3005225.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.14 грн
10+ 271.18 грн
25+ 203.26 грн
100+ 174.04 грн
250+ 154.77 грн
600+ 132.19 грн
1200+ 127.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1982.13 грн
2+ 1740.91 грн
3+ 1740.22 грн
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2378.55 грн
2+ 2169.44 грн
3+ 2088.26 грн
FCP130N60 FCP130N60 onsemi / Fairchild FCP130N60_D-2312110.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.93 грн
10+ 335.35 грн
50+ 247.1 грн
100+ 208.58 грн
250+ 191.31 грн
500+ 185.99 грн
800+ 160.75 грн
FCP130N60 FCP130N60 ON Semiconductor 3650094738295768fcp130n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+182.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
HGTG30N60A4D Fairchaild hgtg30n60a4d-d.pdf description IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+565.72 грн
10+ 463.32 грн
HGTG30N60B3D ON-Semicoductor hgtg30n60b3d-d.pdf 60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode   HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+272.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.79 грн
10+ 174.93 грн
100+ 120.89 грн
250+ 115.58 грн
500+ 101.63 грн
1000+ 86.35 грн
2000+ 82.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60T IGB30N60T Infineon Technologies Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN-3361639.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.72 грн
10+ 165.77 грн
25+ 136.17 грн
100+ 116.91 грн
250+ 110.27 грн
500+ 103.62 грн
1000+ 88.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3 IGP30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362059.pdf IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.67 грн
10+ 170.35 грн
100+ 121.56 грн
250+ 120.23 грн
500+ 101.63 грн
1000+ 83.03 грн
5000+ 80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3 Infineon INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 60A; 600V; 187W; IGBT IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+122.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.47 грн
3+ 183.36 грн
7+ 126.62 грн
18+ 119.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+282.57 грн
3+ 228.5 грн
7+ 151.95 грн
18+ 143.65 грн
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362220.pdf IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.79 грн
10+ 197.85 грн
25+ 142.15 грн
100+ 122.22 грн
240+ 120.23 грн
480+ 93 грн
1200+ 88.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60T IGW30N60T Infineon Technologies Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361611.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.82 грн
10+ 183.34 грн
25+ 141.49 грн
100+ 124.88 грн
240+ 120.23 грн
480+ 94.32 грн
1200+ 89.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.89 грн
3+ 240.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+344.26 грн
3+ 299.2 грн
5+ 220.04 грн
12+ 208.41 грн
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60TFKSA1 Infineon INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+136.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW30N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3362241.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.57 грн
10+ 126.81 грн
100+ 102.3 грн
240+ 101.63 грн
480+ 73.73 грн
1200+ 69.75 грн
2640+ 67.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3361844.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 389 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
2+176.69 грн
25+ 151.25 грн
100+ 112.26 грн
240+ 111.6 грн
480+ 85.03 грн
1200+ 80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 3721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.92 грн
10+ 197.09 грн
25+ 162.08 грн
100+ 138.17 грн
240+ 129.53 грн
480+ 122.22 грн
1200+ 104.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3 Infineon 60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.02 грн
5+ 170.22 грн
13+ 161.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+319.23 грн
5+ 212.12 грн
13+ 193.47 грн
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.92 грн
10+ 211.6 грн
25+ 148.13 грн
100+ 131.52 грн
240+ 130.86 грн
480+ 116.25 грн
1200+ 106.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+316.96 грн
10+ 262.78 грн
25+ 215.88 грн
100+ 184.66 грн
240+ 173.37 грн
480+ 163.41 грн
1200+ 140.16 грн
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+316.96 грн
10+ 297.92 грн
25+ 207.91 грн
100+ 180.68 грн
480+ 140.16 грн
1200+ 132.19 грн
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n60t-datasheet-v02_06-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d 45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+233.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS media-3323679.pdf MOSFET 600V 30A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+757.14 грн
30+ 595.08 грн
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+835.33 грн
2+ 560.47 грн
3+ 559.78 грн
4+ 529.33 грн
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1002.39 грн
2+ 698.43 грн
3+ 671.73 грн
4+ 635.2 грн
IXGH30N60C3 IXYS/Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3_datasheet.pdf.pdf Транзистор IGBT без зворотного діоду; Uceb, В = 600; Ic, А = 60; Pmax, Вт = 220; Uce(on), В = 3; Uge(th), В = 15; Тексп, °С = -40...+125; Тип монт = вивідний; td(on), нс = 26; td(off), нс = 42; TO-247AD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+113.05 грн
10+ 105.52 грн
