Результат пошуку "60n60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH60N60SFDTU Код товару: 71883 |
FAIR/ON |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,5 V Ic 25: 120 A Ic 100: 60 A Pd 25: 378 W |
у наявності: 38 шт
|
|
|||||||||||||||
FGH60N60SMD Код товару: 60291 |
FAIR/ON |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,9 V Ic 25: 120 A Ic 100: 60 A Pd 25: 300 W td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115 |
у наявності: 110 шт
|
|
|||||||||||||||
APT60N60BCSG | Microchip Technology | MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247 |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DAMI660N60 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 500A Case: SOT227B On-state resistance: 0.9mΩ Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DAMI660N60 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 500A Case: SOT227B On-state resistance: 0.9mΩ Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP260N60E | onsemi / Fairchild | MOSFET PWM Controller mWSaver |
на замовлення 3641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCPF260N60E | onsemi / Fairchild | MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGA60N60UFDTU | ON-Semicoductor |
IGBT 600V 120A 298W FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGH60N60SMD | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2 |
на замовлення 8709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGH60N60SMD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW60N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 184-193 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW60N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 64ns Turn-off time: 314ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH60N60X3 | IXYS | MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO |
на замовлення 300 шт: термін постачання 1075-1084 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFT60N60X3HV | IXYS | MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH60N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH60N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 287 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH60N60C3D1 | IXYS | IGBT Modules 60 Amps 600V |
на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGT60N60C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGT60N60C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJMD360N60EC_L2_00001 | Panjit | MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJMF360N60EC_T0_00001 | Panjit | MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJMP360N60EC_T0_00001 | Panjit | MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор IGBT FGH60N60SMD 60A 600V TO-247 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DT60N600KOC | AEG | 05+ |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCPF260N60E | ON Semiconductor |
на замовлення 49650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FGH60N60SFDTU | FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors |
на замовлення 108 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FGH60N60SFTU | fairchild | 2011+ |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FGH60N60UFDTU | fairchild | 2011+ |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
G160N60 | FAIRCHIL | 09+ QSOP20 |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IKFW60N60DH3E | Infineon technologies |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXFN60N60 | IXYS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXFN60N60 | IXYS | MODULE |
на замовлення 188 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXGK60N60B2D1 | IXYS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXGK60N60B2D1 | IXYS | TO-264 09+ |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXGK60N60C2D1 | IXYS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXGN60N60 | IXYS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXGN60N60 | ABB | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXGN60N60C2 | IXYS | 60A/600V/IGBT/1U |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXGN60N60C2D1 | IXYS | SOP8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXGN60N60C2D1 | IXYS | 60A/600V/IGBT/1U |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXGR60N60U1 | IXYS | 00+ |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXGX60N60C2D1 | IXYS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MT60N60 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SGL160N60 | FSC |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SGL160N60FD |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SGL160N60UF |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SGL160N60UFD | FAIRCHILD |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SGL160N60UFD(G160N |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SGL160N60UFDTU===Fairchild |
на замовлення 375 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
TT160N600KOC | AEG | 05+ |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
TT60N600KOF | AEG | 05+ |
