Результат пошуку "40n03" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BSO040N03MS G BSO040N03MS G Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 12740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+101.44 грн
10+ 82.83 грн
100+ 55.61 грн
500+ 47.11 грн
1000+ 38.35 грн
2500+ 36.08 грн
5000+ 34.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+94.06 грн
10+ 73.88 грн
100+ 57.47 грн
500+ 45.71 грн
1000+ 37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 19421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+101.44 грн
10+ 80.59 грн
100+ 55.55 грн
500+ 47.04 грн
1000+ 38.35 грн
2500+ 36.08 грн
5000+ 34.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.79 грн
5000+ 35.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DI040N03PT-AQ DI040N03PT-AQ Diotec Semiconductor Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI040N03PT-AQ DI040N03PT-AQ Diotec Semiconductor Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.41 грн
10+ 33.8 грн
100+ 23.54 грн
500+ 17.25 грн
1000+ 14.02 грн
2000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPB240N03S4LR8ATMA1 IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB240N03S4L-R8-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3697fda0476 Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB240N03S4LR8ATMA1 IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB240N03S4L_R8_DS_v01_01_EN-1731652.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.57 грн
10+ 294.76 грн
100+ 207.65 грн
500+ 184.93 грн
1000+ 157.68 грн
2000+ 148.6 грн
IPB240N03S4LR8ATMA1 IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB240N03S4L-R8-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3697fda0476 Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.8 грн
10+ 264.96 грн
100+ 214.34 грн
500+ 178.81 грн
IPB240N03S4LR9ATMA1 IPB240N03S4LR9ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB240N03S4L-R9-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a36984b60479 Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+184.08 грн
Мінімальне замовлення: 106
IPD040N03L G IPD040N03L G Infineon Technologies Infineon_IPD040N03LG_DS_v01_02_en-1227077.pdf MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.52 грн
10+ 66.94 грн
100+ 45.29 грн
500+ 38.35 грн
1000+ 32.77 грн
2500+ 27.84 грн
10000+ 27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.42 грн
7+ 48.53 грн
22+ 37.04 грн
58+ 35.01 грн
500+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+82.11 грн
5+ 60.48 грн
22+ 44.45 грн
58+ 42.02 грн
500+ 41.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Infineon Technologies IPD040N03LG_rev1.01.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.51 грн
10+ 60.23 грн
100+ 46.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Infineon Technologies ipd040n03lg_rev11.02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD40N03S4L08ATMA1 IPD40N03S4L08ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD40N03S4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b3ad6c04d78 Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 482
ISZ040N03L5ISATMA1 ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997 Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.6 грн
10000+ 15.7 грн
Мінімальне замовлення: 5000
ISZ040N03L5ISATMA1 ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISZ040N03L5IS_DataSheet_v02_00_EN-3363641.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.76 грн
10+ 34.1 грн
100+ 22.32 грн
500+ 19.53 грн
1000+ 15.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
ISZ040N03L5ISATMA1 ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997 Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 19765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.43 грн
10+ 40.83 грн
100+ 28.25 грн
500+ 22.15 грн
1000+ 18.86 грн
2000+ 16.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
MCAC40N03A-TP MCAC40N03A-TP Micro Commercial Co MCAC40N03A(DFN5060).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.2 грн
10+ 30.69 грн
100+ 21.28 грн
500+ 16.68 грн
1000+ 14.2 грн
2000+ 12.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTD40N03R-001 NTD40N03R-001 onsemi ntd40n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 2219
NTD40N03R-1G NTD40N03R-1G onsemi ntd40n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 351580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 1402
NTD40N03RT4 NTD40N03RT4 onsemi ntd40n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 2219
OSX040N03-C OSX040N03-C ATGBICS mmo_87099552_1651680612_1852_22205.pdf Description: 10GBASE-SR SFP+ 850nm 300m
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP+
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 10Gbps
Part Status: Active
на замовлення 8071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1853.79 грн
50+ 1697.69 грн
150+ 1610.32 грн
1000+ 1429.22 грн
RTR040N03HZGTL RTR040N03HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.05 грн
6000+ 14.64 грн
9000+ 13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RTR040N03HZGTL RTR040N03HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Nch 30V 4A Small Signal MOSFET for Automotive. RTR040N03HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications.
