Результат пошуку "5n65" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AIGB15N65F5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BGH75N65ZF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 405W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 444nC Kind of package: tube Turn-on time: 84ns Turn-off time: 565ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BGH75N65ZF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 405W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 444nC Kind of package: tube Turn-on time: 84ns Turn-off time: 565ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BIDW75N65EH5 | Bourns | IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L |
на замовлення 2982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BIDW75N65ES5 | Bourns | IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCB125N65S3 | onsemi | MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK |
на замовлення 3060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH125N65S3R0-F155 | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCMT125N65S3 | onsemi | MOSFET SF3 650V 125MOHM MO SFET |
на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP125N65S3 | onsemi | MOSFET SF3 650V 125MOHM E TO220 |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP125N65S3R0 | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP165N65S3 | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm |
на замовлення 911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF15N65 | onsemi / Fairchild | MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH |
на замовлення 2787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA15N65ET6XKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 11A Power dissipation: 22W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 57.5A Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Manufacturer series: T6 Turn-on time: 50ns Turn-off time: 202ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IKA15N65ET6XKSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 6486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKFW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKFW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 1951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5 |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW75N65ES5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT |
на замовлення 2248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors SIC DISCRETE |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors SIC DISCRETE |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKZ75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKZA75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKZA75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors SIC DISCRETE |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKZA75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors SIC DISCRETE |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKZA75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | SP004038220 |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYA15N65C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYA15N65C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYH75N65C3H1 | IXYS | IGBT Transistors 650V/170A XPT C3-Class TO-247 |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTHL065N65S3F | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V TO247 |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTHL095N65S3HF | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTMT095N65S3H | onsemi | MOSFET SF3 FAST, 95MOHM, PQFN88 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTMT125N65S3H | onsemi | MOSFET SF3 FAST, 125MOHM, PQFN88 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTP165N65S3H | onsemi | MOSFET SUPERFET3 FAST, 165MOHM, TO-220 |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTPF095N65S3H | onsemi | MOSFET SUPERFET3 FAST, 95MOHM, TO-220F |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTPF125N65S3H | onsemi | MOSFET SUPERFET3 FAST, 125MOHM, TO-220F |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTPF165N65S3H | onsemi | MOSFET SUPERFET3 FAST, 165MOHM, TO-220F |
