Результат пошуку "60n6" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH60N60SFDTU Код товару: 71883 |
FAIR/ON |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,5 V Ic 25: 120 A Ic 100: 60 A Pd 25: 378 W |
у наявності: 38 шт
|
|
|||||||||||||||
FGH60N60SMD Код товару: 60291 |
FAIR/ON |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,9 V Ic 25: 120 A Ic 100: 60 A Pd 25: 300 W td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115 |
у наявності: 100 шт
очікується:
10 шт
|
|
|||||||||||||||
60N6S2 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
APT60N60BCSG | Microchip Technology | MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247 |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DAMI660N60 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 500A Case: SOT227B On-state resistance: 0.9mΩ Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DAMI660N60 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 500A Case: SOT227B On-state resistance: 0.9mΩ Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCB260N65S3 | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCD260N65S3 | onsemi | MOSFET SUPERFET3 260MOHM TO252 |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCD260N65S3 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCD360N65S3R0 | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCMT360N65S3 | onsemi | MOSFET Easy Drive 650V 10A 360 mOhm |
на замовлення 2634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP260N60E | onsemi / Fairchild | MOSFET PWM Controller mWSaver |
на замовлення 3639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP260N65S3 | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG |
на замовлення 800 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP360N65S3R0 | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCPF260N60E | onsemi / Fairchild | MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCPF360N65S3R0L-F154 | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 756-765 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGA60N60UFDTU | ON-Semicoductor |
IGBT 600V 120A 298W FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGA60N65SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FGA60N65SMD | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT |
на замовлення 1727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGA60N65SMD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGA60N65SMD | ON-Semicoductor |
IGBT 650V 120A 600W FGA60N65SMD TFGA60N65smd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGH60N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGH60N60SMD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGH60N60SMD | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2 |
на замовлення 8712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW60N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 184-193 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKFW60N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW60N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 64ns Turn-off time: 314ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKWH60N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH60N60X3 | IXYS | MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO |
на замовлення 300 шт: термін постачання 350-359 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH60N65X2 | IXYS | MOSFET MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2 |
на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH60N65X2-4 | IXYS | MOSFET 650V/60A TO-247-4L |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFT60N60X3HV | IXYS | MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFT60N65X2HV | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Power dissipation: 780W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 180ns |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFT60N65X2HV | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Power dissipation: 780W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH60N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH60N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 271 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH60N60C3D1 | IXYS | IGBT Modules 60 Amps 600V |
на замовлення 1412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGT60N60C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGT60N60C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH60N65B4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 265A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH60N65B4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 265A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 269 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH60N65B4H1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 265A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH60N65B4H1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 265A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH60N65B4H1 | IXYS | IGBT Transistors 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXX160N65B4 | IXYS | IGBT Transistors 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYP60N65A5 | IXYS | IGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220 |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTD360N65S3H | onsemi | MOSFET SUPERFET3 FAST, 360MOHM, DPAK |
