Результат пошуку "4n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1+60 грн
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627
Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 40 шт
1+285 грн
10+ 269 грн
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298
FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 36 шт
1+35 грн
10+ 31.1 грн
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
25C24-N60 25C24-N60 Advanced Energy HP8C-30CDS-1137777.pdf Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+103830.34 грн
25C24-N60-I5-AD-DA Advanced Energy en_hv_ultravolt_high_power_8c_30c_series_data_shee-1893157.pdf Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+116440.39 грн
4C24-N60 4C24-N60 Advanced Energy ENG_HPCSeriesDS_230_AA-1137704.pdf Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+82087.48 грн
5+ 79532 грн
10+ 67961.81 грн
25+ 64606.42 грн
50+ 62599.71 грн
100+ 62582.43 грн
250+ 62567.14 грн
AOD4N60 ALPHA&OMEGA AOD4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOT4N60 AOT4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT4N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.87 грн
50+ 51.68 грн
100+ 40.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOTF4N60 AOTF4N60 Alpha & Omega Semiconductor 140679803765478aot4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA AOTF4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOTF4N60L AOTF4N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF4N60.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.84 грн
50+ 47.57 грн
100+ 37.69 грн
500+ 29.99 грн
1000+ 24.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOU4N60 AOU4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOU4N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 3973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.99 грн
10+ 50.2 грн
100+ 39.05 грн
500+ 31.07 грн
1000+ 25.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
APT94N60L2C3G APT94N60L2C3G Microchip Technology 7311-apt94n60l2c3-datasheet MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 94 A TO-264 MAX
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1813.84 грн
10+ 1776.47 грн
25+ 1540.1 грн
100+ 1394.53 грн
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
25+ 18.21 грн
60+ 13.8 грн
165+ 13.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+26.13 грн
25+ 22.69 грн
60+ 16.56 грн
165+ 15.65 грн
2500+ 15.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
FCD4N60TM FCD4N60TM ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi / Fairchild FCD4N60_D-2311580.pdf MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.42 грн
10+ 60.77 грн
100+ 45.53 грн
250+ 45.47 грн
500+ 42.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi fcd4n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.9 грн
5000+ 43.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi fcd4n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 10253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.26 грн
10+ 83.16 грн
100+ 66.23 грн
500+ 52.59 грн
1000+ 44.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCH104N60F FCH104N60F onsemi / Fairchild FCH104N60F_D-2312085.pdf MOSFET N-Channel SuperFET
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.35 грн
10+ 408.19 грн
30+ 257.9 грн
120+ 237.96 грн
270+ 230.65 грн
510+ 227.33 грн
1020+ 222.67 грн
FCH104N60F FCH104N60F onsemi fch104n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.92 грн
30+ 340.24 грн
120+ 304.42 грн
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi / Fairchild FCH104N60F_F085_D-2311862.pdf MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.82 грн
10+ 368.44 грн
30+ 254.58 грн
120+ 212.7 грн
270+ 206.72 грн
1020+ 206.06 грн
2520+ 201.4 грн
FCP104N60 FCP104N60 onsemi / Fairchild FCP104N60_D-2312015.pdf MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.94 грн
10+ 355.45 грн
50+ 254.58 грн
100+ 225.33 грн
250+ 224 грн
500+ 182.79 грн
1000+ 180.13 грн
FCP104N60 FCP104N60 onsemi fcp104n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.62 грн
50+ 303.72 грн
100+ 260.33 грн
500+ 217.17 грн
1000+ 185.95 грн
FCP104N60F FCP104N60F onsemi fcp104n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.78 грн
50+ 305.05 грн
100+ 261.47 грн
500+ 218.12 грн
FCP104N60F FCP104N60F onsemi / Fairchild FCP104N60F_D-2312209.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.57 грн
10+ 378.38 грн
50+ 323.04 грн
100+ 267.21 грн
250+ 262.55 грн
500+ 229.98 грн
1000+ 184.79 грн
FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.48 грн
30+ 406.32 грн
120+ 363.55 грн
FQA24N60 FQA24N60 onsemi / Fairchild FQA24N60_D-2313874.pdf MOSFET 600V N-Channel QFET
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.28 грн
10+ 454.05 грн
30+ 348.3 грн
120+ 346.31 грн
270+ 309.75 грн
510+ 291.14 грн
1020+ 265.88 грн
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+260.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGU04N60T Infineon Technologies Infineon_IGU04N60T_DS_v02_01_EN-3360256.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.46 грн