на замовлення 470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FGA60N60UFDTU Код товару: 101205 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
FGH60N60SFDTU Код товару: 71883 |
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності: 38 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 228 грн |
10+ | 211 грн |
FGH60N60SMD Код товару: 60291 |
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності: 110 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 255 грн |
10+ | 239 грн |
APT60N60BCSG |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1445.27 грн |
100+ | 1229.64 грн |
DAMI660N60 |
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2696.06 грн |
DAMI660N60 |
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3235.28 грн |
FCP260N60E |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PWM Controller mWSaver
MOSFET PWM Controller mWSaver
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 219.28 грн |
10+ | 182.14 грн |
50+ | 148.53 грн |
100+ | 127.5 грн |
250+ | 120.27 грн |
500+ | 96.61 грн |
800+ | 91.35 грн |
FCPF260N60E |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 157.95 грн |
10+ | 133.77 грн |
50+ | 115.67 грн |
100+ | 101.86 грн |
FGA60N60UFDTU |
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 298.52 грн |
FGH60N60SMD |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 8709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 464.63 грн |
25+ | 363.53 грн |
100+ | 270.76 грн |
450+ | 240.53 грн |
900+ | 208.99 грн |
FGH60N60SMD |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 214.68 грн |
IGW60N60H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 476.14 грн |
10+ | 432.3 грн |
25+ | 321.37 грн |
100+ | 292.45 грн |
240+ | 281.94 грн |
480+ | 231.33 грн |
1200+ | 220.16 грн |
IGW60N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 499.84 грн |
3+ | 355.98 грн |
IGW60N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 599.81 грн |
3+ | 443.6 грн |
7+ | 403.35 грн |
IGW60N60H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 243.05 грн |
IKFW60N60DH3EXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 438.57 грн |
10+ | 370.33 грн |
25+ | 292.45 грн |
100+ | 255.65 грн |
240+ | 228.05 грн |
480+ | 212.93 грн |
1200+ | 203.07 грн |
IKFW60N60EH3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 184-193 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 727.62 грн |
10+ | 614.44 грн |
25+ | 484.35 грн |
100+ | 467.26 грн |
240+ | 396.94 грн |
1200+ | 369.34 грн |
2640+ | 350.28 грн |
IKW60N60H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 552.04 грн |
10+ | 467.07 грн |
25+ | 368.03 грн |
100+ | 337.8 грн |
240+ | 318.08 грн |
480+ | 298.36 грн |
1200+ | 281.94 грн |
IKW60N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 514.59 грн |
3+ | 329.28 грн |
7+ | 311.48 грн |
IKW60N60H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 273.72 грн |
IXFH60N60X3 |
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
на замовлення 300 шт:
термін постачання 1075-1084 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 857.2 грн |
IXFT60N60X3HV |
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 857.2 грн |
10+ | 724.03 грн |
30+ | 597.39 грн |
120+ | 525.1 грн |
270+ | 524.44 грн |
510+ | 463.32 грн |
1020+ | 416.66 грн |
IXGH60N60C3D1 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 632.55 грн |
2+ | 421.01 грн |
6+ | 397.74 грн |
IXGH60N60C3D1 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 759.06 грн |
2+ | 524.65 грн |
6+ | 477.29 грн |
IXGH60N60C3D1 |
Виробник: IXYS
IGBT Modules 60 Amps 600V
IGBT Modules 60 Amps 600V
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 784.36 грн |
10+ | 662.81 грн |
30+ | 470.55 грн |
120+ | 468.58 грн |
IXGT60N60C3D1 |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 415.06 грн |
3+ | 307.37 грн |
8+ | 290.26 грн |
IXGT60N60C3D1 |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 498.08 грн |
3+ | 383.04 грн |
8+ | 348.31 грн |
30+ | 343.38 грн |
PJMD360N60EC_L2_00001 |
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 203.95 грн |
10+ | 168.54 грн |
25+ | 138.67 грн |
100+ | 118.95 грн |
250+ | 112.38 грн |
500+ | 105.81 грн |
1000+ | 90.69 грн |
PJMF360N60EC_T0_00001 |
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 222.35 грн |
10+ | 184.41 грн |
25+ | 151.81 грн |
100+ | 129.47 грн |
250+ | 122.89 грн |
500+ | 115.67 грн |
1000+ | 105.15 грн |
PJMP360N60EC_T0_00001 |
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.98 грн |
10+ | 179.87 грн |
25+ | 147.21 грн |
100+ | 126.84 грн |
250+ | 118.95 грн |
500+ | 112.38 грн |
1000+ | 102.52 грн |
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247 |
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 285.48 грн |
Транзистор IGBT FGH60N60SMD 60A 600V TO-247 |
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 246.34 грн |
FGH60N60SFDTU |
FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)IKFW60N60DH3E |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]