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.04 грн
10+ 39.18 грн
100+ 23.55 грн
500+ 19.66 грн
1000+ 16.74 грн
3000+ 14.6 грн
6000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTR040N03HZGTL RTR040N03HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.12 грн
10+ 35.28 грн
100+ 24.4 грн
500+ 19.13 грн
1000+ 16.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.5 грн
5000+ 29.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.62 грн
10+ 61.92 грн
100+ 48.15 грн
500+ 38.3 грн
1000+ 31.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.04 грн
12+ 29.2 грн
25+ 20.41 грн
54+ 14.53 грн
148+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+57.65 грн
7+ 36.39 грн
25+ 24.5 грн
54+ 17.44 грн
148+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.09 грн
6000+ 7.47 грн
9000+ 6.72 грн
30000+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 58217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.48 грн
13+ 22.44 грн
100+ 13.44 грн
500+ 11.68 грн
1000+ 7.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.4 грн
12+ 24.92 грн
100+ 12.07 грн
1000+ 8.18 грн
3000+ 7.2 грн
9000+ 6.49 грн
24000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
TSM240N03CX RFG TAI-SEM Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6,5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM240N03CX RFG TSM240N03CX TTSM240n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
TSM240N03CX RFG-ML TSM240N03CX RFG-ML MOSLEADER Description: N-Channel 30V 6.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.24 грн
3000+ 2.84 грн
6000+ 2.75 грн
15000+ 2.49 грн
30000+ 2.4 грн
75000+ 2.18 грн
150000+ 2.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 11512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.38 грн
12+ 22.58 грн
100+ 15.7 грн
500+ 11.51 грн
1000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.6 грн
12+ 25.15 грн
100+ 15.18 грн
500+ 11.87 грн
1000+ 9.67 грн
3000+ 8.18 грн
9000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.25 грн
6000+ 8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AP40N03
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03GH
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03H ANPEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03H ANPEC 07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03J ANPEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03J ANPEC 07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03S AP 03+
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MS G
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MSG INF 08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MSGXUMA1 Infineon BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03LTM
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ME40N03
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD40N03RT4G ON 09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD40N03
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD40N03G
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD40N03R ON 07+ SOT-252
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD40N03R ON SOT-252
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MS G BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf
BSO040N03MS G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 12740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.44 грн
10+ 82.83 грн
100+ 55.61 грн
500+ 47.11 грн
1000+ 38.35 грн
2500+ 36.08 грн
5000+ 34.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+94.06 грн
10+ 73.88 грн
100+ 57.47 грн
500+ 45.71 грн
1000+ 37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 19421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.44 грн
10+ 80.59 грн
100+ 55.55 грн
500+ 47.04 грн
1000+ 38.35 грн
2500+ 36.08 грн
5000+ 34.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO040N03MSGXUMA1 bso040n03ms_rev1.0.pdf
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.79 грн
5000+ 35.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DI040N03PT-AQ
DI040N03PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI040N03PT-AQ
DI040N03PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.41 грн
10+ 33.8 грн
100+ 23.54 грн
500+ 17.25 грн
1000+ 14.02 грн
2000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon-IPB240N03S4L-R8-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3697fda0476
IPB240N03S4LR8ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+169.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon_IPB240N03S4L_R8_DS_v01_01_EN-1731652.pdf
IPB240N03S4LR8ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+356.57 грн
10+ 294.76 грн
100+ 207.65 грн
500+ 184.93 грн
1000+ 157.68 грн
2000+ 148.6 грн
IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon-IPB240N03S4L-R8-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3697fda0476
IPB240N03S4LR8ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.8 грн
10+ 264.96 грн
100+ 214.34 грн
500+ 178.81 грн
IPB240N03S4LR9ATMA1 Infineon-IPB240N03S4L-R9-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a36984b60479
IPB240N03S4LR9ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
106+184.08 грн
Мінімальне замовлення: 106
IPD040N03L G Infineon_IPD040N03LG_DS_v01_02_en-1227077.pdf
IPD040N03L G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.52 грн
10+ 66.94 грн
100+ 45.29 грн
500+ 38.35 грн
1000+ 32.77 грн
2500+ 27.84 грн
10000+ 27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG-DTE.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+68.42 грн
7+ 48.53 грн
22+ 37.04 грн
58+ 35.01 грн
500+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG-DTE.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.11 грн
5+ 60.48 грн
22+ 44.45 грн
58+ 42.02 грн
500+ 41.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG_rev1.01.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.51 грн
10+ 60.23 грн
100+ 46.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD040N03LGATMA1 ipd040n03lg_rev11.02.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD40N03S4L08ATMA1 Infineon-IPD40N03S4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b3ad6c04d78
IPD40N03S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
482+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 482
ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997