10+ 60.39 грн
100+ 41.61 грн
500+ 35.23 грн
1000+ 28.71 грн
1500+ 26.99 грн
4500+ 25.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGU04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.58 грн
10+ 55.39 грн
22+ 37.8 грн
59+ 35.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGU04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.9 грн
10+ 69.03 грн
22+ 45.37 грн
59+ 42.87 грн
1800+ 41.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf 8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN-2320596.pdf IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.55 грн
10+ 56.03 грн
100+ 37.89 грн
500+ 32.17 грн
1000+ 26.12 грн
2500+ 24.59 грн
5000+ 23.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.99 грн
10+ 50.48 грн
100+ 39.23 грн
500+ 31.21 грн
1000+ 25.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.57 грн
5000+ 21.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 14761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.8 грн
10+ 44.87 грн
100+ 34.92 грн
500+ 27.78 грн
1000+ 22.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362086.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 10901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.04 грн
10+ 49.92 грн
100+ 33.83 грн
500+ 28.65 грн
1000+ 23.4 грн
2500+ 21.27 грн
5000+ 20.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.75 грн
10+ 55.05 грн
100+ 42.84 грн
500+ 34.08 грн
1000+ 27.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN-3362143.pdf IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.99 грн
10+ 56.64 грн
100+ 40.55 грн
500+ 35.03 грн
1000+ 28.58 грн
2500+ 26.92 грн
5000+ 25.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760 Description: IGBT 600V 7.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/126ns
Switching Energy: 95µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 6.8 W
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.08 грн
10+ 46.6 грн
100+ 32.28 грн
500+ 25.32 грн
1000+ 21.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3362293.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.56 грн
10+ 52.67 грн
100+ 31.24 грн
500+ 26.06 грн
1000+ 22.8 грн
3000+ 19.34 грн
6000+ 18.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.44 грн
5+ 79.62 грн
10+ 70.62 грн
14+ 60.93 грн
37+ 58.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 376 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+99.22 грн
10+ 84.75 грн
14+ 73.12 грн
37+ 69.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 Infineon Technologies IKP04N60T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/164ns
Switching Energy: 143µJ
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 42 W
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.57 грн
10+ 85.86 грн
100+ 66.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS media-3322041.pdf MOSFET 600V 14A
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.07 грн
10+ 249.96 грн
50+ 192.76 грн
100+ 161.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+464.39 грн
3+ 402.94 грн
4+ 293.3 грн
10+ 277.51 грн
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS IXFA(H,P)14N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS media-3322041.pdf MOSFET 600V 14A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.64 грн
10+ 360.8 грн
30+ 304.43 грн
120+ 249.93 грн
270+ 243.94 грн
IXFH24N60X IXFH24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+556.55 грн
3+ 365.84 грн
8+ 332.35 грн
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 164ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+564.61 грн
3+ 484.05 грн
6+ 441.19 грн
10+ 439.53 грн
30+ 424.57 грн
IXFK44N60 IXFK44N60 IXYS media-3322562.pdf MOSFET DIODE Id44 BVdass600
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2022.45 грн
10+ 1855.2 грн
25+ 1371.27 грн
100+ 1346.67 грн
250+ 1256.94 грн
500+ 1161.22 грн
1000+ 1155.91 грн
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n60p3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1130W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 100mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1190.06 грн
2+ 786.03 грн
3+ 756.09 грн
4+ 715.38 грн
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS media-3319429.pdf MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1001.92 грн
10+ 869.89 грн
25+ 735.82 грн
50+ 694.61 грн
100+ 654.06 грн
250+ 633.45 грн
500+ 618.83 грн
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n60q3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1250W
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 190nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2375.65 грн
2+ 2166.56 грн
3+ 2085.48 грн
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS media-3319465.pdf description Discrete Semiconductor Modules 600V 64A
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2493.94 грн
10+ 2228.23 грн
50+ 1851.18 грн
100+ 1694.31 грн
1000+ 1660.41 грн
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
