Результат пошуку "50n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SGW50N60HS SGW50N60HS
Код товару: 73803 		Infineon Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 10 шт
1+255 грн
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+369.04 грн
3+ 302.45 грн
4+ 262.21 грн
9+ 247.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies 305igw50n60h3_rev1_2g.pdffileiddb3a3043266237920126bc64524041affolde.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW50N60H3FKSA1 Infineon IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+258.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.36 грн
3+ 236.55 грн
4+ 206.72 грн
11+ 195.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+346.03 грн
3+ 294.77 грн
4+ 248.06 грн
11+ 234.74 грн
IGW50N60TPXKSA1 IGW50N60TPXKSA1 Infineon Technologies 12667infineon-igw50n60tp-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cb8.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.7 грн
3+ 269.84 грн
4+ 247.64 грн
9+ 234.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+394.44 грн
3+ 336.27 грн
4+ 297.17 грн
9+ 281.36 грн
30+ 271.37 грн
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60ET.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.74 грн
3+ 208.8 грн
5+ 181.05 грн
13+ 171.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+305.69 грн
3+ 260.2 грн
5+ 217.26 грн
13+ 205.61 грн
IKW50N60H3 Infineon INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+184.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3 Infineon INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+184.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.39 грн
3+ 288.57 грн
8+ 273.31 грн
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+487.67 грн
3+ 359.61 грн
8+ 327.97 грн
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+264.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+264.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies 4877ikw50n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH50N60X IXFH50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+766.47 грн
2+ 523.04 грн
5+ 494.6 грн
IXFH50N60X IXFH50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+919.76 грн
2+ 651.78 грн
5+ 593.52 грн
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.86 грн
2+ 414.82 грн
6+ 392.62 грн
30+ 376.67 грн
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+649.03 грн
2+ 516.93 грн
6+ 471.15 грн
30+ 452 грн
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+858.35 грн
2+ 570.21 грн
4+ 538.99 грн
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1030.02 грн
2+ 710.57 грн
4+ 646.79 грн
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+636.48 грн
2+ 423.84 грн
3+ 423.15 грн
6+ 400.25 грн
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+763.78 грн
2+ 528.17 грн
3+ 507.78 грн
6+ 480.31 грн
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh150n60c3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.12 грн
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+241.18 грн
E250N60 ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW50N60TP Infineon technologies
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60ET.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
240+421.33 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW50N60DTP Infineon technologies
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N60DTP Infineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGK50N60AU1 IXYS IXGK50N60AU1.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN50N60BD3 IXYS IXGN50N60BD2,3.pdf MODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN50N60BD3 ABB IXGN50N60BD2,3.pdf 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN50N60BD3 IXYS IXGN50N60BD2,3.pdf
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXSK50N60AU1 IXYS IXSK50N60AU1.pdf 09+ QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXSN50N60U1 IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB50N60L2WG ON Semiconductor ngtb50n60l2w-d.pdf
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTG50N60FWG ON Semiconductor ngtg50n60fw-d.pdf
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RFP50N60
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFD
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU===
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU===Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU==Fa
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU==Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFTU SGL50N60RUF.pdf
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGW50N60HS INFINEON MODULE
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SM50N60P
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TD250N600KOF AEG 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBT IKW50N60H3
Код товару: 177225 		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IGW50N60H3 IGW50N60H3
Код товару: 107816 		Infineon igw50n60h3_2_2.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Pd 25: 333 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235
товар відсутній
IKW50N60H3 IKW50N60H3
Код товару: 94376 		INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60T
Код товару: 145126 		INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60TA
Код товару: 139366 		INFN-S-A0000110252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFT50N60P3
Код товару: 152198 		IXFx50N60P3.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
SGW50N60HS
Код товару: 73803
SGW50N60HS
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+255 грн
IGB50N60TATMA1 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf
IGB50N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+160.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+369.04 грн
3+ 302.45 грн
4+ 262.21 грн
9+ 247.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW50N60H3FKSA1 305igw50n60h3_rev1_2g.pdffileiddb3a3043266237920126bc64524041affolde.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af
Виробник: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+258.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+288.36 грн
3+ 236.55 грн
4+ 206.72 грн
11+ 195.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+346.03 грн
3+ 294.77 грн
4+ 248.06 грн
11+ 234.74 грн
IGW50N60TPXKSA1 12667infineon-igw50n60tp-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cb8.pdf
IGW50N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+328.7 грн
3+ 269.84 грн
4+ 247.64 грн
9+ 234.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+394.44 грн
3+ 336.27 грн
4+ 297.17 грн
9+ 281.36 грн
30+ 271.37 грн
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ET.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.74 грн
3+ 208.8 грн
5+ 181.05 грн
13+ 171.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+305.69 грн
3+ 260.2 грн
5+ 217.26 грн
13+ 205.61 грн
IKW50N60H3 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+184.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+184.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+406.39 грн
3+ 288.57 грн
8+ 273.31 грн
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+487.67 грн
3+ 359.61 грн
8+ 327.97 грн
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+264.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+264.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60TFKSA1 4877ikw50n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf
IKW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFH50N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+766.47 грн
2+ 523.04 грн
5+ 494.6 грн
IXFH50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFH50N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+919.76 грн
2+ 651.78 грн
5+ 593.52 грн
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+540.86 грн
2+ 414.82 грн
6+ 392.62 грн
30+ 376.67 грн
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+649.03 грн
2+ 516.93 грн
6+ 471.15 грн
30+ 452 грн
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+858.35 грн
2+ 570.21 грн
4+ 538.99 грн
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1030.02 грн
2+ 710.57 грн
4+ 646.79 грн
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+636.48 грн
2+ 423.84 грн
3+ 423.15 грн
6+ 400.25 грн
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+763.78 грн
2+ 528.17 грн
3+ 507.78 грн
6+ 480.31 грн
IXXH150N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh150n60c3_datasheet.pdf.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+393.12 грн
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+241.18 грн
E250N60
Виробник: ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW50N60TP
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ET.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+421.33 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW50N60DTP
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N60DTP
Виробник: Infineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGK50N60AU1 IXGK50N60AU1.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2,3.pdf
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2,3.pdf
Виробник: ABB
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2,3.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXSK50N60AU1 IXSK50N60AU1.pdf
Виробник: IXYS
09+ QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXSN50N60U1
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB50N60L2WG ngtb50n60l2w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTG50N60FWG ngtg50n60fw-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RFP50N60
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFD
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU===
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU===Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU==Fa
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU==Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFTU SGL50N60RUF.pdf
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGW50N60HS
Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SM50N60P
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TD250N600KOF
Виробник: AEG
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBT IKW50N60H3
Код товару: 177225
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IGW50N60H3
Код товару: 107816		 igw50n60h3_2_2.pdf
IGW50N60H3
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Pd 25: 333 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235
товар відсутній
IKW50N60H3
Код товару: 94376		 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IKW50N60H3
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60T
Код товару: 145126		 INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60TA
Код товару: 139366		 INFN-S-A0000110252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFT50N60P3
Код товару: 152198		 IXFx50N60P3.pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]