на замовлення 12255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVB095N65S3F | onsemi | MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK-3 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVB125N65S3 | onsemi | MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK AUTO |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVBG095N65S3F | onsemi | MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVHL025N65S3 | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVHL095N65S3F | onsemi | MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, TO-247 |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SCTL35N65G2V | STMicroelectronics | MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 40 A |
на замовлення 2881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SCTW35N65G2V | STMicroelectronics | MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 45 A |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SCTW35N65G2V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SCTW35N65G2VAG | STMicroelectronics | MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SCTWA35N65G2V | STMicroelectronics | MOSFET 650 V 45 A 75 mOhm |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP15N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB35N65DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB45N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF35N65DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 56.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF35N65DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 56.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
AIGB15N65F5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 207.78 грн |
10+ | 172.32 грн |
25+ | 148.53 грн |
100+ | 120.92 грн |
250+ | 120.27 грн |
500+ | 107.78 грн |
1000+ | 92.01 грн |
BGH75N65ZF1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 812.43 грн |
2+ | 549.71 грн |
4+ | 519.59 грн |
BGH75N65ZF1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 974.92 грн |
2+ | 685.03 грн |
4+ | 623.51 грн |
150+ | 601.33 грн |
600+ | 599.69 грн |
BIDW75N65EH5 |
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 445.47 грн |
10+ | 376.37 грн |
25+ | 296.39 грн |
100+ | 272.73 грн |
250+ | 256.96 грн |
600+ | 239.87 грн |
1200+ | 216.22 грн |
BIDW75N65ES5 |
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 445.47 грн |
10+ | 376.37 грн |
25+ | 296.39 грн |
100+ | 272.73 грн |
250+ | 256.96 грн |
600+ | 239.87 грн |
1200+ | 216.22 грн |
FCB125N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK
MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 351.16 грн |
10+ | 290.97 грн |
25+ | 222.79 грн |
100+ | 205.04 грн |
250+ | 193.21 грн |
500+ | 182.7 грн |
800+ | 154.44 грн |
FCH125N65S3R0-F155 |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 473.84 грн |
10+ | 393 грн |
25+ | 290.48 грн |
100+ | 275.36 грн |
250+ | 265.51 грн |
450+ | 237.25 грн |
FCMT125N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V 125MOHM MO SFET
MOSFET SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 293.66 грн |
10+ | 256.21 грн |
25+ | 222.13 грн |
100+ | 192.56 грн |
250+ | 191.9 грн |
500+ | 178.1 грн |
1000+ | 176.78 грн |
FCP125N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V 125MOHM E TO220
MOSFET SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 307.46 грн |
10+ | 254.69 грн |
50+ | 208.99 грн |
100+ | 178.76 грн |
250+ | 168.9 грн |
500+ | 159.04 грн |
800+ | 136.04 грн |
FCP125N65S3R0 |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 315.12 грн |
10+ | 261.5 грн |
50+ | 206.36 грн |
100+ | 183.36 грн |
250+ | 182.7 грн |
500+ | 156.41 грн |
800+ | 131.44 грн |
FCP165N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 282.15 грн |
10+ | 233.53 грн |
100+ | 187.3 грн |
800+ | 159.7 грн |
2400+ | 130.78 грн |
5600+ | 126.84 грн |
FDPF15N65 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.68 грн |
10+ | 173.07 грн |
50+ | 119.61 грн |
100+ | 105.15 грн |
250+ | 103.84 грн |
500+ | 101.21 грн |
1000+ | 82.15 грн |
IGD15N65T6ARMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 171.75 грн |
10+ | 140.57 грн |
100+ | 97.26 грн |
250+ | 90.04 грн |
500+ | 81.49 грн |
1000+ | 70.98 грн |
3000+ | 65.39 грн |
IGW75N65H5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 173.28 грн |
IKA15N65ET6XKSA2 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKA15N65ET6XKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 41.94 грн |
IKFW75N65EH5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 691.58 грн |
10+ | 584.21 грн |
25+ | 460.69 грн |
100+ | 423.23 грн |
240+ | 344.37 грн |
480+ | 343.71 грн |
2640+ | 320.71 грн |
IKFW75N65ES5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 709.22 грн |