у наявності: 1 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60 грн
SPW24N60C3
Код товару: 37627
SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 40 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+285 грн
10+ 269 грн
SSS4N60B
Код товару: 27298
ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 36 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+35 грн
10+ 31.1 грн
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
25C24-N60 HP8C-30CDS-1137777.pdf
25C24-N60
Виробник: Advanced Energy
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+103830.34 грн
25C24-N60-I5-AD-DA en_hv_ultravolt_high_power_8c_30c_series_data_shee-1893157.pdf
Виробник: Advanced Energy
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+116440.39 грн
4C24-N60 ENG_HPCSeriesDS_230_AA-1137704.pdf
4C24-N60
Виробник: Advanced Energy
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+82087.48 грн
5+ 79532 грн
10+ 67961.81 грн
25+ 64606.42 грн
50+ 62599.71 грн
100+ 62582.43 грн
250+ 62567.14 грн
AOD4N60 AOD4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+41.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.87 грн
50+ 51.68 грн
100+ 40.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOTF4N60 140679803765478aot4n60.pdf
AOTF4N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AOTF4N60 AOTF4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOTF4N60L AOTF4N60.pdf
AOTF4N60L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.84 грн
50+ 47.57 грн
100+ 37.69 грн
500+ 29.99 грн
1000+ 24.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOU4N60 AOU4N60.pdf
AOU4N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 3973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.99 грн
10+ 50.2 грн
100+ 39.05 грн
500+ 31.07 грн
1000+ 25.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
APT94N60L2C3G 7311-apt94n60l2c3-datasheet
APT94N60L2C3G
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 94 A TO-264 MAX
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1813.84 грн
10+ 1776.47 грн
25+ 1540.1 грн
100+ 1394.53 грн
BXP4N60D
BXP4N60D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+21.77 грн
25+ 18.21 грн
60+ 13.8 грн
165+ 13.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
BXP4N60D
BXP4N60D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+26.13 грн
25+ 22.69 грн
60+ 16.56 грн
165+ 15.65 грн
2500+ 15.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
FCD4N60TM 3905510950678826fcd4n60.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD4N60TM FCD4N60_D-2311580.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.42 грн
10+ 60.77 грн
100+ 45.53 грн
250+ 45.47 грн
500+ 42.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.9 грн
5000+ 43.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 10253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.26 грн
10+ 83.16 грн
100+ 66.23 грн
500+ 52.59 грн
1000+ 44.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCH104N60F FCH104N60F_D-2312085.pdf
FCH104N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+482.35 грн
10+ 408.19 грн
30+ 257.9 грн
120+ 237.96 грн
270+ 230.65 грн
510+ 227.33 грн
1020+ 222.67 грн
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+442.92 грн
30+ 340.24 грн
120+ 304.42 грн
FCH104N60F-F085 FCH104N60F_F085_D-2311862.pdf
FCH104N60F-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+435.82 грн
10+ 368.44 грн
30+ 254.58 грн
120+ 212.7 грн
270+ 206.72 грн
1020+ 206.06 грн
2520+ 201.4 грн
FCP104N60 FCP104N60_D-2312015.pdf
FCP104N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.94 грн
10+ 355.45 грн
50+ 254.58 грн
100+ 225.33 грн
250+ 224 грн
500+ 182.79 грн
1000+ 180.13 грн
FCP104N60 fcp104n60-d.pdf
FCP104N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+397.62 грн
50+ 303.72 грн
100+ 260.33 грн
500+ 217.17 грн
1000+ 185.95 грн
FCP104N60F fcp104n60f-d.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+399.78 грн
50+ 305.05 грн
100+ 261.47 грн
500+ 218.12 грн
FCP104N60F FCP104N60F_D-2312209.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+443.57 грн
10+ 378.38 грн
50+ 323.04 грн
100+ 267.21 грн
250+ 262.55 грн
500+ 229.98 грн
1000+ 184.79 грн
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+528.48 грн
30+ 406.32 грн
120+ 363.55 грн
FQA24N60 FQA24N60_D-2313874.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel QFET
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+541.28 грн
10+ 454.05 грн
30+ 348.3 грн
120+ 346.31 грн
270+ 309.75 грн
510+ 291.14 грн
1020+ 265.88 грн
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+260.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGU04N60T Infineon_IGU04N60T_DS_v02_01_EN-3360256.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.46 грн
10+ 60.39 грн
100+ 41.61 грн
500+ 35.23 грн
1000+ 28.71 грн
1500+ 26.99 грн
4500+ 25.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60T.pdf
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+71.58 грн
10+ 55.39 грн
22+ 37.8 грн
59+ 35.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60T.pdf
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.9 грн
