Результат пошуку "60n03" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
60N03H 00+
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60N03L FAIRCHID 00+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03LTM FQD60N03LTM Fairchild Semiconductor FAIRS19866-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 503
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD060N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.23 грн
10+ 37.25 грн
11+ 33.09 грн
28+ 28.72 грн
77+ 27.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD060N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.68 грн
6+ 46.42 грн
10+ 39.71 грн
28+ 34.46 грн
77+ 32.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.39 грн
10+ 49.95 грн
100+ 38.88 грн
500+ 30.93 грн
1000+ 25.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD060N03L_G_DataSheet_v02_02_EN-3362463.pdf MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.63 грн
10+ 45.72 грн
100+ 32.3 грн
500+ 27.97 грн
1000+ 24.97 грн
5000+ 23.24 грн
10000+ 23.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPS060N03LGAKMA1 IPS060N03LGAKMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.3 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTD60N03 NTD60N03 onsemi ONSMS37047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 1402
NTD60N03-001 NTD60N03-001 onsemi NTD60N03-D.pdf Description: MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
на замовлення 29240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 761
NTD60N03T4 NTD60N03T4 onsemi NTD60N03-D.pdf Description: MOSFET N-CH 28V 60A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
на замовлення 56559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 1402
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM060N03CP_B1807.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 51A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 51A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.79 грн
9+ 42.04 грн
24+ 34.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM060N03CP_B1807.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 51A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 51A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+52.38 грн
24+ 41.2 грн
65+ 38.96 грн
500+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.72 грн
5000+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 8244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.75 грн
10+ 45.51 грн
100+ 31.5 грн
500+ 24.7 грн
1000+ 21.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM060N03ECP ROG TSM060N03ECP ROG Taiwan Semiconductor TSM060N03ECP_B1807.pdf MOSFET 30V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.28 грн
10+ 50.54 грн
100+ 30.5 грн
500+ 25.44 грн
1000+ 21.71 грн
2500+ 19.25 грн
5000+ 18.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM060N03ECP ROG TSM060N03ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03ECP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.75 грн
10+ 45.51 грн
100+ 31.5 грн
500+ 24.7 грн
1000+ 21.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM060N03PQ33 RGG TSM060N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor TSM060N03PQ33_C1608.pdf MOSFET 30V, 62A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.7 грн
10+ 40.05 грн
100+ 24.24 грн
500+ 18.98 грн
1000+ 13.72 грн
5000+ 12.99 грн
10000+ 12.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
TSM060N03PQ33 RGG TSM060N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03PQ33_C1608.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1342 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TSM060N03PQ33 RGG TSM060N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03PQ33_C1608.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1342 pF @ 15 V
на замовлення 12065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.94 грн
10+ 36 грн
100+ 25.03 грн
500+ 18.34 грн
1000+ 14.91 грн
2000+ 13.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
AP60N03
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03GH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03H ANPEC 07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03H ANPEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03J ANPEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03J ANPEC 07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03L
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03S APEC 2000
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03K N/A
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03L FAIRCHILD TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03L fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03L FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03L FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03LTM
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03 FAIRCHILD 07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03 FAIRCHILD SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03L FAIRCHILD 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03L FAIRCHILD TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03LTM FAIRCHIL FAIRS19866-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-252
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03LTM FAIRCHIL FAIRS19866-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP60N03 FAIRCHILD 04+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP60N03L FAIRCHILD 0122
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GN04060N03MC PANASONIC 0647+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GN04060N03MC PANASONIC 0647+ QFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPU060N03L INF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPU060N03LG INFINEON
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ME60N03
на замовлення 8449 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ME60N03A
на замовлення 25035 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ME60N03AS
на замовлення 36738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NE60N03A
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N03KUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N03KUG-E1/-AY/JM
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N03SUG
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD60N03 ONSMS37047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD60N03-1
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD60N03RT4G
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD60N03T4 NTD60N03-D.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD60N03T4G
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60N03H
00+
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60N03L
Виробник: FAIRCHID
00+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03LTM FAIRS19866-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD60N03LTM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
503+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 503
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LG-DTE.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.23 грн
10+ 37.25 грн
11+ 33.09 грн
28+ 28.72 грн
77+ 27.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LG-DTE.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.68 грн
6+ 46.42 грн
10+ 39.71 грн
28+ 34.46 грн
77+ 32.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD060N03LGATMA1 IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.39 грн
10+ 49.95 грн
100+ 38.88 грн
500+ 30.93 грн
1000+ 25.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD060N03LGATMA1 Infineon_IPD060N03L_G_DataSheet_v02_02_EN-3362463.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.63 грн
10+ 45.72 грн
100+ 32.3 грн
500+ 27.97 грн
1000+ 24.97 грн
5000+ 23.24 грн
10000+ 23.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPS060N03LGAKMA1 IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf
IPS060N03LGAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+13.3 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTD60N03 ONSMS37047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NTD60N03
Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1402+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 1402
NTD60N03-001 NTD60N03-D.pdf
NTD60N03-001
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
на замовлення 29240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
761+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 761
NTD60N03T4 NTD60N03-D.pdf
NTD60N03T4
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 28V 60A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
на замовлення 56559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1402+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 1402
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP_B1807.pdf
TSM060N03CP ROG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 51A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 51A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.79 грн
9+ 42.04 грн
24+ 34.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP_B1807.pdf
TSM060N03CP ROG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 51A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 51A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+52.38 грн
24+ 41.2 грн
65+ 38.96 грн
500+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP_B1807.pdf
TSM060N03CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.72 грн
5000+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP_B1807.pdf
TSM060N03CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 8244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.75 грн
10+ 45.51 грн
100+ 31.5 грн
500+ 24.7 грн
1000+ 21.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM060N03ECP ROG TSM060N03ECP_B1807.pdf
TSM060N03ECP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 30V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.28 грн
10+ 50.54 грн
100+ 30.5 грн
500+ 25.44 грн
1000+ 21.71 грн
2500+ 19.25 грн
5000+ 18.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM060N03ECP ROG TSM060N03ECP_B1807.pdf
TSM060N03ECP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.75 грн
10+ 45.51 грн
100+ 31.5 грн
500+ 24.7 грн
1000+ 21.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM060N03PQ33 RGG TSM060N03PQ33_C1608.pdf
TSM060N03PQ33 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 30V, 62A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.7 грн
10+ 40.05 грн
100+ 24.24 грн
500+ 18.98 грн
1000+ 13.72 грн
5000+ 12.99 грн
10000+ 12.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
TSM060N03PQ33 RGG TSM060N03PQ33_C1608.pdf
TSM060N03PQ33 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1342 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TSM060N03PQ33 RGG TSM060N03PQ33_C1608.pdf
TSM060N03PQ33 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1342 pF @ 15 V
на замовлення 12065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.94 грн
10+ 36 грн
100+ 25.03 грн
500+ 18.34 грн
1000+ 14.91 грн
2000+ 13.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
AP60N03
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03GH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03H
Виробник: ANPEC
07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03H
Виробник: ANPEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03J
Виробник: ANPEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03J
Виробник: ANPEC
07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03L
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AP60N03S
Виробник: APEC
2000
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03K
Виробник: N/A
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03L
Виробник: FAIRCHILD
TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03L
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03L
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03L
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB60N03LTM
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03
Виробник: FAIRCHILD
SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03L
Виробник: FAIRCHILD
07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03L
Виробник: FAIRCHILD
TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03LTM FAIRS19866-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHIL
TO-252
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03LTM FAIRS19866-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHIL
09+
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP60N03
Виробник: FAIRCHILD
04+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP60N03L
Виробник: FAIRCHILD
0122
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GN04060N03MC
Виробник: PANASONIC
0647+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GN04060N03MC
Виробник: PANASONIC
0647+ QFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPU060N03L
Виробник: INF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPU060N03LG
Виробник: INFINEON
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ME60N03
на замовлення 8449 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ME60N03A
на замовлення 25035 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ME60N03AS
на замовлення 36738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NE60N03A
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N03KUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N03KUG-E1/-AY/JM
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N03SUG
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD60N03 ONSMS37047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD60N03-1
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD60N03RT4G
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD60N03T4 NTD60N03-D.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD60N03T4G
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]