10+ | 666.59 грн |
25+ | 494.87 грн |
100+ | 440.98 грн |
240+ | 354.23 грн |
480+ | 325.97 грн |
IKW75N65EL5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 293.66 грн |
IKW75N65EL5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 474.6 грн |
10+ | 456.49 грн |
25+ | 347.65 грн |
100+ | 306.25 грн |
240+ | 301.65 грн |
480+ | 283.25 грн |
1200+ | 266.82 грн |
IKW75N65ES5 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 504.5 грн |
10+ | 426.25 грн |
25+ | 336.48 грн |
100+ | 308.88 грн |
240+ | 290.48 грн |
480+ | 272.73 грн |
1200+ | 245.13 грн |
IKW75N65ET7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 516 грн |
10+ | 452.71 грн |
25+ | 312.82 грн |
100+ | 291.79 грн |
240+ | 285.22 грн |
480+ | 258.28 грн |
1200+ | 241.85 грн |
IKW75N65RH5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 778.99 грн |
10+ | 677.17 грн |
25+ | 563.21 грн |
100+ | 509.98 грн |
240+ | 423.23 грн |
480+ | 410.09 грн |
IKW75N65SS5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 906.27 грн |
10+ | 877.45 грн |
25+ | 685.45 грн |
50+ | 617.76 грн |
100+ | 579.64 грн |
240+ | 562.56 грн |
1200+ | 481.72 грн |
IKWH75N65EH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 498.37 грн |
10+ | 420.96 грн |
25+ | 332.54 грн |
100+ | 304.94 грн |
240+ | 286.54 грн |
480+ | 268.79 грн |
1200+ | 241.85 грн |
IKZ75N65EH5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 274.49 грн |
IKZA75N65EH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 614.15 грн |
10+ | 518.46 грн |
25+ | 408.77 грн |
100+ | 375.91 грн |
240+ | 353.57 грн |
480+ | 331.88 грн |
1200+ | 298.36 грн |
IKZA75N65RH5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 707.69 грн |
10+ | 678.68 грн |
25+ | 519.84 грн |
50+ | 515.24 грн |
100+ | 469.23 грн |
240+ | 417.32 грн |
2640+ | 416.66 грн |
IKZA75N65SS5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1225.22 грн |
10+ | 1067.9 грн |
25+ | 850.41 грн |
50+ | 849.75 грн |
100+ | 799.8 грн |
240+ | 718.31 грн |
480+ | 680.19 грн |
IKZA75N65SS5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
SP004038220
SP004038220
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 542.84 грн |
IXYA15N65C3D1 |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 145.81 грн |
7+ | 115.69 грн |
19+ | 109.53 грн |
IXYA15N65C3D1 |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 208.78 грн |
3+ | 181.71 грн |
7+ | 138.83 грн |
19+ | 131.44 грн |
IXYH75N65C3H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/170A XPT C3-Class TO-247
IGBT Transistors 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1196.09 грн |
10+ | 1039.18 грн |
30+ | 771.54 грн |
60+ | 744.6 грн |
120+ | 719.62 грн |
270+ | 717.65 грн |
510+ | 679.54 грн |
NTHL065N65S3F |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V TO247
MOSFET SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 850.3 грн |
10+ | 771.64 грн |
25+ | 573.73 грн |
100+ | 520.5 грн |
250+ | 504.07 грн |
450+ | 459.38 грн |
900+ | 413.37 грн |
NTHL095N65S3HF |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO
MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 557.41 грн |
10+ | 470.84 грн |
25+ | 342.4 грн |
100+ | 341.74 грн |
450+ | 290.48 грн |
NTMT095N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FAST, 95MOHM, PQFN88
MOSFET SF3 FAST, 95MOHM, PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 515.24 грн |
10+ | 436.08 грн |
25+ | 343.71 грн |
100+ | 315.45 грн |
250+ | 297.05 грн |
500+ | 278.65 грн |
1000+ | 264.19 грн |
NTMT125N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FAST, 125MOHM, PQFN88
MOSFET SF3 FAST, 125MOHM, PQFN88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 524.44 грн |
10+ | 464.8 грн |
25+ | 354.88 грн |
100+ | 330.57 грн |
250+ | 306.91 грн |
500+ | 282.59 грн |
1000+ | 279.96 грн |
NTP165N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 165MOHM, TO-220
MOSFET SUPERFET3 FAST, 165MOHM, TO-220
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 331.22 грн |
10+ | 305.33 грн |
50+ | 225.42 грн |
100+ | 210.3 грн |
250+ | 195.19 грн |
500+ | 178.76 грн |
800+ | 141.3 грн |
NTPF095N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 95MOHM, TO-220F
MOSFET SUPERFET3 FAST, 95MOHM, TO-220F
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 519.07 грн |
10+ | 480.67 грн |
50+ | 355.54 грн |
100+ | 331.88 грн |
250+ | 310.85 грн |
500+ | 290.48 грн |
3000+ | 255.65 грн |