на замовлення 6793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTPF360N65S3H | onsemi | MOSFET SUPERFET3 FAST, 360MOHM, TO-220F |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVB260N65S3 | onsemi | MOSFET SF3 650V EASY 260MOHM, D2PAK AUTO |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJMD360N60EC_L2_00001 | Panjit | MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJMF360N60EC_T0_00001 | Panjit | MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJMP360N60EC_T0_00001 | Panjit | MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RE60N61R9C02 | Vishay / Dale | Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 61.9ohms 1% Non Inductive |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
FGH60N60SFDTU Код товару: 71883 |
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності: 38 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 228 грн |
10+ | 211 грн |
FGH60N60SMD Код товару: 60291 |
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності: 100 шт
очікується:
10 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 255 грн |
10+ | 239 грн |
APT60N60BCSG |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1445.27 грн |
100+ | 1229.64 грн |
DAMI660N60 |
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2695.33 грн |
DAMI660N60 |
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3234.39 грн |
FCB260N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 266.05 грн |
10+ | 223.71 грн |
25+ | 172.84 грн |
100+ | 161.67 грн |
250+ | 153.13 грн |
800+ | 116.32 грн |
FCD260N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 260MOHM TO252
MOSFET SUPERFET3 260MOHM TO252
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 147.98 грн |
10+ | 129.24 грн |
100+ | 99.24 грн |
250+ | 98.58 грн |
500+ | 90.04 грн |
1000+ | 77.55 грн |
2500+ | 69.66 грн |
FCD260N65S3 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 78.97 грн |
FCD360N65S3R0 |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 156.41 грн |
10+ | 127.73 грн |
100+ | 88.72 грн |
250+ | 82.15 грн |
500+ | 74.26 грн |
1000+ | 63.55 грн |
2500+ | 60.66 грн |
FCMT360N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET Easy Drive 650V 10A 360 mOhm
MOSFET Easy Drive 650V 10A 360 mOhm
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 186.31 грн |
10+ | 181.38 грн |
25+ | 156.41 грн |
100+ | 150.5 грн |
250+ | 145.24 грн |
500+ | 136.7 грн |
1000+ | 117.64 грн |
FCP260N60E |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PWM Controller mWSaver
MOSFET PWM Controller mWSaver
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 219.28 грн |
10+ | 182.14 грн |
50+ | 148.53 грн |
100+ | 127.5 грн |
250+ | 120.27 грн |
500+ | 96.61 грн |
800+ | 91.35 грн |
FCP260N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG
MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG
на замовлення 800 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.38 грн |
10+ | 145.11 грн |
50+ | 109.09 грн |
800+ | 92.01 грн |
FCP360N65S3R0 |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG
MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 188.61 грн |
10+ | 149.64 грн |
100+ | 107.12 грн |
250+ | 101.21 грн |
500+ | 90.69 грн |
800+ | 72.95 грн |
2400+ | 70.32 грн |
FCPF260N60E |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 154.88 грн |
10+ | 133.77 грн |
50+ | 115.67 грн |
100+ | 101.86 грн |
FCPF360N65S3R0L-F154 |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 756-765 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 202.41 грн |
10+ | 167.03 грн |
25+ | 134.07 грн |
100+ | 115.67 грн |
250+ | 109.09 грн |
500+ | 105.15 грн |
1000+ | 89.38 грн |
FGA60N60UFDTU |
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 298.52 грн |
FGA60N65SMD |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGA60N65SMD |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT
IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 400.23 грн |
10+ | 359.75 грн |
25+ | 272.08 грн |
100+ | 232.65 грн |
250+ | 231.33 грн |
450+ | 230.02 грн |
2700+ | 200.44 грн |
FGA60N65SMD |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 188.61 грн |
FGA60N65SMD |
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 304.33 грн |
FGH60N60SMD |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 478.46 грн |
3+ | 306 грн |
8+ | 288.89 грн |
FGH60N60SMD |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 214.68 грн |
FGH60N60SMD |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 8712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 464.63 грн |
25+ | 363.53 грн |
100+ | 270.76 грн |
450+ | 240.53 грн |
900+ | 208.99 грн |
IGW60N60H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 476.14 грн |
10+ | 432.3 грн |
25+ | 321.37 грн |
100+ | 292.45 грн |
240+ | 281.94 грн |
480+ | 231.33 грн |
1200+ | 220.16 грн |
IGW60N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 499.84 грн |
3+ | 355.98 грн |
IGW60N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 599.81 грн |
3+ | 443.6 грн |
7+ | 403.35 грн |
IGW60N60H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 243.05 грн |
IKFW60N60DH3EXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 438.57 грн |
10+ | 370.33 грн |
25+ | 292.45 грн |
100+ | 255.65 грн |
240+ | 218.19 грн |
480+ | 212.93 грн |
1200+ | 203.07 грн |
IKFW60N60EH3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 184-193 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 728.39 грн |
10+ | 614.44 грн |
25+ | 507.35 грн |
100+ | 497.49 грн |
240+ | 406.14 грн |
480+ | 393 грн |
1200+ | 353.57 грн |
IKFW60N65ES5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 653.25 грн |
10+ | 551.71 грн |
25+ | 435.06 грн |
100+ | 406.14 грн |
240+ | 345.03 грн |
480+ | 333.2 грн |
1200+ | 308.22 грн |
IKW60N60H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 552.04 грн |
10+ | 467.07 грн |
25+ | 368.03 грн |
100+ | 337.8 грн |
240+ | 318.08 грн |
480+ | 298.36 грн |
1200+ | 281.94 грн |
IKW60N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 514.59 грн |
3+ | 329.28 грн |
7+ | 311.48 грн |
IKW60N60H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 273.72 грн |
IKWH60N65WR6XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 312.82 грн |
10+ | 281.9 грн |
25+ | 212.93 грн |
100+ | 182.7 грн |
240+ | 176.13 грн |
480+ | 138.01 грн |
1200+ | 130.12 грн |
IXFH60N60X3 |
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
на замовлення 300 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 857.2 грн |
IXFH60N65X2 |
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
MOSFET MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 778.99 грн |
10+ | 677.17 грн |
30+ | 498.15 грн |
60+ | 479.75 грн |
120+ | 478.44 грн |
510+ | 459.38 грн |
IXFH60N65X2-4 |
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/60A TO-247-4L
MOSFET 650V/60A TO-247-4L
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 900.9 грн |
10+ | 782.22 грн |
30+ | 661.79 грн |
60+ | 624.33 грн |
120+ | 607.9 грн |
510+ | 561.9 грн |
1020+ | 515.9 грн |
IXFT60N60X3HV |
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 857.2 грн |
10+ | 724.03 грн |
30+ | 597.39 грн |
120+ | 525.1 грн |
270+ | 524.44 грн |
510+ | 463.32 грн |
1020+ | 416.66 грн |
IXFT60N65X2HV |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 819.07 грн |
2+ | 553.14 грн |
4+ | 523.01 грн |
IXFT60N65X2HV |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 982.88 грн |
2+ | 689.29 грн |
4+ | 627.62 грн |
IXGH60N60C3D1 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 632.55 грн |
2+ | 421.01 грн |
6+ | 398.42 грн |
10+ | 397.74 грн |
IXGH60N60C3D1 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 271 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 759.06 грн |
2+ | 524.65 грн |
6+ | 478.11 грн |
10+ | 477.29 грн |
IXGH60N60C3D1 |
Виробник: IXYS
IGBT Modules 60 Amps 600V
IGBT Modules 60 Amps 600V
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 784.36 грн |
10+ | 662.81 грн |
30+ | 470.55 грн |
120+ | 468.58 грн |
IXGT60N60C3D1 |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 415.06 грн |
3+ | 307.37 грн |
8+ | 290.94 грн |
IXGT60N60C3D1 |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 498.08 грн |
3+ | 383.04 грн |
8+ | 349.13 грн |
30+ | 343.38 грн |
IXXH60N65B4 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 470.36 грн |
3+ | 312.85 грн |
7+ | 295.74 грн |
IXXH60N65B4 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 564.43 грн |
3+ | 389.86 грн |
7+ | 354.88 грн |
IXXH60N65B4H1 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 847.08 грн |
2+ | 581.2 грн |
4+ | 549.71 грн |
IXXH60N65B4H1 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1016.5 грн |
2+ | 724.27 грн |
4+ | 659.66 грн |
IXXH60N65B4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBT Transistors 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 949.2 грн |
IXXX160N65B4 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBT Transistors 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1380.1 грн |
10+ | 1198.65 грн |
30+ | 908.9 грн |
60+ | 885.89 грн |
120+ | 848.43 грн |
270+ | 835.29 грн |
510+ | 815.57 грн |
IXYP60N65A5 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
IGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 476.14 грн |
10+ | 432.3 грн |
50+ | 320.71 грн |
100+ | 291.14 грн |
250+ | 281.94 грн |
500+ | 251.7 грн |
1000+ | 220.16 грн |
NTD360N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 360MOHM, DPAK
MOSFET SUPERFET3 FAST, 360MOHM, DPAK
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 185.55 грн |
10+ | 142.84 грн |
100+ | 115.01 грн |
250+ | 104.49 грн |
500+ | 94.64 грн |
1000+ | 79.52 грн |
2500+ | 67.03 грн |
NTPF360N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 360MOHM, TO-220F
MOSFET SUPERFET3 FAST, 360MOHM, TO-220F
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 417.86 грн |
10+ | 365.04 грн |
50+ | 268.79 грн |
100+ | 264.85 грн |
250+ | 245.79 грн |
500+ | 226.07 грн |
1000+ | 113.69 грн |
NVB260N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V EASY 260MOHM, D2PAK AUTO
MOSFET SF3 650V EASY 260MOHM, D2PAK AUTO
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.08 грн |
10+ | 172.32 грн |
100+ | 118.95 грн |
500+ | 95.95 грн |
800+ | 82.81 грн |
2400+ | 78.21 грн |
4800+ | 76.89 грн |
PJMD360N60EC_L2_00001 |
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 203.95 грн |
10+ | 168.54 грн |
25+ | 138.67 грн |
100+ | 118.95 грн |
250+ | 112.38 грн |
500+ | 105.81 грн |
1000+ | 90.69 грн |
PJMF360N60EC_T0_00001 |
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 222.35 грн |
10+ | 184.41 грн |
25+ | 151.81 грн |
100+ | 129.47 грн |
250+ | 122.89 грн |
500+ | 115.67 грн |
1000+ | 105.15 грн |
PJMP360N60EC_T0_00001 |
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.98 грн |
10+ | 179.87 грн |
25+ | 147.21 грн |
100+ | 126.84 грн |
250+ | 118.95 грн |
500+ | 112.38 грн |
1000+ | 102.52 грн |
RE60N61R9C02 |
Виробник: Vishay / Dale
Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 61.9ohms 1% Non Inductive
Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 61.9ohms 1% Non Inductive
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 666.28 грн |
10+ | 557 грн |
20+ | 477.78 грн |
50+ | 421.26 грн |
100+ | 364.08 грн |
200+ | 329.91 грн |
500+ | 307.57 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]