100+ 97.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS media-3322335.pdf IGBT Modules High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.26 грн
10+ 414.03 грн
30+ 348.74 грн
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS IXT_30N60L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 335nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1427.49 грн
30+ 1182.51 грн
60+ 991.07 грн
120+ 932.62 грн
270+ 886.12 грн
510+ 842.28 грн
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.45 грн
2+ 417.93 грн
3+ 417.24 грн
6+ 394.4 грн
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+749.33 грн
2+ 520.8 грн
3+ 500.68 грн
6+ 473.28 грн
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS media-3323016.pdf MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+750.94 грн
10+ 702.79 грн
30+ 509.49 грн
120+ 459 грн
270+ 451.7 грн
510+ 405.2 грн
1020+ 373.98 грн
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1343.02 грн
10+ 1166.47 грн
30+ 916.01 грн
60+ 884.13 грн
120+ 834.31 грн
270+ 807.74 грн
510+ 778.51 грн
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+594.64 грн
3+ 395.79 грн
6+ 374.34 грн
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+713.57 грн
3+ 493.21 грн
6+ 449.2 грн
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS media-3323016.pdf MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712.2 грн
10+ 601.95 грн
30+ 474.28 грн
120+ 435.75 грн
270+ 383.94 грн
510+ 373.98 грн
1020+ 354.05 грн
IXTT30N60L2 IXTT30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+1491.81 грн
10+ 1469.74 грн
30+ 1277.37 грн
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.01 грн
3+ 364.65 грн
7+ 344.58 грн
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+645.61 грн
3+ 454.41 грн
7+ 413.5 грн
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS media-3321928.pdf IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+648.65 грн
10+ 593.55 грн
30+ 437.75 грн
120+ 397.23 грн
270+ 385.27 грн
510+ 338.11 грн
1020+ 300.24 грн
HGTG30N60A4
Код товару: 42509		 HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 7 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+540 грн
HGTG30N60A4D
Код товару: 31842		 description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 1 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+320 грн
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+475.06 грн
10+ 405.63 грн
25+ 332.79 грн
100+ 286.96 грн
240+ 214.56 грн
1200+ 203.93 грн
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+529.06 грн
3+ 476.74 грн
10+ 471.21 грн
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+634.88 грн
3+ 594.1 грн
10+ 565.45 грн
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 30 A TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+406.08 грн
100+ 346.05 грн
BIDNW30N60H3 Bourns_7_25_2022_BIDNW30N60H3_datasheet-3005228.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+270.46 грн
10+ 223.82 грн
25+ 193.3 грн
100+ 157.43 грн
250+ 140.16 грн
600+ 132.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
BIDW30N60T Bourns_7_25_2022_BIDW30N60T_datasheet-3005225.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+299.14 грн
10+ 271.18 грн
25+ 203.26 грн
100+ 174.04 грн
250+ 154.77 грн
600+ 132.19 грн
1200+ 127.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1982.13 грн
2+ 1740.91 грн
3+ 1740.22 грн
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2378.55 грн
2+ 2169.44 грн
3+ 2088.26 грн
FCP130N60 FCP130N60_D-2312110.pdf
FCP130N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+385.93 грн
10+ 335.35 грн
50+ 247.1 грн
100+ 208.58 грн
250+ 191.31 грн
500+ 185.99 грн
800+ 160.75 грн
FCP130N60 3650094738295768fcp130n60.pdf
FCP130N60
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+182.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+565.72 грн
10+ 463.32 грн
HGTG30N60B3D hgtg30n60b3d-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode   HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+272.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB30N60H3 Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf
IGB30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.79 грн
10+ 174.93 грн
100+ 120.89 грн
250+ 115.58 грн
500+ 101.63 грн
1000+ 86.35 грн
2000+ 82.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60T Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN-3361639.pdf
IGB30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.72 грн
10+ 165.77 грн
25+ 136.17 грн
100+ 116.91 грн
250+ 110.27 грн
500+ 103.62 грн
1000+ 88.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3 Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362059.pdf
IGP30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.67 грн
10+ 170.35 грн
100+ 121.56 грн
250+ 120.23 грн
500+ 101.63 грн
1000+ 83.03 грн
5000+ 80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3 INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+122.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.47 грн
3+ 183.36 грн
7+ 126.62 грн
18+ 119.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+282.57 грн
3+ 228.5 грн
7+ 151.95 грн
18+ 143.65 грн
IGW30N60H3 Infineon_IGW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362220.pdf
IGW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.79 грн
10+ 197.85 грн
25+ 142.15 грн
100+ 122.22 грн
240+ 120.23 грн
480+ 93 грн