NTPF125N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 125MOHM, TO-220F
MOSFET SUPERFET3 FAST, 125MOHM, TO-220F
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 412.5 грн |
10+ | 361.26 грн |
50+ | 280.62 грн |
100+ | 261.56 грн |
250+ | 242.5 грн |
500+ | 222.79 грн |
1000+ | 172.84 грн |
NTPF165N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 165MOHM, TO-220F
MOSFET SUPERFET3 FAST, 165MOHM, TO-220F
на замовлення 12255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 347.33 грн |
10+ | 318.18 грн |
50+ | 235.27 грн |
100+ | 219.5 грн |
250+ | 203.07 грн |
500+ | 186.64 грн |
NVB095N65S3F |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK-3
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK-3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 466.93 грн |
10+ | 386.95 грн |
100+ | 272.73 грн |
500+ | 267.48 грн |
800+ | 206.36 грн |
2400+ | 194.53 грн |
NVB125N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK AUTO
MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK AUTO
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 278.32 грн |
10+ | 229.75 грн |
25+ | 194.53 грн |
100+ | 161.67 грн |
250+ | 157.07 грн |
500+ | 152.47 грн |
800+ | 122.89 грн |
NVBG095N65S3F |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 436.27 грн |
10+ | 368.06 грн |
25+ | 291.14 грн |
100+ | 266.82 грн |
250+ | 251.05 грн |
500+ | 235.93 грн |
800+ | 212.27 грн |
NVHL025N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V
MOSFET SUPERFET3 650V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2205.1 грн |
10+ | 1932.5 грн |
25+ | 1566.74 грн |
50+ | 1562.14 грн |
100+ | 1468.82 грн |
250+ | 1400.48 грн |
450+ | 1399.82 грн |
NVHL095N65S3F |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, TO-247
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, TO-247
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 526.74 грн |
10+ | 469.33 грн |
100+ | 313.48 грн |
250+ | 287.19 грн |
450+ | 263.53 грн |
900+ | 237.25 грн |
2700+ | 231.33 грн |
SCTL35N65G2V |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 40 A
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 40 A
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1270.46 грн |
10+ | 1105.69 грн |
25+ | 960.16 грн |
50+ | 958.84 грн |
100+ | 830.03 грн |
250+ | 829.38 грн |
500+ | 752.48 грн |
SCTW35N65G2V |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 45 A
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 45 A
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 772.86 грн |
600+ | 761.06 грн |
3000+ | 635.5 грн |
SCTW35N65G2V |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 708.45 грн |
SCTW35N65G2VAG |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm
MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 891.7 грн |
10+ | 852.51 грн |
25+ | 722.25 грн |
50+ | 710.42 грн |
100+ | 703.85 грн |
600+ | 703.19 грн |
3000+ | 659.82 грн |
SCTWA35N65G2V |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET 650 V 45 A 75 mOhm
MOSFET 650 V 45 A 75 mOhm
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 894.77 грн |
10+ | 841.17 грн |
25+ | 720.94 грн |
50+ | 707.8 грн |
100+ | 678.22 грн |
600+ | 677.56 грн |
3000+ | 643.39 грн |
SIHP15N65E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 230.78 грн |
10+ | 191.21 грн |
50+ | 156.41 грн |
100+ | 134.07 грн |
250+ | 126.84 грн |
500+ | 118.95 грн |
1000+ | 97.92 грн |
STB35N65DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 371.09 грн |
10+ | 306.09 грн |
100+ | 215.56 грн |
500+ | 191.9 грн |
1000+ | 160.35 грн |
2000+ | 151.15 грн |
STB45N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 545.91 грн |
10+ | 461.78 грн |
25+ | 364.08 грн |
100+ | 334.51 грн |
250+ | 314.79 грн |
500+ | 312.82 грн |
1000+ | 266.16 грн |
STF35N65DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 426.86 грн |
3+ | 288.89 грн |
8+ | 273.15 грн |
STF35N65DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 512.23 грн |
3+ | 360 грн |
8+ | 327.77 грн |
STF45N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 510.9 грн |
3+ | 366.25 грн |
6+ | 346.39 грн |
STF45N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 613.08 грн |
3+ | 456.4 грн |
6+ | 415.67 грн |
STP45N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 502.79 грн |
3+ | 360.77 грн |
7+ | 341.6 грн |
STP45N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 603.35 грн |
3+ | 449.58 грн |
7+ | 409.92 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]