Результат пошуку "50jr22" : 8
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GT50JR22(STA1,E,S) | TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 115W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
GT50JR22(STA1,E,S) | TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 115W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 297 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
Транзистор IGBT GT50JR22 TO-3PN |
на замовлення 18 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||
GT50JR22 Код товару: 108218 |
Toshiba |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-3PN Vces: 600 V Vce: 1,55 V Ic 25: 50 A Ic 100: 44 A Pd 25: 230 W td(on)/td(off) 100-150 град: 0,25/0,33 |
товар відсутній
|
||||||||||
GT50JR22(STA1,E,S) Код товару: 152398 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||
GT50JR22(STA1,E,S) | Toshiba | Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товар відсутній |
||||||||||
NTE3320 | NTE Electronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 240W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Turn-on time: 240ns Turn-off time: 430ns |
товар відсутній |
GT50JR22(STA1,E,S) |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 317.07 грн |
3+ | 264.91 грн |
4+ | 203.15 грн |
11+ | 191.48 грн |
GT50JR22(STA1,E,S) |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 380.49 грн |
3+ | 330.12 грн |
4+ | 243.77 грн |
11+ | 229.77 грн |
Транзистор IGBT GT50JR22 TO-3PN |
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 66.03 грн |
GT50JR22 Код товару: 108218 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 0,25/0,33
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 0,25/0,33
товар відсутній
GT50JR22(STA1,E,S) |
Виробник: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товар відсутній
NTE3320 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 240W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 240W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
товар відсутній