Результат пошуку "40n06" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
40N06 40N06 UMW UMW%2040N06.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.24 грн
10+ 36.69 грн
100+ 25.38 грн
500+ 19.9 грн
1000+ 16.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ040N06LS5_DataSheet_v02_03_EN-3360960.pdf MOSFET MV POWER MOS
на замовлення 21115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.43 грн
10+ 94.82 грн
100+ 65.63 грн
500+ 55.21 грн
1000+ 44.52 грн
5000+ 43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46 грн
10000+ 42.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 111646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.31 грн
10+ 84.79 грн
100+ 67.47 грн
500+ 53.58 грн
1000+ 45.46 грн
2000+ 43.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz040n06ls5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DH240N06LD WXDH Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024N, IRLR024NTR, IRLR024NTRL, IRLR024NTRL; DH240N06LD DONGHAI TDH240n06ld
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDI040N06 FDI040N06 Fairchild Semiconductor FAIRS33787-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+122.55 грн
Мінімальне замовлення: 162
FDP040N06 FDP040N06 Fairchild Semiconductor FAIRS33788-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+123.21 грн
Мінімальне замовлення: 161
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUZ40N06S5L050_DataSheet_v01_03_EN-2942441.pdf MOSFET MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.96 грн
10+ 78.13 грн
100+ 52.77 грн
500+ 44.72 грн
1000+ 38.39 грн
5000+ 32.65 грн
10000+ 32.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1 Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.19 грн
10+ 70.08 грн
100+ 54.53 грн
500+ 43.37 грн
1000+ 35.33 грн
2000+ 33.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9 Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUZ40N06S5N050_DataSheet_v01_00_EN-1863873.pdf MOSFET MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.73 грн
10+ 71.99 грн
100+ 49.27 грн
500+ 42.08 грн
1000+ 33.57 грн
2500+ 32.65 грн
5000+ 31.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9 Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 10285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.05 грн
10+ 68.64 грн
100+ 53.38 грн
500+ 42.46 грн
1000+ 34.59 грн
2000+ 32.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4 Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4 Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.5 грн
10+ 49.95 грн
100+ 38.83 грн
500+ 30.89 грн
1000+ 25.17 грн
2000+ 23.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPA040N06NM5SXKSA1 IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.87 грн
50+ 96.58 грн
100+ 79.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA040N06NM5SXKSA1 IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA040N06NM5S_DataSheet_v02_01_EN-3362256.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.36 грн
10+ 100.89 грн
100+ 72.56 грн
250+ 71.9 грн
500+ 64.44 грн
1000+ 52.37 грн
5000+ 50.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 Infineon Technologies DS_IPA040N06N_2_1-1622357.pdf MOSFET MV POWER MOS
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.08 грн
10+ 167.64 грн
100+ 118.07 грн
500+ 87.07 грн
1000+ 72.56 грн
2500+ 71.24 грн
5000+ 68.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 Infineon Technologies DS_IPA040N06N_2_1.pdf?fileId=5546d46146d18cb40146f637013454ad Description: MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.82 грн
10+ 131.58 грн
100+ 104.75 грн
500+ 83.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 Infineon Technologies 129ds_ipa040n06n_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.1 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.91 грн
6+ 65.96 грн
10+ 58.4 грн
16+ 52.22 грн
43+ 49.47 грн
250+ 48.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 493 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+95.9 грн
4+ 82.2 грн
10+ 70.08 грн
16+ 62.66 грн
43+ 59.36 грн
250+ 58.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+142.7 грн
10+ 114.4 грн
100+ 91.05 грн
500+ 72.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPI040N06N3_G_DS_v02_01_EN-3362814.pdf MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 184-193 дні (днів)
2+155.45 грн
10+ 126.68 грн
100+ 88.39 грн
250+ 84.43 грн
500+ 73.88 грн
1000+ 60.02 грн
5000+ 58.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP040N06N IPP040N06N Infineon Technologies Infineon_IPP040N06N_DS_v02_02_en-1227329.pdf MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.14 грн
10+ 117.58 грн
100+ 81.79 грн
250+ 77.17 грн
500+ 65.04 грн
1000+ 58.18 грн
2500+ 55.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3 G IPP040N06N3 G Infineon Technologies Infineon_IPP040N06N3_G_DS_v02_00_EN-3362564.pdf MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.6 грн
10+ 124.4 грн
100+ 85.75 грн
250+ 79.15 грн
500+ 71.9 грн