10+ 69.03 грн
22+ 45.37 грн
59+ 42.87 грн
1800+ 41.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Виробник: Infineon
8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKD04N60RATMA1 Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN-2320596.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.55 грн
10+ 56.03 грн
100+ 37.89 грн
500+ 32.17 грн
1000+ 26.12 грн
2500+ 24.59 грн
5000+ 23.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RATMA1 Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD04N60RATMA1 Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.99 грн
10+ 50.48 грн
100+ 39.23 грн
500+ 31.21 грн
1000+ 25.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.57 грн
5000+ 21.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 14761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.8 грн
10+ 44.87 грн
100+ 34.92 грн
500+ 27.78 грн
1000+ 22.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362086.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 10901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.04 грн
10+ 49.92 грн
100+ 33.83 грн
500+ 28.65 грн
1000+ 23.4 грн
2500+ 21.27 грн
5000+ 20.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RFATMA1 Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.75 грн
10+ 55.05 грн
100+ 42.84 грн
500+ 34.08 грн
1000+ 27.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RFATMA1 Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN-3362143.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.99 грн
10+ 56.64 грн
100+ 40.55 грн
500+ 35.03 грн
1000+ 28.58 грн
2500+ 26.92 грн
5000+ 25.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760
IKN04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 7.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/126ns
Switching Energy: 95µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 6.8 W
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.08 грн
10+ 46.6 грн
100+ 32.28 грн
500+ 25.32 грн
1000+ 21.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3362293.pdf
IKN04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.56 грн
10+ 52.67 грн
100+ 31.24 грн
500+ 26.06 грн
1000+ 22.8 грн
3000+ 19.34 грн
6000+ 18.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.44 грн
5+ 79.62 грн
10+ 70.62 грн
14+ 60.93 грн
37+ 58.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 376 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.22 грн
10+ 84.75 грн
14+ 73.12 грн
37+ 69.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/164ns
Switching Energy: 143µJ
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 42 W
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.57 грн
10+ 85.86 грн
100+ 66.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA14N60P media-3322041.pdf
IXFA14N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 14A
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.07 грн
10+ 249.96 грн
50+ 192.76 грн
100+ 161.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+464.39 грн
3+ 402.94 грн
4+ 293.3 грн
10+ 277.51 грн
IXFH14N60P IXFA(H,P)14N60P.pdf
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH14N60P media-3322041.pdf
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 14A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.64 грн
10+ 360.8 грн
30+ 304.43 грн
120+ 249.93 грн
270+ 243.94 грн
IXFH24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFH24N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+556.55 грн
3+ 365.84 грн
8+ 332.35 грн
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 164ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+564.61 грн
3+ 484.05 грн
6+ 441.19 грн
10+ 439.53 грн
30+ 424.57 грн
IXFK44N60 media-3322562.pdf
IXFK44N60
Виробник: IXYS
MOSFET DIODE Id44 BVdass600
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2022.45 грн
10+ 1855.2 грн
25+ 1371.27 грн
100+ 1346.67 грн
250+ 1256.94 грн
500+ 1161.22 грн
1000+ 1155.91 грн
IXFK64N60P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n60p3_datasheet.pdf.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1130W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 100mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1190.06 грн
2+ 786.03 грн
3+ 756.09 грн
4+ 715.38 грн
IXFK64N60P3 media-3319429.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1001.92 грн
10+ 869.89 грн
25+ 735.82 грн
50+ 694.61 грн
100+ 654.06 грн
250+ 633.45 грн
500+ 618.83 грн
IXFK64N60Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n60q3_datasheet.pdf.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1250W
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 190nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2375.65 грн
2+ 2166.56 грн
3+ 2085.48 грн
IXFN64N60P description media-3319465.pdf
IXFN64N60P
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 600V 64A
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2493.94 грн
10+ 2228.23 грн
50+ 1851.18 грн
100+ 1694.31 грн
1000+ 1660.41 грн
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]