1200+ 88.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60H3FKSA1 infineon-igw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60T Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361611.pdf
IGW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.82 грн
10+ 183.34 грн
25+ 141.49 грн
100+ 124.88 грн
240+ 120.23 грн
480+ 94.32 грн
1200+ 89.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+286.89 грн
3+ 240.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+344.26 грн
3+ 299.2 грн
5+ 220.04 грн
12+ 208.41 грн
IGW30N60TFKSA1 infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+136.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW30N60TPXKSA1 Infineon_IGW30N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3362241.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.57 грн
10+ 126.81 грн
100+ 102.3 грн
240+ 101.63 грн
480+ 73.73 грн
1200+ 69.75 грн
2640+ 67.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3361844.pdf
IKW30N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 389 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.69 грн
25+ 151.25 грн
100+ 112.26 грн
240+ 111.6 грн
480+ 85.03 грн
1200+ 80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf
IKW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 3721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+237.92 грн
10+ 197.09 грн
25+ 162.08 грн
100+ 138.17 грн
240+ 129.53 грн
480+ 122.22 грн
1200+ 104.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+266.02 грн
5+ 170.22 грн
13+ 161.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+319.23 грн
5+ 212.12 грн
13+ 193.47 грн
IKW30N60H3FKSA1 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+237.92 грн
10+ 211.6 грн
25+ 148.13 грн
100+ 131.52 грн
240+ 130.86 грн
480+ 116.25 грн
1200+ 106.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 infineon-ikw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60T Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf
IKW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.96 грн
10+ 262.78 грн
25+ 215.88 грн
100+ 184.66 грн
240+ 173.37 грн
480+ 163.41 грн
1200+ 140.16 грн
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1 Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.96 грн
10+ 297.92 грн
25+ 207.91 грн
100+ 180.68 грн
480+ 140.16 грн
1200+ 132.19 грн
IKW30N60TFKSA1 infineon-ikw30n60t-datasheet-v02_06-en.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Виробник: Infineon
45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+233.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXFH30N60P media-3323679.pdf
IXFH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 30A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+757.14 грн
30+ 595.08 грн
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+835.33 грн
2+ 560.47 грн
3+ 559.78 грн
4+ 529.33 грн
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1002.39 грн
2+ 698.43 грн
3+ 671.73 грн
4+ 635.2 грн
IXGH30N60C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS/Littelfuse
Транзистор IGBT без зворотного діоду; Uceb, В = 600; Ic, А = 60; Pmax, Вт = 220; Uce(on), В = 3; Uge(th), В = 15; Тексп, °С = -40...+125; Тип монт = вивідний; td(on), нс = 26; td(off), нс = 42; TO-247AD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+113.05 грн
10+ 105.52 грн
100+ 97.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IXGH30N60C3D1 media-3322335.pdf
IXGH30N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBT Modules High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.26 грн
10+ 414.03 грн
30+ 348.74 грн
IXTH30N60L2 IXT_30N60L2.pdf
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 335nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTH30N60L2 media-3323906.pdf
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1427.49 грн
30+ 1182.51 грн
60+ 991.07 грн
120+ 932.62 грн
270+ 886.12 грн
510+ 842.28 грн
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624.45 грн
2+ 417.93 грн
3+ 417.24 грн
6+ 394.4 грн
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+749.33 грн
2+ 520.8 грн
3+ 500.68 грн
6+ 473.28 грн
IXTH30N60P media-3323016.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+750.94 грн
10+ 702.79 грн
30+ 509.49 грн
120+ 459 грн
270+ 451.7 грн
510+ 405.2 грн
1020+ 373.98 грн
IXTQ30N60L2 media-3323906.pdf
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1343.02 грн
10+ 1166.47 грн
30+ 916.01 грн
60+ 884.13 грн
120+ 834.31 грн
270+ 807.74 грн
510+ 778.51 грн
IXTQ30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+594.64 грн
3+ 395.79 грн
6+ 374.34 грн
IXTQ30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+713.57 грн
3+ 493.21 грн
6+ 449.2 грн
IXTQ30N60P media-3323016.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+712.2 грн
10+ 601.95 грн
30+ 474.28 грн
120+ 435.75 грн
270+ 383.94 грн
510+ 373.98 грн
1020+ 354.05 грн
IXTT30N60L2 media-3323906.pdf
IXTT30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1491.81 грн
10+ 1469.74 грн
30+ 1277.37 грн
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+538.01 грн
3+ 364.65 грн
7+ 344.58 грн
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+645.61 грн
3+ 454.41 грн
7+ 413.5 грн
IXXH30N60B3D1 media-3321928.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+648.65 грн
10+ 593.55 грн
30+ 437.75 грн
120+ 397.23 грн
270+ 385.27 грн
510+ 338.11 грн
1020+ 300.24 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]