Результат пошуку "6013l" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 8
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
10073456-013LF | Amphenol FCI | Headers & Wire Housings 16P DR VERT HDR GOLD OVER NICKEL |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
66226-013LF | AMPHENOL |
Category: Connectors FFC/FPC 0.5mm Description: Connector: FFC/FPC Type of connector: FFC/FPC |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
66226-013LF | Amphenol FCI | FFC & FPC Connectors CLINCHER ASSEM. Sn |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
66506-013LF | AMPHENOL |
Category: IDC connectors Description: IDC Type of connector: IDC |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
66506-013LF | Amphenol FCI | Headers & Wire Housings 26P HEADER |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN6013LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF |
на замовлення 14235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN6013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 4533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN6013LFGQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMT6013LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
R3-76-01-3L104 | SCI | R3-76-01-3L104 Car Fuseholders |
на замовлення 430 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
R3-76-01-3L110 | SCI | R3-76-01-3L110 Car Fuseholders |
на замовлення 409 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
10036876-013LF | AFCI |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
APT6013LFLL |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
APT6013LLL |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
C2-U1Z R | BERNSTEIN AG |
Category: Limit Switches Description: Limit switch; NO + NC; 10A; max.240VAC; rectangle 8,5x3,5mm; IP20 Body material: plastic Operating temperature: -30...80°C AC contacts rating @R: 3A / 240V AC Switches features: slow action contacts Switched voltage: max. 240V AC Contact current max.: 10A Output configuration: NO + NC Connection: rectangle 8,5x3,5mm Type of sensor: limit switch Body dimensions: 26x34x21mm Number of mounting holes: 2 Mounting holes pitch: 15mm IP rating: IP20 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DM-6013L Вимірювач ємності Код товару: 62691 |
Інструмент та обладнання > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери) Опис: Вимірювач ємності конденсаторів 2 нано Фарада - 20 милі Фарад |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
10010556-013LF | FCI | Conn Smart Card M 8 POS 1mm Solder ST Cable Mount 1A/Contact Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||
10036876-013LF | Amphenol FCI | I/O Connectors SAS 30 Connector Receptacle Vertical Hybrid Wide Base 29 Pos 12Gb/s |
товар відсутній |
||||||||||||||||
10073456-013LF | FCI | Conn Shrouded Header HDR 16 POS 2.54mm Press Fit ST Top Entry Thru-Hole Quickie® Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||
10118884-406013LF | Amphenol FCI | Headers & Wire Housings BERGSTIK R/A |
товар відсутній |
||||||||||||||||
10163916-013LF | Amphenol | Amphenol |
товар відсутній |
||||||||||||||||
4206-013LF | CTS Electronic Components | EMI Feedthrough Filters CUSTOM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
4306-013LF | Tusonix / CTS | EMI Feedthrough Filters 10pF 200Volts@125C |
товар відсутній |
||||||||||||||||
65486-013LF | Amphenol FCI | Headers & Wire Housings MINI LATCH HSG .150CC SG |
товар відсутній |
||||||||||||||||
65496-013LF | Amphenol FCI | Headers & Wire Housings 26P DUAL ROW |
товар відсутній |
||||||||||||||||
65846-013LF | Amphenol FCI | Headers & Wire Housings 60P CTW HOUSING VERTICAL W/ POL. KEY |
товар відсутній |
||||||||||||||||
66506-013LF | FCI | Conn Shrouded Header (4 Sides) HDR 26 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole Quickie® Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||
66956-013LF | Amphenol FCI | Headers & Wire Housings CARD CONNECTOR 26 P |
товар відсутній |
||||||||||||||||
67516-013LF | Amphenol FCI | FFC & FPC Connectors 13P VERT RECEPT PURE TIN |
товар відсутній |
||||||||||||||||
69916-013LF | Amphenol FCI | Headers & Wire Housings .500 VERT HDR W/O MTG HOLES |
товар відсутній |
||||||||||||||||
APT6013LFLLG | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 43A Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 565W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
APT6013LFLLG | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 43A Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 565W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
APT6013LFLLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
APT6013LFLLG | Microchip Technology | MOSFET FREDFET MOS7 600 V 13 Ohm TO-264 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
APT6013LLLG | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 43A Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 565W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
APT6013LLLG | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 43A Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 565W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
APT6013LLLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
APT6013LLLG | Microchip Technology | MOSFET MOSFET MOS7 600 V 13 Ohm TO-264 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN6013LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN6013LFG-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.3A; Idm: 58.3A; 2.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.3A Pulsed drain current: 58.3A Power dissipation: 2.1W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN6013LFG-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN6013LFGQ-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.3A; Idm: 58.3A; 2.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.3A Pulsed drain current: 58.3A Power dissipation: 2.1W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN6013LFGQ-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN6013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN6013LFGQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.3A; Idm: 58.3A; 2.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.3A Pulsed drain current: 58.3A Power dissipation: 2.1W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMT6013LFDF-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 10A T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMT6013LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMT6013LFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 60A; 1.2W; U-DFN2020-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.2W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMT6013LFDF-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 10A T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMT6013LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMT6013LSS-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMT6013LSS-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMT6013LSS-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
M55629/6-013L | AIRPAX | Circuit Breakers Cir Brkr Hyd Mag |
товар відсутній |
||||||||||||||||
M83536/16-013L | TE Connectivity | Industrial Relays M83536/16-013L |
товар відсутній |
||||||||||||||||
M83536/6-013L | TE Connectivity | General Purpose Relays ES4050202ATL |
товар відсутній |
||||||||||||||||
R3-76-01-3L106 | SCI | R3-76-01-3L106 Car Fuseholders |
товар відсутній |
||||||||||||||||
R3-76-01-3L106 | Shin Chin | Fuse Holder |
товар відсутній |
||||||||||||||||
V1E2B601-3LZ00-000 | Carling Technologies | Rocker Switches V1E2B601-3LZ00-000 |
товар відсутній |
10073456-013LF |
Виробник: Amphenol FCI
Headers & Wire Housings 16P DR VERT HDR GOLD OVER NICKEL
Headers & Wire Housings 16P DR VERT HDR GOLD OVER NICKEL
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 235.98 грн |
10+ | 208.36 грн |
100+ | 162.08 грн |
250+ | 160.76 грн |
66226-013LF |
Виробник: AMPHENOL
Category: Connectors FFC/FPC 0.5mm
Description: Connector: FFC/FPC
Type of connector: FFC/FPC
Category: Connectors FFC/FPC 0.5mm
Description: Connector: FFC/FPC
Type of connector: FFC/FPC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 100.52 грн |
24+ | 88.53 грн |
300+ | 86.47 грн |
66226-013LF |
Виробник: Amphenol FCI
FFC & FPC Connectors CLINCHER ASSEM. Sn
FFC & FPC Connectors CLINCHER ASSEM. Sn
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 156.04 грн |
10+ | 120.47 грн |
100+ | 88.94 грн |
500+ | 77.09 грн |
1000+ | 73.79 грн |
2500+ | 66.54 грн |
5000+ | 64.96 грн |
66506-013LF |
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 223.95 грн |
66506-013LF |
Виробник: Amphenol FCI
Headers & Wire Housings 26P HEADER
Headers & Wire Housings 26P HEADER
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.4 грн |
10+ | 176.54 грн |
100+ | 150.22 грн |
260+ | 147.58 грн |
500+ | 137.7 грн |
DMN6013LFG-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
на замовлення 14235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 52.19 грн |
10+ | 45.16 грн |
100+ | 27.14 грн |
500+ | 22.66 грн |
1000+ | 19.3 грн |
2000+ | 17.2 грн |
4000+ | 17.06 грн |
DMN6013LFGQ-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.88 грн |
10+ | 54.7 грн |
100+ | 32.81 грн |
500+ | 27.47 грн |
1000+ | 23.32 грн |
2000+ | 18.84 грн |
DMN6013LFGQ-7 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 18.76 грн |
DMT6013LSS-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V
MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 38.59 грн |
10+ | 32.88 грн |
100+ | 21.41 грн |
500+ | 16.8 грн |
1000+ | 12.98 грн |
2500+ | 10.67 грн |
10000+ | 9.95 грн |
R3-76-01-3L104 |
Виробник: SCI
R3-76-01-3L104 Car Fuseholders
R3-76-01-3L104 Car Fuseholders
на замовлення 430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 603.1 грн |
3+ | 361.54 грн |
8+ | 341.78 грн |
R3-76-01-3L110 |
Виробник: SCI
R3-76-01-3L110 Car Fuseholders
R3-76-01-3L110 Car Fuseholders
на замовлення 409 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 963.19 грн |
2+ | 602.03 грн |
5+ | 569.08 грн |
C2-U1Z R |
Виробник: BERNSTEIN AG
Category: Limit Switches
Description: Limit switch; NO + NC; 10A; max.240VAC; rectangle 8,5x3,5mm; IP20
Body material: plastic
Operating temperature: -30...80°C
AC contacts rating @R: 3A / 240V AC
Switches features: slow action contacts
Switched voltage: max. 240V AC
Contact current max.: 10A
Output configuration: NO + NC
Connection: rectangle 8,5x3,5mm
Type of sensor: limit switch
Body dimensions: 26x34x21mm
Number of mounting holes: 2
Mounting holes pitch: 15mm
IP rating: IP20
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Limit Switches
Description: Limit switch; NO + NC; 10A; max.240VAC; rectangle 8,5x3,5mm; IP20
Body material: plastic
Operating temperature: -30...80°C
AC contacts rating @R: 3A / 240V AC
Switches features: slow action contacts
Switched voltage: max. 240V AC
Contact current max.: 10A
Output configuration: NO + NC
Connection: rectangle 8,5x3,5mm
Type of sensor: limit switch
Body dimensions: 26x34x21mm
Number of mounting holes: 2
Mounting holes pitch: 15mm
IP rating: IP20
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1647.89 грн |
2+ | 1521.47 грн |
5+ | 1423.12 грн |
DM-6013L Вимірювач ємності Код товару: 62691 |
Інструмент та обладнання > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери)
Опис: Вимірювач ємності конденсаторів 2 нано Фарада - 20 милі Фарад
Опис: Вимірювач ємності конденсаторів 2 нано Фарада - 20 милі Фарад
товар відсутній
10010556-013LF |
Виробник: FCI
Conn Smart Card M 8 POS 1mm Solder ST Cable Mount 1A/Contact Tray
Conn Smart Card M 8 POS 1mm Solder ST Cable Mount 1A/Contact Tray
товар відсутній
10036876-013LF |
Виробник: Amphenol FCI
I/O Connectors SAS 30 Connector Receptacle Vertical Hybrid Wide Base 29 Pos 12Gb/s
I/O Connectors SAS 30 Connector Receptacle Vertical Hybrid Wide Base 29 Pos 12Gb/s
товар відсутній
10073456-013LF |
Виробник: FCI
Conn Shrouded Header HDR 16 POS 2.54mm Press Fit ST Top Entry Thru-Hole Quickie® Tray
Conn Shrouded Header HDR 16 POS 2.54mm Press Fit ST Top Entry Thru-Hole Quickie® Tray
товар відсутній
65846-013LF |
Виробник: Amphenol FCI
Headers & Wire Housings 60P CTW HOUSING VERTICAL W/ POL. KEY
Headers & Wire Housings 60P CTW HOUSING VERTICAL W/ POL. KEY
товар відсутній
66506-013LF |
Виробник: FCI
Conn Shrouded Header (4 Sides) HDR 26 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole Quickie® Tray
Conn Shrouded Header (4 Sides) HDR 26 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole Quickie® Tray
товар відсутній
69916-013LF |
Виробник: Amphenol FCI
Headers & Wire Housings .500 VERT HDR W/O MTG HOLES
Headers & Wire Housings .500 VERT HDR W/O MTG HOLES
товар відсутній
APT6013LFLLG |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT6013LFLLG |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT6013LFLLG |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
APT6013LLLG |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT6013LLLG |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT6013LLLG |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
DMN6013LFG-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
товар відсутній
DMN6013LFG-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.3A; Idm: 58.3A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 58.3A
Power dissipation: 2.1W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.3A; Idm: 58.3A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 58.3A
Power dissipation: 2.1W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN6013LFGQ-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.3A; Idm: 58.3A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 58.3A
Power dissipation: 2.1W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.3A; Idm: 58.3A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 58.3A
Power dissipation: 2.1W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN6013LFGQ-13 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN6013LFGQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.3A; Idm: 58.3A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 58.3A
Power dissipation: 2.1W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.3A; Idm: 58.3A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 58.3A
Power dissipation: 2.1W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT6013LFDF-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 60A; 1.2W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 60A; 1.2W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT6013LSS-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT6013LSS-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]