1000+ 61.34 грн
2500+ 58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.19 грн
5+ 79.02 грн
10+ 72.14 грн
13+ 65.27 грн
34+ 61.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+98.03 грн
10+ 80.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 620 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+98.47 грн
10+ 86.57 грн
13+ 78.33 грн
34+ 73.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP040N06N3_G_DS_v02_00_EN-3362564.pdf MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.74 грн
10+ 91.78 грн
100+ 69.92 грн
250+ 57.58 грн
500+ 57.39 грн
1000+ 56.92 грн
5000+ 56.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.85 грн
50+ 108.29 грн
100+ 89.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies IPP040N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132 грн
50+ 101.91 грн
100+ 83.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies ipp040n06n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP040N06N_DS_v02_02_en-1227329.pdf MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.14 грн
10+ 113.78 грн
100+ 81.79 грн
500+ 65.96 грн
1000+ 55.28 грн
5000+ 53.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86 Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.91 грн
50+ 65.52 грн
100+ 51.92 грн
500+ 41.3 грн
1000+ 33.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies infineon-ipp040n06nf2s-datasheet-v02_02-en.pdf TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP040N06NF2S_DataSheet_v02_02_EN-3362698.pdf MOSFET
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.81 грн
10+ 74.11 грн
100+ 50.2 грн
500+ 42.48 грн
1000+ 34.63 грн
2000+ 32.58 грн
5000+ 31.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Vishay Siliconix sqd40n06-14l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.63 грн
6000+ 45.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Vishay Siliconix sqd40n06-14l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
на замовлення 6162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.74 грн
10+ 86.3 грн
100+ 68.66 грн
500+ 54.53 грн
1000+ 46.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Vishay Semiconductors sqd40n06-14l.pdf MOSFET 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 57108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.74 грн
10+ 95.58 грн
100+ 66.62 грн
250+ 63.78 грн
500+ 55.67 грн
1000+ 47.69 грн
2000+ 45.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSM340N06CH X0G TSM340N06CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 10539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.09 грн
75+ 37.78 грн
150+ 27.42 грн
525+ 21.5 грн
1050+ 18.3 грн
2025+ 16.3 грн
5025+ 15.19 грн
10050+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
TSM340N06CP ROG TSM340N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 29212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.04 грн
5000+ 16.45 грн
12500+ 15.23 грн
25000+ 14.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM340N06CP ROG TSM340N06CP ROG Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 25A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.56 грн
10+ 44 грн
100+ 26.58 грн
500+ 22.23 грн
1000+ 18.86 грн
2500+ 16.75 грн
5000+ 15.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM340N06CP ROG TSM340N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 29212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.09 грн
10+ 39.58 грн
100+ 27.42 грн
500+ 21.5 грн
1000+ 18.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD640N06L G Infineon
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD640N06LG INFINEON 09= SC70-4
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD640N06LG infineon to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD640N06LG INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD640N06LG infineon 07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP040N06N3 G Infineon
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP040N06N3G Infineon technologies INFNS17005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP040N06N3GXK Infineon technologies
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP40N06
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP40N06M
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P40N06M
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHP40N06
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SDH40N06P SW 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SDL40N06P SW 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
40N06 UMW%2040N06.pdf
40N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.24 грн
10+ 36.69 грн
100+ 25.38 грн
500+ 19.9 грн
1000+ 16.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon_BSZ040N06LS5_DataSheet_v02_03_EN-3360960.pdf
BSZ040N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MV POWER MOS
на замовлення 21115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.43 грн
10+ 94.82 грн
100+ 65.63 грн
500+ 55.21 грн
1000+ 44.52 грн
5000+ 43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa
BSZ040N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+46 грн
10000+ 42.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa
BSZ040N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 111646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.31 грн
10+ 84.79 грн
100+ 67.47 грн
500+ 53.58 грн
1000+ 45.46 грн
2000+ 43.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ040N06LS5ATMA1 infineon-bsz040n06ls5-datasheet-v02_03-en.pdf
BSZ040N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DH240N06LD
Виробник: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024N, IRLR024NTR, IRLR024NTRL, IRLR024NTRL; DH240N06LD DONGHAI TDH240n06ld
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDI040N06 FAIRS33787-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDI040N06
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
162+122.55 грн
Мінімальне замовлення: 162
FDP040N06 FAIRS33788-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDP040N06
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
161+123.21 грн
Мінімальне замовлення: 161
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon_IAUZ40N06S5L050_DataSheet_v01_03_EN-2942441.pdf
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.96 грн
10+ 78.13 грн
100+ 52.77 грн
500+ 44.72 грн
1000+ 38.39 грн
5000+ 32.65 грн
10000+ 32.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.19 грн
10+ 70.08 грн
100+ 54.53 грн
500+ 43.37 грн
1000+ 35.33 грн
2000+ 33.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9
IAUZ40N06S5N050ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon_IAUZ40N06S5N050_DataSheet_v01_00_EN-1863873.pdf
IAUZ40N06S5N050ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.73 грн
10+ 71.99 грн
100+ 49.27 грн
500+ 42.08 грн
1000+ 33.57 грн
2500+ 32.65 грн
5000+ 31.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9
IAUZ40N06S5N050ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 10285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.05 грн
10+ 68.64 грн
100+ 53.38 грн
500+ 42.46 грн
1000+ 34.59 грн
2000+ 32.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.5 грн
10+ 49.95 грн
100+ 38.83 грн
500+ 30.89 грн
1000+ 25.17 грн
2000+ 23.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa
IPA040N06NM5SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.87 грн
50+ 96.58 грн
100+ 79.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon_IPA040N06NM5S_DataSheet_v02_01_EN-3362256.pdf
IPA040N06NM5SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.36 грн
10+ 100.89 грн
100+ 72.56 грн
250+ 71.9 грн
500+ 64.44 грн
1000+ 52.37 грн
5000+ 50.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA040N06NXKSA1 DS_IPA040N06N_2_1-1622357.pdf
IPA040N06NXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MV POWER MOS
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.08 грн
10+ 167.64 грн
100+ 118.07 грн
500+ 87.07 грн
1000+ 72.56 грн
2500+ 71.24 грн
5000+ 68.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA040N06NXKSA1 DS_IPA040N06N_2_1.pdf?fileId=5546d46146d18cb40146f637013454ad
IPA040N06NXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.82 грн
10+ 131.58 грн
100+ 104.75 грн
500+ 83.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA040N06NXKSA1 129ds_ipa040n06n_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
IPA040N06NXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+51.1 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3G-DTE.pdf
IPI040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.91 грн
6+ 65.96 грн
10+ 58.4 грн
16+ 52.22 грн
43+ 49.47 грн
250+ 48.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3G-DTE.pdf
IPI040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 493 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+95.9 грн
4+ 82.2 грн
10+ 70.08 грн
16+ 62.66 грн
43+ 59.36 грн
250+ 58.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPI040N06N3GXKSA1
IPI040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142.7 грн
10+ 114.4 грн
100+ 91.05 грн
500+ 72.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI040N06N3GXKSA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPI040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPI040N06N3GXKSA1 Infineon_IPI040N06N3_G_DS_v02_01_EN-3362814.pdf
IPI040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 184-193 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.45 грн
10+ 126.68 грн
100+ 88.39 грн
250+ 84.43 грн
500+ 73.88 грн
1000+ 60.02 грн
5000+ 58.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP040N06N Infineon_IPP040N06N_DS_v02_02_en-1227329.pdf
IPP040N06N
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.14 грн
10+ 117.58 грн
100+ 81.79 грн
250+ 77.17 грн
500+ 65.04 грн
1000+ 58.18 грн
2500+ 55.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3 G Infineon_IPP040N06N3_G_DS_v02_00_EN-3362564.pdf
IPP040N06N3 G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.6 грн
10+ 124.4 грн
100+ 85.75 грн
250+ 79.15 грн
500+ 71.9 грн
1000+ 61.34 грн
2500+ 58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3G-DTE.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.19 грн
5+ 79.02 грн
10+ 72.14 грн
13+ 65.27 грн
34+ 61.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon
Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.03 грн
10+ 80.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3G-DTE.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 620 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.47 грн
10+ 86.57 грн
13+ 78.33 грн
34+ 73.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1 Infineon_IPP040N06N3_G_DS_v02_00_EN-3362564.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.74 грн
10+ 91.78 грн
100+ 69.92 грн
250+ 57.58 грн
500+ 57.39 грн
1000+ 56.92 грн
5000+ 56.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP040N06N3GXKSA1
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.85 грн
50+ 108.29 грн
100+ 89.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942
IPP040N06NAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132 грн
50+ 101.91 грн
100+ 83.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06NAKSA1 ipp040n06n_rev2.0.pdf
IPP040N06NAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP040N06NAKSA1 Infineon_IPP040N06N_DS_v02_02_en-1227329.pdf
IPP040N06NAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.14 грн
10+ 113.78 грн
100+ 81.79 грн
500+ 65.96 грн
1000+ 55.28 грн
5000+ 53.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86
IPP040N06NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.91 грн
50+ 65.52 грн
100+ 51.92 грн
500+ 41.3 грн
1000+ 33.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP040N06NF2SAKMA1 infineon-ipp040n06nf2s-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon_IPP040N06NF2S_DataSheet_v02_02_EN-3362698.pdf
IPP040N06NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.81 грн
10+ 74.11 грн
100+ 50.2 грн
500+ 42.48 грн
1000+ 34.63 грн
2000+ 32.58 грн
5000+ 31.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQD40N06-14L_GE3 sqd40n06-14l.pdf
SQD40N06-14L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+48.63 грн
6000+ 45.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SQD40N06-14L_GE3 sqd40n06-14l.pdf
SQD40N06-14L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
на замовлення 6162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.74 грн
10+ 86.3 грн
100+ 68.66 грн
500+ 54.53 грн
1000+ 46.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQD40N06-14L_GE3 sqd40n06-14l.pdf
SQD40N06-14L_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 57108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.74 грн
10+ 95.58 грн
100+ 66.62 грн
250+ 63.78 грн
500+ 55.67 грн
1000+ 47.69 грн
2000+ 45.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSM340N06CH X0G
TSM340N06CH X0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 10539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.09 грн
75+ 37.78 грн
150+ 27.42 грн
525+ 21.5 грн
1050+ 18.3 грн
2025+ 16.3 грн
5025+ 15.19 грн
10050+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
TSM340N06CP ROG
TSM340N06CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 29212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.04 грн
5000+ 16.45 грн
12500+ 15.23 грн
25000+ 14.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM340N06CP ROG
TSM340N06CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 60V, 25A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.56 грн
10+ 44 грн
100+ 26.58 грн
500+ 22.23 грн
1000+ 18.86 грн
2500+ 16.75 грн
5000+ 15.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM340N06CP ROG
TSM340N06CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 29212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.09 грн
10+ 39.58 грн
100+ 27.42 грн
500+ 21.5 грн
1000+ 18.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD640N06L G
Виробник: Infineon
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD640N06LG
Виробник: INFINEON
09= SC70-4
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD640N06LG
Виробник: infineon
to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD640N06LG
Виробник: INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD640N06LG
Виробник: infineon
07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP040N06N3 G
Виробник: Infineon
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP040N06N3G INFNS17005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP040N06N3GXK
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP40N06
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP40N06M
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P40N06M
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHP40N06
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SDH40N06P
Виробник: SW
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SDL40N06P
Виробник: SW
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]