ISZ040N03L5ISATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+17.6 грн
10000+ 15.7 грн
Мінімальне замовлення: 5000
ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon_ISZ040N03L5IS_DataSheet_v02_00_EN-3363641.pdf
ISZ040N03L5ISATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.76 грн
10+ 34.1 грн
100+ 22.32 грн
500+ 19.53 грн
1000+ 15.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997
ISZ040N03L5ISATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 19765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.43 грн
10+ 40.83 грн
100+ 28.25 грн
500+ 22.15 грн
1000+ 18.86 грн
2000+ 16.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
MCAC40N03A-TP MCAC40N03A(DFN5060).pdf
MCAC40N03A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.2 грн
10+ 30.69 грн
100+ 21.28 грн
500+ 16.68 грн
1000+ 14.2 грн
2000+ 12.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTD40N03R-001 ntd40n03r-d.pdf
NTD40N03R-001
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 2219
NTD40N03R-1G ntd40n03r-d.pdf
NTD40N03R-1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 351580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1402+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 1402
NTD40N03RT4 ntd40n03r-d.pdf
NTD40N03RT4
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 2219
OSX040N03-C mmo_87099552_1651680612_1852_22205.pdf
OSX040N03-C
Виробник: ATGBICS
Description: 10GBASE-SR SFP+ 850nm 300m
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP+
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 10Gbps
Part Status: Active
на замовлення 8071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1853.79 грн
50+ 1697.69 грн
150+ 1610.32 грн
1000+ 1429.22 грн
RTR040N03HZGTL datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR040N03HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.05 грн
6000+ 14.64 грн
9000+ 13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RTR040N03HZGTL datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR040N03HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 30V 4A Small Signal MOSFET for Automotive. RTR040N03HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications.
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.04 грн
10+ 39.18 грн
100+ 23.55 грн
500+ 19.66 грн
1000+ 16.74 грн
3000+ 14.6 грн
6000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTR040N03HZGTL datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR040N03HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.12 грн
10+ 35.28 грн
100+ 24.4 грн
500+ 19.13 грн
1000+ 16.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
TSM040N03CP ROG
TSM040N03CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.5 грн
5000+ 29.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM040N03CP ROG
TSM040N03CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.62 грн
10+ 61.92 грн
100+ 48.15 грн
500+ 38.3 грн
1000+ 31.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
TSM240N03CX RFG
TSM240N03CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+48.04 грн
12+ 29.2 грн
25+ 20.41 грн
54+ 14.53 грн
148+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM240N03CX RFG
TSM240N03CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.65 грн
7+ 36.39 грн
25+ 24.5 грн
54+ 17.44 грн
148+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM240N03CX RFG
TSM240N03CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.09 грн
6000+ 7.47 грн
9000+ 6.72 грн
30000+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TSM240N03CX RFG
TSM240N03CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 58217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.48 грн
13+ 22.44 грн
100+ 13.44 грн
500+ 11.68 грн
1000+ 7.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
TSM240N03CX RFG
TSM240N03CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.4 грн
12+ 24.92 грн
100+ 12.07 грн
1000+ 8.18 грн
3000+ 7.2 грн
9000+ 6.49 грн
24000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
TSM240N03CX RFG
Виробник: TAI-SEM
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6,5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM240N03CX RFG TSM240N03CX TTSM240n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
TSM240N03CX RFG-ML
TSM240N03CX RFG-ML
Виробник: MOSLEADER
Description: N-Channel 30V 6.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+3.24 грн
3000+ 2.84 грн
6000+ 2.75 грн
15000+ 2.49 грн
30000+ 2.4 грн
75000+ 2.18 грн
150000+ 2.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TSM240N03CX6 RFG
TSM240N03CX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 11512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.38 грн
12+ 22.58 грн
100+ 15.7 грн
500+ 11.51 грн
1000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
TSM240N03CX6 RFG
TSM240N03CX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.6 грн
12+ 25.15 грн
100+ 15.18 грн
500+ 11.87 грн
1000+ 9.67 грн
3000+ 8.18 грн
9000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
TSM240N03CX6 RFG
TSM240N03CX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.25 грн
6000+ 8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AP40N03
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03GH
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03H
Виробник: ANPEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03H
Виробник: ANPEC
07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03J
Виробник: ANPEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03J
Виробник: ANPEC
07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP40N03S
Виробник: AP
03+
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MS G
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MSG
Виробник: INF
08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03L
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB140N03LTM
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ME40N03
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD40N03RT4G
Виробник: ON
09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD40N03
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD40N03G
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD40N03R
Виробник: ON
07+ SOT-252
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD40N03R
Виробник: ON
SOT-252
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]