Результат пошуку "65n20" : 23
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 1902
Мінімальне замовлення: 1902
Мінімальне замовлення: 800
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQA65N20 | Fairchild |
 N-MOSFET 65A 200V 310W 0.032Ω FQA65N20 TFQA65n20кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
MC33465N-20ATR | onsemi |
Description: IC SUPERVISOR PWR SUP SUPPORT Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MC33465N-20CTR | onsemi |
Description: IC SUPERVISOR PWR SUP SUPPORT Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 5315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V 65A 375W 30mohm @ 10V |
на замовлення 6182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
на замовлення 5169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| B39458-M1865-N201 | EPCOS | 2004 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| CAT28LV65N-20 |
на замовлення 670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SUM65N20-30 | VISHAY |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| TT265N200KOF | AEG | 05+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
MTA65N20H8 Код товару: 191732 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
SUM65N20-30-E3 Код товару: 192327 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
B39361X6865N201 | Qualcomm (RF front-end (RFFE) filters) |
Description: FILTER SAW 36.125MHZ 5SIP Packaging: Tube Package / Case: 5-SIP Size / Dimension: 0.539" L x 0.189" W (13.70mm x 4.80mm) Mounting Type: Through Hole Insertion Loss: 17.6dB Bandwidth: 6MHz Applications: Digital Cable Filter Frequency - Center: 36.125MHz Height (Max): 0.094" (2.40mm) |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| B39361X6865N201 | RF360 |
SAW Filter Band Pass 36.125MHz 19.1dB 2KOhm//3pF Thru-Hole 5 Pin SIP5D |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| B39440X6965N201 | RF360 |
SAW Filter Band Pass 44MHz 16.2dB 2KOhm//3pF Thru-Hole 5 Pin SIP5D |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| B39458M1865N201 | RF360 |
SAW Filter IF 45.75MHz |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
FQA65N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQA65N20 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SUM65N20-30-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
| FQA65N20 |
|
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 152.68 грн |
| MC33465N-20ATR |
|
Виробник: onsemi
Description: IC SUPERVISOR PWR SUP SUPPORT
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SUPERVISOR PWR SUP SUPPORT
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1902+ | 10.5 грн |
| MC33465N-20CTR |
|
Виробник: onsemi
Description: IC SUPERVISOR PWR SUP SUPPORT
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SUPERVISOR PWR SUP SUPPORT
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1902+ | 10.5 грн |
| SUM65N20-30-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 186.56 грн |
| 1600+ | 153.82 грн |
| 2400+ | 144.84 грн |
| SUM65N20-30-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V 65A 375W 30mohm @ 10V
MOSFET 200V 65A 375W 30mohm @ 10V
на замовлення 6182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 312.06 грн |
| 10+ | 262.25 грн |
| 25+ | 224.1 грн |
| 100+ | 186.64 грн |
| 250+ | 182.04 грн |
| 500+ | 170.87 грн |
| 800+ | 157.07 грн |
| SUM65N20-30-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
на замовлення 5169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 309.24 грн |
| 10+ | 249.8 грн |
| 100+ | 202.1 грн |
| B39361X6865N201 |
|
Виробник: Qualcomm (RF front-end (RFFE) filters)
Description: FILTER SAW 36.125MHZ 5SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 5-SIP
Size / Dimension: 0.539" L x 0.189" W (13.70mm x 4.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Insertion Loss: 17.6dB
Bandwidth: 6MHz
Applications: Digital Cable Filter
Frequency - Center: 36.125MHz
Height (Max): 0.094" (2.40mm)
Description: FILTER SAW 36.125MHZ 5SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 5-SIP
Size / Dimension: 0.539" L x 0.189" W (13.70mm x 4.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Insertion Loss: 17.6dB
Bandwidth: 6MHz
Applications: Digital Cable Filter
Frequency - Center: 36.125MHz
Height (Max): 0.094" (2.40mm)
товар відсутній
| B39361X6865N201 |
|
Виробник: RF360
SAW Filter Band Pass 36.125MHz 19.1dB 2KOhm//3pF Thru-Hole 5 Pin SIP5D
SAW Filter Band Pass 36.125MHz 19.1dB 2KOhm//3pF Thru-Hole 5 Pin SIP5D
товар відсутній
| B39440X6965N201 |
|
Виробник: RF360
SAW Filter Band Pass 44MHz 16.2dB 2KOhm//3pF Thru-Hole 5 Pin SIP5D
SAW Filter Band Pass 44MHz 16.2dB 2KOhm//3pF Thru-Hole 5 Pin SIP5D
товар відсутній
| FQA65N20 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
| FQA65N20 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
товар відсутній
| SUM65N20-30-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| SUM65N20-30-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній