Результат пошуку "60n100" : 36

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDB0260N1007L FDB0260N1007L onsemi fdb0260n1007l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.03 грн
10+ 527.89 грн
100+ 439.9 грн
FDB0260N1007L FDB0260N1007L onsemi fdb0260n1007l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+403.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDBL0260N100 FDBL0260N100 onsemi fdbl0260n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.01 грн
10+ 315.65 грн
100+ 255.36 грн
500+ 213.02 грн
1000+ 182.4 грн
FGL60N100BNTD; NPT Trench IGBT+диод; 60A 1000V 180W; Корпус: TO-264-3L; ON Semi.
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+288.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
DDB6U160N100K EUPEC O348 J4-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DDB6U60N100 EUPEC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGL60N100D fsc 8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G60N100BNTD FAIRCHIL 09+ QFP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT60N1000KOF AEG 05+
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGL60N100BNTD FGL60N100BNTD
Код товару: 54348
Fairchild fgl60n100bntd-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-264
Vces: 1000 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 60 A
Ic 100: 42 A
Pd 25: 180 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 140/630
товар відсутній
G60N100BNTD
Код товару: 101158
Транзистори > IGBT
товар відсутній
10018960-N1000AULF Amphenol ICC (FCI) 10018960.pdf Description: CABLE ASSY EYEMAX
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Black
Length: 32.81' (10.00m)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 16
Cable Type: Round
Usage: External
Fastening Type: Thumbscrews
Cable Connectors: Infiniband 4x
Part Status: Active
товар відсутній
DAMH560N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Case: HB9434
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
DAMH560N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Case: HB9434
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAMI160N100 DAMI160N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
DAMI160N100 DAMI160N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAMI560N100 DAMI560N100 DACO Semiconductor DAMI560N100.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.1mΩ
Pulsed drain current: 1.6kA
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
DAMI560N100 DAMI560N100 DACO Semiconductor DAMI560N100.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.1mΩ
Pulsed drain current: 1.6kA
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAMIA960N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
DAMIA960N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB0260N1007L FDB0260N1007L ON Semiconductor 3665551830348752fdb0260n1007l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDBL0260N100 FDBL0260N100 ON Semiconductor fdbl0260n100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товар відсутній
FDBL0260N100 FDBL0260N100 onsemi fdbl0260n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
товар відсутній
FGL60N100BNTD FGL60N100BNTD onsemi fgl60n100bntd-d.pdf Description: IGBT 1000V 60A 180W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns
Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 275 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
товар відсутній
FGL60N100BNTD FGL60N100BNTD ON Semiconductor 3656989317130244fgl60n100bntd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
FGL60N100BNTDTU FGL60N100BNTDTU onsemi fgl60n100bntd-d.pdf Description: IGBT 1000V 60A 180W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns
Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 275 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
товар відсутній
FGL60N100BNTDTU FGL60N100BNTDTU ON Semiconductor 3656989317130244fgl60n100bntd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
FGL60N100DTU FGL60N100DTU onsemi FGL60N100D.pdf Description: IGBT 1000V 60A 176W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 176 W
товар відсутній
TSG60N100CE C0G Taiwan Semiconductor TSG60N100CE C0G
товар відсутній
GKS-113 287 260 N 1002 INGUN GKS-113-0929 Contact Probes
товар відсутній
GKS-113 287 260 N 1002 M INGUN GKS-113-0525 Contact Probes
товар відсутній
IB054Q120T60N1-CB Vicor Corporation Description: IB054Q120T60N1-00
Packaging: Bag
Part Status: Active
товар відсутній
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
FDB0260N1007L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+640.03 грн
10+ 527.89 грн
100+ 439.9 грн
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
FDB0260N1007L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+403.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
FDBL0260N100
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.01 грн
10+ 315.65 грн
100+ 255.36 грн
500+ 213.02 грн
1000+ 182.4 грн
FGL60N100BNTD; NPT Trench IGBT+диод; 60A 1000V 180W; Корпус: TO-264-3L; ON Semi.
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+288.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
DDB6U160N100K
Виробник: EUPEC
O348 J4-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DDB6U60N100
Виробник: EUPEC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGL60N100D
Виробник: fsc
8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G60N100BNTD
Виробник: FAIRCHIL
09+ QFP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT60N1000KOF
Виробник: AEG
05+
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGL60N100BNTD
Код товару: 54348
fgl60n100bntd-d.pdf
FGL60N100BNTD
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-264
Vces: 1000 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 60 A
Ic 100: 42 A
Pd 25: 180 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 140/630
товар відсутній
G60N100BNTD
Код товару: 101158
товар відсутній
10018960-N1000AULF 10018960.pdf
Виробник: Amphenol ICC (FCI)
Description: CABLE ASSY EYEMAX
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Black
Length: 32.81' (10.00m)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 16
Cable Type: Round
Usage: External
Fastening Type: Thumbscrews
Cable Connectors: Infiniband 4x
Part Status: Active
товар відсутній
DAMH560N100
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Case: HB9434
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
DAMH560N100
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Case: HB9434
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAMI160N100
DAMI160N100
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
DAMI160N100
DAMI160N100
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAMI560N100 DAMI560N100.pdf
DAMI560N100
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.1mΩ
Pulsed drain current: 1.6kA
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
DAMI560N100 DAMI560N100.pdf
DAMI560N100
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.1mΩ
Pulsed drain current: 1.6kA
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAMIA960N100
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
DAMIA960N100
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB0260N1007L 3665551830348752fdb0260n1007l.pdf
FDB0260N1007L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDBL0260N100 fdbl0260n100jp-d.pdf
FDBL0260N100
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товар відсутній
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
FDBL0260N100
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
товар відсутній
FGL60N100BNTD fgl60n100bntd-d.pdf
FGL60N100BNTD
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1000V 60A 180W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns
Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 275 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
товар відсутній
FGL60N100BNTD 3656989317130244fgl60n100bntd.pdf
FGL60N100BNTD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
FGL60N100BNTDTU fgl60n100bntd-d.pdf
FGL60N100BNTDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1000V 60A 180W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns
Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 275 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
товар відсутній
FGL60N100BNTDTU 3656989317130244fgl60n100bntd.pdf
FGL60N100BNTDTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
FGL60N100DTU FGL60N100D.pdf
FGL60N100DTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1000V 60A 176W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 176 W
товар відсутній
TSG60N100CE C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor
TSG60N100CE C0G
товар відсутній
GKS-113 287 260 N 1002
Виробник: INGUN
GKS-113-0929 Contact Probes
товар відсутній
GKS-113 287 260 N 1002 M
Виробник: INGUN
GKS-113-0525 Contact Probes
товар відсутній
IB054Q120T60N1-CB
Виробник: Vicor Corporation
Description: IB054Q120T60N1-00
Packaging: Bag
Part Status: Active
товар відсутній